TWI646873B

TWI646873B - 電子裝置與其製造方法

Info

Publication number: TWI646873B
Application number: TW106116725A
Authority: TW
Inventors: 楊武璋
Original assignee: 啟耀光電股份有限公司
Priority date: 2017-05-19
Filing date: 2017-05-19
Publication date: 2019-01-01
Also published as: JP6745836B2; JP2018195826A; TW201902313A

Abstract

本發明揭露一種電子裝置及其製造方法。電子裝置的製造方法包括：形成一軟性基材於一剛性載板上；形成至少一薄膜元件於軟性基材上；形成一導電線路於軟性基材上，其中導電線路與薄膜元件電性連接；形成至少一電性連接墊於軟性基材上並與導電線路電性連接，其中電性連接墊的厚度介於2~20微米；設置至少一表面貼裝元件於軟性基材上，其中表面貼裝元件通過電性連接墊及導電線路而與薄膜元件電性連接；以及移除剛性載板。

Description

電子裝置與其製造方法

本發明係關於一種電子裝置，特別關於一種電子裝置與其製造方法。

傳統在製造電子裝置(例如顯示器)的過程中，是以半導體製程製作而得到一顆一顆的半導體元件後轉置在一承載基材上，再使用選取頭(pick-up head)自承載基材上一次捉取一個或多個元件後，以轉置到例如電路基板上，再進行後續的其他製程。但是，這種製作方式所需的設備成本相對較高，使得電子裝置的成本較高，而且受限於設備的製作精度，使得製得的電子裝置的元件密度也受到限制。

本發明之目的為提供一種有別於習知技術之電子裝置與其製造方法，使電子裝置具有較高的元件設置密度。

為達上述目的，依據本發明之一種電子裝置，包括一軟性電路板、至少一薄膜元件以及至少一表面貼裝元件。軟性電路板包含一軟性基材、一導電線路及至少一電性連接墊。導電線路設置於軟性基材上。電性連接墊設置於軟性基材上並與導電線路電性連接，電性連接墊的厚度介於2~20微米。薄膜元件設置於軟性基材上並與導電線路電性連接。表面貼裝元件設置於軟性基材上，表面貼裝元件通過電性連接墊及導電線路而與薄膜元件電性連接。

為達上述目的，依據本發明之一種電子裝置的製造方法，包括：形成一軟性基材於一剛性載板上；形成至少一薄膜元件於軟性基材上；形成一導電線路於軟性基材上，其中導電線路與薄膜元件電性連接；形成至少一電性連接墊於軟性基材上並與導電線路電性連接，其中電性連接墊的厚度介於2~20微米；設置至少一表面貼裝元件於軟性基材上，其中表面貼裝元件通過電性連接墊及導電線路而與薄膜元件電性連接；以及移除剛性載板。

在一實施例中，軟性基材包含有機高分子材料，有機高分子材料之玻璃轉換溫度介於攝氏400度至攝氏600度。

在一實施例中，導電線路的線寬介於1~10微米。

在一實施例中，薄膜元件為一半導體元件。

在一實施例中，軟性基材包含一作動區及一周邊區，薄膜元件位於作動區，表面貼裝元件位於周邊區，用以驅動薄膜元件。

在一實施例中，該些薄膜元件的數量為複數，該些薄膜元件形成一感測畫素陣列。

在一實施例中，軟性基材包含一作動區，薄膜元件與表面貼裝元件位於作動區。

在一實施例中，該些薄膜元件及該些表面貼裝元件的數量為複數，該些薄膜元件與該些表面貼裝元件形成一畫素陣列。

在一實施例中，薄膜元件包含至少一薄膜電晶體，表面貼裝元件包含至少一發光二極體晶片。

在一實施例中，電子裝置可為指紋感測器、X光感測器或發光二極體顯示器。

在一實施例中，軟性基材是以膠合或塗佈方式設置，並經固化後形成於剛性載板上。

在一實施例中，電性連接墊是以電鍍、印刷、或蒸鍍加剝離成型製程製作而成。

在一實施例中，導電線路係利用銅箔壓合後蝕刻或是薄膜製程形成。

在一實施例中，薄膜製程包含低溫多晶矽製程、非晶矽製程或金屬氧化物半導體製程。

承上所述，在本發明的電子裝置與其製造方法中，係在軟性基材上設置導電線路與至少一電性連接墊，電性連接墊的厚度介於2~20微米，再設置至少一薄膜元件並與導電線路與電性連接墊電性連接，且再設置表面貼裝元件並通過電性連接墊及導電線路而與薄膜元件電性連接。藉此，相較於習知技術製作之電子裝置而言，本發明的電子裝置由於是在軟性基材上通過薄膜製程製作薄膜元件後再利用表面貼裝技術(SMT)設置表面貼裝元件(SMD)，因此，可以製作出很多精細的線路和元件，進而可提高元件設置密度。

1、2、3、4‧‧‧電子裝置

11、21、41‧‧‧軟性電路板

111、211、311、411‧‧‧軟性基材

112‧‧‧導電線路

113‧‧‧電性連接墊

114‧‧‧導電件

12、22、32‧‧‧薄膜元件

13、23、33‧‧‧表面貼裝元件

131、132‧‧‧電極

24‧‧‧保護層

25‧‧‧感測畫素陣列

34‧‧‧掃描驅動電路

35‧‧‧資料驅動電路

9‧‧‧剛性載板

91‧‧‧黏著層

A1‧‧‧作動區

A2‧‧‧周邊區

B‧‧‧藍色

C‧‧‧電容

d‧‧‧厚度

D1、D2、D3‧‧‧資料線

G‧‧‧綠色

M‧‧‧開關電晶體

M1、T1‧‧‧第一端

M2、T2‧‧‧第二端

P1、P2、P3‧‧‧畫素

R‧‧‧紅色

S01至S06‧‧‧步驟

S1、S2、S3‧‧‧掃描線

T‧‧‧驅動電晶體

V_S‧‧‧電源

圖1為本發明較佳實施例之一種電子裝置之製造方法的流程示意圖。

圖2A至圖2E分別為本發明一實施例之電子裝置的製造過程示意圖。

圖3為本發明另一實施例之電子裝置的示意圖。

圖4A為本發明另一實施例之電子裝置的示意圖。

圖4B為本發明一實施例之電子裝置的電路示意圖。

圖5A為本發明另一實施例之電子裝置的俯視示意圖。

圖5B為一實施例之圖5A的電子裝置的側視示意圖。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之電子裝置與其製造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。

請參照圖1所示，其為本發明較佳實施例之一種電子裝置之製造方法的流程示意圖。以下實施例所述之「電子裝置」，可為發光二極體(LED)顯示器、微發光二極體顯示器(Micro-LED Display)、感測裝置(例如指紋感測器、指紋辨識器、X光感測器)、半導體裝置或照明裝置等等，本發明在此不做任何限制。

如圖1所示，電子裝置1的製造方法包括以下步驟：形成一軟性基材(Flexible Substrate)於一剛性載板上(步驟S01)、形成至少一薄膜元件於軟性基材上(步驟S02)、形成一導電線路於軟性基材上，其中導電線路與薄膜元件電性連接(步驟S03)、形成至少一電性連接墊於軟性基材上並與導電線路電性連接，其中電性連接墊的厚度介於2~20微米(步驟S04)、設置至少一表面貼裝元件(SMD)於軟性基材上，其中表面貼裝元件通過電性連接墊及導電線路而與薄膜元件電性連接(步驟S05)，以及移除剛性載板(步驟S06)。

以下，請參照圖1並配合圖2A至圖2E所示，以說明上述步驟S01至步驟S06的詳細內容。圖2A至圖2E分別為本發明一實施例之電子裝置1的製造過程示意圖。

於步驟S01中，如圖2A所示，係形成一軟性基材111於一剛性載板9上。剛性載板9可為可透光或是不可透光材料製成，例如但不限於為玻璃板、陶瓷板、金屬板或石英板，本實施例是以玻璃板為例。另外，軟性基材111具有可撓性，並可包含有機高分子材料，有機高分子材料的玻璃轉換溫度(Glass Transition Temperature,Tg)可介於攝氏400度至攝氏600度之間，藉由如此高的玻璃轉換溫度，可使軟性基材111於後續的製程中，特性不會被破壞。其中，有機高分子材料可為熱塑性材料，例如為聚醯亞胺(PI)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚氯乙烯(Polyvinylchloride,PVC)、聚苯乙烯(PS)、壓克力(丙烯，acrylic)、氟化聚合物(Fluoropolymer)、聚酯纖維(polyester)或尼龍(nylon)。本實施例的軟性基材111的材料是以聚醯亞胺(PI)為例。

軟性基材111例如可以膠合或塗佈方式設置，並經固化(熱固化或光固化)後形成於剛性載板9上。在本實施例中，是先在剛性載板9上塗佈一黏著層91後，再貼合軟性基材111在黏著層91上經層壓、固化後而成。其中，黏著層91的材料可例如但不限於環氧樹脂膠或矽烷偶聯劑(Silane coupling agent,SCA)。另外，若以塗佈方式設置軟性基材111，則可直接將有機高分子材料塗佈在剛性載板9上，經固化後在剛性載板9上直接形成一層軟性基材111，而不需要黏著層。

接著，於步驟S02中，如圖2B所示，是利用薄膜製程在軟性基材111上形成至少一薄膜元件12。於此，薄膜製程可為半導體製程，薄膜元件12可為一半導體元件，並直接形成而設置於軟性基材111上；或者，薄膜元件12也可間接形成於軟性基材111上，例如兩者之間包含有緩衝層或絕緣層，並不限制。在一些實施例中，薄膜元件12可例如但不限於包含薄膜電晶體(TFT transistor)、光電晶體(photo transistor)、二極體(diode)、發光二極體(LED)、微發光二極體(μLED)、有機發光二極體(OLED)、光二極體(photo diode)、電容(capacitor)、電壓控制電容器(voltage controlled capacitor)、電阻(resistor)、光電阻(photo resistor)、熱電阻(thermal resistor)、…等等，或其組合。另外，上述的薄膜製程可包含低溫多晶矽(LTPS)製程、非晶矽(a-Si)製程或金屬氧化物(如IGZO)半導體製程等，並不限制。在一些實施例中，除了在軟性基材111上形成薄膜元件12之外，更可形成其他的絕緣膜層或導電膜層。

接著，於步驟S03中，是形成一導電線路112於軟性基材111上，其中導電線路112與薄膜元件12電性連接，且導電線路112的線寬可介於1~10微米。導電線路112的材料可使用金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、鈦)或其合金所構成的單層或多層結構，並利用銅箔壓合後蝕刻或是利用薄膜製程形成(可於薄膜元件12製作的過程中一起製作)，並不限制。其中，導電線路112可與薄膜元件12中所包含的導電膜層使用同一製程或同一種材料。在一些實施例中，導電線路112可直接或間接透過其他導電層而與薄膜元件12電性連接，或者導電線路112也可為兩個薄膜元件12之間相互電連接的導電線，並不限定。本實施例是在軟性基材111上形成兩個導電線路112，且其中一個導電線路112與薄膜元件12電性連接為例。

另外，於步驟S04中，如圖2C所示，是在軟性基材111上形成至少一電性連接墊(pad)113，且電性連接墊113與導電線路112電性連接。於此，係於兩個導電線路112上分別製作一個電性連接墊113，使電性連接墊113與導電線路112電連接為例。電性連接墊113的材料例如但不限於為銅、銀或金，或其組合。

為了使表面貼裝元件13可容易與電性連接墊113接合而電連接，本實施例的電性連接墊113的厚度d需要比較厚，例如需介於2~20微米之間。為了製作較厚的電性連接墊113，在一些實施例中，可使用例如電鍍、印刷、或蒸鍍加剝離成型(Lift-off patterning)製程方式在導電線路112上製作電性連接墊113。在另一些實施例中，也可使用薄膜製程來製作。導電線路112與電性連接墊113在製程上可以是不同膜層，或者也可以是同一膜層，並不限制。此外，電性連接墊113的製程(步驟S04)與薄膜元件12的製程(步驟S02)可以對調。換言之，可先進行薄膜元件製程後再進行電性連接墊製程，或者相反，本發明不限制。

另外，在進行表面貼裝元件13的設置步驟S05之前，如圖2D所示，為了接合表面貼裝元件13與電性連接墊113的需要，需先分別於電性連接墊113上設置一導電件114。於此，導電件114的材料例如但不限於為焊鍚或黏著材料。其中，黏著材料可依照所使用的接合方式來選擇，當使用光固化方式(例如UV光)來接合表面貼裝元件13時，則黏著材料可為UV膠；當使用熱固化方式時，則黏著材料可為熱固化黏著材料，例如異方性導電薄膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)等薄膜式(film type)黏著材料，或是異方性導電塗膠(anisotropic conductive paste,ACP)。

之後，再進行步驟S05：設置至少一表面貼裝元件13於軟性基材111上，其中表面貼裝元件13通過電性連接墊113及導電線路112而與薄膜元件12電性連接。於此，表面貼裝元件13是使用表面黏著技術(SMT)設置在導電件114上，以通過導電件114與電性連接墊113連接。表面貼裝元件13例如但不限於為雙電極元件，包含但不限於發光二極體(LED)、微發光二極體(μLED)、光二極體(photo diode)，或是影像感測器(image sensor)；表面貼裝元件13也可以是三電極元件(例如電晶體),或是積體電路(IC，例如CPU)、主動元件、被動元件、連接器、或是其他功能的SMD，本發明並不限制。本實施例的表面貼裝元件13是以具有二個電極131、132的LED為例。在一些實施例中，例如可通過加熱方式熔化材料為焊鍚的導電件114，使表面貼裝元件13的電極131分別通過導電件114、電性連接墊113及導電線路112而與薄膜元件12電性連接，電極132通過另一導電件114、另一電性連接墊113而與另一導電線路112連接(另一導電線路112例如可與接地端或電源端連接，或與其他薄膜元件連接)。在本實施例中，是使用表面貼裝技術(SMT)設置表面貼裝元件13於軟性基材111上，不需要用到習知技術的晶片轉置製程，因此製程較簡單，成本也較低。

最後，進行步驟S06，如圖2E所示，移除剛性載板9。其中，可使用雷射剝離(Laser lift-off)或機械剝離技術來移除剛性載板9，之後，再去除黏著層91後就可得到具有以軟板為系統(system on film,SOF)的電子裝置1。

因此，在本實施例的電子裝置1中，可包括一軟性電路板11、至少一薄膜元件12以及至少一表面貼裝元件13。導電線路112設置於軟性基材111上，電性連接墊113設置於軟性基材111上並與導電線路112電性連接，電性連接墊113的厚度介於2~20微米，薄膜元件12設置於軟性基材111上並與導電線路112電性連接，表面貼裝元件13設置於軟性基材111上，且表面貼裝元件13通過電性連接墊113及導電線路112而與薄膜元件12電性連接。由於是在軟性基材111上通過薄膜製程製作薄膜元件12及設置導電線路112，而且更利用表面貼裝技術設置表面貼裝元件13，以通過電性連接墊113及導電線路112與薄膜元件12電性連接。藉此，可以製作出很多精細的線路和元件，使得電子裝置1可具有較高的元件設置密度。

另外，請參照圖3所示，其為本發明另一實施例之電子裝置2的示意圖。電子裝置2可為指紋感測器或X光感測器，於此，係以指紋感測器為例，並利用上述的製造方法製造出來。

在本實施例中，電子裝置2包括一軟性電路板21、多個薄膜元件22及至少一個表面貼裝元件23。其中，表面貼裝元件23設置於軟性基材211上，並與薄膜元件22電性連接(圖示未繪示導電線路與電性連接墊)。本實施例的軟性電路板21的軟性基材211包含一作動區A1(如虛線區域所示)及一周邊區A2(如虛線區域所示)。其中，薄膜元件22位於作動區A1內，且表面貼裝元件23位於周邊區A2內(非作動區A1皆可視為周邊區A2)，用以驅動薄膜元件22。在不同的實施例中，也可薄膜元件22位於周邊區A2內，且表面貼裝元件23位於作動區A1內，以藉由薄膜元件22來驅動表面貼裝元件23，並不限制。另外，更可透過一保護層24設置且包覆薄膜元件22與表面貼裝元件23，避免外界異物污染或損壞薄膜元件22或表面貼裝元件23。

在本實施例中，薄膜元件22為指紋辨識元件，且其數量為複數，該些薄膜元件22形成一感測畫素陣列25(指紋感測畫素陣列)。另外，表面貼裝元件23用以驅動作動區A1的感測畫素陣列25，當手指指頭按壓或位於感測畫素陣列25(作動區A1)上的保護層24時，可通過感測畫素陣列25與表面貼裝元件23偵測並辨識指紋。

另外，請參照圖4A所示，其為本發明又一實施例之電子裝置3的示意圖。於此，電子裝置3是以主動矩陣式發光二極體顯示裝置為例，並同樣利用上述的製造方法製造出來。

在本實施例中，電子裝置3包括一軟性電路板(未繪示)，多個薄膜元件32以及多個表面貼裝元件33設置於軟性電路板的軟性基材311上，且表面貼裝元件33分別與薄膜元件32電性連接(圖示未繪示導電線路與電性連接墊)。另外，本實施例的電子裝置3更可包括一掃描驅動電路34、一資料驅動電路35、複數掃描線及複數資料線，該些複數資料線及該些掃描線分別設置於軟性基材311上，且掃描驅動電路34是分別透過該些掃描線與薄膜元件32電性連接，資料驅動電路35是分別透過該些資料線與薄膜元件32電性連接。其中，掃描驅動電路34或資料驅動電路35可包含至少一積體電路晶片，積體電路晶片可以覆晶技術(例如COF)設置於軟性基材311上，或以薄膜製程直接在軟性基材311上形成掃描驅動電路34或資料驅動電路35，並不限制。

本實施例的軟性電路板、薄膜元件32、表面貼裝元件33，複數掃描線及複數資料線構成一主動矩陣電路。於此，薄膜元件32包含至少一薄膜電晶體，且表面貼裝元件33包含至少一發光二極體晶片(LEDChip)或至少一微發光二極體晶片(μLED Chip)。本實施例的軟性基材311上包含一作動區A1，該些薄膜元件32與該些表面貼裝元件33的數量皆為複數，且皆位於作動區A1內而形成一顯示畫素陣列。其中，各畫素可包含一薄膜元件32與一表面貼裝元件33。換言之，每一個表面貼裝元件33之發光二極體晶片(或微發光二極體晶片)可有多種組合，例如每一個表面貼裝元件33可具有一只發光二極體晶片(或微發光二極體晶片)，或具有複數只不同顏色之發光二極體晶片(例如三個晶片或微晶片分別為R、G、 B三種顏色)，或具有四個晶片而具有三種顏色(例如R、R、G、B或W、R、G、B)。於此，並不加以限制。

請參照圖4B所示，其為本發明一實施例之電子裝置3的相鄰三個畫素P1~P3的電路示意圖。

在圖4B的實施例中，各表面貼裝元件33係分別以一個顏色發光二極體晶片為例。於此，畫素P1的表面貼裝元件33例如以紅色(R)，畫素P2的表面貼裝元件33例如以綠色(G)，畫素P3的表面貼裝元件33例如以藍色(B)為例。另外，各發光二極體晶片(表面貼裝元件33)之一端係分別與一電源V_S連接，而各發光二極體晶片(表面貼裝元件33)之另一端係分別與薄膜元件32電性連接。

於各畫素中，例如畫素P1，薄膜元件32與一條掃描線S1、一條資料線D1及一個表面貼裝元件33(發光二極體晶片)電性連接。特別一提的是，本實施例的發光二極體晶片係為無機發光二極體，與習知之薄膜製程所製作之發光二極體不同，且發光二極體晶片為經過測試的良品，並以SMT設置於軟性基材311上，故可依使用者的需求而併接至想要的形狀或尺寸，且完成後之電子裝置3之良率可比習知之薄膜製程所製作之顯示器高，但生產成本可較低。

於本實施例的畫素P1、P2、P3中，各資料線D1、D2、D3可分別接收一資料訊號以分別控制與其電連接之一表面貼裝元件33(發光二極體晶片)。不過，在其他的實施例中，一個薄膜元件32也可分別控制複數個表面貼裝元件33。另外，本實施例的畫素P1、P2、P3的薄膜元件32分別包含至少一開關電晶體M、一驅動電晶體T及一電容C。於此，係以2T1C之電路架構為例，不過，也可為其它的電路架構，例如可為4T2C或5T1C。以下僅說明畫素P1的電路結構。

於畫素P1中，開關電晶體M之閘極與連接至掃描線S1，開關電晶體M之第一端M1與連接至畫素P1之資料線D1連接，而開關電晶體M之第二端M2分別與驅動電晶體T之閘極及電容C之一端連接。另外，驅動電晶體T之第一端T1與畫素P1電性連接之發光二極體晶片(R)連接，而驅動電晶體T之第二端T2及電容C之第二端係分別接地。於此，薄膜元件32是發光二極體晶片的電流控制電路。當掃描線S1被驅動而導通時，資料線D1可傳送一資料訊號，以控制與驅動電晶體T之第一端T1連接之發光二極體晶片(R)的發光亮度。同樣道理，資料線D2可傳送另一資料訊號，以控制發光二極體晶片(G)的發光亮度，而資料線D3可傳送又一資料訊號，以控制發光二極體晶片(B)的發光亮度。於此，資料訊號可為一類比訊號或一數位訊號。

此外，於上述實施例中所描述的電子裝置3中，其上設置的發光二極體晶片若為可發出單色(例如藍光)的發光二極體，所製成的電子裝置3則可成為單色顯示面板(monochrome display)。

因此，本發明之電子裝置3可藉由分別導通該些掃描線，並藉由薄膜元件32分別接受該些資料線所傳送之資料訊號，以依據該些資料訊號控制該些表面貼裝元件33之發光二極體晶片的發光狀態。其中，薄膜元件32係可分別經由控制該些表面貼裝元件33之工作週期(duty cycle)或電流值，以控制該些表面貼裝元件33之發光二極體晶片的發光亮度。換言之，薄膜元件32可控制該些表面貼裝元件33之發光二極體晶片的導通時間，或控制導通的電流來控制發光二極體晶片的發光亮度。

在習知的被動矩陣式(PM)發光二極體顯示器而言，由於發光二極體的驅動方式使得發光時間較短，導致有效亮度較低且瞬間電流較大，並且對掃描訊號的頻率需求較高，因此，為了達到較高亮度，發光二極體的尺寸也較大，使得顯示器的尺寸也較大。但是，本實施例的電子裝置3為一主動矩陣式發光二極體顯示器，並通過在軟性基材311上設置薄膜元件32與表面貼裝元件33，且表面貼裝元件33通過電性連接墊及導電線路(未繪示)而與薄膜元件32電性連接。藉此，可使驅動電流較小就可達到相同的亮度，因此發光二極體晶片的尺寸也可較小，使得電子裝置3的尺寸與成本較小，同時具有較高的產品信賴度。

此外，請參照圖5A與圖5B所示，其中，圖5A為本發明又一實施例之電子裝置4的俯視示意圖，而圖5B為一實施例之電子裝置4的側視示意圖。

在圖5A中，電子裝置4包括一軟性電路板41、至少一薄膜元件及至少一個表面貼裝元件。薄膜元件設置於軟性基材411的作動區A1，表面貼裝元件設置於軟性基材411的周邊區A2，並通過電性連接墊及導電線路與薄膜元件電性連接(圖中未繪示薄膜元件、表面貼裝元件、導電線路與電性連接墊)。

本實施例的薄膜元件的數量可為複數個，並可組成一畫素陣列。其中，薄膜元件例如可為微發光二極體(μLED)或有機發光二極體(OLED)，並以例如但不限於以低溫多晶矽(LTPS)薄膜製程於作動區A1上製作而成，使電子裝置4為微發光二極體顯示裝置或為有機發光二極體顯示裝置。另外，周邊區A2設置有驅動作動區A1之該些薄膜元件的驅動電路，該驅動電路可包含多個表面貼裝元件，該些表面貼裝元件可包含積體電路，例如為CPU，或為其他功能的表面貼裝元件、導線或電路。其中，周邊區A2的表面貼裝元件也可例如例不限於以低溫多晶矽(LTPS)薄膜製程製作而成。

在一實施例中，如圖5B中，可將周邊區A2彎折至軟性基材411的下側(可先半切割圖5A的虛線處，方便彎折)，使周邊區A2與作動區A1於軟性基材411的垂直投影方向上至少有部分重疊。

在傳統的顯示裝置中，一般是透過一軟板(例如COF)來分別連接一印刷電路板與一顯示面板，使印刷電路板上設置的驅動電路可透過軟板與顯示面板電性連接，以驅動顯示面板作動。在組裝時，由於印刷電路板與顯示面板之間的軟板可彎折，因此一般的作法會利用軟板將印刷電路板彎折至顯示面板的下側，以節省空間，不過，這樣的作法會造成顯示裝置的整體厚度較厚。

但是，在圖5B的實施例中，電子裝置4是通過薄膜製程於作動區A1製作薄膜元件，並利用表面貼裝技術於周邊區A2設置表面貼裝元件，由於薄膜元件、表面貼裝元件、導電線路與電性連接墊皆設置於軟性基材411的同一表面上，因此，不僅可以在軟性基材411上製作出很多精細的線路和元件，而且製程較容易、簡單且成本也較低。另外，由於可直接彎折軟性基材411，使周邊區A2上的驅動電路可位於作動區A1的下側，因此，相較於上述的傳統作法而言，更可使電子裝置4具有薄型化的優點。

綜上所述，在本發明的電子裝置與其製造方法中，係在軟性基材上設置導電線路與至少一電性連接墊，電性連接墊的厚度介於2~20微米，再設置至少一薄膜元件並與導電線路與電性連接墊電性連接，且再設置表面貼裝元件並通過電性連接墊及導電線路而與薄膜元件電性連接。藉此，相較於習知技術製作之電子裝置而言，本發明的電子裝置由於是在軟性基材上通過薄膜製程製作薄膜元件後再利用表面貼裝技術(SMT)設置表面貼裝元件(SMD)，因此，可以製作出很多精細的線路和元件，進而可提高元件設置密度。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

Claims

一種電子裝置，包括：一軟性電路板，包含：一軟性基材，包含有機高分子材料，該有機高分子材料之玻璃轉換溫度介於攝氏400度至攝氏600度；一導電線路，設置於該軟性基材上；及至少一電性連接墊，設置於該軟性基材上並與該導電線路電性連接，該電性連接墊的厚度介於2~20微米；至少一薄膜元件，設置於該軟性基材上並與該導電線路電性連接；以及至少一表面貼裝元件，設置於該軟性基材上，該表面貼裝元件通過該電性連接墊及該導電線路而與該薄膜元件電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的電子裝置，其中該導電線路的線寬介於1~10微米。
如申請專利範圍第1項所述的電子裝置，其中該薄膜元件為一半導體元件。
如申請專利範圍第1項所述的電子裝置，其中該軟性基材包含一作動區及一周邊區，該薄膜元件位於該作動區，該表面貼裝元件位於該周邊區，用以驅動該薄膜元件。
如申請專利範圍第4項所述的電子裝置，其中該些薄膜元件的數量為複數，該些薄膜元件形成一感測畫素陣列。
如申請專利範圍第1項所述的電子裝置，其中該軟性基材包含一作動區，該薄膜元件與該表面貼裝元件位於該作動區。
如申請專利範圍第6項所述的電子裝置，其中該些薄膜元件及該些表面貼裝元件的數量為複數，該些薄膜元件與該些表面貼裝元件形成一畫素陣列。
如申請專利範圍第7項所述的電子裝置，其中該薄膜元件包含至少一薄膜電晶體，該表面貼裝元件包含至少一發光二極體晶片。
如申請專利範圍第1項所述的電子裝置，其為指紋感測器、X光感測器或發光二極體顯示器。
一種電子裝置的製造方法，包括以下步驟：形成一軟性基材於一剛性載板上，其中該軟性基材包含有機高分子材料，該有機高分子材料之玻璃轉換溫度介於攝氏400度至攝氏600度；形成至少一薄膜元件於該軟性基材上；形成一導電線路於該軟性基材上，其中該導電線路與該薄膜元件電性連接；形成至少一電性連接墊於該軟性基材上並與該導電線路電性連接，其中該電性連接墊的厚度介於2~20微米；設置至少一表面貼裝元件於該軟性基材上，其中該表面貼裝元件通過該電性連接墊及該導電線路而與該薄膜元件電性連接；以及移除該剛性載板。
如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中該軟性基材是以膠合或塗佈方式設置，並經固化後形成於該剛性載板上。
如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中該薄膜元件為一半導體元件。
如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中該軟性基材包含一作動區及一周邊區，該薄膜元件位於該作動區，該表面貼裝元件位於該周邊區，用以驅動該薄膜元件。
如申請專利範圍第13項所述的製造方法，其中該些薄膜元件的數量為複數，該些薄膜元件形成一感測畫素陣列。
如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中該軟性基材包含一作動區，該薄膜元件與該表面貼裝元件位於該作動區。
如申請專利範圍第15項所述的製造方法，其中該些薄膜元件及該些表面貼裝元件的數量為複數，該些薄膜元件與該些表面貼裝元件形成一畫素陣列。
如申請專利範圍第16項所述的製造方法，其中該薄膜元件包含至少一薄膜電晶體，該表面貼裝元件包含至少一發光二極體晶片。
如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中該電性連接墊是以電鍍、印刷、或蒸鍍加剝離成型製程製作而成。
如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中該導電線路係利用銅箔壓合後蝕刻或是薄膜製程形成。
如申請專利範圍第19項所述的製造方法，其中該薄膜製程包含低溫多晶矽製程、非晶矽製程或金屬氧化物半導體製程。