KR20160083993A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 패드부; 및 상기 패드부와 전기적으로 연결되어 상기 기판에 실장된 집적 회로 칩을 포함하고, 상기 패드부는 상기 기판 상에 위치하는 제1 패드와 상기 제1 패드 위에 위치하는 제2 패드와 제2 패드 위에 위치하는 제3 패드를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 기판 상에 집적 회로 칩을 실장하는 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치와 같은 표시 장치는 유리 또는 플라스틱과 같은 기판 상에 소자를 형성함으로써 제조할 수 있는데, 표시 장치를 작동시키기 위한 여러 가지 신호를 생성하는 집적 회로 칩(integrated circuit chip)들이 표시 장치가 갖는 기판의 소정 영역에 실장될 수 있다. 여기서 집적 회로 칩이 실장되는 부위에 따라 COG(Chip On Glass) 또는 COF(Chip On Flexible Printed Circuit Board) 등으로 나뉠 수 있다.
이 중, 기판 상에 집적 회로 칩을 실장하는 COG의 경우, 기판에 형성된 전극 패드와 집적 회로 칩의 단자 사이에, 인터포저(interposer) 역할을 하는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 개재하여 기판 상에 집적 회로 칩을 실장한다.
이방성 도전 필름을 통해 직접 회로 칩과 전극 패드가 전기적으로 연결되기 위해서는, 직접 회로 칩과 전극 패드를 압력과 열에 의해 연결시키는데, 이때, 직접 회로 칩과 전극 패드가 미스 얼라인이 발생하는 경우 직접 회로 칩과 전극 패드 사이의 이방성 도전 필름 내에 포함되어 있는 도전볼이 보호막을 누르면서 보호막에 크랙이 발생하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 직접 회로 칩과 전극 패드의 연결시 이방성 도전 필름 내에 포함되어 있는 도전볼이 보호막을 누르는 것을 방지하는 표시 장치를 제공한다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 패드부; 및 상기 패드부와 전기적으로 연결되어 상기 기판에 실장된 집적 회로 칩을 포함하고, 상기 패드부는 상기 기판 상에 위치하는 제1 패드와 상기 제1 패드 위에 위치하는 제2 패드와 제2 패드 위에 위치하는 제3 패드를 포함한다.
상기 제1 패드는 박막 트랜지스터를 형성하는 제1 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 패드는 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 제2 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되고, 상기 제3 패드는 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 제2 게이트 절연막이 위치하고, 상기 제2 게이트 절연막은 제1 접촉구멍이 형성되지 않은 제1 영역과 제1 접촉구멍이 형성되어 있는 제2 영역으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 영역에서 상기 제1 접촉구멍을 통해서 상기 제1 패드와 상기 제2 패드가 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 패드와 상기 제3 패드 사이에 보호막이 위치하고, 상기 보호막은 상기 제2 패드와 상기 제3 패드를 연결하는 제2 접촉구멍을 포함할 수 있다.
상기 집적 회로 칩은 본체부와 상기 본체부의 하단에 위치한 범프를 포함할 수 있다.
상기 범프는 상기 제3 패드와 부착될 수 있다.
상기 집적 회로 칩의 범프가 부착되기 전에 상기 제3 패드 상에 도전성 볼을 함유한 이방성 도전 필름이 도포될 수 있다.
상기 집적 회로 칩의 범프는 상기 이방성 도전 필름을 통하여 상기 제3 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 패드는 소정의 높이로 형성될 수 있다.
상기 제2 패드의 높이는 2000Å 이상일 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 위치하는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 기판과 결합하는 봉지체를 더 포함하며, 상기 패드부는 상기 봉지체에 의해 가려지지 않는 상기 기판의 부위에 배치될 수 있다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 기판 상의 패드부에 집적 회로 칩을 연결할 때, 제1 패드와 제3 패드 사이에 제2 패드를 더 포함하여 박막 배선 대비 패드부의 단차를 더 높게 형성함으로써, 범프와 패드부가 미스 얼라인이 발생하는 경우에도 도전볼이 보호막과 부딪쳐 크랙이 발생하는 문제점을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 구조를 나타낸 배치도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소 구조에 대한 단면도이다.
도 5는 도 1의 V부분을 확대한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 이하에는 표시 장치로서, 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 실시예로서 설명하나, 이에 한정되지 않고, 본 발명에 따른 표시 장치는 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 패널, 전계 방출 표시 장치 등의 표시 장치일 수 있다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터의 개수, 축전 소자의 개수 및 배선의 개수가 한정되지 않는다. 한편, 화소는 이미지를 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 패널은 복수의 화소들을 통해 이미지를 표시한다.
이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 표시 장치(101)는 표시판(100), 봉지체(200), 패드부(PD, 도 5에 도시됨), 집적 회로 칩(400) 및 이방성 도전 필름(500)을 포함한다.
봉지체(200)는 표시판(100)보다 작은 크기를 가지며, 표시판(100)을 덮고 있다. 이에 따라, 표시판(100) 상에는 봉지체(200)에 의해 가려지지 않는 부위가 형성되며, 이 부위에는 집적 회로 칩(400)이 봉지체(200)와 이웃하여 배치되어 이방성 도전 필름(500)에 의해 표시판(100)에 실장된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도로서, 도 1의 ?-?선에 따른 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 표시판(100)은 기판(110), 배선부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 포함한다.
기판(110)은 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 부재로 형성된다. 그러나 본 발명에 있어, 기판(110)은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 부재로 형성될 수도 있다.
기판(110)과 봉지체(200) 사이에는 기판(110) 상에 형성된 배선부(120) 및 유기 발광 소자(130)가 위치하고 있다.
배선부(120)는 제1 및 제2 박막 트랜지스터(10, 20)(도 3에 도시)를 포함하며, 유기 발광 소자(130)를 구동한다. 유기 발광 소자(130)는 배선부(120)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출한다.
유기 발광 소자(130) 및 배선부(120)의 구체적인 구조는 도 3 및 도 4에 나타나 있으나, 본 발명이 도 3 및 도 4에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 유기 발광 소자(130) 및 배선부(120)는 통상의 기술자가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(101)의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 구조를 나타낸 배치도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소 구조에 대한 단면도로서, 도 3의 ?-? 선에 따른 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(101)는 하나의 화소마다 기판(110) 위에 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(130)를 포함한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함하는 구성을 배선부(120)라 한다. 그리고, 배선부(120)는 기판(110)의 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 또한, 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)에 의해 만들어지는 경계로 정의될 수 있으나, 화소 정의가 반드시 이로 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(130)는 제1 전극(710)과, 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(710)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 제2 전극(730)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명의 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치(101)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되며, 유기 발광층(720) 내부로 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)의 발광이 이루어진다.
유기 발광층(720)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transport layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
또한, 표시 장치(101)에서 유기 발광 소자(130)는 봉지체(200) 방향으로 빛을 방출한다. 즉, 유기 발광 소자(130)는 전면 발광형으로 구성된다. 이에 따라 제1 전극(710)이 광 반사성 도전 물질로 이루어지고, 제2 전극(730)은 광 투과성 도전 물질로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명은 이러한 구조에 한정되는 것은 아니고, 제1 전극(710)이 투과성 도전 불질로 이루어지고, 제2 전극(730)이 광 반사성 도전 물질로 이루어지는 배면 발광형으로 구성될 수 있고, 제1 전극(710)과 제2 전극(730)이 모두 투과성 도전 물질로 이루어진 양면 발광형으로 구성될 수도 있다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(161)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(161)은 유전체가 되며, 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 소자(80)의 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 제1 스위칭 게이트 전극(152), 제2 스위칭 게이트 전극(153), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 제1 구동 게이트 전극(154), 제2 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
기판(110) 위에 반도체층(131, 132), 제1 게이트 절연막(120), 제1 게이트 전극(152, 154), 제2 게이트 절연막(140), 제2 게이트 전극(153, 155), 보호막(161)이 차례로 형성되어 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로서 사용된다. 제1 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 도시하지는 않았지만 제1 스위칭 게이트 전극(152)과 제2 스위칭 게이트 전극(154)은 접촉 구멍을 통해 연결되어 있다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(130)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 제1 구동 게이트 전극(154)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 도시하지는 않았지만 제1 구동 게이트 전극(154)과 제2 구동 게이트 전극(155)은 접촉 구멍을 통해 연결되어 있다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(130)의 제1 전극(710)과 연결된다.
제1 게이트 전극(152, 154)은 후술할 제1 패드(156)와 동일한 물질로 구성될 수 있고, 제2 게이트 전극(153, 155)은 후술할 제2 패드(157)와 동일한 물질로 구성될 수 있다. 즉, 제1 게이트 전극(152, 154)은 제1 패드(156)와 동일한 공정에 의해 함께 형성될 수 있고, 제2 게이트 전극(153, 155)은 후술할 제2 패드(157)와 동일한 공정에 의해 함께 형성될 수 있다.
스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 동일한 층에 형성되어 있으며, 후술할 제3 패드(179)와 동일한 물질로 구성될 수 있다. 즉, 스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 제3 패드(179)와 동일한 공정에 의해 함께 형성되어 상호 연결되어 있다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(130)로 흘러 유기 발광 소자(130)가 발광하게 된다.
도 5는 도 1의 V부분을 확대한 평면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도로서, 도 5의 Ⅵ-Ⅵ을 따라 자른 단면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도로서, 도 5의 Ⅶ-Ⅶ을 따라 자른 단면도이다.
도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 패드부(PD)는 제1 패드(156), 제2 패드(157), 및 제3 패드(179)를 포함한다.
제1 패드(156)는 배선부(120)로부터 연장된 박막 배선(Tw)과 연결되어 있다. 보다 상세하게는, 박막 배선(Tw)은 게이트 라인(151)과 제1 패드(156) 사이를 연결한다. 이 박막 배선(Tw)은 게이트 라인(151)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 즉, 제1 패드(156)는 제1 게이트 전극(152, 154) 및 게이트 라인(151)과 동일한 물질로 구성될 수 있고, 동일한 공정에 의해 함께 형성될 수 있다.
제2 패드(157)은 제1 패드(156) 위에 형성될 수 있다. 제1 패드(156)와 제2 패드(157) 사이에는 제2 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
제2 게이트 절연막(140)은 제1 접촉 구멍(CH1)이 형성되어 있는 제1 영역(A1)과 제1 접촉 구멍(CH2)이 형성되어 있지 않는 제2 영역(A2)으로 이루어진다. 제1 접촉 구멍(CH1)을 통해서 제1 패드(156)와 제2 패드(157)는 전기적으로 연결되어 있다.
제2 패드(157)는 제2 게이트 전극(153, 155)와 동일한 물질로 구성될 수 있고, 동일한 공정에 의해 함께 형성될 수 있다.
이때, 제2 패드(157)는 소정의 높이로 형성될 수 있다. 예를 들어 제2 패드(157)는 2000Å 이상의 높이로 형성될 수 있다.
제3 패드(179)는 제2 패드(157) 위에 형성될 수 있다. 제2 패드(157)와 제3 패드(179) 사이에는 제2 접촉 구멍(CH2)을 포함하는 보호막(161)이 형성되어 있다. 제2 접촉 구멍(CH2)을 통해서 제2 패드(157)와 제3 패드(179)는 연결되어 있다.
제3 패드(179)는 스위칭 소스 전극(173), 스위칭 드레인 전극(174), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)과 동일한 물질로 구성될 수 있고, 동일한 공정을 통해서 함께 형성될 수 있다.
제3 패드(179)는 집적 회로 칩(400)과 대응하여 위치하고 있으며, 이방성 도전 필름(500)에 의해 집적 회로 칩(400)과 연결되어 있다.
여기서, 제3 패드(179)가 집적 회로 칩(400)에 대응하여 위치한다고 함은, 집적 회로 칩(400)이 제3 패드(179)와 연결되도록 기판(110) 상에 놓여질 때, 제3 패드(179)가 집적 회로 칩(400)에 가려지는 위치에 있는 것을 의미할 수 있다.
집적 회로 칩(400)은 본체부(410)와 본체부(410) 하단에 위치한 범프(bump, 420)을 포함할 수 있다.
집적 회로 칩(400)과 패드부(PD)는 범프(420)를 제3 패드(179)와 접착시키는 COG(Chip On Glass) 방식으로 연결될 수 있다.
COG 방식은 집적 회로 칩(400)을 기판(110)에 직접 실장하는 것으로, TAP(Tape Automated Bonding)방식에 사용되는 필름을 사용하지 않고 범프(420)와 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, 500)만으로 표시 장치의 기판(110)에 집적 회로 칩(400)을 접착시키는 방식이다.
즉, 패드부(PD) 상에 도전볼(520)과 접착층(510)을 포함하는 이방성 도전 필름(500)을 도포하고, 그 위에 집적 회로 칩(400)의 범프(420)을 압착하면, 범프(420)와 패드부(PD)의 제3 패드(179) 사이에 도포된 이방성 도전 필름(500)의 도전볼(520)이 압착되게 되어 범프(420)와 제3 패드(179)가 전기적으로 연결되게 된다.
도 8은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 패드부(PD)의 구조가 변경된 것을 제외하고는 전술한 도 6에 따른 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치는 패드부(PD)와 집적 회로 칩의 범프(420)를 포함한다.
패드부(PD)는 제1 패드(156)와 제3 패드(179)로 이루어진다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 패드부(PD)와 비교하여, 비교예에 따른 패드부(PD)는 제2 패드(157)를 포함하지 않고 있다.
범프(420)를 포함하는 집척 회로 칩과 패드부(PD)를 COG 방식으로 연결하는 과정에서, 범프(420)와 패드부(PD)가 미스 얼라인(MA)이 발생할 수 있고, 이에 따라 범프(420)와 패드부(PD) 사이의 도전볼(520)이 박막 배선(Tw) 위에 형성되어 있는 보호막(161)을 가압하여 보호막(161)에 크랙(A)이 발생할 수 있다.
즉, 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치는 집척 회로 칩과 패드부(PD)가 연결되는 과정에서 도전볼(520)에 의해 보호막(161)이 깨질 수 있고, 보호막(161) 아래에 형성되어 있는 박막 배선(Tw)이 부식되는 문제가 발생하게 된다.
반면에, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 패드부(PD)가 제1 패드(156), 제2 패드(157), 및 제3 패드(179)를 포함할 수 있다.
제1 패드(156)와 제3 패드(179) 사이에 제2 패드(157)를 더 포함하여 박막 배선(Tw) 대비 패드부(PD)의 단차를 더 높게 형성함으로써, 범프(420)와 패드부(PD)가 미스 얼라인(MA)이 발생하는 경우에도 도전볼(520)이 보호막(161)과 부딪쳐 크랙이 발생하는 문제점을 개선할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
101: 표시 장치 100: 표시판
110: 기판 120: 제1 게이트 절연막
140: 제2 게이트 절연막 155: 제1 패드
156: 제2 패드 161: 보호막
179: 제3 패드 200: 봉지체
400: 집적 회로 칩 410: 본체부
420: 범프 500: 이방성 도전 필름
510: 접착층 520: 도전볼
PD: 패드부 Tw: 박막 배선

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 패드부; 및
    상기 패드부와 전기적으로 연결되어 상기 기판에 실장된 집적 회로 칩을 포함하고,
    상기 패드부는 상기 기판 상에 위치하는 제1 패드와 상기 제1 패드 위에 위치하는 제2 패드와 제2 패드 위에 위치하는 제3 패드를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 패드는 박막 트랜지스터를 형성하는 제1 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되고,
    상기 제2 패드는 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 제2 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되고,
    상기 제3 패드는 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성되는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 제2 게이트 절연막이 위치하고,
    상기 제2 게이트 절연막은 제1 접촉구멍이 형성되지 않은 제1 영역과 제1 접촉구멍이 형성되어 있는 제2 영역으로 이루어지는 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제2 영역에서 상기 제1 접촉구멍을 통해서 상기 제1 패드와 상기 제2 패드가 전기적으로 연결되어 있는 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 제2 패드와 상기 제3 패드 사이에 보호막이 위치하고,
    상기 보호막은 상기 제2 패드와 상기 제3 패드를 연결하는 제2 접촉구멍을 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제2 접촉구멍을 통해서 상기 제2 패드와 상기 제3 패드가 전기적으로 연결되어 있는 표시 장치
  7. 제1항에서,
    상기 집적 회로 칩은 본체부와 상기 본체부의 하단에 위치한 범프를 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 범프는 상기 제3 패드와 부착되는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 집적 회로 칩의 범프가 부착되기 전에 상기 제3 패드 상에 도전성 볼을 함유한 이방성 도전 필름이 도포되는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 집적 회로 칩의 범프는 상기 이방성 도전 필름을 통하여 상기 제3 패드와 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제2 패드는 소정의 높이로 형성되어 있는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 패드의 높이는 2000Å 이상인 표시 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 표시 장치는,
    상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 위에 위치하는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 위에 위치하는 제2 전극
    을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 표시 장치는,
    상기 기판과 결합하는 봉지체를 더 포함하며,
    상기 패드부는 상기 봉지체에 의해 가려지지 않는 상기 기판의 부위에 배치되는 표시 장치.
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