JP6704534B1 - 劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法 - Google Patents

Abstract

光送信信号を出力するレーザダイオード（１０５）を有する光トランシーバ（１０１）の温度を取得する温度取得部（１１１）と、レーザダイオード（１０５）に流れるバイアス電流を取得するバイアス電流取得部（１１２）と、取得された温度とバイアス電流との関係を示す補正関数を算出する補正関数演算部（１１４）と、補正関数を用いて、劣化診断時に取得されたバイアス電流の温度補正値を算出する温度補正値算出部（１１６）と、温度補正値を用いて、劣化診断時に取得されたバイアス電流を補正する補正後バイアス電流算出部（１１７）と、バイアス電流の初期値である初期バイアス電流と補正された補正後バイアス電流とを比較して、レーザダイオード（１０５）の状態を判定するバイアス電流変化量算出部（１１８）と、を備える。

Description

本発明は、光トランシーバの劣化具合を診断する劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法に関する。

従来、光ファイバを用いた有線の光通信は、通信品質の安定性から様々なシステムに適用されている。光通信は、従来のデータの送受信のみならず、監視、制御などを行うためのシステムにも使用されるようになり、これまで以上に高い信頼性が求められる。光通信で用いられる光トランシーバにも高い信頼性が求められるが、光トランシーバは消耗品である。そのため、光トランシーバが故障する前に対処できるように、光トランシーバの劣化具合をモニタする必要性が生じる。

光トランシーバの光送信部は、光信号を生成するレーザダイオードとレーザダイオードを発光させる電流を流す駆動回路とを備える。光トランシーバを構成する部品の中で最も故障しやすいのがレーザダイオードである。そのため、レーザダイオードの劣化具合をモニタすることで、光トランシーバの劣化診断が可能である。光トランシーバは、光出力を一定に制御するため、レーザダイオードを駆動するバイアス電流を制御する機能を有する。光トランシーバは、レーザダイオードが劣化した場合、バイアス電流を増加させることで光出力を一定にする制御を行う。光トランシーバには、レーザダイオードを駆動するバイアス電流をモニタする機能が一般的に搭載されている。バイアス電流をモニタすることで、光トランシーバの劣化具合を推定する技術が知られている。

特許文献１には、光送信機の劣化具合を求めるため、発光素子のバイアス電流値および発光素子の雰囲気温度をモニタから取得し、あらかじめメモリに格納された雰囲気温度およびバイアス電流値の初期の関係が記録された温度テーブルを参照して、取得した雰囲気温度に対応する初期バイアス電流値と取得したバイアス電流値とを比較することで劣化具合を診断する技術が開示されている。

特開２０１４−２１２２３４号公報

しかしながら、上記従来の技術によれば、温度テーブルを生成するためには、事前に光送信機の状態で温度を変化させた時のバイアス電流値を取得して温度テーブルを生成する必要があり、試験時間および試験コストがかかる、という問題があった。代表的な光送信機の温度テーブルを生成して他の光送信機にも適用することで試験時間および試験コストを削減できるが、この場合、各光送信機の特性の個体ばらつきによって診断精度が悪くなってしまう、という問題があった。さらに、光送信機を部品として購入して装置を製造する場合、光送信機の温度試験を実施すること自体が困難な場合も考えられる。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光トランシーバの劣化量の算出精度を向上可能な劣化診断装置を得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、光トランシーバの劣化を診断する劣化診断装置である。劣化診断装置は、光送信信号を出力するレーザダイオードを有する光トランシーバの温度を取得する温度取得部と、光送信信号の光出力強度を一定にするためにレーザダイオードに流れるバイアス電流を取得するバイアス電流取得部と、運用開始後の一定期間に複数回、温度取得部で光トランシーバの温度が取得され、バイアス電流取得部でレーザダイオードのバイアス電流が取得され、取得された複数の温度と複数のバイアス電流との関係を示す補正関数を算出する補正関数演算部と、一定期間の後の劣化診断時に温度取得部で取得された光トランシーバの温度、一定期間の前の運用開始時に温度取得部で取得された光トランシーバの温度である初期温度、および補正関数を用いて、一定期間の後の劣化診断時にバイアス電流取得部で取得されたバイアス電流について、初期温度と劣化診断時に取得された温度との温度差によって生じる変化量を示す温度補正値を算出する温度補正値算出部と、温度補正値を用いて、劣化診断時に取得されたバイアス電流を補正する補正後バイアス電流算出部と、一定期間の前の運用開始時にバイアス電流取得部で取得されたバイアス電流の初期値である初期バイアス電流と補正された補正後バイアス電流との差分と、規定された閾値とを比較して、差分が規定された閾値以上の場合、光トランシーバの有するレーザダイオードが劣化したとして、光トランシーバの交換を指示するバイアス電流変化量算出部と、を備えることを特徴とする。

本発明にかかる劣化診断装置は、光トランシーバの劣化量の算出精度を向上できる、という効果を奏する。

通信装置の構成例を示すブロック図 劣化診断装置の動作を示すフローチャート 補正関数演算部における補正関数の算出方法を示す図 バイアス電流変化量算出部で算出されるバイアス電流の劣化量を示す図 劣化診断装置で温度補正を行わなかった場合のバイアス電流の経時変化の例を示す図 劣化診断装置で温度補正を行った場合のバイアス電流の経時変化の例を示す図 劣化診断装置が備える処理回路をプロセッサおよびメモリで構成する場合の例を示す図 劣化診断装置が備える処理回路を専用のハードウェアで構成する場合の例を示す図

以下に、本発明の実施の形態に係る劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

実施の形態．
図１は、本発明の実施の形態に係る通信装置１００の構成例を示すブロック図である。通信装置１００は、光トランシーバ１０１と、劣化診断装置１０２と、を備える。光トランシーバ１０１は、光送信部１０３と、光受信部１０４と、駆動電流モニタ部１０９と、温度モニタ部１１０と、を備える。光送信部１０３は、図示しない後段装置からの電気送信信号を光送信信号に変換して、図示しない光ファイバに出力する。光受信部１０４は、図示しない光ファイバからの光受信信号を電気受信信号に変換して、図示しない後段装置に出力する。光送信部１０３は、レーザダイオード１０５と、モニタＰＤ（PhotoDiode）１０６と、ＰＤ電流検出部１０７と、駆動電流制御部１０８と、を備える。

レーザダイオード１０５は、駆動電流制御部１０８の制御によって光送信信号を出力する。モニタＰＤ１０６は、レーザダイオード１０５の発光強度をモニタする。モニタＰＤ１０６にはレーザダイオード１０５の発光強度に応じたＰＤ電流が流れる。ＰＤ電流検出部１０７は、モニタＰＤ１０６に流れるＰＤ電流の電流値を検出し、駆動電流制御部１０８へフィードバックを行う。駆動電流制御部１０８は、ＰＤ電流検出部１０７からのフィードバックすなわちＰＤ電流の電流値に基づいて、レーザダイオード１０５を駆動するための駆動電流すなわちバイアス電流を制御する。駆動電流制御部１０８は、光トランシーバ１０１から出力される光送信信号の光出力強度を一定にするため、ＰＤ電流の電流値が一定になるようにバイアス電流を制御する。

駆動電流モニタ部１０９は、光送信部１０３の外部からレーザダイオード１０５に流れるバイアス電流をモニタする。温度モニタ部１１０は、光送信部１０３の外部から光トランシーバ１０１の温度をモニタする。駆動電流モニタ部１０９および温度モニタ部１１０は、例えば、光トランシーバ１０１の動作を制御する図１において図示しないマイコンとＩ２Ｃ（Inter-Integrated Circuit）インタフェースで通信することにより、所望のデータを取得することができる。

劣化診断装置１０２は、通信装置１００の一部として組み込まれる。劣化診断装置１０２は、温度取得部１１１と、バイアス電流取得部１１２と、初期値保持部１１３と、補正関数演算部１１４と、補正関数保持部１１５と、温度補正値算出部１１６と、補正後バイアス電流算出部１１７と、バイアス電流変化量算出部１１８と、を備える。劣化診断装置１０２が備える各構成要素については、劣化診断装置１０２の動作を示すフローチャートとともに説明する。図２は、本実施の形態に係る劣化診断装置１０２の動作を示すフローチャートである。

光トランシーバ１０１が運用を開始すると、温度取得部１１１は、光トランシーバ１０１の温度モニタ部１１０から、光トランシーバ１０１の初期温度Ｔ１を取得する。また、バイアス電流取得部１１２は、光トランシーバ１０１の駆動電流モニタ部１０９から、光トランシーバ１０１において駆動電流制御部１０８からレーザダイオード１０５に供給される初期バイアス電流Ｉ１を取得する（ステップＳ１０１）。温度取得部１１１は、取得した初期温度Ｔ１を初期値保持部１１３に格納する。バイアス電流取得部１１２は、取得した初期バイアス電流Ｉ１を初期値保持部１１３に格納する。

温度取得部１１１は、ステップＳ１０１の後も定期的に、光トランシーバ１０１の温度モニタ部１１０から、光トランシーバ１０１の温度を取得する。同様に、バイアス電流取得部１１２は、ステップＳ１０１の後も定期的に、光トランシーバ１０１の駆動電流モニタ部１０９から、光トランシーバ１０１において駆動電流制御部１０８からレーザダイオード１０５に供給されるバイアス電流を取得する（ステップＳ１０２）。劣化診断装置１０２は、光トランシーバ１０１の運用開始時点から例えば１日の間に複数回、温度取得部１１１が光トランシーバ１０１の温度を取得し、バイアス電流取得部１１２が光トランシーバ１０１のバイアス電流を取得することで、異なる温度のときのバイアス電流のデータを取得することができる。

補正関数演算部１１４は、ステップＳ１０２において温度取得部１１１で取得された光トランシーバ１０１の温度のデータ、およびステップＳ１０２においてバイアス電流取得部１１２で取得された光トランシーバ１０１のバイアス電流のデータを用いて、光トランシーバ１０１の温度とバイアス電流との関係を示す関数である補正関数ｆ（Ｔ）を算出する（ステップＳ１０３）。補正関数演算部１１４は、算出した補正関数ｆ（Ｔ）を補正関数保持部１１５に保持させる（ステップＳ１０４）。

補正関数演算部１１４における補正関数ｆ（Ｔ）の算出方法について、図３を用いて詳細に説明する。図３は、本実施の形態に係る補正関数演算部１１４における補正関数ｆ（Ｔ）の算出方法を示す図である。光トランシーバ１０１のレーザダイオード１０５は、温度によって発光を開始する閾値電流および発光効率が変化する。レーザダイオード１０５は、温度が高くなるほど閾値電流が増加し、発光効率は低下する。そのため、光トランシーバ１０１では、同じ光出力強度の光送信信号を得るために必要なバイアス電流は、温度が高くなるほど増加し、増加量は例えば２次関数的に増加する。従って、図３に示すように、横軸を温度とし、縦軸をバイアス電流として、各温度における光出力強度一定時のバイアス電流をプロットすると、各プロットは２次近似曲線の近似式で近似できる。図３では、温度Ｔ１〜Ｔ４に対してバイアス電流Ｉ１〜Ｉ４がプロットされており、この４つのプロットによる２次近似曲線の近似式が補正関数ｆ（Ｔ）となる。なお、温度Ｔ１に対するバイアス電流Ｉ１は、初期温度Ｔ１に対する初期バイアス電流Ｉ１であってもよい。

つぎに、劣化診断装置１０２が、温度の異なるときのバイアス電流を取得する方法について説明する。通信装置１００は、一部を除いて設置環境の温度はコントロールされておらず、場合によっては屋外に設置される。この場合、通信装置１００周辺の環境温度は、１日の間でも昼夜で異なり、また気候変動によっても年間でも変化する。このような環境温度の変化を利用して、劣化診断装置１０２は、例えば１日の間で３点以上、温度およびバイアス電流を取得してプロットすることで図３に示すような２次近似曲線の近似式を生成できるため、この２次近似曲線の近似式を補正関数ｆ（Ｔ）としてバイアス電流の温度補正に利用する。劣化診断装置１０２は、近似式を生成するにあたり、プロットの点が多いほど、また温度差が大きいほど補正関数ｆ（Ｔ）の精度は良くなるが、最低３点の精度良い温度とバイアス電流のデータがあれば温度差は小さくとも同じ補正関数ｆ（Ｔ）を生成できる。

図２のフローチャートの説明に戻る。以降、通信装置１００は連続的に運用される。劣化診断装置１０２は、劣化診断を行う時点で、温度取得部１１１が光トランシーバ１０１の温度Ｔ２を取得し、バイアス電流取得部１１２が光トランシーバ１０１のバイアス電流Ｉｂを取得する（ステップＳ１０５）。温度取得部１１１が光トランシーバ１０１の温度Ｔ２を取得し、バイアス電流取得部１１２が光トランシーバ１０１のバイアス電流Ｉｂを取得する方法は、各々前述のステップＳ１０２のときと同様である。

温度補正値算出部１１６は、ステップＳ１０５において劣化診断時に温度取得部１１１で取得された温度Ｔ２と、初期値保持部１１３に格納されている初期温度Ｔ１と、補正関数保持部１１５に保持されている補正関数ｆ（Ｔ）とを用いて、ステップＳ１０５において劣化診断時に取得されたバイアス電流Ｉｂの温度補正値ΔＩａを算出する（ステップＳ１０６）。温度補正値算出部１１６で算出されるバイアス電流の温度補正値ΔＩａは、レーザダイオード１０５のバイアス電流が温度依存性を持つために生じる、初期温度Ｔ１と劣化診断時の温度Ｔ２との温度差によって生じるバイアス電流の変化量である。

補正後バイアス電流算出部１１７は、温度補正値ΔＩａを用いて、劣化診断時に取得されたバイアス電流Ｉｂを補正する。具体的には、補正後バイアス電流算出部１１７は、ステップＳ１０５において劣化診断時にバイアス電流取得部１１２で取得されたバイアス電流Ｉｂから、ステップＳ１０６において温度補正値算出部１１６で算出されたバイアス電流の温度補正値ΔＩａを減算する。これにより、補正後バイアス電流算出部１１７は、劣化診断時の温度Ｔ２と初期温度Ｔ１との温度差によるバイアス電流の温度補正値ΔＩａを補正し、劣化診断時の温度Ｔ２のバイアス電流Ｉｂを初期温度Ｔ１に換算した補正後バイアス電流（Ｉｂ−ΔＩａ）を算出することができる（ステップＳ１０７）。

バイアス電流変化量算出部１１８は、バイアス電流の初期値である初期バイアス電流Ｉ１と補正された補正後バイアス電流（Ｉｂ−ΔＩａ）とを比較して、レーザダイオード１０５の状態を判定する。具体的には、バイアス電流変化量算出部１１８は、ステップＳ１０７において補正後バイアス電流算出部１１７で算出された補正後バイアス電流（Ｉｂ−ΔＩａ）と、初期値保持部１１３に格納されている初期バイアス電流Ｉ１との差分を算出する（ステップＳ１０８）。バイアス電流変化量算出部１１８で算出された差分（Ｉｂ−Ｉ１−ΔＩａ）が、光トランシーバ１０１の運用開始時からのバイアス電流の劣化量ΔＩｂとなる。

図４を用いて、バイアス電流変化量算出部１１８で算出されるバイアス電流の劣化量ΔＩｂについて説明する。図４は、本実施の形態に係るバイアス電流変化量算出部１１８で算出されるバイアス電流の劣化量ΔＩｂを示す図である。前述のように、運用開始時点の初期温度をＴ１とし、初期バイアス電流をＩ１とし、劣化診断時点の温度をＴ２とし、バイアス電流をＩｂとする。図４において黒い三角で示されるポイントが、劣化診断時点の温度Ｔ２のときのバイアス電流Ｉｂを示している。初期温度Ｔ１と劣化診断時点の温度Ｔ２とは温度が異なるため、バイアス電流には、劣化量ΔＩｂとは別に温度依存性による電流増加分が含まれている。電流増加分は、劣化診断時点の温度Ｔ２を補正関数ｆ（Ｔ）に代入して計算されるバイアス電流Ｉ２と初期バイアス電流Ｉ１との差分である。この電流増加分が、前述の温度補正値ΔＩａである。従って、劣化診断時点のバイアス電流Ｉｂから温度補正値ΔＩａを減算した補正後バイアス電流（Ｉｂ−ΔＩａ）と運用開始時の初期バイアス電流Ｉ１との差分が、経時劣化によるバイアス電流の劣化量ΔＩｂとして算出される。なお、図４では、初期温度Ｔ１＜劣化診断時点の温度Ｔ２の場合を示しているが、初期温度Ｔ１＞劣化診断時点の温度Ｔ２の場合、温度補正値ΔＩａがマイナスの値となるため、バイアス電流変化量算出部１１８は、同様の算出方法で劣化量ΔＩｂを算出できる。

図２のフローチャートの説明に戻る。バイアス電流変化量算出部１１８は、算出した劣化量ΔＩｂから光トランシーバ１０１の故障が近いかどうかを判定する（ステップＳ１０９）。バイアス電流変化量算出部１１８は、例えば、劣化量ΔＩｂと、光トランシーバ１０１の故障が近いかどうかを判定するために規定された閾値とを比較する。バイアス電流変化量算出部１１８は、劣化量ΔＩｂの方が大きい場合は光トランシーバ１０１の故障が近いと判定し、劣化量ΔＩｂの方が小さい場合は光トランシーバ１０１の故障は近くないと判定する。

バイアス電流変化量算出部１１８が光トランシーバ１０１の故障は近くないと判定した場合（ステップＳ１０９：Ｎｏ）、劣化診断装置１０２は、通信装置１００の運転を継続し、ステップＳ１０５に戻って光トランシーバ１０１の劣化診断を繰り返し実施する。

バイアス電流変化量算出部１１８が光トランシーバ１０１の故障が近いと判定した場合（ステップＳ１０９：Ｙｅｓ）、劣化診断装置１０２は、光トランシーバ１０１の故障が近い旨をユーザに通知し、光トランシーバ１０１を交換させる（ステップＳ１１０）。バイアス電流変化量算出部１１８は、初期バイアス電流Ｉ１と補正後バイアス電流（Ｉｂ−ΔＩａ）との差分が規定された閾値以上の場合、ユーザに対して光トランシーバ１０１の交換を指示してもよい。また、劣化診断装置１０２は、例えば、バイアス電流変化量算出部１１８が警報を発してユーザに光トランシーバ１０１の故障が近い旨を通知してもよいし、バイアス電流変化量算出部１１８または図示しない表示部に光トランシーバ１０１の故障が近い旨を表示してユーザに通知してもよいし、ユーザが使用する装置のアドレスに対して光トランシーバ１０１の故障が近い旨の通知を送信してもよい。劣化診断装置１０２は、光トランシーバ１０１が交換された場合、図２に示すフローチャートの動作を、最初のステップＳ１０１から実施する。

図５および図６を用いて、本実施の形態の劣化診断装置１０２で得られる効果について説明する。図５は、本実施の形態に係る劣化診断装置１０２で温度補正を行わなかった場合のバイアス電流の経時変化の例を示す図である。図６は、本実施の形態に係る劣化診断装置１０２で温度補正を行った場合のバイアス電流の経時変化の例を示す図である。図５および図６において、横軸は運用時間を示し、縦軸はバイアス電流を示す。

例えば、１日に１回同じ時間帯でバイアス電流を取得した場合の結果が図５とすると、一定周期でバイアス電流の増減が見られる。図５に示す山と山の周期または谷と谷の周期は丁度１年間に相当し、季節変化による温度変動が現れることになる。図５に示す状態で劣化診断を行うと、暑い時期に劣化診断した場合、運用開始時よりもバイアス電流が増加しているように診断され、光トランシーバが劣化していると判断してしまうおそれがある。温度補正を行わなかった場合、環境温度変化の影響を含んだバイアス電流の変化量で劣化診断し、劣化を判断するため、誤った診断となってしまう。一方、図６は、本実施の形態の補正関数ｆ（Ｔ）を用いてバイアス電流の温度補正を行った場合のバイアス電流の変化を示したものである。図６では、環境温度変化の影響を排除できるため、真のバイアス電流の劣化量を算出でき、劣化診断において劣化判定を精度良く行うことができる。このように、図５では環境温度変化の影響を含んだバイアス電流変化量を示しているのに対して、図６では劣化によるバイアス電流変化量のみを示すことができる。

なお、本実施の形態では、通信装置１００において、光トランシーバ１０１および劣化診断装置１０２が別構成に分かれているが、一例であり、これに限定されない。通信装置１００は、劣化診断装置１０２の機能を、光トランシーバ１０１に内蔵された図示しないマイコンで処理することで、図１に示す構成の場合と同様の劣化診断が可能である。また、補正関数ｆ（Ｔ）の生成について、通信装置１００の運用が開始されてから補正関数ｆ（Ｔ）を生成する方法について説明したが、運用開始前にエージングすなわち慣らし運転を行う場合には、エージング中に補正関数ｆ（Ｔ）を生成してもよい。

つづいて、劣化診断装置１０２のハードウェア構成について説明する。劣化診断装置１０２において、温度取得部１１１およびバイアス電流取得部１１２は、光トランシーバ１０１からデータを取得する入力インタフェースである。初期値保持部１１３および補正関数保持部１１５はメモリである。補正関数演算部１１４、温度補正値算出部１１６、補正後バイアス電流算出部１１７、およびバイアス電流変化量算出部１１８は処理回路により実現される。処理回路は、メモリに格納されるプログラムを実行するプロセッサおよびメモリであってもよいし、専用のハードウェアであってもよい。

図７は、本実施の形態に係る劣化診断装置１０２が備える処理回路をプロセッサおよびメモリで構成する場合の例を示す図である。処理回路がプロセッサ９１およびメモリ９２で構成される場合、劣化診断装置１０２の処理回路の各機能は、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェアまたはファームウェアはプログラムとして記述され、メモリ９２に格納される。処理回路では、メモリ９２に記憶されたプログラムをプロセッサ９１が読み出して実行することにより、各機能を実現する。すなわち、処理回路は、劣化診断装置１０２の処理が結果的に実行されることになるプログラムを格納するためのメモリ９２を備える。また、これらのプログラムは、劣化診断装置１０２の手順および方法をコンピュータに実行させるものであるともいえる。

ここで、プロセッサ９１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、処理装置、演算装置、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）などであってもよい。また、メモリ９２には、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable ＲＯＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）（Electrically ＥＰＲＯＭ）などの、不揮発性または揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク、またはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などが該当する。

図８は、本実施の形態に係る劣化診断装置１０２が備える処理回路を専用のハードウェアで構成する場合の例を示す図である。処理回路が専用のハードウェアで構成される場合、図８に示す処理回路９３は、例えば、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、またはこれらを組み合わせたものが該当する。劣化診断装置１０２の各機能を機能別に処理回路９３で実現してもよいし、各機能をまとめて処理回路９３で実現してもよい。

なお、劣化診断装置１０２の各機能について、一部を専用のハードウェアで実現し、一部をソフトウェアまたはファームウェアで実現するようにしてもよい。このように、処理回路は、専用のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの組み合わせによって、上述の各機能を実現することができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、劣化診断装置１０２は、光トランシーバ１０１を搭載した通信装置１００の運用を開始後、レーザダイオード１０５のバイアス電流および温度を一定間隔で取得し、取得した温度と異なる温度でのバイアス電流との関係から補正関数を生成する。劣化診断装置１０２は、劣化診断時点で取得した温度と補正関数とを用いて温度補正値を算出し、劣化診断時の温度のバイアス電流を初期温度に換算した補正後バイアス電流を算出し、初期バイアス電流との差分を算出することで、レーザダイオード１０５の温度依存性を補正した劣化量を算出する。これにより、劣化診断装置１０２は、光トランシーバ１０１の劣化量の算出精度を向上することができる。また、劣化診断装置１０２は、事前に温度テーブルなどを生成することなく、試験時間および試験コストも削減できる。

以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。

１００ 通信装置、１０１ 光トランシーバ、１０２ 劣化診断装置、１０３ 光送信部、１０４ 光受信部、１０５ レーザダイオード、１０６ モニタＰＤ、１０７ ＰＤ電流検出部、１０８ 駆動電流制御部、１０９ 駆動電流モニタ部、１１０ 温度モニタ部、１１１ 温度取得部、１１２ バイアス電流取得部、１１３ 初期値保持部、１１４ 補正関数演算部、１１５ 補正関数保持部、１１６ 温度補正値算出部、１１７ 補正後バイアス電流算出部、１１８ バイアス電流変化量算出部。

Claims (2)

1. 光トランシーバの劣化を診断する劣化診断装置であって、
   光送信信号を出力するレーザダイオードを有する前記光トランシーバの温度を取得する温度取得部と、
   前記光送信信号の光出力強度を一定にするために前記レーザダイオードに流れるバイアス電流を取得するバイアス電流取得部と、
   運用開始後の一定期間に複数回、前記温度取得部で前記光トランシーバの温度が取得され、前記バイアス電流取得部で前記レーザダイオードのバイアス電流が取得され、取得された複数の前記温度と複数の前記バイアス電流との関係を示す補正関数を算出する補正関数演算部と、
   前記一定期間の後の劣化診断時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度、前記一定期間の前の運用開始時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度である初期温度、および前記補正関数を用いて、前記一定期間の後の劣化診断時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流について、前記初期温度と劣化診断時に取得された温度との温度差によって生じる変化量を示す温度補正値を算出する温度補正値算出部と、
   前記温度補正値を用いて、前記劣化診断時に取得されたバイアス電流を補正する補正後バイアス電流算出部と、
   前記一定期間の前の運用開始時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流の初期値である初期バイアス電流と補正された補正後バイアス電流との差分と、規定された閾値とを比較して、前記差分が規定された閾値以上の場合、前記光トランシーバの有する前記レーザダイオードが劣化したとして、前記光トランシーバの交換を指示するバイアス電流変化量算出部と、
   を備えることを特徴とする劣化診断装置。
2. 光トランシーバの劣化を診断する劣化診断装置における光トランシーバの劣化診断方法であって、
   温度取得部が、光送信信号を出力するレーザダイオードを有する前記光トランシーバの温度を取得する第１のステップと、
   バイアス電流取得部が、前記光送信信号の光出力強度を一定にするために前記レーザダイオードに流れるバイアス電流を取得する第２のステップと、
   補正関数演算部が、運用開始後の一定期間に複数回、前記温度取得部で前記光トランシーバの温度が取得され、前記バイアス電流取得部で前記レーザダイオードのバイアス電流が取得され、取得された複数の前記温度と複数の前記バイアス電流との関係を示す補正関数を算出する第３のステップと、
   温度補正値算出部が、前記一定期間の後の劣化診断時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度、前記一定期間の前の運用開始時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度である初期温度、および前記補正関数を用いて、前記一定期間の後の劣化診断時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流について、前記初期温度と劣化診断時に取得された温度との温度差によって生じる変化量を示す温度補正値を算出する第４のステップと、
   補正後バイアス電流算出部が、前記温度補正値を用いて、前記劣化診断時に取得されたバイアス電流を補正する第５のステップと、
   バイアス電流変化量算出部が、前記一定期間の前の運用開始時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流の初期値である初期バイアス電流と補正された補正後バイアス電流との差分と、規定された閾値とを比較して、前記差分が規定された閾値以上の場合、前記光トランシーバの有する前記レーザダイオードが劣化したとして、前記光トランシーバの交換を指示する第６のステップと、
   を含むことを特徴とする光トランシーバの劣化診断方法。

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