JPH07221369A - 回路素子の劣化検出回路 - Google Patents
回路素子の劣化検出回路Info
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- JPH07221369A JPH07221369A JP985594A JP985594A JPH07221369A JP H07221369 A JPH07221369 A JP H07221369A JP 985594 A JP985594 A JP 985594A JP 985594 A JP985594 A JP 985594A JP H07221369 A JPH07221369 A JP H07221369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 劣化検出精度が高く、コンパクトな回路素子
の劣化検出回路を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザダイオード２４、ＡＰＣ回路２
８及び動作電流モニタ用抵抗Ｒ１で構成され、劣化情報
を含む情報を測定する第一測定回路と、半導体レーザダ
イオード２４及び定電流回路３０で構成され、温度を測
定する第二測定回路とを、駆動切換え回路３２及び測定
入力切換え回路３４により切換えるよう構成する。ＣＰ
Ｕ４０は、この切換えを制御するとともに、得られた二
つの測定値から半導体レーザダイオード２４の劣化を判
定する。したがって、劣化度を判定すべき半導体レーザ
ダイオード自体を温度センサとして使用するため、劣化
度を正確に判定することができるとともに、外付けの温
度センサが不要となり小型化を要求される機器のコンパ
クト化を図ることができる。
の劣化検出回路を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザダイオード２４、ＡＰＣ回路２
８及び動作電流モニタ用抵抗Ｒ１で構成され、劣化情報
を含む情報を測定する第一測定回路と、半導体レーザダ
イオード２４及び定電流回路３０で構成され、温度を測
定する第二測定回路とを、駆動切換え回路３２及び測定
入力切換え回路３４により切換えるよう構成する。ＣＰ
Ｕ４０は、この切換えを制御するとともに、得られた二
つの測定値から半導体レーザダイオード２４の劣化を判
定する。したがって、劣化度を判定すべき半導体レーザ
ダイオード自体を温度センサとして使用するため、劣化
度を正確に判定することができるとともに、外付けの温
度センサが不要となり小型化を要求される機器のコンパ
クト化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は回路素子の劣化検出回
路に関し、特に、劣化検出精度の向上と、回路装置のコ
ンパクト化に関する。
路に関し、特に、劣化検出精度の向上と、回路装置のコ
ンパクト化に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を利用して、バーコードを読み
取るバーコードリーダや、変位を測定するレーザ変位計
には、レーザ光の発光素子として半導体レーザダイオー
ドが用いられる。半導体レーザダイオードは使用により
劣化するため、これらの機器には、この劣化を検出し、
素子の交換を促す警告を発する回路が、同時に設けられ
ている。
取るバーコードリーダや、変位を測定するレーザ変位計
には、レーザ光の発光素子として半導体レーザダイオー
ドが用いられる。半導体レーザダイオードは使用により
劣化するため、これらの機器には、この劣化を検出し、
素子の交換を促す警告を発する回路が、同時に設けられ
ている。
【０００３】従来の半導体レーザダイオードの劣化検出
回路の一例を図５に示す。２は半導体レーザダイオー
ド、４はレーザダイオード駆動回路、６はダイオードを
備えた温度センサー、８は劣化基準値発生回路、１０は
比較器である。
回路の一例を図５に示す。２は半導体レーザダイオー
ド、４はレーザダイオード駆動回路、６はダイオードを
備えた温度センサー、８は劣化基準値発生回路、１０は
比較器である。
【０００４】この従来の半導体レーザダイオードの劣化
検出回路の動作を説明する。半導体レーザダイオード２
は、レーザダイオード駆動回路４によって、発光出力が
一定となるように駆動されている。発光出力を一定に保
つための動作電流をＩｄｒとする。
検出回路の動作を説明する。半導体レーザダイオード２
は、レーザダイオード駆動回路４によって、発光出力が
一定となるように駆動されている。発光出力を一定に保
つための動作電流をＩｄｒとする。
【０００５】ここに、動作電流Ｉｄｒは、半導体レーザ
ダイオードの温度Ｔの関数であるとともに、半導体レー
ザダイオードの劣化にともない増加する性質をもつ。し
たがって、半導体レーザダイオードの温度Ｔと、半導体
レーザダイオードの新品時の動作電流すなわち初期動作
電流Ｉｉｎｔの関係が既知であれば、温度Ｔを知ること
により初期動作電流Ｉｉｎｔを算出することができ、こ
の初期動作電流Ｉｉｎｔと実際の動作電流Ｉｄｒとを比
較することにより、半導体レーザダイオードの劣化の度
合いがわかる。
ダイオードの温度Ｔの関数であるとともに、半導体レー
ザダイオードの劣化にともない増加する性質をもつ。し
たがって、半導体レーザダイオードの温度Ｔと、半導体
レーザダイオードの新品時の動作電流すなわち初期動作
電流Ｉｉｎｔの関係が既知であれば、温度Ｔを知ること
により初期動作電流Ｉｉｎｔを算出することができ、こ
の初期動作電流Ｉｉｎｔと実際の動作電流Ｉｄｒとを比
較することにより、半導体レーザダイオードの劣化の度
合いがわかる。
【０００６】劣化は、一般に、動作電流Ｉｄｒの値が、
初期動作電流Ｉｉｎｔの１．５倍程度になった時を目安
とするので、劣化基準電流Ｉｒｅｆは、 Ｉｒｅｆ＝１．５＊Ｉｉｎｔ に、設定されている。劣化基準電流Ｉｒｅｆを、対応す
る電圧に変換したものが劣化基準電圧Ｖｒｅｆである。
初期動作電流Ｉｉｎｔの１．５倍程度になった時を目安
とするので、劣化基準電流Ｉｒｅｆは、 Ｉｒｅｆ＝１．５＊Ｉｉｎｔ に、設定されている。劣化基準電流Ｉｒｅｆを、対応す
る電圧に変換したものが劣化基準電圧Ｖｒｅｆである。
【０００７】温度センサ６により測定された温度Ｔは劣
化基準値発生回路８により、既知の関係式を用いて、温
度Ｔにおける劣化基準電圧Ｖｒｅｆに変換されたのち、
比較器１０に入力される。
化基準値発生回路８により、既知の関係式を用いて、温
度Ｔにおける劣化基準電圧Ｖｒｅｆに変換されたのち、
比較器１０に入力される。
【０００８】また、現時点における動作電流Ｉｄｒは、
半導体レーザダイオード駆動回路４により、対応する変
換電圧Ｖｉｎに変換され、比較器１０に入力される。
半導体レーザダイオード駆動回路４により、対応する変
換電圧Ｖｉｎに変換され、比較器１０に入力される。
【０００９】比較器１０は、劣化基準電圧Ｖｒｅｆと変
換電圧Ｖｉｎとを比較し、変換電圧Ｖｉｎの方が大きけ
れば、劣化アラームを出力する。
換電圧Ｖｉｎとを比較し、変換電圧Ｖｉｎの方が大きけ
れば、劣化アラームを出力する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の半導体レーザダイオードの劣化検出回路に
は、次のような問題点があった。図５に示すように半導
体レーザダイオード２の温度Ｔを測定するために、温度
センサー６を別に設けている。したがって、温度センサ
ー６により測定された温度Ｔは、かならずしも半導体レ
ーザダイオード２のチップ自体の温度を示すものではな
い。このため、温度測定の際に誤差が生じ、結果とし
て、劣化検出精度の低下を招いていた。
ような従来の半導体レーザダイオードの劣化検出回路に
は、次のような問題点があった。図５に示すように半導
体レーザダイオード２の温度Ｔを測定するために、温度
センサー６を別に設けている。したがって、温度センサ
ー６により測定された温度Ｔは、かならずしも半導体レ
ーザダイオード２のチップ自体の温度を示すものではな
い。このため、温度測定の際に誤差が生じ、結果とし
て、劣化検出精度の低下を招いていた。
【００１１】また、温度センサー６を設置するためのス
ペースを設けることが必要となるため、回路装置をコン
パクトに構成することが困難であった。
ペースを設けることが必要となるため、回路装置をコン
パクトに構成することが困難であった。
【００１２】この発明は、上記の問題点を解決して、劣
化検出精度が高く、コンパクトな回路素子の劣化検出回
路を提供することを目的とする。
化検出精度が高く、コンパクトな回路素子の劣化検出回
路を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の回路素子の劣
化検出回路は、通常動作時において、素子の温度及び劣
化度に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動
作時において、素子の温度に依存する第二の特性を有す
る回路素子、前記回路素子を構成要素とし、第一の特性
の値である第一特性値を測定する第一測定回路、前記回
路素子を構成要素とし、第二の特性の値である第二特性
値を測定する第二測定回路、第一測定回路と第二測定回
路とを、選択的に切換える切換え回路、切換え回路を制
御する切換え信号を発生する切換え制御手段、第一測定
値と第二測定値に基づき、前記回路素子の劣化度を判定
する劣化判定手段を備えたことを特徴とする。
化検出回路は、通常動作時において、素子の温度及び劣
化度に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動
作時において、素子の温度に依存する第二の特性を有す
る回路素子、前記回路素子を構成要素とし、第一の特性
の値である第一特性値を測定する第一測定回路、前記回
路素子を構成要素とし、第二の特性の値である第二特性
値を測定する第二測定回路、第一測定回路と第二測定回
路とを、選択的に切換える切換え回路、切換え回路を制
御する切換え信号を発生する切換え制御手段、第一測定
値と第二測定値に基づき、前記回路素子の劣化度を判定
する劣化判定手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】請求項２の回路素子の劣化検出回路は、請
求項１の回路素子の劣化検出回路において、前記回路素
子が、半導体レーザダイオードであり、第一特性値が、
半導体レーザダイオードを、発光出力が一定となるよう
に駆動した場合の動作電流値であり、第二特性値が、半
導体レーザダイオードを、しきい値より小さい一定電流
で駆動した場合の順方向電圧降下値であり、一定電流に
よる駆動時間が、半導体レーザダイオードの温度を実質
的に変化させない微少時間であることを特徴とする。
求項１の回路素子の劣化検出回路において、前記回路素
子が、半導体レーザダイオードであり、第一特性値が、
半導体レーザダイオードを、発光出力が一定となるよう
に駆動した場合の動作電流値であり、第二特性値が、半
導体レーザダイオードを、しきい値より小さい一定電流
で駆動した場合の順方向電圧降下値であり、一定電流に
よる駆動時間が、半導体レーザダイオードの温度を実質
的に変化させない微少時間であることを特徴とする。
【００１５】請求項３の回路素子の劣化検出回路は、請
求項２の回路素子の劣化検出回路において、第一測定回
路として、半導体レーザダイオード、半導体レーザダイ
オードの発光出力を一定に保持しつつ駆動する自動出力
制御回路、半導体レーザダイオードの動作電流をモニタ
する動作電流モニタ用抵抗器を備え、第二測定回路とし
て、半導体レーザダイオード、半導体レーザダイオード
に、しきい値電流よりも小さい一定電流を供給する定電
流回路を備え、切換え回路として、自動出力制御回路と
定電流回路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、劣
化判定手段への測定入力を選択的に切換える測定入力切
換え回路とを備え、切換え制御手段を、駆動切換え回路
と測定入力切換え回路とが連動して切換わる切換え信号
を発生するよう構成したことを特徴とする。
求項２の回路素子の劣化検出回路において、第一測定回
路として、半導体レーザダイオード、半導体レーザダイ
オードの発光出力を一定に保持しつつ駆動する自動出力
制御回路、半導体レーザダイオードの動作電流をモニタ
する動作電流モニタ用抵抗器を備え、第二測定回路とし
て、半導体レーザダイオード、半導体レーザダイオード
に、しきい値電流よりも小さい一定電流を供給する定電
流回路を備え、切換え回路として、自動出力制御回路と
定電流回路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、劣
化判定手段への測定入力を選択的に切換える測定入力切
換え回路とを備え、切換え制御手段を、駆動切換え回路
と測定入力切換え回路とが連動して切換わる切換え信号
を発生するよう構成したことを特徴とする。
【００１６】請求項４の回路素子の劣化検出方法は、通
常動作時において、素子の温度及び劣化度に依存する第
一の特性を有するとともに、非通常動作時において、素
子の温度に依存する第二の特性を有する回路素子の劣化
検出方法であって、前記回路素子を構成要素とする第一
測定回路により、第一の特性の値である第一特性値を測
定し、前記回路素子を構成要素とする第二測定回路によ
り、第二の特性の値である第二特性値を測定し、第一測
定値と第二測定値に基づき、前記回路素子の劣化度を判
定することを特徴とする。
常動作時において、素子の温度及び劣化度に依存する第
一の特性を有するとともに、非通常動作時において、素
子の温度に依存する第二の特性を有する回路素子の劣化
検出方法であって、前記回路素子を構成要素とする第一
測定回路により、第一の特性の値である第一特性値を測
定し、前記回路素子を構成要素とする第二測定回路によ
り、第二の特性の値である第二特性値を測定し、第一測
定値と第二測定値に基づき、前記回路素子の劣化度を判
定することを特徴とする。
【００１７】
【作用】請求項１の回路素子の劣化検出回路、又は、請
求項４の回路素子の劣化検出方法においては、回路素子
が、通常動作時において、素子の温度及び劣化度に依存
する第一の特性を有するとともに、非通常動作時におい
て、素子の温度に依存する第二の特性を有する。また、
この回路素子を共通の構成要素とし、第一の特性の値で
ある第一特性値を測定する第一測定回路、及び、第二の
特性の値である第二特性値を測定する第二測定回路を構
成するようにしている。さらに、第一測定値と第二測定
値に基づき、回路素子の劣化度を判定することを特徴と
する。
求項４の回路素子の劣化検出方法においては、回路素子
が、通常動作時において、素子の温度及び劣化度に依存
する第一の特性を有するとともに、非通常動作時におい
て、素子の温度に依存する第二の特性を有する。また、
この回路素子を共通の構成要素とし、第一の特性の値で
ある第一特性値を測定する第一測定回路、及び、第二の
特性の値である第二特性値を測定する第二測定回路を構
成するようにしている。さらに、第一測定値と第二測定
値に基づき、回路素子の劣化度を判定することを特徴と
する。
【００１８】したがって、第二特性値は温度のみを独立
変数とする関数であり、非通常動作時に測定した第二特
性値から素子自体の温度を知ることができる。また、第
一特性値はこの素子の温度と劣化度の２つを独立変数と
する関数であり、通常動作時に測定した第一特性値と、
上述の第二特性値から算出した素子の温度から、素子の
劣化度を算出することができる。
変数とする関数であり、非通常動作時に測定した第二特
性値から素子自体の温度を知ることができる。また、第
一特性値はこの素子の温度と劣化度の２つを独立変数と
する関数であり、通常動作時に測定した第一特性値と、
上述の第二特性値から算出した素子の温度から、素子の
劣化度を算出することができる。
【００１９】請求項２の回路素子の劣化検出回路は、請
求項１の回路素子の劣化検出回路において、回路素子
を、半導体レーザダイオードとしたものである。また、
第一特性値は、半導体レーザダイオードを、発光出力が
一定となるように駆動した場合の動作電流値であり、第
二特性値は、半導体レーザダイオードを、しきい値より
小さい一定電流で駆動した場合の順方向電圧降下値であ
る。さらに、一定電流による駆動時間が、半導体レーザ
ダイオードの温度を実質的に変化させない微少時間であ
ることを特徴とする。
求項１の回路素子の劣化検出回路において、回路素子
を、半導体レーザダイオードとしたものである。また、
第一特性値は、半導体レーザダイオードを、発光出力が
一定となるように駆動した場合の動作電流値であり、第
二特性値は、半導体レーザダイオードを、しきい値より
小さい一定電流で駆動した場合の順方向電圧降下値であ
る。さらに、一定電流による駆動時間が、半導体レーザ
ダイオードの温度を実質的に変化させない微少時間であ
ることを特徴とする。
【００２０】また、請求項３の回路素子の劣化検出回路
は、請求項２の回路素子の劣化検出回路において、第一
測定回路として、半導体レーザダイオード、半導体レー
ザダイオードの発光出力を一定に保持しつつ駆動する自
動出力制御回路、半導体レーザダイオードの動作電流を
モニタする動作電流モニタ用抵抗器を備えるよう構成し
ている。また、第二測定回路として、半導体レーザダイ
オード、半導体レーザダイオードに、しきい値電流より
も小さい一定電流を供給する定電流回路を備えている。
また、切換え回路として、自動出力制御回路と定電流回
路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、劣化判定手
段への測定入力を選択的に切換える測定入力切換え回路
とを備えている。さらに、切換え制御手段を、駆動切換
え回路と測定入力切換え回路とが連動して切換わる切換
え信号を発生するよう構成したことを特徴とする。
は、請求項２の回路素子の劣化検出回路において、第一
測定回路として、半導体レーザダイオード、半導体レー
ザダイオードの発光出力を一定に保持しつつ駆動する自
動出力制御回路、半導体レーザダイオードの動作電流を
モニタする動作電流モニタ用抵抗器を備えるよう構成し
ている。また、第二測定回路として、半導体レーザダイ
オード、半導体レーザダイオードに、しきい値電流より
も小さい一定電流を供給する定電流回路を備えている。
また、切換え回路として、自動出力制御回路と定電流回
路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、劣化判定手
段への測定入力を選択的に切換える測定入力切換え回路
とを備えている。さらに、切換え制御手段を、駆動切換
え回路と測定入力切換え回路とが連動して切換わる切換
え信号を発生するよう構成したことを特徴とする。
【００２１】したがって、半導体レーザダイオード自体
を温度センサに用いたにもかかわらず、通常の使用状況
における半導体レーザダイオードの温度を変化させるこ
となく、その半導体レーザダイオード自体の温度を知る
ことができる。このため、半導体レーザダイオードの劣
化度を正確に判定することができる。
を温度センサに用いたにもかかわらず、通常の使用状況
における半導体レーザダイオードの温度を変化させるこ
となく、その半導体レーザダイオード自体の温度を知る
ことができる。このため、半導体レーザダイオードの劣
化度を正確に判定することができる。
【００２２】
【実施例】図１に、この発明の一実施例による回路素子
の劣化検出回路の構成を示す。この実施例は、本発明を
半導体レーザダイオードの劣化を検出する回路に適用し
たものである。半導体レーザダイオードケース２２の中
には、発光素子である半導体レーザダイオード２４と、
半導体レーザダイオード２４の光量をモニタするフォト
ダイオード２６が封入されている。Ｖｃは半導体レーザ
ダイオード２４を駆動するための駆動電源である。
の劣化検出回路の構成を示す。この実施例は、本発明を
半導体レーザダイオードの劣化を検出する回路に適用し
たものである。半導体レーザダイオードケース２２の中
には、発光素子である半導体レーザダイオード２４と、
半導体レーザダイオード２４の光量をモニタするフォト
ダイオード２６が封入されている。Ｖｃは半導体レーザ
ダイオード２４を駆動するための駆動電源である。
【００２３】自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）２８は、
半導体レーザダイオード２４の発光出力を一定に保つた
めの制御回路であり、Ｒ２はフォトダイオードモニタ用
抵抗、Ｖｒは基準電源である。また、動作電流モニタ用
抵抗Ｒ１は、半導体レーザダイオード２４の動作電流Ｉ
ｄｒをＰ点の電圧としてモニタするための抵抗器であ
る。上述の半導体レーザダイオード２４、ＡＰＣ回路２
８及び動作電流モニタ用抵抗Ｒ１によって第一測定回路
を構成している。
半導体レーザダイオード２４の発光出力を一定に保つた
めの制御回路であり、Ｒ２はフォトダイオードモニタ用
抵抗、Ｖｒは基準電源である。また、動作電流モニタ用
抵抗Ｒ１は、半導体レーザダイオード２４の動作電流Ｉ
ｄｒをＰ点の電圧としてモニタするための抵抗器であ
る。上述の半導体レーザダイオード２４、ＡＰＣ回路２
８及び動作電流モニタ用抵抗Ｒ１によって第一測定回路
を構成している。
【００２４】定電流回路３０は、半導体レーザダイオー
ド２４に、しきい値より小さい値の一定電流を供給する
ための回路である。半導体レーザダイオード２４と定電
流回路３０とによって、第二測定回路を構成している。
ここに、しきい値とは、半導体レーザダイオード２４が
レーザ光を発生し始めるときの電流値をいう。しきい値
を越えると電流の増加に対する発光出力の増加の割合は
急激に増大する性質を有する。
ド２４に、しきい値より小さい値の一定電流を供給する
ための回路である。半導体レーザダイオード２４と定電
流回路３０とによって、第二測定回路を構成している。
ここに、しきい値とは、半導体レーザダイオード２４が
レーザ光を発生し始めるときの電流値をいう。しきい値
を越えると電流の増加に対する発光出力の増加の割合は
急激に増大する性質を有する。
【００２５】駆動切換え回路３２は、半導体レーザダイ
オード３４の駆動を、ＡＰＣ回路２８または定電流回路
３０のいずれかに切換えるための回路である。測定入力
切換え回路３４は、Ａ／Ｄ変換器３６への入力を、Ｐ点
の電圧Ｖｄｒまたは半導体レーザダイオード２４の順方
向電圧降下Ｖｄｐのいずれかに切換えるための回路であ
る。なお、順方向電圧降下Ｖｄｐは、差動増幅器３８に
より拡大された後Ａ／Ｄ変換器３６へ入力される。
オード３４の駆動を、ＡＰＣ回路２８または定電流回路
３０のいずれかに切換えるための回路である。測定入力
切換え回路３４は、Ａ／Ｄ変換器３６への入力を、Ｐ点
の電圧Ｖｄｒまたは半導体レーザダイオード２４の順方
向電圧降下Ｖｄｐのいずれかに切換えるための回路であ
る。なお、順方向電圧降下Ｖｄｐは、差動増幅器３８に
より拡大された後Ａ／Ｄ変換器３６へ入力される。
【００２６】ＣＰＵ４０は、Ａ／Ｄ変換器３６の出力を
演算処理し、半導体レーザダイオード２４の劣化を判定
する劣化判定手段であると同時に、駆動切換え回路３２
及び測定入力切換え回路３４を、連動して切換える切換
え信号を発生する切換え制御手段でもある。
演算処理し、半導体レーザダイオード２４の劣化を判定
する劣化判定手段であると同時に、駆動切換え回路３２
及び測定入力切換え回路３４を、連動して切換える切換
え信号を発生する切換え制御手段でもある。
【００２７】次に、この実施例による半導体レーザダイ
オードの劣化検出回路２０の動作を、図１〜図４に基づ
いて説明する。図２Ａは、半導体レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）２４の順方向電圧降下の温度特性を示す図であり、
図２Ｂは、発光出力を一定とした場合のＬＤ２４の動作
電流の温度特性を示す図である。図３及び図４は、ＬＤ
２４の劣化検出の処理の流れを表わすフローチャートで
ある。
オードの劣化検出回路２０の動作を、図１〜図４に基づ
いて説明する。図２Ａは、半導体レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）２４の順方向電圧降下の温度特性を示す図であり、
図２Ｂは、発光出力を一定とした場合のＬＤ２４の動作
電流の温度特性を示す図である。図３及び図４は、ＬＤ
２４の劣化検出の処理の流れを表わすフローチャートで
ある。
【００２８】図１に基づいて、ＬＤ２４の劣化検出の処
理の流れ（図３及び図４参照）を説明する。本実施例
は、バーコードリーダ等半導体レーザダイオードを用い
た装置について、始動時のテストモードの段階で劣化検
出動作を行なわせる場合の例である。まず、ＣＰＵ４０
は、メインスイッチ（図示せず）が投入されたことを検
知し、劣化検出回路２０の電源のスイッチ（図示せず）
をＯＮにする（図３、ステップＳ１）。
理の流れ（図３及び図４参照）を説明する。本実施例
は、バーコードリーダ等半導体レーザダイオードを用い
た装置について、始動時のテストモードの段階で劣化検
出動作を行なわせる場合の例である。まず、ＣＰＵ４０
は、メインスイッチ（図示せず）が投入されたことを検
知し、劣化検出回路２０の電源のスイッチ（図示せず）
をＯＮにする（図３、ステップＳ１）。
【００２９】次に、ＣＰＵ４０は、駆動切換え回路３２
のスイッチＳＷ１をａ側にするとともに、測定入力切換
え回路３４のスイッチＳＷ２をａ側にする（図３、ステ
ップＳ２）。駆動切換え回路３２のスイッチＳＷ１をａ
側にすると、ＡＰＣ回路２８は、ＬＤ２４の発光出力
を、定められた一定の値に保つよう、動作電流Ｉｄｒを
制御する。この状態を通常動作時という。
のスイッチＳＷ１をａ側にするとともに、測定入力切換
え回路３４のスイッチＳＷ２をａ側にする（図３、ステ
ップＳ２）。駆動切換え回路３２のスイッチＳＷ１をａ
側にすると、ＡＰＣ回路２８は、ＬＤ２４の発光出力
を、定められた一定の値に保つよう、動作電流Ｉｄｒを
制御する。この状態を通常動作時という。
【００３０】ＡＰＣ回路２８の動作を説明する。フォト
ダイオード２６には、半導体レーザダイオード２４の発
光出力に対応した電流が流れる。したがって、フォトダ
イオードモニタ用抵抗Ｒ２の端点Ｑの電圧は、半導体レ
ーザダイオード２４の発光出力に応じて増減する。ＡＰ
Ｃ回路２８は、Ｑ点の電圧が、常に基準電源Ｖｒの電圧
に等しくなるよう半導体レーザダイオード２４の発光出
力すなわち動作電流Ｉｄｒをフィードバック制御してい
る。なお、動作電流モニタ用抵抗Ｒ１の端点Ｐの電位
は、動作電流Ｉｄｒに比例する。このＰ点の電位を動作
電圧Ｖｄｒとよぶ。
ダイオード２６には、半導体レーザダイオード２４の発
光出力に対応した電流が流れる。したがって、フォトダ
イオードモニタ用抵抗Ｒ２の端点Ｑの電圧は、半導体レ
ーザダイオード２４の発光出力に応じて増減する。ＡＰ
Ｃ回路２８は、Ｑ点の電圧が、常に基準電源Ｖｒの電圧
に等しくなるよう半導体レーザダイオード２４の発光出
力すなわち動作電流Ｉｄｒをフィードバック制御してい
る。なお、動作電流モニタ用抵抗Ｒ１の端点Ｐの電位
は、動作電流Ｉｄｒに比例する。このＰ点の電位を動作
電圧Ｖｄｒとよぶ。
【００３１】ＣＰＵ４０は、この状態のまま、ＬＤ２４
の温度が安定するまで待つ（図３、ステップＳ３）。本
実施例においては、待ち時間を１０秒程度に設定してい
るが、ＬＤ２４の温度が安定する時間であれば、これに
限るものではない。
の温度が安定するまで待つ（図３、ステップＳ３）。本
実施例においては、待ち時間を１０秒程度に設定してい
るが、ＬＤ２４の温度が安定する時間であれば、これに
限るものではない。
【００３２】次に、温度が安定した状態におけるＬＤ２
４の動作電圧ＶｄｒをＣＰＵ４０に取込む。この場合、
動作電圧Ｖｄｒは、上述の測定入力切換え回路３４のス
イッチＳＷ２を通じて、Ａ／Ｄ変換器３６に入力され、
ここでデジタル信号に変換された後ＣＰＵ４０に取込ま
れる。ＣＰＵ４０は動作電圧Ｖｄｒを、動作電流Ｉｄｒ
に再変換した後記憶する（図３、ステップＳ４）。
４の動作電圧ＶｄｒをＣＰＵ４０に取込む。この場合、
動作電圧Ｖｄｒは、上述の測定入力切換え回路３４のス
イッチＳＷ２を通じて、Ａ／Ｄ変換器３６に入力され、
ここでデジタル信号に変換された後ＣＰＵ４０に取込ま
れる。ＣＰＵ４０は動作電圧Ｖｄｒを、動作電流Ｉｄｒ
に再変換した後記憶する（図３、ステップＳ４）。
【００３３】次に、ＣＰＵ４０は、駆動切換え回路３２
のスイッチＳＷ１をｂ側にするとともに、測定入力切換
え回路３４のスイッチＳＷ２をｂ側にする（図３、ステ
ップＳ５）。駆動切換え回路３２のスイッチＳＷ１をｂ
側にすると、ＬＤ２４は、定電流回路３０により、定め
られた一定電流で駆動される。この場合、電流値はしき
い値より小さい値であり、かつ、微少時間であるため、
ＬＤ２４の温度に影響を与えることはない。このときの
ＬＤ２４の順方向電圧降下Ｖｄｐは、差動増幅器３８に
より増幅される。
のスイッチＳＷ１をｂ側にするとともに、測定入力切換
え回路３４のスイッチＳＷ２をｂ側にする（図３、ステ
ップＳ５）。駆動切換え回路３２のスイッチＳＷ１をｂ
側にすると、ＬＤ２４は、定電流回路３０により、定め
られた一定電流で駆動される。この場合、電流値はしき
い値より小さい値であり、かつ、微少時間であるため、
ＬＤ２４の温度に影響を与えることはない。このときの
ＬＤ２４の順方向電圧降下Ｖｄｐは、差動増幅器３８に
より増幅される。
【００３４】次に、ＬＤ２４の順方向電圧降下Ｖｄｐを
ＣＰＵ４０に取込む（図４、ステップＳ６）。この場
合、差動増幅器３８により増幅された順方向電圧降下Ｖ
ｄｐは、上述の測定入力切換え回路３４のスイッチＳＷ
２を通じて、Ａ／Ｄ変換器３６に入力され、ここでデジ
タル信号に変換された後ＣＰＵ４０に取込まれる。
ＣＰＵ４０に取込む（図４、ステップＳ６）。この場
合、差動増幅器３８により増幅された順方向電圧降下Ｖ
ｄｐは、上述の測定入力切換え回路３４のスイッチＳＷ
２を通じて、Ａ／Ｄ変換器３６に入力され、ここでデジ
タル信号に変換された後ＣＰＵ４０に取込まれる。
【００３５】次に、図２Ａに示すように、ＣＰＵ４０は
あらかじめ与えられた近似式 Ｔ＝ｆ（Ｖｄｐ） にしたがって、順方向電圧降下Ｖｄｐから、ＬＤ２４の
温度Ｔを算出する。（図４、ステップＳ７）。非通常動
作時、すなわち、しきい値より小さい一定電流で駆動す
る場合には、ＬＤ２４の順方向電圧降下ＶｄｐはＬＤ２
４の温度Ｔに依存する、という前述の第２の特性を利用
するのである。
あらかじめ与えられた近似式 Ｔ＝ｆ（Ｖｄｐ） にしたがって、順方向電圧降下Ｖｄｐから、ＬＤ２４の
温度Ｔを算出する。（図４、ステップＳ７）。非通常動
作時、すなわち、しきい値より小さい一定電流で駆動す
る場合には、ＬＤ２４の順方向電圧降下ＶｄｐはＬＤ２
４の温度Ｔに依存する、という前述の第２の特性を利用
するのである。
【００３６】次に、図２Ｂに示すように、ＣＰＵ４０
は、あらかじめ与えられた既知の近似式 Ｉｒｅｆ＝ｇ（Ｔ） にしたがって、ＬＤ２４の温度Ｔから、劣化基準電流Ｉ
ｒｅｆを算出する。（図４、ステップＳ８）。前述のよ
うに、通常動作時、すなわち、発光出力が一定となるよ
うに駆動した場合には、ＬＤ２４の動作電流はＬＤ２４
の温度Ｔ及び劣化度に依存する、という第一の特性を有
する。図２Ｂは、この関係を表わしたものであり、劣化
度をパラメータとした場合の温度Ｔと動作電流の関係を
示している。破線は、ＬＤ２４が新品の場合の温度Ｔと
動作電流の関係を表わしたものであり、この場合の動作
電流を初期動作電流Ｉｉｎｔという。上述の劣化基準電
流Ｉｒｅｆは、ＬＤ２４の劣化が限界に達した場合の温
度Ｔと動作電流との関係を示したものである。すなわ
ち、劣化基準電流Ｉｒｅｆは、温度Ｔにおける、ＬＤ２
４の劣化の限界を示す基準となる動作電流である。本実
施例においては、劣化基準電流Ｉｒｅｆは、従来例同様 Ｉｒｅｆ＝１．５＊Ｉｉｎｔ に設定している。
は、あらかじめ与えられた既知の近似式 Ｉｒｅｆ＝ｇ（Ｔ） にしたがって、ＬＤ２４の温度Ｔから、劣化基準電流Ｉ
ｒｅｆを算出する。（図４、ステップＳ８）。前述のよ
うに、通常動作時、すなわち、発光出力が一定となるよ
うに駆動した場合には、ＬＤ２４の動作電流はＬＤ２４
の温度Ｔ及び劣化度に依存する、という第一の特性を有
する。図２Ｂは、この関係を表わしたものであり、劣化
度をパラメータとした場合の温度Ｔと動作電流の関係を
示している。破線は、ＬＤ２４が新品の場合の温度Ｔと
動作電流の関係を表わしたものであり、この場合の動作
電流を初期動作電流Ｉｉｎｔという。上述の劣化基準電
流Ｉｒｅｆは、ＬＤ２４の劣化が限界に達した場合の温
度Ｔと動作電流との関係を示したものである。すなわ
ち、劣化基準電流Ｉｒｅｆは、温度Ｔにおける、ＬＤ２
４の劣化の限界を示す基準となる動作電流である。本実
施例においては、劣化基準電流Ｉｒｅｆは、従来例同様 Ｉｒｅｆ＝１．５＊Ｉｉｎｔ に設定している。
【００３７】次に、ＣＰＵ４０は、上述の劣化基準電流
Ｉｒｅｆと、ステップＳ４でＣＰＵ４０に記憶させてあ
るＬＤ２４の現状の動作電流Ｉｄｒとを比較し（図４、
ステップＳ９）、動作電流Ｉｄｒが劣化基準電流Ｉｒｅ
ｆを越える場合には、ＬＤ２４の劣化が限界に達したと
判断して、警告表示を行ない（図４、ステップＳ１
１）、処理を終了する。
Ｉｒｅｆと、ステップＳ４でＣＰＵ４０に記憶させてあ
るＬＤ２４の現状の動作電流Ｉｄｒとを比較し（図４、
ステップＳ９）、動作電流Ｉｄｒが劣化基準電流Ｉｒｅ
ｆを越える場合には、ＬＤ２４の劣化が限界に達したと
判断して、警告表示を行ない（図４、ステップＳ１
１）、処理を終了する。
【００３８】一方、動作電流Ｉｄｒが劣化基準電流Ｉｒ
ｅｆを越えない場合には、ＬＤ２４の劣化はまだ限界に
達していないと判断して、ＣＰＵ４０は、駆動切換え回
路３２のスイッチＳＷ１をａ側にする（図４、ステップ
Ｓ１０）。これにより、ＬＤ２４は通常動作時の状態に
戻る。すなわち、ＬＤ２４はＡＰＣ回路２８により、発
光出力を定められた一定の値に保つよう制御されるとと
もに、ＣＰＵ４０の制御は、次の他の処理へと移行す
る。
ｅｆを越えない場合には、ＬＤ２４の劣化はまだ限界に
達していないと判断して、ＣＰＵ４０は、駆動切換え回
路３２のスイッチＳＷ１をａ側にする（図４、ステップ
Ｓ１０）。これにより、ＬＤ２４は通常動作時の状態に
戻る。すなわち、ＬＤ２４はＡＰＣ回路２８により、発
光出力を定められた一定の値に保つよう制御されるとと
もに、ＣＰＵ４０の制御は、次の他の処理へと移行す
る。
【００３９】前述のように、ＬＤ２４を、しきい値より
小さい一定電流で駆動する非通常動作時の状態、すなわ
ち、ＣＰＵ４０が、ａ側にあった駆動切換え回路３２の
スイッチＳＷ１をｂ側に切換え、定電流駆動下において
温度Ｔを測定し、所定の判断を行なった後再びスイッチ
ＳＷ１をａ側に切換えるまで（図３、ステップＳ５〜図
４、ステップＳ１０）に要する時間は、実際には極めて
短い時間である。このため、ＬＤ２４の温度を変化させ
ることなく、ＬＤ２４自体の温度を知ることができ、し
かも、その後の処理に遅延をきたすことがない。
小さい一定電流で駆動する非通常動作時の状態、すなわ
ち、ＣＰＵ４０が、ａ側にあった駆動切換え回路３２の
スイッチＳＷ１をｂ側に切換え、定電流駆動下において
温度Ｔを測定し、所定の判断を行なった後再びスイッチ
ＳＷ１をａ側に切換えるまで（図３、ステップＳ５〜図
４、ステップＳ１０）に要する時間は、実際には極めて
短い時間である。このため、ＬＤ２４の温度を変化させ
ることなく、ＬＤ２４自体の温度を知ることができ、し
かも、その後の処理に遅延をきたすことがない。
【００４０】したがって、本実施例による半導体レーザ
ダイオードの劣化検出回路２０をバーコードリーダ装置
等に用いた場合、本実施例のように、装置の始動時のテ
ストモードの段階で劣化検出動作を行なわせるようにす
る他、通常の運転モード時においても、適宜、劣化検出
動作を行なわせるようにすることができる。
ダイオードの劣化検出回路２０をバーコードリーダ装置
等に用いた場合、本実施例のように、装置の始動時のテ
ストモードの段階で劣化検出動作を行なわせるようにす
る他、通常の運転モード時においても、適宜、劣化検出
動作を行なわせるようにすることができる。
【００４１】なお、本実施例においては切換え制御手段
及び劣化判定手段としてＣＰＵ４０を用いたが、専用回
路を用いてもよい。また、劣化を検出すべき回路素子と
して半導体レーザダイオード２４を用いたが、他の回路
素子例えば一般的な発光ダイオードやその他の回路素子
であってもよい。
及び劣化判定手段としてＣＰＵ４０を用いたが、専用回
路を用いてもよい。また、劣化を検出すべき回路素子と
して半導体レーザダイオード２４を用いたが、他の回路
素子例えば一般的な発光ダイオードやその他の回路素子
であってもよい。
【００４２】さらに、第一特性値として発光出力を一定
にした場合の回路素子の動作電流Ｉｄｒを用いたが、回
路素子の温度Ｔ及び劣化度に依存する値であれば、電圧
値その他を用いてもよい。また、第２特性値として、し
きい値より小さい一定電流で駆動する場合の回路素子の
順方向電圧降下Ｖｄｐを用いたが、回路素子の温度に依
存する値であれば、これに限るものではない。
にした場合の回路素子の動作電流Ｉｄｒを用いたが、回
路素子の温度Ｔ及び劣化度に依存する値であれば、電圧
値その他を用いてもよい。また、第２特性値として、し
きい値より小さい一定電流で駆動する場合の回路素子の
順方向電圧降下Ｖｄｐを用いたが、回路素子の温度に依
存する値であれば、これに限るものではない。
【００４３】
【発明の効果】請求項１の回路素子の劣化検出回路、又
は、請求項４の回路素子の劣化検出方法においては、回
路素子が、通常動作時において、素子の温度及び劣化度
に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動作時
において、素子の温度に依存する第二の特性を有する。
また、この回路素子を共通の構成要素とし、第一の特性
の値である第一特性値を測定する第一測定回路、及び、
第二の特性の値である第二特性値を測定する第二測定回
路を構成するようにしている。さらに、第一測定値と第
二測定値に基づき、回路素子の劣化度を判定することを
特徴とする。
は、請求項４の回路素子の劣化検出方法においては、回
路素子が、通常動作時において、素子の温度及び劣化度
に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動作時
において、素子の温度に依存する第二の特性を有する。
また、この回路素子を共通の構成要素とし、第一の特性
の値である第一特性値を測定する第一測定回路、及び、
第二の特性の値である第二特性値を測定する第二測定回
路を構成するようにしている。さらに、第一測定値と第
二測定値に基づき、回路素子の劣化度を判定することを
特徴とする。
【００４４】すなわち、第二特性値は温度のみを独立変
数とする関数であり、非通常動作時に測定した第二特性
値から素子自体の温度を知ることができる。また、第一
特性値はこの素子の温度と劣化度を独立変数とする関数
であり、通常動作時に測定した第一特性値と、上述の第
二特性値から算出した素子の温度から、素子の劣化度を
算出することができる。
数とする関数であり、非通常動作時に測定した第二特性
値から素子自体の温度を知ることができる。また、第一
特性値はこの素子の温度と劣化度を独立変数とする関数
であり、通常動作時に測定した第一特性値と、上述の第
二特性値から算出した素子の温度から、素子の劣化度を
算出することができる。
【００４５】したがって、劣化度を判定すべき素子自体
を温度センサとして使用するため、劣化度を正確に判定
することができるとともに、外付けの温度センサが不要
となり機器のコンパクト化を図ることができる。
を温度センサとして使用するため、劣化度を正確に判定
することができるとともに、外付けの温度センサが不要
となり機器のコンパクト化を図ることができる。
【００４６】請求項２の回路素子の劣化検出回路は、請
求項１の回路素子の劣化検出回路において、回路素子
を、半導体レーザダイオードとしたものである。また、
第一特性値は、半導体レーザダイオードを、発光出力が
一定となるように駆動した場合の動作電流値であり、第
二特性値は、半導体レーザダイオードを、しきい値より
小さい一定電流で駆動した場合の順方向電圧降下値であ
る。さらに、一定電流による駆動時間が、半導体レーザ
ダイオードの温度を実質的に変化させない微少時間であ
ることを特徴とする。
求項１の回路素子の劣化検出回路において、回路素子
を、半導体レーザダイオードとしたものである。また、
第一特性値は、半導体レーザダイオードを、発光出力が
一定となるように駆動した場合の動作電流値であり、第
二特性値は、半導体レーザダイオードを、しきい値より
小さい一定電流で駆動した場合の順方向電圧降下値であ
る。さらに、一定電流による駆動時間が、半導体レーザ
ダイオードの温度を実質的に変化させない微少時間であ
ることを特徴とする。
【００４７】また、請求項３の回路素子の劣化検出回路
は、請求項２の回路素子の劣化検出回路において、第一
測定回路として、半導体レーザダイオード、半導体レー
ザダイオードの発光出力を一定に保持しつつ駆動する自
動検出制御回路、半導体レーザダイオードの動作電流を
モニタする動作電流モニタ用抵抗器を備えるよう構成し
ている。また、第二測定回路として、半導体レーザダイ
オード、半導体レーザダイオードに、しきい値電流より
も小さい一定電流を供給する定電流回路を備えている。
また、切換え回路として、自動出力制御回路と定電流回
路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、劣化判定手
段への測定入力を選択的に切換える測定入力切換え回路
とを備えている。さらに、切換え制御手段を、駆動切換
え回路と測定入力切換え回路とが連動して切換わる切換
え信号を発生するよう構成したことを特徴とする。
は、請求項２の回路素子の劣化検出回路において、第一
測定回路として、半導体レーザダイオード、半導体レー
ザダイオードの発光出力を一定に保持しつつ駆動する自
動検出制御回路、半導体レーザダイオードの動作電流を
モニタする動作電流モニタ用抵抗器を備えるよう構成し
ている。また、第二測定回路として、半導体レーザダイ
オード、半導体レーザダイオードに、しきい値電流より
も小さい一定電流を供給する定電流回路を備えている。
また、切換え回路として、自動出力制御回路と定電流回
路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、劣化判定手
段への測定入力を選択的に切換える測定入力切換え回路
とを備えている。さらに、切換え制御手段を、駆動切換
え回路と測定入力切換え回路とが連動して切換わる切換
え信号を発生するよう構成したことを特徴とする。
【００４８】すなわち、半導体レーザダイオード自体を
温度センサに用いたにもかかわらず、通常の使用状況に
おける半導体レーザダイオードの温度を変化させること
なく、その半導体レーザダイオード自体の温度を知るこ
とができる。
温度センサに用いたにもかかわらず、通常の使用状況に
おける半導体レーザダイオードの温度を変化させること
なく、その半導体レーザダイオード自体の温度を知るこ
とができる。
【００４９】したがって、劣化度を判定すべき半導体レ
ーザダイオード自体を温度センサとして使用するため、
劣化度を正確に判定することができるとともに、外付け
の温度センサが不要となり小型化を要求される機器のコ
ンパクト化を図ることができる。
ーザダイオード自体を温度センサとして使用するため、
劣化度を正確に判定することができるとともに、外付け
の温度センサが不要となり小型化を要求される機器のコ
ンパクト化を図ることができる。
【図１】この発明の一の実施例による回路素子の劣化検
出回路の構成を示す図面である。
出回路の構成を示す図面である。
【図２】図２Ａは、半導体レーザダイオードの順方向電
圧降下の温度特性を示す図であり、図２Ｂは、発光出力
を一定とした場合の半導体レーザダイオードの動作電流
の温度特性を示す図である。
圧降下の温度特性を示す図であり、図２Ｂは、発光出力
を一定とした場合の半導体レーザダイオードの動作電流
の温度特性を示す図である。
【図３】この発明の一の実施例による回路素子の劣化検
出回路の、劣化検出の処理の流れを表わすフローチャー
トである。
出回路の、劣化検出の処理の流れを表わすフローチャー
トである。
【図４】この発明の一の実施例による回路素子の劣化検
出回路の、劣化検出の処理の流れを表わすフローチャー
トである。
出回路の、劣化検出の処理の流れを表わすフローチャー
トである。
【図５】従来の半導体レーザダイオードの劣化検出回路
の構成を示す図面である。
の構成を示す図面である。
２４・・・・・半導体レーザダイオード ２８・・・・・ＡＰＣ回路 ３０・・・・・定電流回路 ３２・・・・・駆動切換え回路 ３４・・・・・測定入力切換え回路 ４０・・・・・ＣＰＵ Ｒ１・・・・・動作電流モニタ用抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】通常動作時において、素子の温度及び劣化
度に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動作
時において、素子の温度に依存する第二の特性を有する
回路素子、 前記回路素子を構成要素とし、前記第一の特性の値であ
る第一特性値を測定する第一測定回路、 前記回路素子を構成要素とし、前記第二の特性の値であ
る第二特性値を測定する第二測定回路、 前記第一測定回路と前記第二測定回路とを、選択的に切
換える切換え回路、 前記切換え回路を制御する切換え信号を発生する、切換
え制御手段、 前記第一測定値と前記第二測定値に基づき、前記回路素
子の劣化度を判定する劣化判定手段、 を備えたことを特徴とする回路素子の劣化検出回路。 - 【請求項２】請求項１の回路素子の劣化検出回路におい
て、 回路素子が、半導体レーザダイオードであり、 第一特性値が、前記半導体レーザダイオードを、発光出
力が一定となるように駆動した場合の動作電流値であ
り、 第二特性値が、前記半導体レーザダイオードを、しきい
値より小さい一定電流で駆動した場合の順方向電圧降下
値であり、 前記一定電流による駆動時間が、前記半導体レーザダイ
オードの温度を実質的に変化させない微少時間であるこ
と、 を特徴とするもの。 - 【請求項３】請求項２の回路素子の劣化検出回路におい
て、 第一測定回路として、半導体レーザダイオード、半導体
レーザダイオードの発光出力を一定に保持しつつ駆動す
る自動出力制御回路、半導体レーザダイオードの動作電
流をモニタする動作電流モニタ用抵抗器を備え、 第二測定回路として、前記半導体レーザダイオード、半
導体レーザダイオードに、しきい値電流よりも小さい一
定電流を供給する定電流回路を備え、 切換え回路として、前記自動出力制御回路と前記定電流
回路とを選択的に切換える駆動切換え回路と、前記劣化
判定手段への測定入力を選択的に切換える測定入力切換
え回路とを備え、 切換え制御手段を、前記駆動切換え回路と前記測定入力
切換え回路とが連動して切換わる切換え信号を発生する
よう構成したこと、 を特徴とするもの。 - 【請求項４】通常動作時において、素子の温度及び劣化
度に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動作
時において、素子の温度に依存する第二の特性を有する
回路素子の劣化検出方法であって、 前記回路素子を構成要素とする第一測定回路により、前
記第一の特性の値である第一特性値を測定し、 前記回路素子を構成要素とする第二測定回路により、前
記第二の特性の値である第二特性値を測定し、 前記第一測定値と前記第二測定値に基づき、前記回路素
子の劣化度を判定する、 ことを特徴とする回路素子の劣化検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP985594A JPH07221369A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 回路素子の劣化検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP985594A JPH07221369A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 回路素子の劣化検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221369A true JPH07221369A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11731752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP985594A Pending JPH07221369A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 回路素子の劣化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221369A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014832A1 (fr) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de transmission optique et procede de pilotage d'une diode laser |
| WO2001031354A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | General Electric Company | A method and system for predicting failures in a power resistive grid of a vehicle |
| JP2002026434A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| CN100411263C (zh) * | 2003-12-03 | 2008-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 激光二极管驱动电路和光通信装置 |
| WO2009085396A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Microvision, Inc. | Laser projection white balance tracking |
| DE102018212687A1 (de) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Koninklijke Philips N.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen der optischen Ausgangsleistung einer Laserdiode mit einer zugeordneten Fotodiode und Partikelsensorvorrichtung |
| DE102018212689A1 (de) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Koninklijke Philips N.V. | Verfahren zum Schätzen eines Zustandsparameters einer Laserdiode mit einer zugeordneten Fotodiode, Vorrichtung zum Überwachen des Betriebs einer solchen Laserdiode und Partikelsensorvorrichtung |
| JP6704534B1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-06-03 | 三菱電機株式会社 | 劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP985594A patent/JPH07221369A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014832A1 (fr) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de transmission optique et procede de pilotage d'une diode laser |
| US6195370B1 (en) | 1997-09-16 | 2001-02-27 | Hitachi, Ltd. | Optical transmission device and method for driving laser diode |
| WO2001031354A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | General Electric Company | A method and system for predicting failures in a power resistive grid of a vehicle |
| US6349248B1 (en) | 1999-10-28 | 2002-02-19 | General Electric Company | Method and system for predicting failures in a power resistive grid of a vehicle |
| JP2002026434A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| CN100411263C (zh) * | 2003-12-03 | 2008-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 激光二极管驱动电路和光通信装置 |
| WO2009085396A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Microvision, Inc. | Laser projection white balance tracking |
| US8384620B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-02-26 | Microvision, Inc. | Laser projection white balance tracking |
| DE102018212687A1 (de) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Koninklijke Philips N.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen der optischen Ausgangsleistung einer Laserdiode mit einer zugeordneten Fotodiode und Partikelsensorvorrichtung |
| DE102018212689A1 (de) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Koninklijke Philips N.V. | Verfahren zum Schätzen eines Zustandsparameters einer Laserdiode mit einer zugeordneten Fotodiode, Vorrichtung zum Überwachen des Betriebs einer solchen Laserdiode und Partikelsensorvorrichtung |
| US11646545B2 (en) | 2018-07-30 | 2023-05-09 | Trumpf Photonic Components Gmbh | Method and apparatus for monitoring the optical output power of a laser diode with an associated photodiode and particle sensor device |
| JP6704534B1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-06-03 | 三菱電機株式会社 | 劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法 |
| WO2020217355A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 三菱電機株式会社 | 劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法 |
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