JPS60142582A - 半導体レ−ザの寿命判定方式 - Google Patents
半導体レ−ザの寿命判定方式Info
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- JPS60142582A JPS60142582A JP58251681A JP25168183A JPS60142582A JP S60142582 A JPS60142582 A JP S60142582A JP 58251681 A JP58251681 A JP 58251681A JP 25168183 A JP25168183 A JP 25168183A JP S60142582 A JPS60142582 A JP S60142582A
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- semiconductor laser
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- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06812—Stabilisation of laser output parameters by monitoring or fixing the threshold current or other specific points of the L-I or V-I characteristics
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光ディスク、し〒ザプリンタ等に用いられる
半導体レーザの寿命判定方式に関するものである。
半導体レーザの寿命判定方式に関するものである。
この種半導体レーザの寿命判定方式としては特開昭５８
−１４０１７５号公報に記載さ才１ている半導体レーザ
ダイオードの異常検出方式がある。
−１４０１７５号公報に記載さ才１ている半導体レーザ
ダイオードの異常検出方式がある。
この異常検出方式では第１図に示すように半導体レーザ
ダイオードｌのバイアス電流を供給するトランジスタ４
゛のエミッタに接続されているバイアス電流制限抵抗Ｒ
Ｂの両端電圧ＥＸと、参照電圧（基準電圧）Ｅｏとをコ
ンパレータ６により比較す条ようにしている。この場合
参照電圧Ｅｄは初期バ、イアスミ流より。により発生す
る抵抗ＲＢの両側電圧ＥＸの約１．５倍の値としている
。
ダイオードｌのバイアス電流を供給するトランジスタ４
゛のエミッタに接続されているバイアス電流制限抵抗Ｒ
Ｂの両端電圧ＥＸと、参照電圧（基準電圧）Ｅｏとをコ
ンパレータ６により比較す条ようにしている。この場合
参照電圧Ｅｄは初期バ、イアスミ流より。により発生す
る抵抗ＲＢの両側電圧ＥＸの約１．５倍の値としている
。
半導体レーザの寿命判定は２５゛Ｃにおける半導体レー
ザのしきい値電流が１．２倍、または１．５倍に増加し
た時点を寿命とし、それ以上の値になるとレーザの光学
、電気的酩特性は保証されなくなるため、応用装置の信
頼性を向上させる点からこれら寿命状態の翳告を利用者
に知らせ、予備メンテナンスをすることが必要となる。
ザのしきい値電流が１．２倍、または１．５倍に増加し
た時点を寿命とし、それ以上の値になるとレーザの光学
、電気的酩特性は保証されなくなるため、応用装置の信
頼性を向上させる点からこれら寿命状態の翳告を利用者
に知らせ、予備メンテナンスをすることが必要となる。
しかし、半導体レーザのしきい焦電流は温度の影響を受
け、その値は次式のような変化を呈する。
け、その値は次式のような変化を呈する。
例えばこの値に現実の値、レーザの温度Ｕ〜５０゛Ｃレ
ーザの特性温度２００ Ｋを代入し、しきい値の変化を
めると０°Ｃに比較し５０°Ｃでは約１．５倍の変化と
なり、固定の基準値で判定していたのでは温度の低い場
合には判定かあまくなり、高温では判定がきつくなるた
め、装置の信頼性、予備メンテナンスの細度等に悪影響
がでるようになる。
ーザの特性温度２００ Ｋを代入し、しきい値の変化を
めると０°Ｃに比較し５０°Ｃでは約１．５倍の変化と
なり、固定の基準値で判定していたのでは温度の低い場
合には判定かあまくなり、高温では判定がきつくなるた
め、装置の信頼性、予備メンテナンスの細度等に悪影響
がでるようになる。
すなわち、トランジスタ４のベース接地増幅率をα、し
きい焦電流をＩｔｈ ’抵抗ＲＢの抵抗値をＲとすると
、参照電圧Ｅ。は次式で辰わすことができる。
きい焦電流をＩｔｈ ’抵抗ＲＢの抵抗値をＲとすると
、参照電圧Ｅ。は次式で辰わすことができる。
ＥＣ＝ １．５ ｘ罰ｘ工ｔｈｘＲ）
この参照電圧Ｅ。には湿度の・項が入っていないため、
温度が上昇すると、実際は使用可能であっても使用不可
能の判断がなされ、また温度が降下すると実際は使用不
可能であっても使用可能の判断がなされるようになる。
温度が上昇すると、実際は使用可能であっても使用不可
能の判断がなされ、また温度が降下すると実際は使用不
可能であっても使用可能の判断がなされるようになる。
目 的
本発明は、温度により大幅に変化する半導体し・−ザの
しきい焦電流を正確に判断し、装置寿命の向上、信頼性
の向上を計ることを目的とするものである。
しきい焦電流を正確に判断し、装置寿命の向上、信頼性
の向上を計ることを目的とするものである。
本発明は、半導体レーザのしきい値あるいはこれに代替
可能なある電流値を検出する電流検出回路と、半導体レ
ーザの一度を検出する感温素子と、その基準値を変化さ
せる基準値発生回路と、両者の比較を行う比較回路とを
具えることを特徴とするＯ 実 施 例 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
可能なある電流値を検出する電流検出回路と、半導体レ
ーザの一度を検出する感温素子と、その基準値を変化さ
せる基準値発生回路と、両者の比較を行う比較回路とを
具えることを特徴とするＯ 実 施 例 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図に示すように本発明半導体レーザの寿命判定方式
では半導体レーザ１をそのバイアス電流を決定する電流
制御用トランジスタ４およびそのバイアス電流制限抵抗
５と直列に接続して接地点と一■雷、源との間に配設す
る。また、半導体レーザ１＆こけ感温素子、すなわちレ
ーザ温度を検出する温度センサ２を近］ｊ５シて配置し
、その一端を接地点に接続し、他端を抵抗７および判定
抽準を設定する回置電圧源３を経て一■電源Ｇこ接続す
る。
では半導体レーザ１をそのバイアス電流を決定する電流
制御用トランジスタ４およびそのバイアス電流制限抵抗
５と直列に接続して接地点と一■雷、源との間に配設す
る。また、半導体レーザ１＆こけ感温素子、すなわちレ
ーザ温度を検出する温度センサ２を近］ｊ５シて配置し
、その一端を接地点に接続し、他端を抵抗７および判定
抽準を設定する回置電圧源３を経て一■電源Ｇこ接続す
る。
さらに温度センサ２および抵抗７の接続点ヲコンパレー
ク６の一方の入力端子に接続し、トランジスタ４および
抵抗８の接続点をコンパレータ６の他方の入力端子に接
続する。
ク６の一方の入力端子に接続し、トランジスタ４および
抵抗８の接続点をコンパレータ６の他方の入力端子に接
続する。
従って、レーザ電流の検出を行う抵抗５の両端ｔｒｉ圧
と温度センサ２の抵抗値によって変化する基準電圧ｖＲ
ｅｆとの大小関係をコンパレータ６により比較し、これ
により半導体レーザ１の寿命を判断する。
と温度センサ２の抵抗値によって変化する基準電圧ｖＲ
ｅｆとの大小関係をコンパレータ６により比較し、これ
により半導体レーザ１の寿命を判断する。
半導体レーザ１のしきい値の変化は工 ・６ｘｐ Ｋｔ
ｈ ｚｏ。
ｈ ｚｏ。
で表わされるが、装置の環境温度をたとえば０〜５０°
Ｃとするとこの間ではほぼ直線になり０°Ｃの場合のし
きい値と比較し、５０’Ｃの場合のしきい値はＧａＡ４
ＡＳ系のレーザではほぼ１．５倍になる。これがため基
準電圧ＶＲｅ１−がこのような湿度係数になるように抵
抗７の抵抗値Ｒ工と温度センサ２の抵抗値Ｒｔｈの関係
を選定するのが好適である。また、半導体レーザのしき
い値は、その各々でバラツキが大きいが判定基準設定電
圧源３を調整することにより基準電圧ＶＲｏｆの温度係
数を変化させることなく調整することができる。
Ｃとするとこの間ではほぼ直線になり０°Ｃの場合のし
きい値と比較し、５０’Ｃの場合のしきい値はＧａＡ４
ＡＳ系のレーザではほぼ１．５倍になる。これがため基
準電圧ＶＲｅ１−がこのような湿度係数になるように抵
抗７の抵抗値Ｒ工と温度センサ２の抵抗値Ｒｔｈの関係
を選定するのが好適である。また、半導体レーザのしき
い値は、その各々でバラツキが大きいが判定基準設定電
圧源３を調整することにより基準電圧ＶＲｏｆの温度係
数を変化させることなく調整することができる。
発明の効果
上述したように本発明によれば使用可能なレーザを不良
と判断したりあるいはその逆の場合を防止出来、応用装
置の信頼性や寿命の向上を計ることができると共に構成
を簡単とすることができる。
と判断したりあるいはその逆の場合を防止出来、応用装
置の信頼性や寿命の向上を計ることができると共に構成
を簡単とすることができる。
第１図は従来の半導体レーザの寿命判定方式の主要部の
構成を示す回路図、 第２図は本発明半導体レーザの寿命判定方式を実施する
装置の構成を示す回路図である。 ｌ・・・半導体レーザ ２・・・温度センサ ３・・・判定基準設定電圧源 ４・・・トランジスタ ５・・・レーザ電流検出抵抗 ６・・・コンツマレータ ７・・・抵抗
構成を示す回路図、 第２図は本発明半導体レーザの寿命判定方式を実施する
装置の構成を示す回路図である。 ｌ・・・半導体レーザ ２・・・温度センサ ３・・・判定基準設定電圧源 ４・・・トランジスタ ５・・・レーザ電流検出抵抗 ６・・・コンツマレータ ７・・・抵抗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 半導体レーザの順方向電流によりその寿命を判断す
るに当り、半導体レーザの温度により判断基準を変化さ
せるようにしたことを特徴とする半導体レーザの寿命判
定方式。 ２ 半導体レーザのしきい値或いはこれに相当する電流
値を検出する電流検出手段と、半導体レーザの温度を検
出する手段と、該温度検出手段による基準値を変化させ
る手段と、前記電流検出手段により検出された電流値お
よび１１１１記基準値を比較する手段とを具えることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザの
寿命判定方式。 ＆ 基準値を変化させる手段を可変電圧源としたことを
特徴とする特許請求の範囲第２Ｊ′！４記載の半導体レ
ーザの寿命判定方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251681A JPS60142582A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体レ−ザの寿命判定方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251681A JPS60142582A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体レ−ザの寿命判定方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142582A true JPS60142582A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17226423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251681A Pending JPS60142582A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体レ−ザの寿命判定方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142582A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
| US6160942A (en) * | 1994-10-20 | 2000-12-12 | Fujitsu Limited | Optical fiber communication system using optical phase conjugation |
| JP2015152353A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 株式会社東芝 | 故障検知装置および、それを備える太陽光発電システム |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58251681A patent/JPS60142582A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
| US6160942A (en) * | 1994-10-20 | 2000-12-12 | Fujitsu Limited | Optical fiber communication system using optical phase conjugation |
| JP2015152353A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 株式会社東芝 | 故障検知装置および、それを備える太陽光発電システム |
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