JPH05190950A - Ｌｄ劣化検出回路 - Google Patents
Ｌｄ劣化検出回路Info
- Publication number
- JPH05190950A JPH05190950A JP4006716A JP671692A JPH05190950A JP H05190950 A JPH05190950 A JP H05190950A JP 4006716 A JP4006716 A JP 4006716A JP 671692 A JP671692 A JP 671692A JP H05190950 A JPH05190950 A JP H05190950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- voltage
- bias current
- deterioration
- reference voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】温度、電源電圧等の環境変化にも対応した、高
感度にＬＤ劣化検出回路を提供すること。 【構成】定電圧ダイオード１２により、一定の電圧Ｖを
発生させ、その電圧をサーミスタ１５と抵抗Ｒ１（１
３），Ｒ２（１４）を用いて分圧し、ＬＤ劣化検出のた
めの基準電圧Ｖｒｅｆを発生させる。サーミスタＲと抵
抗Ｒ１，Ｒ２の値は、温度によるバイアス電流変化の依
存性、すなわちＬＤの闘値電流の温度依存性に基準電圧
Ｖｒｅｆの温度依存性が一致するように選択した。一
方、バイアス電流が流れる経路の途中に挿入した抵抗Ｒ
ｅ１０により、バイアス電流を検出して電圧Ｖｂを発生
させた。この電圧Ｖｂと先程の基準電圧Ｖｒｅｆとをそ
れぞれ比較器１７へ入力して大小を比較し、基準電圧Ｖ
ｒｅｆより、バイアス電流により発生させた電圧Ｖｂの
方が大きい場合にＬＤ劣化と判定した。
感度にＬＤ劣化検出回路を提供すること。 【構成】定電圧ダイオード１２により、一定の電圧Ｖを
発生させ、その電圧をサーミスタ１５と抵抗Ｒ１（１
３），Ｒ２（１４）を用いて分圧し、ＬＤ劣化検出のた
めの基準電圧Ｖｒｅｆを発生させる。サーミスタＲと抵
抗Ｒ１，Ｒ２の値は、温度によるバイアス電流変化の依
存性、すなわちＬＤの闘値電流の温度依存性に基準電圧
Ｖｒｅｆの温度依存性が一致するように選択した。一
方、バイアス電流が流れる経路の途中に挿入した抵抗Ｒ
ｅ１０により、バイアス電流を検出して電圧Ｖｂを発生
させた。この電圧Ｖｂと先程の基準電圧Ｖｒｅｆとをそ
れぞれ比較器１７へ入力して大小を比較し、基準電圧Ｖ
ｒｅｆより、バイアス電流により発生させた電圧Ｖｂの
方が大きい場合にＬＤ劣化と判定した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオード（以後
ＬＤと称す）の発行特性劣化を知らせるＬＤ劣化検出回
路に関するものである。
ＬＤと称す）の発行特性劣化を知らせるＬＤ劣化検出回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３にＬＤを用いた光送信器の回路構成
を示す。一般に、ＬＤを駆動する際には一定のバイアス
電流を与えた上に変調電流を重畳する。この場合、得ら
れる光出力レベル（平均値）は、バイアス電流１ｂに、
変調電流Ｉｍ×マーク率Ｍを加えた電流をＬＤに流した
時に相当する。また、この光送信器では、モニタ用ホト
ダイオード（以下ＰＤと称す）４を用いてＬＤの光出力
レベル（平均値）を検出し、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路による負帰還制
御により光出力レベル（平均値）を安定化している。
を示す。一般に、ＬＤを駆動する際には一定のバイアス
電流を与えた上に変調電流を重畳する。この場合、得ら
れる光出力レベル（平均値）は、バイアス電流１ｂに、
変調電流Ｉｍ×マーク率Ｍを加えた電流をＬＤに流した
時に相当する。また、この光送信器では、モニタ用ホト
ダイオード（以下ＰＤと称す）４を用いてＬＤの光出力
レベル（平均値）を検出し、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路による負帰還制
御により光出力レベル（平均値）を安定化している。
【０００３】ＬＤはその寿命等により、発光特性が劣化
する場合がある。それを検出する手段としては、従来、
光出力レベルを測定または検出する方法がよく使われて
いる。しかし、図３に示すような、ＡＰＣ回路の付いた
光送信器においては、ＬＤの発光効率が劣化した場合に
おいても、ＡＰＣ回路がＬＤに流しているバイアス電流
を増加させように働くため、光出力レベル（平均値）は
ほとんど変化しない。その代わり、光信号の消光比が劣
化したり。変調度が低下したりする。そして、符号誤り
の増加やＳＮ比の劣化等光受信特性が悪化する。そのよ
うなＡＰＣ回路が構成されている場合に、ＬＤ発光効率
の劣化を知らせる手段としては、図３に示すバイアス電
流の増加量を検出することにより、ＬＤの劣化状態を判
別する方法が採られていた。
する場合がある。それを検出する手段としては、従来、
光出力レベルを測定または検出する方法がよく使われて
いる。しかし、図３に示すような、ＡＰＣ回路の付いた
光送信器においては、ＬＤの発光効率が劣化した場合に
おいても、ＡＰＣ回路がＬＤに流しているバイアス電流
を増加させように働くため、光出力レベル（平均値）は
ほとんど変化しない。その代わり、光信号の消光比が劣
化したり。変調度が低下したりする。そして、符号誤り
の増加やＳＮ比の劣化等光受信特性が悪化する。そのよ
うなＡＰＣ回路が構成されている場合に、ＬＤ発光効率
の劣化を知らせる手段としては、図３に示すバイアス電
流の増加量を検出することにより、ＬＤの劣化状態を判
別する方法が採られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＬＤは、
発光特性に図２に示すような温度依存性を持っている。
このような温度依存性をもつＬＤを図３に示すようなＡ
ＰＣ回路をもつ光送信器で駆動すると、温度変動により
バイアス電流が変化する。温度が高くなると、バイアス
電流は増加するため、ＬＤは全く問題なくとも、図３の
ＬＤ劣化検出回路では、ＬＤが劣化したと判断してしま
う。逆に温度が低い場合には、バイアス電流が減少する
ため、ＬＤが劣化してバイアス電流の増加があった場合
でも、その増加量が温度低下によるバイアス電流の減少
より多くならない限り、ＬＤが劣化したとは判断しな
い。以上のように従来のＬＤ劣化検出回路では、温度変
化について行けず、誤判断をしてしまうという問題があ
った。
発光特性に図２に示すような温度依存性を持っている。
このような温度依存性をもつＬＤを図３に示すようなＡ
ＰＣ回路をもつ光送信器で駆動すると、温度変動により
バイアス電流が変化する。温度が高くなると、バイアス
電流は増加するため、ＬＤは全く問題なくとも、図３の
ＬＤ劣化検出回路では、ＬＤが劣化したと判断してしま
う。逆に温度が低い場合には、バイアス電流が減少する
ため、ＬＤが劣化してバイアス電流の増加があった場合
でも、その増加量が温度低下によるバイアス電流の減少
より多くならない限り、ＬＤが劣化したとは判断しな
い。以上のように従来のＬＤ劣化検出回路では、温度変
化について行けず、誤判断をしてしまうという問題があ
った。
【０００５】本発明の目的は前記した従来技術の欠点を
解消し、温度、電源電圧等の環境変化にも対応した、高
感度なＬＤ劣化検出回路を提供することにある。
解消し、温度、電源電圧等の環境変化にも対応した、高
感度なＬＤ劣化検出回路を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の要旨
は、電源、抵抗、サーミスタを用いて、温度変動に追従
して変化する基準電圧を発生させ、これと、バイアス電
流を検出して発生させた電圧を比較することにより、Ｌ
Ｄの劣化を広い温度範囲で安定に、且つ高感度に検出し
たことにあり、それによって、光送信器の保守点検を容
易にするとともに、光送信器の経年変化を実動作状態に
おいて把握できる機能を実現したものである。
は、電源、抵抗、サーミスタを用いて、温度変動に追従
して変化する基準電圧を発生させ、これと、バイアス電
流を検出して発生させた電圧を比較することにより、Ｌ
Ｄの劣化を広い温度範囲で安定に、且つ高感度に検出し
たことにあり、それによって、光送信器の保守点検を容
易にするとともに、光送信器の経年変化を実動作状態に
おいて把握できる機能を実現したものである。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の実施例を示す。定電圧ダイオ
ード１２により、一定の電圧Ｖを発生させ、その電圧を
サーミスタと抵抗Ｒ１，Ｒ２を用いて分圧し、ＬＤ劣化
検出のための基準電圧Ｖｒｅｆを発生させた。サーミス
タの抵抗値Ｒは次式で表わされる。
ード１２により、一定の電圧Ｖを発生させ、その電圧を
サーミスタと抵抗Ｒ１，Ｒ２を用いて分圧し、ＬＤ劣化
検出のための基準電圧Ｖｒｅｆを発生させた。サーミス
タの抵抗値Ｒは次式で表わされる。
【０００８】Ｒ＝Ｒｏ ｅｘｐ｛Ｂ（１／Ｔ−１／Ｔ
ｏ）｝ Ｒｏ：温度Ｔｏ（ｋ）時の抵抗値 Ｒ：温度Ｔ（ｋ）時の抵抗値 Ｂ：定数 Ｔ℃におけるＶｒｅｆ電圧は、次式で表される。
ｏ）｝ Ｒｏ：温度Ｔｏ（ｋ）時の抵抗値 Ｒ：温度Ｔ（ｋ）時の抵抗値 Ｂ：定数 Ｔ℃におけるＶｒｅｆ電圧は、次式で表される。
【０００９】 Ｖｒｅｆ（Ｔ）＝Ｖ／｛１／｛（１／Ｒ１）＋（１／Ｒ（Ｔ））｝＋Ｒ２｝ ×Ｒ２ 式より、Ｖｒｅｆは温度に依存して電圧が変わることが
分かる。サーミスタＲと抵抗Ｒ１，Ｒ２の値は、温度に
よるバイアス電流変化の依存性、すなわちＬＤの闘値電
流の温度依存性に基準電圧Ｖｒｅｆの温度依存性が一致
するように選択した。一方、バイアス電流が流れる経路
の途中に挿入した抵抗Ｒｅ１０により、バイアス電流を
検出して電圧Ｖｂを発生させた。この電圧と先程の基準
電圧Ｖｒｅｆとをそれぞれ比較器１７へ入力して大小を
比較し、基準電圧より、バイアス電流により発生させた
電圧の方が大きい場合にＬＤ劣化と判定した。図１の場
合は、ＬＤ劣化時‘Ｌ’レベルを出力する。比較器への
入力を逆にすることにより、判定出力の極性を反転でき
る。
分かる。サーミスタＲと抵抗Ｒ１，Ｒ２の値は、温度に
よるバイアス電流変化の依存性、すなわちＬＤの闘値電
流の温度依存性に基準電圧Ｖｒｅｆの温度依存性が一致
するように選択した。一方、バイアス電流が流れる経路
の途中に挿入した抵抗Ｒｅ１０により、バイアス電流を
検出して電圧Ｖｂを発生させた。この電圧と先程の基準
電圧Ｖｒｅｆとをそれぞれ比較器１７へ入力して大小を
比較し、基準電圧より、バイアス電流により発生させた
電圧の方が大きい場合にＬＤ劣化と判定した。図１の場
合は、ＬＤ劣化時‘Ｌ’レベルを出力する。比較器への
入力を逆にすることにより、判定出力の極性を反転でき
る。
【００１０】
【発明の効果】以上本発明では、ＬＤ劣化を判定するた
めの基準電圧に、電源、抵抗、サーミスタを用いて構成
した基準電圧発生回路出力を用いたため、温度が変化し
た場合でも、ＬＤの消光比劣化等によるバイアス電流の
増加に基づいてＬＤの劣化状態を確実に判定することが
でき、光伝送装置の信頼性が大幅に向上する。
めの基準電圧に、電源、抵抗、サーミスタを用いて構成
した基準電圧発生回路出力を用いたため、温度が変化し
た場合でも、ＬＤの消光比劣化等によるバイアス電流の
増加に基づいてＬＤの劣化状態を確実に判定することが
でき、光伝送装置の信頼性が大幅に向上する。
【００１１】又サーミスタ以外の回路はモノシリックＩ
Ｃ化が可能であり、回路の集積化、小型化が容易に達成
できる。
Ｃ化が可能であり、回路の集積化、小型化が容易に達成
できる。
【図１】本発明のＬＤ劣化検出回路。
【図２】ＬＤの発光特性温度に対する電流対光出力値の
グラフ
グラフ
【図３】従来の光送信器のＬＤ劣化検出回路
１ パルス変調回路 ２ ＡＰＣ回路 ３ 光出力レベル調整用抵抗 ４ モニタ用ホトダイオード（ＰＤ） ５ レーザダイオード（ＬＤ） ６ バイアス電流検出用抵抗 ７，８，９ 抵抗 １０ レーザダイオード劣化検出抵抗 １１ 抵抗Ｒｅ １２ 定電圧ダイオード １３ 抵抗Ｒ１ １４ 抵抗Ｒ２ １５ サーミスタ １６ 抵抗 １７ 比較器
Claims (2)
- 【請求項１】発光素子にレーザダイオードを用いた光送
信器において、抵抗、サーミスタ、電源により構成した
基準電圧発生回路と、レーザダイオードバイアス電流を
検出する抵抗を備え、その抵抗により発生させたレーザ
ダイオード劣化検出のための電圧と、予め設定されたレ
ーザダイオードの劣化状態を判定するための基準電圧と
を比較し、その判定結果を出力する比較回路とを具備す
ることを特徴とするＬＤ劣化検出回路。 - 【請求項２】 前記基準電圧を抵抗とサーミスタとの分
圧回路により発生させ、その温度特性をレーザダイオー
ド閾値電流の温度特性に合わせたことを特徴とする請求
項１記載のＬＤ劣化検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006716A JPH05190950A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | Ｌｄ劣化検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006716A JPH05190950A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | Ｌｄ劣化検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190950A true JPH05190950A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11645992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006716A Pending JPH05190950A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | Ｌｄ劣化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190950A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006166004A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 光伝送装置 |
| JP2007147538A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 発光素子駆動電流検出装置及び画像形成装置 |
| JP2009071118A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ駆動装置、画像形成装置、およびプログラム |
| US20100278202A1 (en) * | 2007-12-28 | 2010-11-04 | Tomohiko Kamatani | Semiconductor laser driving device and image forming apparatus having the same |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006716A patent/JPH05190950A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006166004A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 光伝送装置 |
| JP4630047B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2011-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 光伝送装置 |
| JP2007147538A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 発光素子駆動電流検出装置及び画像形成装置 |
| JP2009071118A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ駆動装置、画像形成装置、およびプログラム |
| US20100278202A1 (en) * | 2007-12-28 | 2010-11-04 | Tomohiko Kamatani | Semiconductor laser driving device and image forming apparatus having the same |
| US8483250B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-07-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser driving device and image forming apparatus having the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0744800B1 (en) | Laser-diode driving circuit | |
| US4819241A (en) | Laser diode driving circuit | |
| US4713819A (en) | Semiconductor laser driver | |
| US20020190666A1 (en) | Laser diode control apparatus | |
| US20070268642A1 (en) | Integrated programmable over-current protection circuit for optical transmitters | |
| US7480320B2 (en) | Semiconductor laser driving device, semiconductor laser driving method, and image forming apparatus using semiconductor laser driving device | |
| US20020085258A1 (en) | Optical transmitter and optical transmitting apparatus using the same | |
| US7760780B2 (en) | Laser diode driving device and optical scanning device | |
| JP3320900B2 (ja) | レーザダイオードの自動温度制御回路及びこれを用いた電気／光信号変換ユニット | |
| EP0292957A2 (en) | Temperature stabilization of laser diodes and light emitting diodes | |
| US7236506B2 (en) | Method and apparatus for compensating for temperature characteristics of laser diode in optical communication system | |
| US6965357B2 (en) | Light-emitting element drive circuit | |
| US7856039B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor laser driving device | |
| US5451891A (en) | Potential detecting circuit | |
| US5107362A (en) | Optical transmission apparatus | |
| JPH05190950A (ja) | Ｌｄ劣化検出回路 | |
| JP2929992B2 (ja) | 光送信回路 | |
| EP1494324B1 (en) | Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor | |
| KR20030078687A (ko) | 발광소자 구동장치와 화상형성장치 | |
| JPH07147443A (ja) | 半導体レーザ送信器 | |
| JPH0333634A (ja) | レーザ素子劣化検出回路 | |
| JPS63289978A (ja) | 半導体レ−ザ−劣化検出回路 | |
| JPS61224385A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JPH0127309Y2 (ja) | ||
| JPH0159750B2 (ja) |