JP2001267678A - マルチビームレーザ試験装置 - Google Patents
マルチビームレーザ試験装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のマルチビームレーザの光量劣化を測定
する方法では、試験時間がかかる、他レーザ点灯時の温
度上昇による動作電流増加量を考慮しておらず正確に測
定できない等の問題がある。 【解決手段】 他のレーザを消灯した状態で各レーザの
しきい値電流Ｉth、所定試験光での動作電流Ｉopを測定
する手段、他のレーザを点灯した状態で各レーザのしき
い値電流Ｉth´を測定する手段、測定されたしきい値電
流Ｉth、動作電流Ｉop、しきい値電流Ｉth´に基づいて
他のレーザを点灯した場合の各レーザの動作電流Ｉop´
を算出する手段を備え、駆動試験毎に各レーザの動作電
流Ｉop´を算出し、各レーザを動作電流Ｉop´を用いて
同時に所定時間ＡＣＣ駆動による駆動試験を行うことに
よりマルチビームレーザの光量劣化試験を行う。
する方法では、試験時間がかかる、他レーザ点灯時の温
度上昇による動作電流増加量を考慮しておらず正確に測
定できない等の問題がある。 【解決手段】 他のレーザを消灯した状態で各レーザの
しきい値電流Ｉth、所定試験光での動作電流Ｉopを測定
する手段、他のレーザを点灯した状態で各レーザのしき
い値電流Ｉth´を測定する手段、測定されたしきい値電
流Ｉth、動作電流Ｉop、しきい値電流Ｉth´に基づいて
他のレーザを点灯した場合の各レーザの動作電流Ｉop´
を算出する手段を備え、駆動試験毎に各レーザの動作電
流Ｉop´を算出し、各レーザを動作電流Ｉop´を用いて
同時に所定時間ＡＣＣ駆動による駆動試験を行うことに
よりマルチビームレーザの光量劣化試験を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチビームレー
ザダイオードの寿命による光量劣化を測定するマルチビ
ームレーザ試験装置に関するものである。
ザダイオードの寿命による光量劣化を測定するマルチビ
ームレーザ試験装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の共振器を有し共振器ピッチ
が数十μｍ程度のマルチビームレーザの温度環境下の光
量劣化を計測する方法としては、以下に説明するような
方法がある。まず、最初の方法としては、マルチビーム
レーザの各ビームを個々に点灯してＡＰＣ（Automatic
Power Control ）駆動を行い、動作電流の変化量をモニ
ターすることによって光量劣化量を計測する方法があ
る。即ち、レーザの試験光を一定として、動作電流の変
化量を計測することによって個々のレーザの光量劣化を
計測している。
が数十μｍ程度のマルチビームレーザの温度環境下の光
量劣化を計測する方法としては、以下に説明するような
方法がある。まず、最初の方法としては、マルチビーム
レーザの各ビームを個々に点灯してＡＰＣ（Automatic
Power Control ）駆動を行い、動作電流の変化量をモニ
ターすることによって光量劣化量を計測する方法があ
る。即ち、レーザの試験光を一定として、動作電流の変
化量を計測することによって個々のレーザの光量劣化を
計測している。
【０００３】次に、図５に示すように一定のインターバ
ル毎に個々のレーザを点灯して光量劣化を測定する方法
がある。図５においては、２個のレーザＬＤ１、ＬＤ２
の場合を示している。この方法では、まず、一方のレー
ザＬＤ１を点灯して所定試験光出力における動作電流Ｉ
op1 を測定し、次いで他方のレーザＬＤ２を点灯して試
験光出力における動作電流Ｉop2 を測定する。次に、測
定された動作電流でレーザＬＤ１、ＬＤ２をＡＣＣ（Au
tomatic Current Control ）駆動し、所定の試験時間全
ビームを点灯する。
ル毎に個々のレーザを点灯して光量劣化を測定する方法
がある。図５においては、２個のレーザＬＤ１、ＬＤ２
の場合を示している。この方法では、まず、一方のレー
ザＬＤ１を点灯して所定試験光出力における動作電流Ｉ
op1 を測定し、次いで他方のレーザＬＤ２を点灯して試
験光出力における動作電流Ｉop2 を測定する。次に、測
定された動作電流でレーザＬＤ１、ＬＤ２をＡＣＣ（Au
tomatic Current Control ）駆動し、所定の試験時間全
ビームを点灯する。
【０００４】所定の試験時間全ビームを点灯すると、同
様に個々のレーザの動作電流を測定し、測定された動作
電流で個々のレーザをＡＣＣ駆動し、所定の試験時間全
ビームを点灯する。このように一定のインターバル毎に
個々のレーザを点灯して動作電流を測定し、測定された
動作電流で所定時間全ビーム点灯する駆動試験を行う動
作を繰り返し行い、一定のインターバル毎に測定された
動作電流値に基づいてレーザの光量劣化量を計測してい
る。
様に個々のレーザの動作電流を測定し、測定された動作
電流で個々のレーザをＡＣＣ駆動し、所定の試験時間全
ビームを点灯する。このように一定のインターバル毎に
個々のレーザを点灯して動作電流を測定し、測定された
動作電流で所定時間全ビーム点灯する駆動試験を行う動
作を繰り返し行い、一定のインターバル毎に測定された
動作電流値に基づいてレーザの光量劣化量を計測してい
る。
【０００５】更に、全ビームを同時に点灯してレーザの
光量劣化を計測する方法も知られている。即ち、この方
法では、レンズ・プリズム等の光学素子を用いて個々の
ビームを分離し、それを個別のフォトダイオード等のフ
ォトディタクタで受光して個々のビーム毎にＡＰＣ駆動
を行い、個々の動作電流の変化量をモニターすることに
よって劣化量を計測している。
光量劣化を計測する方法も知られている。即ち、この方
法では、レンズ・プリズム等の光学素子を用いて個々の
ビームを分離し、それを個別のフォトダイオード等のフ
ォトディタクタで受光して個々のビーム毎にＡＰＣ駆動
を行い、個々の動作電流の変化量をモニターすることに
よって劣化量を計測している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の各ビームを個々に点灯し、１ビーム毎にＡＰＣ駆動
を行って劣化量を計測する方法では、１ビーム毎に劣化
量を計測するため、ビーム数が増えるに従って試験時間
が増加するという問題があった。また、図５に示す方法
では、動作電流設定時には被測定ビーム以外のビームは
点灯していないため、他ビーム点灯時の温度上昇による
動作電流増加量を考慮しておらず、正確に光量劣化を測
定できないという問題があった。更に、光学素子を用い
て各ビームを分離し、全ビームを同時点灯して計測する
方法では、高価な光学素子を必要とするばかりか、光学
調整も必要であるため、試験装置が高価になるという問
題があった。
来の各ビームを個々に点灯し、１ビーム毎にＡＰＣ駆動
を行って劣化量を計測する方法では、１ビーム毎に劣化
量を計測するため、ビーム数が増えるに従って試験時間
が増加するという問題があった。また、図５に示す方法
では、動作電流設定時には被測定ビーム以外のビームは
点灯していないため、他ビーム点灯時の温度上昇による
動作電流増加量を考慮しておらず、正確に光量劣化を測
定できないという問題があった。更に、光学素子を用い
て各ビームを分離し、全ビームを同時点灯して計測する
方法では、高価な光学素子を必要とするばかりか、光学
調整も必要であるため、試験装置が高価になるという問
題があった。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、短時間で且つ正確に光量劣化を測定でき、し
かも、構成が簡単で安価に作製することが可能なマルチ
ビームレーザ試験装置を提供することを目的とする。
たもので、短時間で且つ正確に光量劣化を測定でき、し
かも、構成が簡単で安価に作製することが可能なマルチ
ビームレーザ試験装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、複数の
レーザからなるマルチビームレーザの光量劣化を計測す
るマルチビームレーザ試験装置において、他のレーザを
消灯した状態で各レーザのしきい値電流Ｉth、及び所定
の試験光における動作電流Ｉopを測定する手段と、他の
レーザを点灯した状態で各レーザのしきい値電流Ｉth´
を測定する手段と、測定されたしきい値電流Ｉth、動作
電流Ｉop、及びしきい値電流Ｉth´に基づいて他のレー
ザを点灯した場合の各レーザの動作電流Ｉop´を算出す
る手段とを備え、駆動試験毎に各レーザの動作電流Ｉop
´を算出し、各レーザを算出された動作電流Ｉop´を用
いて同時に所定時間ＡＣＣ駆動による駆動試験を行うこ
とにより、マルチビームレーザの光量劣化試験を行うこ
とを特徴とするマルチビームレーザ試験装置によって達
成される。
レーザからなるマルチビームレーザの光量劣化を計測す
るマルチビームレーザ試験装置において、他のレーザを
消灯した状態で各レーザのしきい値電流Ｉth、及び所定
の試験光における動作電流Ｉopを測定する手段と、他の
レーザを点灯した状態で各レーザのしきい値電流Ｉth´
を測定する手段と、測定されたしきい値電流Ｉth、動作
電流Ｉop、及びしきい値電流Ｉth´に基づいて他のレー
ザを点灯した場合の各レーザの動作電流Ｉop´を算出す
る手段とを備え、駆動試験毎に各レーザの動作電流Ｉop
´を算出し、各レーザを算出された動作電流Ｉop´を用
いて同時に所定時間ＡＣＣ駆動による駆動試験を行うこ
とにより、マルチビームレーザの光量劣化試験を行うこ
とを特徴とするマルチビームレーザ試験装置によって達
成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明のマ
ルチビームレーザ試験装置の一実施形態の構成を示すブ
ロック図である。図１において、まず、ＬＤ１及びＬＤ
２は測定対象のマルチビームレーザダイオードである。
本実施形態では、説明を簡単にするため試験対象のマル
チビームレーザがＬＤ１とＬＤ２の２レーザの場合を例
として説明する。また、レーザＬＤ１、ＬＤ２に対応し
てレーザ駆動回路１１、１２が設けられ、各レーザ駆動
回路１１、１２はレーザ駆動制御部１３の制御に基づい
てレーザＬＤ１、ＬＤ２の駆動を行う。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明のマ
ルチビームレーザ試験装置の一実施形態の構成を示すブ
ロック図である。図１において、まず、ＬＤ１及びＬＤ
２は測定対象のマルチビームレーザダイオードである。
本実施形態では、説明を簡単にするため試験対象のマル
チビームレーザがＬＤ１とＬＤ２の２レーザの場合を例
として説明する。また、レーザＬＤ１、ＬＤ２に対応し
てレーザ駆動回路１１、１２が設けられ、各レーザ駆動
回路１１、１２はレーザ駆動制御部１３の制御に基づい
てレーザＬＤ１、ＬＤ２の駆動を行う。
【００１０】フォトディテクタ１４はレーザＬＤ１、Ｌ
Ｄ２の光量を検出する光センサであり、１つのフォトデ
ィテクタ１４を用いて複数のレーザの光量を検出する。
光出力測定回路１５はフォトディテクタ１４の光出力を
測定し、測定された光出力はＡ／Ｄ変換器１６によりデ
ジタル化され、レーザ駆動制御部１３に送られる。フォ
トディテクタ１４、光出力測定回路１５、Ａ／Ｄ変換器
１６は、各レーザのしきい値電流Ｉth、動作電流Ｉopを
測定するのに用いられる。レーザ駆動制御部１３は予め
決められた制御プログラムに従って各部を制御し、マル
チビームレーザの光量劣化を計測する試験を行う。
Ｄ２の光量を検出する光センサであり、１つのフォトデ
ィテクタ１４を用いて複数のレーザの光量を検出する。
光出力測定回路１５はフォトディテクタ１４の光出力を
測定し、測定された光出力はＡ／Ｄ変換器１６によりデ
ジタル化され、レーザ駆動制御部１３に送られる。フォ
トディテクタ１４、光出力測定回路１５、Ａ／Ｄ変換器
１６は、各レーザのしきい値電流Ｉth、動作電流Ｉopを
測定するのに用いられる。レーザ駆動制御部１３は予め
決められた制御プログラムに従って各部を制御し、マル
チビームレーザの光量劣化を計測する試験を行う。
【００１１】図２は本実施形態のマルチビームレーザ試
験装置の試験方法を示すフローチャートである。マルチ
ビームレーザの試験を行う場合、図１のレーザ駆動制御
部１３は図２のフローを実行し、マルチビームレーザの
光量劣化を測定する処理を行う。また、図３は図２のフ
ローチャートによる動作タイミングを示している。図３
（ａ）はレーザＬＤ１の測定タイミング、図３（ｂ）は
レーザＬＤ２の測定タイミングである。また、図３
（ｃ）はフォトディタクタ１４の受光光量を示してい
る。以下、図１と併せて説明する。
験装置の試験方法を示すフローチャートである。マルチ
ビームレーザの試験を行う場合、図１のレーザ駆動制御
部１３は図２のフローを実行し、マルチビームレーザの
光量劣化を測定する処理を行う。また、図３は図２のフ
ローチャートによる動作タイミングを示している。図３
（ａ）はレーザＬＤ１の測定タイミング、図３（ｂ）は
レーザＬＤ２の測定タイミングである。また、図３
（ｃ）はフォトディタクタ１４の受光光量を示してい
る。以下、図１と併せて説明する。
【００１２】図２において、まず、試験環境温度を所定
の温度に設定し、測定対象のマルチビームレーザを試験
環境温度に放置する（Ｓ１０１）。マルチビームレーザ
が所定の試験環境温度になったら、ＬＤ駆動制御部１３
は図３（ａ）、（ｂ）に示すように２つのレーザのうち
一方のレーザＬＤ２をオフし（Ｓ１０２）、他方のレー
ザＬＤ１をオンし、レーザＬＤ１のしきい値電流Ｉth1
及び所定試験光出力での動作電流Ｉop1 を測定する（Ｓ
１０３）。レーザＬＤ１のしきい値電流Ｉth1を測定す
るには、ＬＤ駆動制御部１３はＬＤ１駆動回路１１を制
御し、レーザＬＤ１の電流を変化させながらＡ／Ｄ変換
回路１６からのレーザＬＤ１の光出力を監視する。
の温度に設定し、測定対象のマルチビームレーザを試験
環境温度に放置する（Ｓ１０１）。マルチビームレーザ
が所定の試験環境温度になったら、ＬＤ駆動制御部１３
は図３（ａ）、（ｂ）に示すように２つのレーザのうち
一方のレーザＬＤ２をオフし（Ｓ１０２）、他方のレー
ザＬＤ１をオンし、レーザＬＤ１のしきい値電流Ｉth1
及び所定試験光出力での動作電流Ｉop1 を測定する（Ｓ
１０３）。レーザＬＤ１のしきい値電流Ｉth1を測定す
るには、ＬＤ駆動制御部１３はＬＤ１駆動回路１１を制
御し、レーザＬＤ１の電流を変化させながらＡ／Ｄ変換
回路１６からのレーザＬＤ１の光出力を監視する。
【００１３】即ち、レーザＬＤ１の光はフォトディテク
タ１４で検出され、光出力測定回路１５で電気信号に変
換された後、Ａ／Ｄ変換回路１６からデジタル値に変換
されてレーザＬＤ１の光出力が出力されるので、図４に
示すようにレーザの電流が急激に変化する電流値をレー
ザＬＤ１のしきい値電流Ｉth1 として検出する。また、
レーザＬＤ１の所定試験光出力での動作電流Ｉop1 を測
定する場合、ＬＤ駆動制御部１３はレーザＬＤ１に電流
を供給し、レーザＬＤ１の光束をフォトディテクタ１４
で検出して、所定の試験光出力となるようにレーザＬＤ
１の電流を制御し、この所定の試験光出力となる時の電
流をレーザＬＤ１の動作電流Ｉop1 として検出する。
タ１４で検出され、光出力測定回路１５で電気信号に変
換された後、Ａ／Ｄ変換回路１６からデジタル値に変換
されてレーザＬＤ１の光出力が出力されるので、図４に
示すようにレーザの電流が急激に変化する電流値をレー
ザＬＤ１のしきい値電流Ｉth1 として検出する。また、
レーザＬＤ１の所定試験光出力での動作電流Ｉop1 を測
定する場合、ＬＤ駆動制御部１３はレーザＬＤ１に電流
を供給し、レーザＬＤ１の光束をフォトディテクタ１４
で検出して、所定の試験光出力となるようにレーザＬＤ
１の電流を制御し、この所定の試験光出力となる時の電
流をレーザＬＤ１の動作電流Ｉop1 として検出する。
【００１４】次いで、ＬＤ駆動制御部１３は図３（ｂ）
に示すようにレーザＬＤ２をＡＣＣ（Automatic Curren
t Control ）駆動し（Ｓ１０４）、レーザＬＤ２が点灯
した状態で、図３（ａ）に示すように再度レーザＬＤ１
のしきい値電流Ｉth´を測定する（Ｓ１０５）。しきい
値電流Ｉth´を測定する方法はしきい値電流Ｉth1 を測
定する場合と同様である。この時、レーザのしきい値電
流は両レーザが点灯していても、一方のレーザをＡＣＣ
駆動していれば、フォトディテクタ１４の出力増加点
（微分値）から算出可能であるため、レーザＬＤ２を試
験光出力相当の電流でＡＣＣ駆動し、レーザＬＤ２の点
灯によるレーザチップの発熱が十分に飽和した時点でレ
ーザＬＤ１のしきい値電流Ｉth´を測定する。
に示すようにレーザＬＤ２をＡＣＣ（Automatic Curren
t Control ）駆動し（Ｓ１０４）、レーザＬＤ２が点灯
した状態で、図３（ａ）に示すように再度レーザＬＤ１
のしきい値電流Ｉth´を測定する（Ｓ１０５）。しきい
値電流Ｉth´を測定する方法はしきい値電流Ｉth1 を測
定する場合と同様である。この時、レーザのしきい値電
流は両レーザが点灯していても、一方のレーザをＡＣＣ
駆動していれば、フォトディテクタ１４の出力増加点
（微分値）から算出可能であるため、レーザＬＤ２を試
験光出力相当の電流でＡＣＣ駆動し、レーザＬＤ２の点
灯によるレーザチップの発熱が十分に飽和した時点でレ
ーザＬＤ１のしきい値電流Ｉth´を測定する。
【００１５】次に、図３（ａ）に示すようにレーザＬＤ
１をオフし（Ｓ１０６）、図３（ｂ）に示すようにレー
ザＬＤ２をオンして、レーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth
2 及び所定試験光出力での動作電流Ｉop2 を測定する
（Ｓ１０７）。この場合、ＬＤ駆動制御部１３はＬＤ２
駆動部１２を制御し、レーザＬＤ１の場合と同様の方法
でレーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth2 及び所定の試験光
出力での動作電流Ｉop2を測定する。その後、図３
（ａ）に示すようにレーザＬＤ１をＡＣＣ駆動し（Ｓ１
０８）、レーザＬＤ１を点灯した状態で、図３（ｂ）に
示すように再度レーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth´を測
定する（Ｓ１０９）。この場合も、レーザＬＤ１を試験
光出力相当の電流でＡＣＣ駆動し、レーザＬＤ１の点灯
によるレーザチップの発熱が十分に飽和した時点におい
てレーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth2 ´を測定する。
１をオフし（Ｓ１０６）、図３（ｂ）に示すようにレー
ザＬＤ２をオンして、レーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth
2 及び所定試験光出力での動作電流Ｉop2 を測定する
（Ｓ１０７）。この場合、ＬＤ駆動制御部１３はＬＤ２
駆動部１２を制御し、レーザＬＤ１の場合と同様の方法
でレーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth2 及び所定の試験光
出力での動作電流Ｉop2を測定する。その後、図３
（ａ）に示すようにレーザＬＤ１をＡＣＣ駆動し（Ｓ１
０８）、レーザＬＤ１を点灯した状態で、図３（ｂ）に
示すように再度レーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth´を測
定する（Ｓ１０９）。この場合も、レーザＬＤ１を試験
光出力相当の電流でＡＣＣ駆動し、レーザＬＤ１の点灯
によるレーザチップの発熱が十分に飽和した時点におい
てレーザＬＤ２のしきい値電流Ｉth2 ´を測定する。
【００１６】ここで、レーザダイオードの温度特性は図
４に示すように温度変化によりしきい値電流はシフトす
るが、微分効率は変化しないため、温度Ｔａにおけるし
きい値電流Ｉthと動作電流Ｉop及び温度Ｔｂにおけるし
きい値電流Ｉth´を測定できれば、温度Ｔｂにおける動
作電流Ｉop´は算出可能である。本実施形態では、この
ような考え方に基づいてレーザＬＤ２の無点灯時におけ
るレーザＬＤ１の動作電流ＩopにレーザＬＤ２の点灯時
と無点灯時のしきい値電流の差（Ｉth´−Ｉth）を加
え、レーザＬＤ２の点灯時におけるレーザＬＤ１の動作
電流Ｉop1 ´を次式で計算する（Ｓ１１０）。
４に示すように温度変化によりしきい値電流はシフトす
るが、微分効率は変化しないため、温度Ｔａにおけるし
きい値電流Ｉthと動作電流Ｉop及び温度Ｔｂにおけるし
きい値電流Ｉth´を測定できれば、温度Ｔｂにおける動
作電流Ｉop´は算出可能である。本実施形態では、この
ような考え方に基づいてレーザＬＤ２の無点灯時におけ
るレーザＬＤ１の動作電流ＩopにレーザＬＤ２の点灯時
と無点灯時のしきい値電流の差（Ｉth´−Ｉth）を加
え、レーザＬＤ２の点灯時におけるレーザＬＤ１の動作
電流Ｉop1 ´を次式で計算する（Ｓ１１０）。
【００１７】Ｉop1 ´＝Ｉop1 ＋（Ｉth1 ´−Ｉth1 ） 同様に、レーザＬＤ２についてもレーザＬＤ１の無点灯
時におけるレーザＬＤ２の動作電流Ｉop2 、しきい値電
流Ｉth2 及びレーザＬＤ１の点灯時におけるレーザＬＤ
２のしきい値電流Ｉth2 ´を用いて、レーザＬＤ１の点
灯時におけるレーザＬＤ２の動作電流Ｉop2 ´を次式で
算出する（Ｓ１１０）。
時におけるレーザＬＤ２の動作電流Ｉop2 、しきい値電
流Ｉth2 及びレーザＬＤ１の点灯時におけるレーザＬＤ
２のしきい値電流Ｉth2 ´を用いて、レーザＬＤ１の点
灯時におけるレーザＬＤ２の動作電流Ｉop2 ´を次式で
算出する（Ｓ１１０）。
【００１８】Ｉop2 ´＝Ｉop2 ＋（Ｉth2 ´−Ｉth2 ） 次いで、ＬＤ駆動制御部１３は、ＬＤ１駆動回路１１、
ＬＤ駆動回路１２をそれぞれ制御し、レーザＬＤ１に動
作電流Ｉop1 ´、レーザＬＤ２に動作電流Ｉop2 ´をそ
れぞれ供給してＡＣＣ駆動による同時点灯を行い、予め
設定された所定時間レーザＬＤ１、ＬＤ２の同時駆動試
験を行う（Ｓ１１１）。このようにしてレーザＬＤ１、
ＬＤ２の同時駆動試験を行い、試験時間が終了したかど
うかを判断する（Ｓ１１２）。この試験時間としては、
例えば、１時間あるいは２時間というように所定時間を
設定し、所定の試験時間を終了すると、再度Ｓ１０２か
らの処理を行う。
ＬＤ駆動回路１２をそれぞれ制御し、レーザＬＤ１に動
作電流Ｉop1 ´、レーザＬＤ２に動作電流Ｉop2 ´をそ
れぞれ供給してＡＣＣ駆動による同時点灯を行い、予め
設定された所定時間レーザＬＤ１、ＬＤ２の同時駆動試
験を行う（Ｓ１１１）。このようにしてレーザＬＤ１、
ＬＤ２の同時駆動試験を行い、試験時間が終了したかど
うかを判断する（Ｓ１１２）。この試験時間としては、
例えば、１時間あるいは２時間というように所定時間を
設定し、所定の試験時間を終了すると、再度Ｓ１０２か
らの処理を行う。
【００１９】即ち、Ｓ１０２からＳ１１２の処理を繰り
返し行い、所定時間毎にレーザＬＤ１、ＬＤ２の動作電
流Ｉop1 ´、Ｉop2 ´を算出し、得られた動作電流を用
いてレーザＬＤ１、ＬＤ２の同時駆動試験を行う。ここ
で、レーザＬＤ１、ＬＤ２の光量劣化を評価するには、
従来と同様にレーザＬＤ１、ＬＤ２の動作電流Ｉop1や
Ｉop2 に基づいて光量劣化を測定する。また、レーザＬ
Ｄ１、ＬＤ２のしきい値電流Ｉth1 、Ｉth2 に基づいて
光量劣化を評価することが可能である。動作電流やしき
い値電流は前述のように所定時間毎に測定されるので、
それをメモリに記憶させておいて光量劣化の測定を行
う。
返し行い、所定時間毎にレーザＬＤ１、ＬＤ２の動作電
流Ｉop1 ´、Ｉop2 ´を算出し、得られた動作電流を用
いてレーザＬＤ１、ＬＤ２の同時駆動試験を行う。ここ
で、レーザＬＤ１、ＬＤ２の光量劣化を評価するには、
従来と同様にレーザＬＤ１、ＬＤ２の動作電流Ｉop1や
Ｉop2 に基づいて光量劣化を測定する。また、レーザＬ
Ｄ１、ＬＤ２のしきい値電流Ｉth1 、Ｉth2 に基づいて
光量劣化を評価することが可能である。動作電流やしき
い値電流は前述のように所定時間毎に測定されるので、
それをメモリに記憶させておいて光量劣化の測定を行
う。
【００２０】なお、以上の実施形態ではマルチビームレ
ーザダイオードが２個の場合を例として説明したが、本
発明は、もちろんそれ以上の場合も使用することができ
る。この場合、２レーザの場合と全く同様に各レーザの
しきい値電流Ｉth、動作電流Ｉop、しきい値電流Ｉth´
を測定し、それに基づいて各レーザの動作電流Ｉop´を
算出し、各レーザを算出された動作電流Ｉop´を用いて
ＡＣＣ駆動による同時点灯駆動試験を行い、所定時間毎
にこれを繰り返し行うことによりマルチビームレーザの
光量劣化の測定を行う。
ーザダイオードが２個の場合を例として説明したが、本
発明は、もちろんそれ以上の場合も使用することができ
る。この場合、２レーザの場合と全く同様に各レーザの
しきい値電流Ｉth、動作電流Ｉop、しきい値電流Ｉth´
を測定し、それに基づいて各レーザの動作電流Ｉop´を
算出し、各レーザを算出された動作電流Ｉop´を用いて
ＡＣＣ駆動による同時点灯駆動試験を行い、所定時間毎
にこれを繰り返し行うことによりマルチビームレーザの
光量劣化の測定を行う。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、他
のレーザを点灯した場合の各レーザの動作電流Ｉop´を
算出し、各レーザを算出された動作電流Ｉop´を用いて
同時に所定時間ＡＣＣ駆動による駆動試験を行うことに
より、複数のレーザの同時点灯による他ビームの温度干
渉の影響を加味してレーザの試験を行うことができるの
で、レーザの光量劣化をより正確に測定することができ
る。
のレーザを点灯した場合の各レーザの動作電流Ｉop´を
算出し、各レーザを算出された動作電流Ｉop´を用いて
同時に所定時間ＡＣＣ駆動による駆動試験を行うことに
より、複数のレーザの同時点灯による他ビームの温度干
渉の影響を加味してレーザの試験を行うことができるの
で、レーザの光量劣化をより正確に測定することができ
る。
【００２２】また、レーザ光束を検出するフォトディテ
クタは１つで済み、光学調整も必要としないため、簡単
な構成でマルチビームレーザの試験を行うことができ
る。更に、複数のレーザを同時に点灯して駆動試験を行
うことができ、レーザの数が増加しても試験時間が増加
することはないため、短時間でレーザの光量劣化を測定
することができる。
クタは１つで済み、光学調整も必要としないため、簡単
な構成でマルチビームレーザの試験を行うことができ
る。更に、複数のレーザを同時に点灯して駆動試験を行
うことができ、レーザの数が増加しても試験時間が増加
することはないため、短時間でレーザの光量劣化を測定
することができる。
【図１】本発明のマルチビームレーザ試験装置の一実施
形態の構成を示すブロック図である。
形態の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の実施形態のマルチビームレーザ試験装置
の試験動作を示すフローチャートである。
の試験動作を示すフローチャートである。
【図３】図２のフローチャートによるマルチビームレー
ザの測定タイミングを示すタイミングチャートである。
ザの測定タイミングを示すタイミングチャートである。
【図４】レーザダイオードの温度特性を示す図である。
【図５】従来例のマルチビームレーザの試験方法を説明
するためのタイミングチャートである。
するためのタイミングチャートである。
１１ ＬＤ１駆動回路 １２ ＬＤ２駆動回路 １３ ＬＤ駆動制御部 １４ フォトディテクタ １５ 光出力測定回路 １６ Ａ／Ｄ変換回路 ＬＤ１、ＬＤ２ レーザダイオード
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のレーザからなるマルチビームレー
ザの光量劣化を計測するマルチビームレーザ試験装置に
おいて、他のレーザを消灯した状態で各レーザのしきい
値電流Ｉth、及び所定の試験光における動作電流Ｉopを
測定する手段と、他のレーザを点灯した状態で各レーザ
のしきい値電流Ｉth´を測定する手段と、測定されたし
きい値電流Ｉth、動作電流Ｉop、及びしきい値電流Ｉth
´に基づいて他のレーザを点灯した場合の各レーザの動
作電流Ｉop´を算出する手段とを備え、駆動試験毎に各
レーザの動作電流Ｉop´を算出し、各レーザを算出され
た動作電流Ｉop´を用いて同時に所定時間ＡＣＣ駆動に
よる駆動試験を行うことにより、マルチビームレーザの
光量劣化試験を行うことを特徴とするマルチビームレー
ザ試験装置。 - 【請求項２】 所定時間毎に測定される各レーザの動作
電流Ｉopに基づいてレーザの光量劣化を計測することを
特徴とする請求項１に記載のマルチビームレーザ試験装
置。 - 【請求項３】 所定時間毎に測定されるレーザのしきい
値電流Ｉthに基づいてレーザの光量劣化を計測すること
を特徴とする請求項１に記載のマルチビームレーザ試験
装置。 - 【請求項４】 前記レーザの動作電流Ｉop´は、 Ｉop´＝Ｉop＋（Ｉth´−Ｉth） の演算により算出されることを特徴とする請求項１に記
載のマルチビームレーザ試験装置。
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| JP2000080508A JP3634713B2 (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | マルチビームレーザ試験装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2001267678A true JP2001267678A (ja) | 2001-09-28 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010083948A1 (de) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur bestimmung der degradation und/oder effizienz von lasermodulen und lasereinheit |
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| CN115078887A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-09-20 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体激光器老化测试方法及装置 |
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| JPH07115250A (ja) * | 1993-10-19 | 1995-05-02 | Toshiba Corp | 半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法 |
-
2000
- 2000-03-22 JP JP2000080508A patent/JP3634713B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN117074836B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-03-12 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种激光器检测方法、检测器、电子设备及存储介质 |
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