CN115078887B - 半导体激光器老化测试方法及装置 - Google Patents
半导体激光器老化测试方法及装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种半导体激光器老化测试方法及装置,涉及半导体激光器老化测试的技术领域,方法包括步骤:步骤S1.统一检测,利用同一探测器对一个测试组内的多个待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得一阶采集数据,当一阶采样数据出现异常时,执行步骤S2;步骤S2.分组检测,将多个待测试激光器分成多个组,且每组中至少具有一个待测试激光器,利用同一探测器对每组中的所有待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得多个组的二阶采集数据;当存在损坏激光器的组内激光器的数量大于等于二时,则对该组内的多个激光器再次进行分组检测,直至检测到损坏激光器。
Description
技术领域
本发明涉及半导体激光器老化测试技术领域,尤其是涉及一种半导体激光器老化测试方法及装置。
背景技术
现有技术中,在对半导体激光器进行老化测试的过程中,采用一对一的测试方法,也就是说,利用多个探测器一一对应多个激光器。
现有的测试方法中探测器的使用数量较多,测试成本高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体激光器老化测试方法及装置,以缓解现有技术中对多个激光器进行老化测试时使用的探测器的数量多,测试成本高的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供的一种半导体激光器老化测试方法,包括步骤:
步骤S1.统一检测,利用同一探测器对一个测试组内的多个待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得一阶采集数据;
判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器中是否存在损坏激光器;
当一阶采样数据未出现异常时,则多个待测试激光器均未损坏;
当一阶采样数据出现异常时,执行步骤S2;
步骤S2.分组检测,将多个待测试激光器分成多个组,且每组中至少具有一个待测试激光器,利用同一探测器对每组中的所有待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得多个组的二阶采集数据;
判断多个组的二阶采集数据是否存在异常,从而得到多个组中存在损坏激光器的组;
当存在损坏激光器的组内的激光器的数量等于一,则该组中唯一的激光器为损坏激光器;
当存在损坏激光器的组内激光器的数量大于等于二时,则对该组内的多个激光器再次进行分组检测,直至检测到损坏激光器。
进一步的,所述测试指标为光功率、电流或者电压。
进一步的,所述步骤S1中,所述判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器中是否存在损坏激光器的步骤包括:
提取一阶采集数据中相邻两个采样时间下采集的数据a1和a2,
当|a2-a1|≥ka标时,则采集a2数据时,多个待测试激光器中存在损坏激光器;
当|a2-a1|<ka标时,则采集a2数据时,多个待测试激光器中不存在损坏激光器;
其中,a标和k均为已知量,a标为多个待测试激光器在标准状态下,探测器采集得到的数据值;k为比例参数,k的取值范围为10%-20%。
进一步的,所述步骤S1中,所述判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器中是否存在损坏激光器的步骤包括:
提取一阶采集数据中一个采样时间下采集的数据a3,
当|a3-a标|≥ka标时,则采集a3数据时,多个待测试激光器中存在损坏激光器;
当|a3-a标|<ka标时,则采集a3数据时,多个待测试激光器中不存在损坏激光器;
其中,a标和k均为已知量,a标为多个待测试激光器在标准状态下,探测器采集得到的数据值;k为比例参数,k的取值范围为10%-20%。
进一步的,所述步骤S2中,所述判断多个组的二阶采集数据是否存在异常,从而得到多个组中存在损坏激光器的组的步骤包括:
提取其中一组的二阶采集数据中一个采样时间下采集的数据b,
当|b-b标|≥kb标时,则采集b数据时,该组中存在损坏激光器;
当| b-b标|<kb标时,则采集b数据时,该组中不存在损坏激光器;
其中, b标和k均为已知量,b标为对应该组中所有待测试激光器在标准状态下,探测器采集得到的数据值;k为比例参数,k的取值范围为10%-20%;
按照上述判断方法对剩余其他组对应的二阶采集数据进行分析判断。
进一步的,所述半导体激光器老化测试方法包括步骤:
在所述统一检测的步骤中,获取多个待测试激光器的夹具温度随时间的变化曲线;
所述当一阶采样数据出现异常时,执行步骤S2的步骤具体包括步骤:
当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高大于等于∆T,则执行步骤S2;
当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高低于∆T,则不执行步骤S2,多个待测试激光器均未损坏。
进一步的,所述半导体激光器老化测试方法包括步骤:
在探测器和每个待测试激光器之间设置衰减结构,所述衰减结构用于将待测试激光器产生的测试指标的数值进行比例衰减。
进一步的,所述半导体激光器老化测试方法包括在步骤S1前进行的:
步骤S0.提供多个探测器,根据探测器的检测能力将多个待测试激光器分成多个测试组,每个测试组内的待检测激光器的数量至少为两个,且每个测试组对应一个探测器。
第二方面,本发明实施例提供的一种半导体激光器老化测试装置,用于实施上述的半导体激光器老化测试方法,所述老化测试装置包括固定结构、分路器和探测器,所述固定结构的数量为m个,m为大于等于2的整数;
所述分路器上至少具有m个闸口,所述闸口能够进行开、闭状态的切换;
所述闸口与固定结构一一对应,所述闸口用于控制固定结构上的待测试激光器与探测器之间的测试指标传输路径的通断。
进一步的,所述固定结构与分路器之间通过光纤连接,所述固定结构上的待测试激光器能够通过所述光纤和开启的闸口将激光照射到探测器上,所述探测器用于检测接收到的多个激光器发射的激光的总光功率。
进一步的,所述半导体激光器老化测试装置包括衰减结构,所述衰减结构位于固定结构和探测器之间,用于对待测试激光器发出的光进行衰减。
本发明实施例提供的半导体激光器老化测试方法包括步骤:步骤S1.统一检测,利用同一探测器对一个测试组内的多个待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得一阶采集数据;判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器中是否存在损坏激光器;当一阶采样数据未出现异常时,则多个待测试激光器均未损坏;当一阶采样数据出现异常时,执行步骤S2;步骤S2.分组检测,将多个待测试激光器分成多个组,且每组中至少具有一个待测试激光器,利用同一探测器对每组中的所有待测试激光器的测试指标按照固定频率进行采样,并获得多个组的二阶采集数据;判断多个组的二阶采集数据是否存在异常,从而得到多个组中存在损坏激光器的组;当存在损坏激光器的组内的激光器的数量等于一,则该组中唯一的激光器为损坏激光器;当存在损坏激光器的组内激光器的数量大于等于二时,则对该组内的多个激光器再次进行分组检测,直至检测到损坏激光器。在对多个激光器进行批量的老化测试的过程中,随着激光器制备技术的发展,激光器的品质越来越高,次品率越来越低,大部分激光器均可以通过老化测试实验,仅有一小部分不能通过,因此,采用批量处理的方式,先对多个待测试激光器进行统一检测,有很大概率多个激光器均可以通过老化测试,这样仅需要进行步骤S1即可,而当步骤S1中检测发现有某一个或者多个损坏激光器的出现时才进行步骤S2,进而精确定位找到损坏激光器。上述测试方法采用统一检测和分组检测配合的方式进行老化测试,可以极大的提高检测的效率,并且,检测过程中仅用到一个探测器,也降低了检测的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的半导体激光器老化测试装置的示意图。
图标:100-待测试激光器;200-衰减片;300-光纤;400-分路器;500-探测器。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的半导体激光器老化测试方法,包括步骤:
步骤S1.统一检测,利用同一探测器500对一个测试组内的多个待测试激光器100的测试指标按照固定频率进行采样,并获得一阶采集数据。
所述测试指标可以为光功率、电流或者电压,光功率、电流或者电压均为老化测试中常用的测试指标,本实施例中,以测试指标为光功率为例对方法进行说明。按照固定频率进行采样可以为每间隔1分钟进行一次数据采样,固定频率按照激光器的不同设置的不同。随着测试进程的推进,一阶采集数据可以形成测试指标随时间变化的曲线。
判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器100中是否存在损坏激光器。
在第一种可以实施的方案中,当老化过程进行到tc时刻时,需要得知老化测试结果时,可以提取一阶采集数据中tc时刻的采集数据a2,以及tc前一个频率tc-1时刻的数据a1,其中c可以为大于等于1的整数。当|a2-a1|≥ka标时,则采集a2数据时,多个待测试激光器100中存在损坏激光器,其中,a标和k均为已知量,a标为多个待测试激光器100在标准状态下,探测器500应该采集得到的数据值,其中,标准状态为激光器全新且未损坏时的状态;k为比例参数,是一个常数,k的取值范围可以为10%-20%,通常可以为10%。随着老化实验的进行,当出现损坏激光器时,探测器500获取的实时数据必然会发生变化。因此,相邻两个采样时间时获取的数据的差值可以反映多个激光器的工作状态,当差值超过预设值(本实施例中,预设值可以为10%a标)时,一阶采样数据发生异常,说明有激光器已经损坏。而当|a2-a1|<ka标时,则采集a2数据时,多个待测试激光器100中暂时不存在损坏激光器。
在检测过程中,当老化过程进行到tc时刻时,需要得知老化测试结果时,但采用第一种方案时,可能会出现误判断的问题,也就是说,如果tc-1时刻采集的数据a1相对于tc-2时刻采集的数据就已经发生了变化,再将已经发生变化的a1带入|a2-a1|中,获得的变化值可能会小于ka标,从而产生误判的问题。举例说明,假设tc-1时刻采集的光功率存在波动,|a1-a标|=5%a标,即tc-1时刻光功率下滑了5%,假设在tc时刻激光器完全损坏,|a2-a标|≥10%a标,但是由于a1已经降低了,导致|a2-a1|<10%a标,判断数据无异常,造成误判断。
为了避免上述的问题的产生,本实施例提供了第二种可以实施的方式,当老化过程进行到tu时刻时,需要得知老化测试结果时,可以提取一阶采集数据中tu时刻的采集数据a3,其中u可以为大于等于1的整数。当|a3-a标|<ka标时,则采集a3数据时,多个待测试激光器100中不存在损坏激光器。当|a3-a标|≥ka标时,说明激光器损坏造成的实时检测的数据的波动超过预期值,一阶采样数据发生异常,则采集a3数据时,多个待测试激光器100中存在损坏激光器,因为a标为固定值,从而避免上述中提到的误判断的问题。
当一阶采样数据未出现异常时,则多个待测试激光器100均未损坏,也就是说,多个激光器都通过了该次老化测试。
而当一阶采样数据出现异常时,则需要在多个待测试激光器100中找到损坏的一个或者多个激光器,执行步骤S2。
步骤S2.分组检测,将多个待测试激光器100分成多个组,且每组中至少具有一个待测试激光器100,利用同一探测器500对每组中的所有待测试激光器100的测试指标按照固定频率进行采样,并获得多个组的二阶采集数据。
对于测试样本较多的情况,进行分组检测,可以快速锁定具有损坏激光器的组,而减少测试次数,例如,待测试激光器100的数量为20个,经过统一检测后,发现存在损坏激光器,可以将20个激光器分成4组,每组内激光器的数量可以相同可以不同,本实施例中可以采用平均分组的方式,每组均有5个待测试激光器100。然后对每组采用同一探测器500对每组中的所有待测试激光器100的测试指标按照固定频率进行采样,并获得二阶采集数据的方式,具体的,二阶采集数据的分析处理方式与一阶采集数据的分析处理方式类似,这样可以得到四组二阶采集数据,然后判断四组二阶采集数据是否存在异常,对于没有异常的组而言,该组中5个激光器均未发生损坏;而产生异常的组,则说明组中存在损坏激光器。当存在损坏激光器的组内激光器的数量大于等于二时,则对该组内的多个激光器再次进行分组检测,直至检测到损坏激光器。通过逐渐分组可以缩小检测范围,当被分组的激光器的数量较少时,便可以采用逐一检测的方式,也就是说,例如上述方案中,当被分成4组的20个激光器中,检测到其中一个组存在损坏激光器时,可以对这个组内的5个激光器进行逐一检测,也就是说,5个激光器自己便为一个组,并形成5个组,对5个组进行检测判断,从而找到损坏的激光器。找到损坏的激光器后,将其剔除,再利用探测器500对该测试组内剩余的待测试激光器100进行统一检测。
所述步骤S2中,所述判断多个组的二阶采集数据是否存在异常,从而得到多个组中存在损坏激光器的组的步骤包括:提取其中一组的二阶采集数据中一个采样时间下采集的数据b,当|b-b标|≥kb标时,则采集b数据时,该组中存在损坏激光器;当| b-b标|<kb标时,则采集b数据时,该组中不存在损坏激光器;其中, b标和k均为已知量,b标为对应该组中所有待测试激光器100在标准状态下,探测器500采集得到的数据值;k为衰减比例值,是比例参数,k的取值范围为10%-20%;按照上述判断方法对剩余其他组对应的二阶采集数据进行分析判断。
对每组的二阶采集数据的异常判断的方式一致,因此,此处仅以其中一组为例进行说明。在检测过程中,可以在老化过程进行到tc+1时刻时,提取该组的二阶采集数据中的数据b,当|b-b标|<kb标时,则采集b数据时,该组中不存在损坏激光器。而当|b-b标|≥kb标时,则采集b数据时,该组中存在损坏激光器;其中,b标和k均为已知量,b标为对应该组中所有待测试激光器100在标准状态下,探测器500采集得到的数据值;k为比例参数,是一个常数,k的取值范围可以为10%-20%,通常可以为10%。随着老化实验的进行,当出现损坏激光器时,探测器500获取的实时数据必然会发生变化。因此,实时获取的数据与所有激光器均处于标准状态下的数据的差值可以反映该组中激光器的工作状态,当差值超过预设值(本实施例中,预设值可以为10%a标)时,该组的二阶采样数据发生异常,说明有激光器已经损坏。按照上述判断方法对剩余其他组对应的二阶采集数据进行分析判断。
所述半导体激光器老化测试方法包括步骤:在所述统一检测的步骤中,获取多个待测试激光器100的夹具温度随时间的变化曲线;所述当一阶采样数据出现异常时,执行步骤S2的步骤具体包括步骤:当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高大于等于∆T,则执行步骤S2;当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高低于∆T,则不执行步骤S2,多个待测试激光器100均未损坏。
当大部分待测试激光器100同时出现损坏趋势时,可能会产生误判断的问题,例如,待测试激光器100的数量为10个,且标准状态下,每个待测试激光器100的光功率等于6W,则a标等于60W,经过一段时间后,假设每个激光器的光功率均下降0.3w,所有的激光器均未达到损坏标准,在该时刻,探测器500检测到的光功率为57W,变化了3W。而假设其他9个激光器的光功率没有变化,只有一个激光器的光功率由6W变成了3W,该激光器失效,但是上面两种情况都会被判断成10个激光器均未损坏,出现误判断的问题。因此,可以引入温度参数。在老化测试的过程中,时刻对待测试激光器100的底座的夹具温度进行检测,获得温度随时间变化的曲线,当有激光器损坏时,夹具温度会发生波动,因此,当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高大于等于∆T。当待测试激光器100的数量为20个时,在测试过程中持续对夹具进行温度探测,正常的老化设定温度可以在35℃,其中∆T的取值范围可以为3℃-5℃,本实施例中可以设∆T为3℃,也就是说,在32℃-38℃范围内,均可以进行正常的老化。而当检测的温度变化突然超过了3℃,例如,检测温度升高至40℃时,说明确实出现了损坏激光器,则执行步骤S2,其中,t与夹具的散热能力,温度检测器的敏感程度有关;当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高低于∆T,则说明还未出现损坏的激光器,则不执行步骤S2。其中,夹具温度一般指装激光器的底座夹具的温度,即激光器在此温度下进行老化。
进一步的,所述半导体激光器老化测试方法包括步骤:
为了提高待测试激光器100的数量,避免超过探测器500的负荷,在探测器500和每个待测试激光器100之间可以设置衰减结构,所述衰减结构用于将待测试激光器100产生的测试指标的数值进行比例衰减。衰减结构可以为衰减片200,用于按百分比衰减光功率,从而使探测器500接收到的总光功率按百分比衰减。
在对待测试激光器100进行老化测试前,可以先采用初步筛选的方式选出不合格的激光器,具体的,可以在某个电流下测得待测试激光器100的实际功率值,与额定功率值进行比较,判断实际功率值是否达标,若没有达标,表示该激光器已经失效,便筛出失效激光器,这部分激光器无需进行后续的老化测试。比如,待测试的激光器的额定功率为10W,用12A额定电流去做初筛,可测得在12A下待测试激光器100的实际功率是否能达到额定功率10W,若没有达到,这个芯片便不老化,不进行下一步了,达到初筛的目的。
对于已经通过初筛的待测试激光器100而言,可以按照探测器500的检测能力将大批量的待测试激光器100分成多个测试组,其中,探测器500的检测能力指的是探测器500能够同时处理的待测试激光器100的最大数量。对于已知功率的待测试激光器100而言,探测器500能够同时接受的光功率的量是一定的,超过这个量后,将对探测器500产生损坏,因此,当面对大批量的待测试激光器100时,可以先将其分成多个测试组,每个测试组对应一个探测器500,再按照步骤S1和S2对每个测试组内的待测试激光器100进行检测。
本发明实施例提供的半导体激光器老化测试装置用于实施上述的半导体激光器老化测试方法,所述老化测试装置包括固定结构、分路器400和探测器500,固定结构用于固定待测试激光器100,所述固定结构的数量为m个,m为大于等于2的整数;所述分路器400上至少具有m个闸口,所述闸口能够进行开、闭状态的切换;所述闸口与固定结构一一对应,所述闸口用于控制固定结构上的待测试激光器100与探测器500之间的测试指标传输路径的通断。
在进行统一检测时,将分路器400上的所有闸口开启,使探测器500接收所有待测试激光器100的测试指标数据,然后通过老化测试装置的控制器执行数据的处理、对比和分析等操作,从而判断多个待测试激光器100中是否存在损坏激光器,具体原理已经在测试方法中介绍,此处不再重复。
在进行分组检测时,可以主动关闭某些闸口,保持一些闸口开启,使探测器500仅对与闸口开启向对应的待测试激光器100进行数据采集,然后通过控制器执行数据的处理、对比和分析等操作,从而最终找到损坏激光器,具体原理已经在测试方法中介绍,此处不再重复。
具体的,探测器500可以接收激光器的光功率,所述固定结构与分路器400之间可以通过光纤300连接,所述固定结构上的待测试激光器100能够通过所述光纤300和开启的闸口将激光照射到探测器500上,所述探测器500用于检测接收到的多个激光器发射的激光的总光功率。
为了提高待测试激光器100的数量,避免超过探测器500的负荷,所述半导体激光器老化测试装置包括衰减结构,所述衰减结构位于固定结构和探测器500之间,可以为衰减片200,用于按百分比衰减光功率,从而使探测器500接收到的总光功率按百分比衰减。
分路器400和探测器500之间还可以设置聚光结构,聚光结构可以为凸透镜或者耦合镜,用于将收集来的激光器出射光聚集在探测器500的中心区域。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种半导体激光器老化测试方法,其特征在于,包括步骤:
步骤S1.统一检测,利用同一探测器(500)同时对一个测试组内的多个待测试激光器(100)的测试指标之和按照固定频率进行采样,并获得一阶采集数据;所述测试指标为光功率、电流或者电压;
获取多个待测试激光器(100)的夹具温度随时间的变化曲线;
判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器(100)中是否存在损坏激光器;
当一阶采样数据未出现异常时,则多个待测试激光器(100)均未损坏;
当一阶采样数据出现异常,且在出现异常后t时间内温度升高低于∆T,则不执行步骤S2,多个待测试激光器(100)均未损坏;
当一阶采样数据出现异常时,且在出现异常后t时间内温度升高大于等于∆T,则执行步骤S2;
步骤S2.分组检测,将多个待测试激光器(100)分成多个组,且每组中至少具有一个待测试激光器(100),利用同一探测器(500)同时对每组中的所有待测试激光器(100)的测试指标之和按照固定频率进行采样,并获得多个组的二阶采集数据;
判断多个组的二阶采集数据是否存在异常,从而得到多个组中存在损坏激光器的组;
当存在损坏激光器的组内的激光器的数量等于一,则该组中唯一的激光器为损坏激光器;
当存在损坏激光器的组内激光器的数量大于等于二时,则对该组内的多个激光器再次进行分组检测,直至检测到损坏激光器。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试方法,所述步骤S1中,所述判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器(100)中是否存在损坏激光器的步骤包括:
提取一阶采集数据中相邻两个采样时间下采集的数据a1和a2,
当|a2-a1|≥ka标时,则采集a2数据时,多个待测试激光器(100)中存在损坏激光器;
当|a2-a1|<ka标时,则采集a2数据时,多个待测试激光器(100)中不存在损坏激光器;
其中,a标和k均为已知量,a标为多个待测试激光器(100)在标准状态下,探测器(500)采集得到的数据值;k为比例参数,k的取值范围为10%-20%。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试方法,所述步骤S1中,所述判断一阶采集数据是否存在异常,从而判断多个待测试激光器(100)中是否存在损坏激光器的步骤包括:
提取一阶采集数据中一个采样时间下采集的数据a3,
当|a3-a标|≥ka标时,则采集a3数据时,多个待测试激光器(100)中存在损坏激光器;
当|a3-a标|<ka标时,则采集a3数据时,多个待测试激光器(100)中不存在损坏激光器;
其中,a标和k均为已知量,a标为多个待测试激光器(100)在标准状态下,探测器(500)采集得到的数据值;k为比例参数,k的取值范围为10%-20%。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试方法,所述步骤S2中,所述判断多个组的二阶采集数据是否存在异常,从而得到多个组中存在损坏激光器的组的步骤包括:
提取其中一组的二阶采集数据中一个采样时间下采集的数据b,
当|b-b标|≥kb标时,则采集b数据时,该组中存在损坏激光器;
当|b-b标|<kb标时,则采集b数据时,该组中不存在损坏激光器;
其中,b标和k均为已知量,b标为对应该组中所有待测试激光器(100)在标准状态下,探测器(500)采集得到的数据值;k为比例参数,k的取值范围为10%-20%;
按照上述判断方法对剩余其他组对应的二阶采集数据进行分析判断。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试方法,所述半导体激光器老化测试方法包括步骤:
在探测器(500)和每个待测试激光器(100)之间设置衰减结构,所述衰减结构用于将待测试激光器(100)产生的测试指标的数值进行比例衰减。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试方法,所述半导体激光器老化测试方法包括在步骤S1前进行的:
步骤S0.提供多个探测器(500),根据探测器(500)的检测能力将多个待测试激光器分成多个测试组,每个测试组内的待测试激光器的数量至少为两个,且每个测试组对应一个探测器(500)。
7.一种半导体激光器老化测试装置,用于实施权利要求1-6任意一项所述的半导体激光器老化测试方法,其特征在于,所述老化测试装置包括固定结构、分路器(400)和探测器(500),所述固定结构的数量为m个,m为大于等于2的整数;
所述分路器(400)上至少具有m个闸口,所述闸口能够进行开、闭状态的切换;
所述闸口与固定结构一一对应,所述闸口用于控制固定结构上的待测试激光器(100)与探测器(500)之间的测试指标传输路径的通断。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器老化测试装置,其特征在于,所述固定结构与分路器(400)之间通过光纤(300)连接,所述固定结构上的待测试激光器(100)能够通过所述光纤(300)和开启的闸口将激光照射到探测器(500)上,所述探测器(500)用于检测接收到的多个激光器发射的激光的总光功率。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器老化测试装置,其特征在于,所述半导体激光器老化测试装置包括衰减结构,所述衰减结构位于固定结构和探测器(500)之间,用于对待测试激光器(100)发出的光进行衰减。
Priority Applications (1)
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Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267678A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Canon Inc | マルチビームレーザ試験装置 |
CN1389963A (zh) * | 2001-10-26 | 2003-01-08 | 惠州市中科光电有限公司 | 半导体激光器老化筛选设备和筛选方法 |
CN102072990A (zh) * | 2009-11-20 | 2011-05-25 | 西安华科光电有限公司 | 激光器老化检测装置 |
CN102292885A (zh) * | 2009-01-23 | 2011-12-21 | 通快激光两合公司 | 用于确定激光器模块和激光器单元的退化和/或效率的方法 |
CN102519709A (zh) * | 2011-12-20 | 2012-06-27 | 西安炬光科技有限公司 | 一种半导体激光器老化/寿命测试实时监测方法及系统 |
CN102565682A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 苏州工业园区谱芯科技有限公司 | 一种基于二分法的故障测试向量的定位方法 |
CN102914420A (zh) * | 2012-10-10 | 2013-02-06 | 西安炬光科技有限公司 | 半导体激光器光束特性测试装置及测试方法 |
CN104330652A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-02-04 | 武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司 | 一种半导体激光器老化工装 |
WO2017016141A1 (zh) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种多通道可调激光器的性能测试装置 |
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CN112098046A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-12-18 | 深圳市星汉激光科技有限公司 | 一种半导体激光器的检测系统及检测方法 |
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267678A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Canon Inc | マルチビームレーザ試験装置 |
CN1389963A (zh) * | 2001-10-26 | 2003-01-08 | 惠州市中科光电有限公司 | 半导体激光器老化筛选设备和筛选方法 |
CN102292885A (zh) * | 2009-01-23 | 2011-12-21 | 通快激光两合公司 | 用于确定激光器模块和激光器单元的退化和/或效率的方法 |
CN102072990A (zh) * | 2009-11-20 | 2011-05-25 | 西安华科光电有限公司 | 激光器老化检测装置 |
CN102565682A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 苏州工业园区谱芯科技有限公司 | 一种基于二分法的故障测试向量的定位方法 |
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CN102914420A (zh) * | 2012-10-10 | 2013-02-06 | 西安炬光科技有限公司 | 半导体激光器光束特性测试装置及测试方法 |
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WO2017016141A1 (zh) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种多通道可调激光器的性能测试装置 |
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