JP6702190B2 - 撮像素子及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
一対の電極の間に配置された光電変換層、及び、
一対の電極のうち一方と光電変換層とに挟まれた少なくとも1つの応力緩衝層、
を備えており、
応力緩衝層は、結晶層を含む積層構造、具体的には、結晶層とアモルファス層とを交互に2層ずつ(合計4層)、積層した構造を有する。
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る。
各撮像素子は、第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る。
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る。
1.本開示の撮像素子及び電子デバイス、全般に関する説明
2.実施例1(撮像素子及び電子デバイス)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(本開示の固体撮像装置)
5.その他
本開示の撮像素子、本開示の固体撮像装置における撮像素子あるいは本開示の電子デバイスにあっては、第1電極と第2電極との間に0ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-0(アンペア)、第1電極と第2電極との間に5ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-5(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足する形態とすることができる。また、第1電極と第2電極との間に0ボルトを超え、5ボルト以下の電圧を印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd/Jd-0≦1.2
を満足する。ここで、暗電流は、光が照射されていない状態で、具体的には、暗所状態下、第1電極と第2電極との間に逆バイアス電圧を印加したとき、第1電極と第2電極との間を流れる電流を計測することで求めることができる。
第2電極は、受光層等の側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い構成とすることもできる。そして、この場合、第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである構成とすることができ、更には、第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である構成とすることができる。あるいは又、第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層等において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る構成とすることができる。ここで、このような第2電極の第2A層及び第2B層の仕事関数の値の制御は、スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量(酸素ガス分圧)を制御することで達成することができる。また、第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mであり、第2電極の第2A層の厚さと第2電極の第2B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である構成とすることができる。尚、受光層等に対する酸素原子や酸素分子の影響を少なくするために、第2電極の第2A層の厚さよりも第2B層の厚さは薄いことが、より好ましい。このように、第2電極が第2A層及び第2B層の2層構造を有し、しかも、第2B層と第2A層の仕事関数の差を規定することによって、第2電極における仕事関数の最適化を図ることができ、キャリアの授受(移動)が一層容易になる。
シリコン半導体基板から成る基板10を準備する。ここで、基板10には、例えば、撮像素子や電子デバイスの駆動回路や受光層等(これらは図示せず)、配線11が設けられており、表面には絶縁層12が形成されている。絶縁層12には、底部に配線11が露出した開口部13が設けられている。そして、開口部13内を含む絶縁層12上に、スパッタリング法に基づき、ITOから成る第1電極21を形成(成膜)する(図1A参照)。
次いで、第1電極21のパターニングを行った後、全面に、真空蒸着法にて、キナクリドンから成る受光層等23を形成(成膜)し、更に、受光層等23上に、スパッタリング法に基づき、IZOあるいはIGZOから成る第2電極22を形成(成膜)する。こうして、図1Bに示す構造を有する実施例1の電子デバイスを得ることができる。
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足している。また、第1電極21と第2電極22との間に0ボルトを超え、5ボルト以下の電圧(逆バイアス電圧)を印加したときに第1電極21と第2電極22との間を流れる暗電流の値をJd(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd/Jd-0≦1.2
を満足している。
ここで、
h:プランク定数
c:光速
q:電子の電荷
λ:入射光の波長(μm)
I:明電流であり、実施例1の測定にあっては、逆バイアス電圧1ボルトにおいて得られる電流値(アンペア/cm2)
P:入射光のパワー(アンペア/cm2)
である。
内部量子効率(%) オン/オフ比
実施例1 63 3.4
比較例1 45 1.6
実施例1 比較例1
Ra 0.36nm 2.5nm
Rq 0.46nm 3.6nm
波長450nmにおける光透過率 93% 78%
波長550nmにおける光透過率 88% 84%
厚さ100nmのITOから成る第1電極
厚さ100nmのキナクリドンから成る受光層等
厚さ100nmの非晶質酸化物であるIZOから成る第2電極(実施例1)、あるいは、厚さ100nmの結晶酸化物であるITOとから成る第2電極(比較例1)
を、この順に、ガラス基板上に成膜して得られた積層構造体のデータである。尚、室温(具体的には、22゜C乃至28゜C)において、スパッタリング法に基づきIZO膜あるいはITO膜を成膜した。また、シリコンウェハ上に積層構造体を成膜した。内部応力は、市販の薄膜ストレス測定装置を用いて、周知の方法に基づき測定した。
[A01]《撮像素子》
第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る撮像素子。
[A02]第1電極と第2電極との間に0ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-0(アンペア)、第1電極と第2電極との間に5ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-5(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足する[A01]に記載の撮像素子。
[A03]積層構造体は、10MPa乃至50MPaの圧縮応力の内部応力を有する[A01]又は[A02]に記載の撮像素子。
[A04]第2電極の表面粗さRaは1.5nm以下であり、Rqは2.5nm以下である[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A05]第2電極の仕事関数は4.5eV以下である[A01]乃至[A04]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A06]第2電極の仕事関数の値は、4.1eV乃至4.5eVである[A05]に記載の撮像素子。
[A07]波長400nm乃至660nmの光に対する第2電極の光透過率は75%以上である[A01]乃至[A06]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A08]第2電極の電気抵抗値は1×10-6Ω・cm以下である[A01]乃至[A07]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A09]第2電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である[A01]乃至[A08]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A10]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mである[A01]乃至[A09]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A11]第2電極の厚さは2×10-8m乃至1×10-7mである[A10]に記載の撮像素子。
[A12]第2電極は、酸化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛から成る群から選択された1種類の材料に、アルミニウム、ガリウム、錫及びインジウムから成る群から選択された少なくとも1種類の材料を添加又はドーピングした材料から成る[A01]乃至[A11]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A13]第2電極は、Ina(Ga,Al)bZncOdから成る[A01]乃至[A11]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A14]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[A12]又は[A13]に記載の撮像素子。
[A15]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[A14]に記載の撮像素子。
[A16]第2電極は、受光層側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い[A13]に記載の撮像素子。
[A17]第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである[A16]に記載の撮像素子。
[A18]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[A16]又は[A17]に記載の撮像素子。
[A19]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[A18]に記載の撮像素子。
[A20]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mであり、
第2電極の第2A層の厚さと第2電極の第2B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である[A16]乃至[A19]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A21]第2電極は、インジウム−ガリウム酸化物、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム−亜鉛酸化物、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている[A01]乃至[A20]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A22]第1電極は、インジウム−スズ酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、又は、酸化錫から構成されている[A01]乃至[A21]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A23]第2電極をスパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第2電極の仕事関数の値が制御される[A01]乃至[A22]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A24]第2電極において、酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない[A01]乃至[A23]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[B01]《固体撮像装置》
撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置であって、
各撮像素子は、第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る固体撮像装置。
[B02][A01]乃至[A24]のいずれか1項に記載の撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
[C01]第1電極、第1電極上に形成された発光・受光層、及び、発光・受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る電子デバイス。
[C02]第1電極と第2電極との間に0ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-0(アンペア)、第1電極と第2電極との間に5ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-5(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足する[C01]に記載の電子デバイス。
[C03]積層構造体は、10MPa乃至50MPaの圧縮応力の内部応力を有する[C01]又は[C02]に記載の電子デバイス。
[C04]第2電極の表面粗さRaは1.5nm以下であり、Rqは2.5nm以下である[C01]乃至[C03]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C05]第2電極の仕事関数は4.5eV以下である[C01]乃至[C04]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C06]第2電極の仕事関数の値は、4.1eV乃至4.5eVである[C05]に記載の電子デバイス。
[C07]波長400nm乃至660nmの光に対する第2電極の光透過率は75%以上である[C01]乃至[C06]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C08]第2電極の電気抵抗値は1×10-6Ω・cm以下である[C01]乃至[C07]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C09]第2電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である[C01]乃至[C08]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C10]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mである[C01]乃至[C09]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C11]第2電極の厚さは2×10-8m乃至1×10-7mである[C10]に記載の電子デバイス。
[C12]第2電極は、酸化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛から成る群から選択された1種類の材料に、アルミニウム、ガリウム、錫及びインジウムから成る群から選択された少なくとも1種類の材料を添加又はドーピングした材料から成る[C01]乃至[C11]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C13]第2電極は、Ina(Ga,Al)bZncOdから成る[C01]乃至[C11]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C14]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[C12]又は[C13]に記載の電子デバイス。
[C15]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき発光・受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[C14]に記載の電子デバイス。
[C16]第2電極は、発光・受光層側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い[C13]に記載の電子デバイス。
[C17]第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである[C16]に記載の電子デバイス。
[C18]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[C16]又は[C17]に記載の電子デバイス。
[C19]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき発光・受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[C18]に記載の電子デバイス。
[C20]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mであり、
第2電極の第2A層の厚さと第2電極の第2B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である[C16]乃至[C19]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C21]第2電極は、インジウム−ガリウム酸化物、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム−亜鉛酸化物、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている[C01]乃至[C20]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C22]第1電極は、インジウム−スズ酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、又は、酸化錫から構成されている[C01]乃至[C21]のいずれか1項に記載の電子デバイス。[C23]第2電極をスパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第2電極の仕事関数の値が制御される[C01]乃至[C22]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C24]第2電極において、酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない[C01]乃至[C23]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
Claims (5)
- 第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物であるIn a (Ga,Al) b Zn c O d から成り、
第2電極は、受光層側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い撮像素子。 - 第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである請求項1に記載の撮像素子。
- 第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である請求項1に記載の撮像素子。
- 第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る請求項1に記載の撮像素子。
- 撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置であって、
各撮像素子は、第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物であるIn a (Ga,Al) b Zn c O d から成り、
第2電極は、受光層側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い固体撮像装置。
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