JPH1044286A - 静電気防止フィルムおよびそれを用いた偏光フィルム - Google Patents
静電気防止フィルムおよびそれを用いた偏光フィルムInfo
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- JPH1044286A JPH1044286A JP8203744A JP20374496A JPH1044286A JP H1044286 A JPH1044286 A JP H1044286A JP 8203744 A JP8203744 A JP 8203744A JP 20374496 A JP20374496 A JP 20374496A JP H1044286 A JPH1044286 A JP H1044286A
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- transparent
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Abstract
(57)【要約】
【構成方法】 リターデーション値が０．１〜１０ｎｍ
である透明な光等方性フィルムの主面に、１〜２０μｍ
の透明高分子層を形成し、さらに、その上に表面抵抗が
１０2〜１０6Ω／□の透明導電層を形成した静電気防止
フィルム。 【効果】 本発明によれば、インプレーンスイッチング
型のＴＦＴ型液晶パネルに好適に用いることができる静
電気防止能を有する偏光フィルムが得られる。
である透明な光等方性フィルムの主面に、１〜２０μｍ
の透明高分子層を形成し、さらに、その上に表面抵抗が
１０2〜１０6Ω／□の透明導電層を形成した静電気防止
フィルム。 【効果】 本発明によれば、インプレーンスイッチング
型のＴＦＴ型液晶パネルに好適に用いることができる静
電気防止能を有する偏光フィルムが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電気防止フィル
ム関し、さらに、詳しくは偏光を利用した液晶ディスプ
レイパネルに好適に用いることができる静電気防止フィ
ルムに関する。
ム関し、さらに、詳しくは偏光を利用した液晶ディスプ
レイパネルに好適に用いることができる静電気防止フィ
ルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイパネルは、ブランウ管
に代わり小型で省エネルギーの画像表示素子として普及
している。とりわけ、ブラウン管に代わる高速高品位の
画像表示素子としては、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）型のアクテ
ィブマトリックス型（以下、ＴＦＴ−ＡＭ−ＬＣＤと略
す）の液晶ディスプレイが用いられている。一方、ＴＦ
Ｔ−ＡＭ−ＬＣＤの欠点は視野角が狭いという点であ
る。ＴＦＴ−ＡＭ−ＬＣＤで用いられるＴＮ（Ｔｗｉｓ
ｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型では、光の偏光を制御して
画像情報を得るために、斜めから見ると光抜けのような
現象がおこり、コントラストが反転してしまうのであ
る。この問題を解決するために、様々なことが試みられ
ているが、その１つにインプレーンスイッチングと言う
方法がある。通常は２枚のガラス電極の間でスイッチン
グを行うのに対して、インプレーンスイッチングでは一
方のガラスのみにスイッチを形成しアクティブマトリッ
クスの動作を行う。この場合においても２枚のガラスの
外側には偏光フィルムを貼るということは通常のＴＦＴ
−ＡＭ−ＬＣＤと同様である。
に代わり小型で省エネルギーの画像表示素子として普及
している。とりわけ、ブラウン管に代わる高速高品位の
画像表示素子としては、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）型のアクテ
ィブマトリックス型（以下、ＴＦＴ−ＡＭ−ＬＣＤと略
す）の液晶ディスプレイが用いられている。一方、ＴＦ
Ｔ−ＡＭ−ＬＣＤの欠点は視野角が狭いという点であ
る。ＴＦＴ−ＡＭ−ＬＣＤで用いられるＴＮ（Ｔｗｉｓ
ｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型では、光の偏光を制御して
画像情報を得るために、斜めから見ると光抜けのような
現象がおこり、コントラストが反転してしまうのであ
る。この問題を解決するために、様々なことが試みられ
ているが、その１つにインプレーンスイッチングと言う
方法がある。通常は２枚のガラス電極の間でスイッチン
グを行うのに対して、インプレーンスイッチングでは一
方のガラスのみにスイッチを形成しアクティブマトリッ
クスの動作を行う。この場合においても２枚のガラスの
外側には偏光フィルムを貼るということは通常のＴＦＴ
−ＡＭ−ＬＣＤと同様である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】通常のＴＦＴ−ＡＭ−
ＬＣＤでは、両方のガラスに電極が設けられているが、
インプレーンスイッチングを用いる方法では電極が形成
されていないガラスを１枚用いることとなる。この構成
で実際にＬＣＤを動作させると、誤動作が大きくなると
言う問題があった。我々はこの原因を鋭意追求したとこ
ろ、電極を設けていない方に貼った偏光フィルムに静電
気が蓄積し、この静電気が誤動作の原因であることを突
き止めた。偏光フィルムは通常ヨウ素や色素を含有した
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を２枚の透明な光等方
性のフィルムでサンドイッチした構造を有しており、当
該光等方性フィルムには多くの場合、セルローストリア
セテート（ＣＴＡ）が用いられる。そこで、上記誤動作
を防止するために鋭意研究したところ、当該光等方性フ
ィルムにわずかな導電性を持たせることで誤動作が防げ
ることを見いだした。ところが、ＣＴＡに直接導電層を
設けると、ＣＴＡフィルムの透明性が損なわれる上に、
導電層の密着性が低いことがわかった。そこで、ＣＴＡ
上に適当な樹脂を塗布し、次に、導電層を形成すること
で、透明性を損なわずに静電気防止能を有したＣＴＡフ
ィルムが得られることを見いだし、本発明に到達した。
ＬＣＤでは、両方のガラスに電極が設けられているが、
インプレーンスイッチングを用いる方法では電極が形成
されていないガラスを１枚用いることとなる。この構成
で実際にＬＣＤを動作させると、誤動作が大きくなると
言う問題があった。我々はこの原因を鋭意追求したとこ
ろ、電極を設けていない方に貼った偏光フィルムに静電
気が蓄積し、この静電気が誤動作の原因であることを突
き止めた。偏光フィルムは通常ヨウ素や色素を含有した
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を２枚の透明な光等方
性のフィルムでサンドイッチした構造を有しており、当
該光等方性フィルムには多くの場合、セルローストリア
セテート（ＣＴＡ）が用いられる。そこで、上記誤動作
を防止するために鋭意研究したところ、当該光等方性フ
ィルムにわずかな導電性を持たせることで誤動作が防げ
ることを見いだした。ところが、ＣＴＡに直接導電層を
設けると、ＣＴＡフィルムの透明性が損なわれる上に、
導電層の密着性が低いことがわかった。そこで、ＣＴＡ
上に適当な樹脂を塗布し、次に、導電層を形成すること
で、透明性を損なわずに静電気防止能を有したＣＴＡフ
ィルムが得られることを見いだし、本発明に到達した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来技術
を鑑みて発明されたものであり、すなわち、本発明は、
（１） リターデーション値が０．１〜１０ｎｍである
透明な光等方性フィルムの主面に、１〜２０μｍの透明
高分子層を形成し、さらに、その上に表面抵抗が１０2
〜１０6 Ω／□の透明導電層を形成した静電気防止フィ
ルム、（２） 透明な光等方性フィルムが、セルロース
トリアセテートである（１）に記載の静電気防止フィル
ム、（３） 透明高分子層が、シリコーン系、アクリル
系又はシリコーンアクリル系である（１）又は（２）に
記載の静電気防止フィルム、（４） 透明導電層がイン
ジウム酸化物を主体とする酸化物または錫酸化物を主体
とする酸化物である（１）〜（３）のいずれかに記載の
静電気防止フィルム、（５） （１）〜（４）のいずれ
かに記載の静電気防止フィルムを少なくとも１枚用いて
偏光能力を有するフィルムを挟み込んだ構造を有する偏
光フィルムである。
を鑑みて発明されたものであり、すなわち、本発明は、
（１） リターデーション値が０．１〜１０ｎｍである
透明な光等方性フィルムの主面に、１〜２０μｍの透明
高分子層を形成し、さらに、その上に表面抵抗が１０2
〜１０6 Ω／□の透明導電層を形成した静電気防止フィ
ルム、（２） 透明な光等方性フィルムが、セルロース
トリアセテートである（１）に記載の静電気防止フィル
ム、（３） 透明高分子層が、シリコーン系、アクリル
系又はシリコーンアクリル系である（１）又は（２）に
記載の静電気防止フィルム、（４） 透明導電層がイン
ジウム酸化物を主体とする酸化物または錫酸化物を主体
とする酸化物である（１）〜（３）のいずれかに記載の
静電気防止フィルム、（５） （１）〜（４）のいずれ
かに記載の静電気防止フィルムを少なくとも１枚用いて
偏光能力を有するフィルムを挟み込んだ構造を有する偏
光フィルムである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、図１に示すように光等
方性フィルム１０の主面に透明高分子層２０、透明導電
層３０を形成した静電気防止フィルムである。また、図
２に示すようにヨウ素を吸着させ１軸延伸したＰＶＡフ
ィルム等の偏光能力を有するフィルム４０に、本発明の
静電気防止フィルムを挟み込んだ偏光フィルムである。
方性フィルム１０の主面に透明高分子層２０、透明導電
層３０を形成した静電気防止フィルムである。また、図
２に示すようにヨウ素を吸着させ１軸延伸したＰＶＡフ
ィルム等の偏光能力を有するフィルム４０に、本発明の
静電気防止フィルムを挟み込んだ偏光フィルムである。
【０００６】本発明においてフィルムは光等方性でなけ
ればならない。光等方性はフィルムのリターデーション
値で評価され、その算出方法は、フィルムの主面に平行
なある方向に対するフィルムの屈折率ｎ1 とフィルムの
主面内にありながら、それとは、垂直な方向の屈折率ｎ
2 との差の絶対値にフィルムの厚さｄを乗じた値であ
る。即ちリターデーション値Δ＝｜ｎ1 −ｎ2 ｜×ｄで
表すことができる。この様な評価を行った場合、本発明
で用いるのに適したフィルムのリターデーション値は
０．１〜１０ｎｍであり、より好ましくは０．１〜５ｎ
ｍであり、さらにより好ましくは０．１〜３ｎｍであ
る。また、フィルムの厚さに特に限定的な値はないが、
このフィルムは機械的に間に挟むフィルムを支持するの
が目的であるから、あまり薄いのは好ましくなく、一
方、必要以上に厚い必要はないのであって、通常は５０
〜２００μｍの間である。
ればならない。光等方性はフィルムのリターデーション
値で評価され、その算出方法は、フィルムの主面に平行
なある方向に対するフィルムの屈折率ｎ1 とフィルムの
主面内にありながら、それとは、垂直な方向の屈折率ｎ
2 との差の絶対値にフィルムの厚さｄを乗じた値であ
る。即ちリターデーション値Δ＝｜ｎ1 −ｎ2 ｜×ｄで
表すことができる。この様な評価を行った場合、本発明
で用いるのに適したフィルムのリターデーション値は
０．１〜１０ｎｍであり、より好ましくは０．１〜５ｎ
ｍであり、さらにより好ましくは０．１〜３ｎｍであ
る。また、フィルムの厚さに特に限定的な値はないが、
このフィルムは機械的に間に挟むフィルムを支持するの
が目的であるから、あまり薄いのは好ましくなく、一
方、必要以上に厚い必要はないのであって、通常は５０
〜２００μｍの間である。
【０００７】本発明において、静電気防止フィルムの必
要な静電気防止能は、表面抵抗で表せば１０2 〜１０6
Ω／□の範囲が好ましい。余り抵抗が高いと静電気防止
能力が十分でなくなる。一方、必要以上に抵抗を下げる
のは導電層を厚くするということになり、資源の有効利
用や産業上の効率から言っても好ましくない。
要な静電気防止能は、表面抵抗で表せば１０2 〜１０6
Ω／□の範囲が好ましい。余り抵抗が高いと静電気防止
能力が十分でなくなる。一方、必要以上に抵抗を下げる
のは導電層を厚くするということになり、資源の有効利
用や産業上の効率から言っても好ましくない。
【０００８】なお、光学的に等方的なフィルムの材料と
しては、ＣＴＡ、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート等があるが、透明性や価格の問
題から、ＣＴＡが好ましい。ＣＴＡは、パルプを原料と
してセルロース分子中にある３個のＯＨ基をアセチル化
して化学的に変性することによりセルロース系プラスチ
ックとして得られたものである。
しては、ＣＴＡ、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート等があるが、透明性や価格の問
題から、ＣＴＡが好ましい。ＣＴＡは、パルプを原料と
してセルロース分子中にある３個のＯＨ基をアセチル化
して化学的に変性することによりセルロース系プラスチ
ックとして得られたものである。
【０００９】ＣＴＡは乾燥したセルロースと無水酢酸と
反応させ得ることができる。反応を終了させるには多量
の水を加える。ＣＴＡのフィルムは通常、乾式製膜法と
呼ばれる溶剤溶液の流延キャスト成形法で、これは直径
１．５〜４ｍの大型回転ドラムの表面または内面に溶液
を流延するドラム法、または、長尺のエンドレスベルト
の上に流延するベルト法により、ゆっくり溶剤を蒸発乾
燥させ、剥離してフィルムを得る、いわゆる、キャスト
法である。この方法で製造されたＣＴＡのフィルムはフ
ィシュアイやゲル粒子が少なく、透明性、光沢、光学等
方性ともに優れた性質を有しているのである。
反応させ得ることができる。反応を終了させるには多量
の水を加える。ＣＴＡのフィルムは通常、乾式製膜法と
呼ばれる溶剤溶液の流延キャスト成形法で、これは直径
１．５〜４ｍの大型回転ドラムの表面または内面に溶液
を流延するドラム法、または、長尺のエンドレスベルト
の上に流延するベルト法により、ゆっくり溶剤を蒸発乾
燥させ、剥離してフィルムを得る、いわゆる、キャスト
法である。この方法で製造されたＣＴＡのフィルムはフ
ィシュアイやゲル粒子が少なく、透明性、光沢、光学等
方性ともに優れた性質を有しているのである。
【００１０】なお、ＣＴＡのフィルムに耐候性を増すた
めに、フィルムに中にＵＶ吸収剤を含ませることが有効
であることは当業者にとっては常識であろう。
めに、フィルムに中にＵＶ吸収剤を含ませることが有効
であることは当業者にとっては常識であろう。
【００１１】次にこの光等方性フィルム上に透明導電層
を設ける必要があるのであるが、ＣＴＡは表面の化学的
な安定性が悪く、直接透明導電層を設けると透明性が低
下し、また、密着性に劣ることを見いだした。そこで、
表面を保護し、透明導電層の密着性を向上させるために
ＣＴＡ上に透明高分子層として他の樹脂を塗布する。塗
布樹脂としては、シリコーン系、アクリル系又はアクリ
ル−シリコンーン系の樹脂が好ましく用いられるが、必
ずしもこれらに限定されるものではない。
を設ける必要があるのであるが、ＣＴＡは表面の化学的
な安定性が悪く、直接透明導電層を設けると透明性が低
下し、また、密着性に劣ることを見いだした。そこで、
表面を保護し、透明導電層の密着性を向上させるために
ＣＴＡ上に透明高分子層として他の樹脂を塗布する。塗
布樹脂としては、シリコーン系、アクリル系又はアクリ
ル−シリコンーン系の樹脂が好ましく用いられるが、必
ずしもこれらに限定されるものではない。
【００１２】通常、シリコーン系の樹脂はＳｉ−Ｏ−Ｓ
ｉ（シロキサン結合）を基本とし、置換基として、メチ
ル基、エチル基、フェニル基をもつ有機ポリシロキサン
の重合体であって、珪素と炭素を含む無機性のポリマー
である。これらの元素からのグルーピングの数と種類に
よって多数のシリコーン系樹脂を作ることができる。
ｉ（シロキサン結合）を基本とし、置換基として、メチ
ル基、エチル基、フェニル基をもつ有機ポリシロキサン
の重合体であって、珪素と炭素を含む無機性のポリマー
である。これらの元素からのグルーピングの数と種類に
よって多数のシリコーン系樹脂を作ることができる。
【００１３】アクリル−シリコーン系の樹脂として知ら
れているものは２つのタイプの反応機構がある。１つは
シリコン架橋によるもの、他はシリコン架橋とアミノ架
橋を併用したものである。シリコン架橋タイプは、アク
リル主鎖に加水分解性アルコキシシリル基を含有するア
クリルシリコンオリゴマーを主剤としている。樹脂の骨
格がアクリル樹脂になっている点は、シラン系の樹脂と
は違うが、反応機構は加水分解反応から縮合反応と進
み、シラン系と同じである。シリコン架橋・エポシキ−
アミノ架橋併用タイプでは、第３級アミノ基を含有する
アクリル樹脂を主剤に、硬化剤としてエポキシ基、トリ
アルコキシシランを含有したシリコン化合物を使用して
いる。主剤中の第３級アミノ基と硬化剤中のエポキシ基
の反応と、硬化剤中のトリアルコキシシランの加水分解
から縮合反応に続くシロキサン結合の形成が同時に進む
ことによって緻密な樹脂を得ることができる。
れているものは２つのタイプの反応機構がある。１つは
シリコン架橋によるもの、他はシリコン架橋とアミノ架
橋を併用したものである。シリコン架橋タイプは、アク
リル主鎖に加水分解性アルコキシシリル基を含有するア
クリルシリコンオリゴマーを主剤としている。樹脂の骨
格がアクリル樹脂になっている点は、シラン系の樹脂と
は違うが、反応機構は加水分解反応から縮合反応と進
み、シラン系と同じである。シリコン架橋・エポシキ−
アミノ架橋併用タイプでは、第３級アミノ基を含有する
アクリル樹脂を主剤に、硬化剤としてエポキシ基、トリ
アルコキシシランを含有したシリコン化合物を使用して
いる。主剤中の第３級アミノ基と硬化剤中のエポキシ基
の反応と、硬化剤中のトリアルコキシシランの加水分解
から縮合反応に続くシロキサン結合の形成が同時に進む
ことによって緻密な樹脂を得ることができる。
【００１４】本発明でいうアクリル系樹脂とは紫外線
（ＵＶ）硬化型の樹脂のことであり、具体的にはウレタ
ン−アクリレート、エポキシ−アクリレート、ポリエス
テル−アクリレートを挙げることができる。これらの樹
脂は２５０〜４５０ｎｍの紫外線のエネルギーを吸収す
ることにより、モノマーが反応し、３次元架橋を形成す
る樹脂である。ＵＶ樹脂は、重合性オリゴマー、モノマ
ーを樹脂の主要素とし、紫外線によりラジカルを発生す
る光重合開始剤、増感剤、レベリング剤等の添加物、顔
料、必要に応じて溶剤から構成される。重合性オリゴマ
ーはＵＶ樹脂を構成するものの中で最終物性を決定する
基本要素である。オリゴマーは、アクリレートの形で二
重結合を付与されたアクリル系である。オリゴマーの種
類は、その主骨格により、ウレタンーアクリレート、エ
ポキシーアクリレート、ポリエステルアクリレート等に
分類される。
（ＵＶ）硬化型の樹脂のことであり、具体的にはウレタ
ン−アクリレート、エポキシ−アクリレート、ポリエス
テル−アクリレートを挙げることができる。これらの樹
脂は２５０〜４５０ｎｍの紫外線のエネルギーを吸収す
ることにより、モノマーが反応し、３次元架橋を形成す
る樹脂である。ＵＶ樹脂は、重合性オリゴマー、モノマ
ーを樹脂の主要素とし、紫外線によりラジカルを発生す
る光重合開始剤、増感剤、レベリング剤等の添加物、顔
料、必要に応じて溶剤から構成される。重合性オリゴマ
ーはＵＶ樹脂を構成するものの中で最終物性を決定する
基本要素である。オリゴマーは、アクリレートの形で二
重結合を付与されたアクリル系である。オリゴマーの種
類は、その主骨格により、ウレタンーアクリレート、エ
ポキシーアクリレート、ポリエステルアクリレート等に
分類される。
【００１５】上記樹脂の塗布方法は、特に限定されるも
のではないが、モノマーをロールコーター、リバースロ
ールコーター、グラビアコーター、マイクログラビアコ
ーター、コンマコーター等の塗布方法でフィルム上に塗
布し、熱もしくは紫外光によりモノマーを重合し樹脂層
を得る方法や、溶剤に樹脂を溶かし、その溶液を上記方
法でフィルム上に塗布し、その後に溶剤を除去し樹脂層
を得る方法がある。
のではないが、モノマーをロールコーター、リバースロ
ールコーター、グラビアコーター、マイクログラビアコ
ーター、コンマコーター等の塗布方法でフィルム上に塗
布し、熱もしくは紫外光によりモノマーを重合し樹脂層
を得る方法や、溶剤に樹脂を溶かし、その溶液を上記方
法でフィルム上に塗布し、その後に溶剤を除去し樹脂層
を得る方法がある。
【００１６】上記樹脂の厚さは１〜２０μｍが適当であ
り、これよりもあまり薄すぎると保護層としての効果が
薄くなり、一方、あまり厚すぎると光等方性が損なわれ
る。
り、これよりもあまり薄すぎると保護層としての効果が
薄くなり、一方、あまり厚すぎると光等方性が損なわれ
る。
【００１７】本発明においては、上記樹脂層により透明
高分子層を形成した上に透明導電層を形成する。本発明
で用いられる透明導電層には、好ましくは導電性金属酸
化物の薄膜が用いられるが、透明性を阻害しない限りに
おいて、金属薄膜を用いてもよい。導電性金属酸化物層
としては、酸化錫を添加した酸化インジウム、酸化アル
ミを添加した酸化亜鉛、酸化珪素を添加した酸化亜鉛、
ガリウムを添加した酸化錫、アンチモンを添加した酸化
錫、酸化カドミウム、インジウムとマグネシウムのスピ
ネル構造の酸化物等を挙げることができる。また、酸化
チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ビスマ
ス、酸化タンタル、酸化モリブデン、酸化タングステ
ン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化珪素等で金属を
サンドイッチした構造をとった薄膜でも実用に供するこ
とができる。即ち、酸化チタン／銀／酸化チタン、酸化
ジルコニウム／クロム／酸化ジルコニウムといった構造
である。また、金属的な性質を有する金属間化合物も金
属の代わりに用いることもできる。例えば、窒化チタ
ン、窒化クロム、窒化ジルコニウム、炭化チタン、炭化
ジルコニウム、ホウ化チタン等である。
高分子層を形成した上に透明導電層を形成する。本発明
で用いられる透明導電層には、好ましくは導電性金属酸
化物の薄膜が用いられるが、透明性を阻害しない限りに
おいて、金属薄膜を用いてもよい。導電性金属酸化物層
としては、酸化錫を添加した酸化インジウム、酸化アル
ミを添加した酸化亜鉛、酸化珪素を添加した酸化亜鉛、
ガリウムを添加した酸化錫、アンチモンを添加した酸化
錫、酸化カドミウム、インジウムとマグネシウムのスピ
ネル構造の酸化物等を挙げることができる。また、酸化
チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ビスマ
ス、酸化タンタル、酸化モリブデン、酸化タングステ
ン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化珪素等で金属を
サンドイッチした構造をとった薄膜でも実用に供するこ
とができる。即ち、酸化チタン／銀／酸化チタン、酸化
ジルコニウム／クロム／酸化ジルコニウムといった構造
である。また、金属的な性質を有する金属間化合物も金
属の代わりに用いることもできる。例えば、窒化チタ
ン、窒化クロム、窒化ジルコニウム、炭化チタン、炭化
ジルコニウム、ホウ化チタン等である。
【００１８】金属としては、金、銀、銅、パラジウム、
白金等の貴金属の薄膜が好ましく用いられる。
白金等の貴金属の薄膜が好ましく用いられる。
【００１９】これらの薄膜は湿式の塗布や乾式のコーテ
ィングを用いて作製することができる。湿式の塗布は具
体的にはゾルゲル法であり、また、導電性の粒子を例え
ば水系の樹脂に混ぜて、グラビアコーター法やリバース
コーター法、スピンコーター法、スプレー法で塗布し乾
燥させることで導電性の塗膜を得ることができる。乾式
のコーティング法とは、真空を用いるコーティング法で
あり、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
法、クラスターイオンビーム法等がある。
ィングを用いて作製することができる。湿式の塗布は具
体的にはゾルゲル法であり、また、導電性の粒子を例え
ば水系の樹脂に混ぜて、グラビアコーター法やリバース
コーター法、スピンコーター法、スプレー法で塗布し乾
燥させることで導電性の塗膜を得ることができる。乾式
のコーティング法とは、真空を用いるコーティング法で
あり、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
法、クラスターイオンビーム法等がある。
【００２０】本発明における透明導電層の膜厚は特に限
定を受けるものではないが、必要な表面抵抗を得られる
範囲であればよく、薄膜を形成する材料の非抵抗にもよ
るがおおむね１〜１００ｎｍの範囲であると考えてよ
い。あまり薄すぎると薄膜の安定性が損なわれ、一方、
余り厚すぎると透明性を損なうことがある。
定を受けるものではないが、必要な表面抵抗を得られる
範囲であればよく、薄膜を形成する材料の非抵抗にもよ
るがおおむね１〜１００ｎｍの範囲であると考えてよ
い。あまり薄すぎると薄膜の安定性が損なわれ、一方、
余り厚すぎると透明性を損なうことがある。
【００２１】フィルムに対する樹脂や金属酸化物層の密
着性を向上させる目的でフィルムに表面に、コロナ放電
処理、グロー放電処理、プラズマ処理、表面粗面化処
理、化学薬品処理、レーザー照射処理等を行うことが有
効であることは当業者にとって容易に類推できるであろ
う。
着性を向上させる目的でフィルムに表面に、コロナ放電
処理、グロー放電処理、プラズマ処理、表面粗面化処
理、化学薬品処理、レーザー照射処理等を行うことが有
効であることは当業者にとって容易に類推できるであろ
う。
【００２２】上記の構成の静電気防止フィルムを用いて
偏光フィルムを作製する。偏光フィルムにはヨウ素系偏
光フィルムと染料系偏光フィルムがある。前者はＰＶＡ
の薄いフィルムにヨウ素を吸着させた後ホウ酸浴中で３
〜４倍に一軸延伸したものであり、ヨウ素がＰＶＡ中で
高分子状の錯体を形成している。後者は、ＰＶＡフィル
ムに二色性の高い染料を拡散吸着させ、前者同様に延伸
したもので、実用にあたっては両者ともに、ＰＶＡ保護
のために、上記静電気防止能を有するＣＡＴフィルムで
サンドイッチされ、本発明になる偏光フィルムを得ると
ができるのである。さらに、この偏光フィルムの片側に
粘着層、他の側に表面保護のポリエステルフィルムを積
層させてもかまわない。
偏光フィルムを作製する。偏光フィルムにはヨウ素系偏
光フィルムと染料系偏光フィルムがある。前者はＰＶＡ
の薄いフィルムにヨウ素を吸着させた後ホウ酸浴中で３
〜４倍に一軸延伸したものであり、ヨウ素がＰＶＡ中で
高分子状の錯体を形成している。後者は、ＰＶＡフィル
ムに二色性の高い染料を拡散吸着させ、前者同様に延伸
したもので、実用にあたっては両者ともに、ＰＶＡ保護
のために、上記静電気防止能を有するＣＡＴフィルムで
サンドイッチされ、本発明になる偏光フィルムを得ると
ができるのである。さらに、この偏光フィルムの片側に
粘着層、他の側に表面保護のポリエステルフィルムを積
層させてもかまわない。
【００２３】
【実施例】以下に、実施例および比較例を挙げて本発明
をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えな
い範囲で、以下の実施例に限定されるのではない。な
お、表面抵抗は４端子法で測定した。 ＜実施例１＞ＣＴＡフィルム（リターデーション値１ｎ
ｍ；０．１ｍｍ厚）にシリコーン系樹脂を１０μｍ厚塗
布して、次に、真空蒸着法でアルミを５重量％添加した
酸化亜鉛の５０ｎｍの薄膜を作製した。表面抵抗を測定
したところ６００Ω／□であった。
をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えな
い範囲で、以下の実施例に限定されるのではない。な
お、表面抵抗は４端子法で測定した。 ＜実施例１＞ＣＴＡフィルム（リターデーション値１ｎ
ｍ；０．１ｍｍ厚）にシリコーン系樹脂を１０μｍ厚塗
布して、次に、真空蒸着法でアルミを５重量％添加した
酸化亜鉛の５０ｎｍの薄膜を作製した。表面抵抗を測定
したところ６００Ω／□であった。
【００２４】＜実施例２＞ＣＴＡフィルム（リターデー
ション値１ｎｍ；０．１ｍｍ厚）にウレタン−アクリレ
ート樹脂を５μｍ厚に塗布し、次に、スパッタ法で錫を
５重量％添加した酸化インジウムの２０ｎｍの薄膜を形
成した。表面抵抗を測定したところ５００Ω／□であっ
た。
ション値１ｎｍ；０．１ｍｍ厚）にウレタン−アクリレ
ート樹脂を５μｍ厚に塗布し、次に、スパッタ法で錫を
５重量％添加した酸化インジウムの２０ｎｍの薄膜を形
成した。表面抵抗を測定したところ５００Ω／□であっ
た。
【００２５】＜実施例３＞ＣＴＡフィルム（リターデー
ション値１ｎｍ；０．１ｍｍ厚）にＵＶ硬化のアクリレ
ート樹脂を８μｍ厚に塗布し、次に、スパッタ法で錫を
５重量％添加した酸化インジウムの２０ｎｍの薄膜を形
成した。表面抵抗を測定したところ８００Ω／□であっ
た。
ション値１ｎｍ；０．１ｍｍ厚）にＵＶ硬化のアクリレ
ート樹脂を８μｍ厚に塗布し、次に、スパッタ法で錫を
５重量％添加した酸化インジウムの２０ｎｍの薄膜を形
成した。表面抵抗を測定したところ８００Ω／□であっ
た。
【００２６】＜比較例１＞ＣＴＡフィルム（リターデー
ション値１ｎｍ；０．１ｍｍ厚）に直接スパッタ法で錫
を５重量％添加した酸化インジウムの２０ｎｍの薄膜を
形成した。表面抵抗は７００Ω／□であった。
ション値１ｎｍ；０．１ｍｍ厚）に直接スパッタ法で錫
を５重量％添加した酸化インジウムの２０ｎｍの薄膜を
形成した。表面抵抗は７００Ω／□であった。
【００２７】実施例１〜３、比較例１で作製した静電気
防止フィルムを用いて、透明導電層の密着性をＪＩＳ−
Ｋ５４００に基づいた碁盤目法により測定しところ、実
施例１〜３に関しては１０点、比較例１に関しては０点
となった。試験後の表面抵抗を測定したところ、実施例
１〜３に関しては抵抗値の変化がなかったが、比較例１
に関しては抵抗は１０6 Ω／□以上になった。
防止フィルムを用いて、透明導電層の密着性をＪＩＳ−
Ｋ５４００に基づいた碁盤目法により測定しところ、実
施例１〜３に関しては１０点、比較例１に関しては０点
となった。試験後の表面抵抗を測定したところ、実施例
１〜３に関しては抵抗値の変化がなかったが、比較例１
に関しては抵抗は１０6 Ω／□以上になった。
【００２８】透明性を分光器で平行光線透過率として測
定したところ、実施例１〜３では光の波長が５５０ｎｍ
において８８％以上であったのに対し、比較例１では７
５％にまで減少していた。以上の結果を表１に示す。
定したところ、実施例１〜３では光の波長が５５０ｎｍ
において８８％以上であったのに対し、比較例１では７
５％にまで減少していた。以上の結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】＜実施例４＞実施例１で作製した静電気防
止フィルムで、ＰＶＡにヨウ素を吸着させ１軸延伸によ
り作製したフィルムをサンドイッチし、偏光フィルムを
作製した。その実施の形態の断面図を図２に示す。
止フィルムで、ＰＶＡにヨウ素を吸着させ１軸延伸によ
り作製したフィルムをサンドイッチし、偏光フィルムを
作製した。その実施の形態の断面図を図２に示す。
【００３１】この様にして作製した偏光フィルムにポリ
エチレンのマスキングフィルムをラミネートし、それを
剥離して１分後に表面電位を測定したところ１０Ｖ以下
であった。
エチレンのマスキングフィルムをラミネートし、それを
剥離して１分後に表面電位を測定したところ１０Ｖ以下
であった。
【００３２】＜比較例２＞比較例１で作製したフィルム
を用いて、実施例４と同様に偏光フィルムを作製し、同
様の方法で表面電位を測定したところ、１ｋＶの残留電
位を検出した。
を用いて、実施例４と同様に偏光フィルムを作製し、同
様の方法で表面電位を測定したところ、１ｋＶの残留電
位を検出した。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、静電気防止能を有した
光等方性フィルム、すなわち静電気防止フィルムを得る
ことができ、さらに、該フィルムを用いて静電気防止能
を有する偏光フィルムを得ることができる。
光等方性フィルム、すなわち静電気防止フィルムを得る
ことができ、さらに、該フィルムを用いて静電気防止能
を有する偏光フィルムを得ることができる。
【図１】本発明の静電気防止フィルムの断面図
【図２】本発明の静電気防止フィルムを用いて作製した
偏光フィルムの断面図
偏光フィルムの断面図
１０ 光等方性フィルム ２０ 透明高分子層 ３０ 透明導電層 ４０ ヨウ素を吸着させ１軸延伸したＰＶＡフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 1/08 Ｈ０１Ｂ 1/08 5/14 5/14 Ａ
Claims (5)
- 【請求項１】 リターデーション値が０．１〜１０ｎｍ
である透明な光等方性フィルムの主面に、１〜２０μｍ
の透明高分子層を形成し、さらに、その上に表面抵抗が
１０2 〜１０6 Ω／□の透明導電層を形成した静電気防
止フィルム。 - 【請求項２】 透明な光等方性フィルムが、セルロース
トリアセテートである請求項１に記載の静電気防止フィ
ルム。 - 【請求項３】 透明高分子層が、シリコーン系、アクリ
ル系又はシリコーンアクリル系である請求項１又は２に
記載の静電気防止フィルム。 - 【請求項４】 透明導電層がインジウム酸化物を主体と
する酸化物または錫酸化物を主体とする酸化物である請
求項１〜３のいずれかに記載の静電気防止フィルム。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の静電気
防止フィルムを少なくとも１枚用いて偏光能力を有する
フィルムを挟み込んだ構造を有する偏光フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203744A JPH1044286A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 静電気防止フィルムおよびそれを用いた偏光フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203744A JPH1044286A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 静電気防止フィルムおよびそれを用いた偏光フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1044286A true JPH1044286A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=16479137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8203744A Pending JPH1044286A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 静電気防止フィルムおよびそれを用いた偏光フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1044286A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040020085A (ko) * | 2002-08-29 | 2004-03-09 | 서광석 | 액정디스플레이용 투명 대전방지 트리아세틸 셀룰로오즈필름 |
| KR100648220B1 (ko) | 2004-05-14 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치용 도전성 편광판 |
| US7154045B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-12-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
| JP2013011853A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 複合偏光板および液晶表示装置 |
| JP2020127033A (ja) * | 2014-08-21 | 2020-08-20 | ソニー株式会社 | 撮像素子及び固体撮像装置 |
| CN115043644A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-09-13 | 山东电盾科技股份有限公司 | 一种具有防静电功能的陶瓷手模及其制备工艺 |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP8203744A patent/JPH1044286A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154045B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-12-26 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
| KR20040020085A (ko) * | 2002-08-29 | 2004-03-09 | 서광석 | 액정디스플레이용 투명 대전방지 트리아세틸 셀룰로오즈필름 |
| KR100648220B1 (ko) | 2004-05-14 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치용 도전성 편광판 |
| JP2013011853A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 複合偏光板および液晶表示装置 |
| JP2020127033A (ja) * | 2014-08-21 | 2020-08-20 | ソニー株式会社 | 撮像素子及び固体撮像装置 |
| CN115043644A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-09-13 | 山东电盾科技股份有限公司 | 一种具有防静电功能的陶瓷手模及其制备工艺 |
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