JP5702074B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
(a−1)離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、
(a−2)第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、
を備え、
光電変換材料層は、以下の構造式(1)から成る。
(a−1)離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、
(a−2)第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、
を備え、
光電変換材料層は、以下の構造式(2)から成る。
(a−1)離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、
(a−2)第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、
を備え、
光電変換材料層は、以下の構造式(3)から成る。
1.本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る光電変換素子及び固体撮像装置、全般に関する説明
2.実施例1(本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る光電変換素子及び固体撮像装置)、その他
本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る光電変換素子あるいは本発明の第1の態様乃至第3の態様に係る固体撮像装置を構成する光電変換素子(以下、これらを総称して、『本発明の光電変換素子等』と呼ぶ場合がある)において、光入射側の電極は透明導電材料から成る形態とすることが望ましい。尚、係る電極を『透明電極』と呼ぶ。ここで、透明電極を構成する透明導電材料として、インジウム−錫酸化物(ITO,SnドープのIn2O3、結晶性ITO及びアモルファスITOを含む)、IFO(FドープのIn2O3)、酸化錫(SnO2)、ATO(SbドープのSnO2)、FTO(FドープのSnO2)、酸化亜鉛(AlドープのZnOやBドープのZnO、GaドープのZnOを含む)、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)、酸化チタン(TiO2)、スピネル形酸化物、YbFe2O4構造を有する酸化物を例示することができる。尚、このような材料から成る透明電極は、通常、高仕事関数を有し、アノード電極として機能する。透明電極を形成する方法として、透明電極を構成する材料にも依るが、真空蒸着法や反応性蒸着法、各種のスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法(PVD法)、パイロゾル法、有機金属化合物を熱分解する方法、スプレー法、ディップ法、MOCVD法を含む各種の化学的気相成長法(CVD法)、無電解メッキ法、電解メッキ法を挙げることができる。場合によっては、もう一方の電極も透明導電材料から構成してもよい。
λ1/2−λ-1/2≦130(nm)
を満足することが望ましい。更には、
λ1/2 ≦610(nm)
λ-1/2≧480(nm)
を満足することが望ましい。あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の光電変換素子等において、光電変換材料層の光吸収スペクトルは、波長400nm乃至700nmの範囲において1つの極大値を有する構成とすることができる。更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の光電変換素子等において、光電変換材料層の吸収係数α(cm-1)は、1×105以上、好ましくは1.5×105以上であることが望ましい。あるいは又、モル吸収係数ε(dm3・mol-1・cm-1)は、1×104dm3・mol-1・cm-1以上、望ましくは3×104dm3・mol-1・cm-1以上であることが好ましい。
透明導電材料から成る第1電極は、透明な基板上に形成されており、
光電変換材料層は、第1電極上に形成されており、
第2電極は、光電変換材料層上に形成されている構成とすることができる。あるいは又、
第1電極は、基板上に形成されており、
光電変換材料層は、第1電極上に形成されており、
透明導電材料から成る第2電極は、光電変換材料層上に形成されている構成とすることができる。ここで、第1電極と第2電極とは離間されているが、係る離間状態として、第1電極の上方に第2電極が設けられている形態を挙げることができる。
(a−1)離間して設けられた第1電極21及び第2電極22、及び、
(a−2)第1電極21と第2電極22との間に設けられた光電変換材料層30、
を備え、
光電変換材料層30は、上述した構造式(1)、あるいは、上述した構造式(2)、あるいは、上述した構造式(3)から成る。また、実施例1の固体撮像装置は、実施例1の光電変換素子を備えている。
λ1/2 =500nm
λ-1/2=590nm
であり、光電変換材料層30の光吸収スペクトルは、波長450nm乃至650nmの範囲において1つの極大値を有する。更には、光電変換材料層30の吸収係数α(cm-1)は、1×105以上、具体的には、1.53×105(cm-1)であり、また、モル吸収係数ε(dm3・mol-1・cm-1)は、1×104以上、具体的には、5×104dm3・mol-1・cm-1である。従来から屡々用いられているキナクリドンの吸収係数αは1.3×105(cm-1)であり、また、モル吸収係数ε(dm3・mol-1・cm-1)は、
1.4×104(dm3・mol-1・cm-1)である。このように、実施例1における光電変換材料層30を構成する有機材料は、キナクリドンの吸収係数よりも高い吸収係数を有し、光電流の増加を達成することができる。
α(T)≧2.3×107/T
といった関係を満足することが望ましい。
Claims (5)
- (a−1)離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、
(a−2)第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、
を備え、
光電変換材料層は以下の構造式(3)から成り、シリコン半導体基板の上に設けられた光電変換素子、並びに、
光電変換素子の下方に位置するシリコン半導体基板の内部に、1層あるいは複数層、設けられた光電変換領域、
を備えており、
光電変換素子によって緑色の光を受光し、シリコン半導体基板の内部に設けられた光電変換領域によって他の色の光を受光する固体撮像装置。
- 第1電極及び第2電極は透明導電材料から成る請求項1に記載の固体撮像装置。
- 光電変換材料層の光吸収スペクトルにおける光吸収ピークの波長は550±20nmである請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。
- 光電変換材料層の光吸収スペクトルは、波長400nm乃至700nmの範囲において1つの極大値を有する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 光電変換材料層の吸収係数は1×105以上である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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