JP6693336B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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図1は、実施例1の発光素子の構成について示した図である。図1のように、実施例1の発光素子は、サファイアからなる基板10と、基板10上に、AlNからなるバッファ層(図示しない)を介して、n層11、発光層12、p層13の順に積層されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層を有している。さらに電極構造として、透明電極14、絶縁膜15、pコンタクト電極17、nコンタクト電極18、p側反射電極19、n側反射電極20、p配線電極21、n配線電極22を有している。実施例1の発光素子はフェイスアップ型の素子である。
次に、実施例1の発光素子の製造工程について、図3、4を参照に説明する。
(各種変形例)
実施例1の発光素子はフェイスアップ型であったが、本発明の発光素子は、フェイスアップ型以外にもフリップチップ型など任意の構造の発光素子に対して適用することができる。また、本発明は透明電極14およびn層11にコンタクトを取るpコンタクト電極17とnコンタクト電極18とを同時に形成するものであるが、どちらか一方を形成する場合にも本発明は適用することができる。また、p層13に直接コンタクトを取るコンタクト電極を形成する場合にも本発明は適用することができる。また、実施例1の発光素子は、p側反射電極19、n側反射電極20を有しているが、このような反射電極を設けない場合にも本発明は適用することができる。要するに、透明電極あるいは半導体層にコンタクトを取るコンタクト電極を形成する場合に本発明は適用することができる。
11:n層
12:発光層
13:p層
14:透明電極
15:絶縁膜
16A、B:コンタクトホール
17:pコンタクト電極
18:nコンタクト電極
19:p側反射電極
20:n側反射電極
21:p配線電極
22:n配線電極
23:レジスト層
24、24A、24B:金属膜
25:変質層
26:変成層
Claims (4)
- III 族窒化物半導体からなる半導体層または前記半導体層上に設けられた透明電極を覆う絶縁膜を有し、前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホール底面に接するコンタクト電極を形成する発光素子の製造方法において、
前記絶縁膜上に開口部を有したパターンのレジスト層を形成するレジスト層工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記開口部に露出する前記絶縁膜をエッチングして前記コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記コンタクトホール側面に露出する前記絶縁膜をサイドエッチングするサイドエッチング工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記コンタクトホール底面および側面下部に接するコンタクト電極をリフトオフにより形成するコンタクト電極形成工程と、
を有し、
前記コンタクトホール形成工程後、前記コンタクト電極形成工程前に、前記コンタクトホール形成工程において生じた前記レジスト層表面の変成層を除去する変成層除去工程をさらに有する、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記コンタクトホール形成工程後、前記コンタクト電極形成工程前に、前記コンタクトホール形成工程において生じた前記コンタクトホール底面の変質層を除去する変質層除去工程をさらに有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記コンタクト電極形成工程後、前記絶縁膜上、前記コンタクトホール側面および前記コンタクト電極上に連続して反射電極を形成する反射電極形成工程をさらに有する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- III 族窒化物半導体からなり、n層、発光層、p層が順に積層され、前記発光層と前記p層の一部が除去されてn層が露出した半導体層と、
前記p層上に設けられた透明電極と、
前記n層と前記透明電極とを覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を貫通し、底面に前記透明電極が露出する第1コンタクトホールと、
前記絶縁膜を貫通し、底面に前記n層が露出する第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホール底面に接するpコンタクト電極と、
前記第2コンタクトホール底面に接するnコンタクト電極と、
を有する発光素子の製造方法において、
前記絶縁膜上に開口部を有したパターンのレジスト層を形成するレジスト層工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記開口部に露出する前記絶縁膜をエッチングして前記第1コンタクトホールおよび前記第2コンタクトホールを同時に形成するコンタクトホール形成工程と、
前記第1コンタクトホールおよび前記第2コンタクトホールの側面に露出する前記絶縁膜をサイドエッチングするサイドエッチング工程と、
前記レジスト層をマスクとして、前記第1コンタクトホール底面および側面下部に接する前記pコンタクト電極と、前記第2コンタクトホール底面および側面下部に接する前記nコンタクト電極とをリフトオフにより同時に形成するコンタクト電極形成工程と、
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
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