JP2011066048A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子100は、p型層104のp電極103と接合している側の表面には、溝108が形成されている。この溝108は、p型層104、活性層105を貫通し、n型層106に達する深さである。溝108の側面は、p型層104からn型層106に向かうにつれ素子面方向の断面積が減少するよう傾斜している。溝108の底面に接し、溝108の側面には接しないよう補助電極109が形成されている。また、溝108の側面、補助電極109の形成されていない溝108の底面、補助電極109に連続してSiO2 からなる絶縁膜110が形成されている。補助電極109により電流拡散性が向上するため、n電極の面積を低減して光取り出し効率を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
102:低融点金属層
103:p電極
104:p型層
105:活性層
106:n型層
107:n電極
108:溝
109:補助電極
110:絶縁膜
111:発光領域の外周
113:微細な凹凸
Claims (7)
- 導電性の支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記p型層の前記p電極側表面から前記n型層に達する深さの溝と、
前記溝の底面である前記n型層に接し、前記溝の側面には接しない補助電極と、
前記補助電極、および前記溝の底面、側面を覆う透光性を有した絶縁膜と、
を有する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記補助電極の面積は、前記n電極の面積よりも広いことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記溝および前記補助電極は、配線状のパターンである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記溝の側面は、前記溝の素子面方向における断面積が前記n型層側に向かって減少する傾斜を有する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記補助電極の少なくとも一部は、前記n電極の一部ないし全部と対向する位置に形成されている、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記溝および前記補助電極の一部は、発光領域の外側を囲む配線状のパターンであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記補助電極は、V/Al、Ti/Al、V/Au、Ti/Au、またはNi/Auから成ることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
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