JP6623056B2 - 配線基板、半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、配線基板、半導体装置に関する。
従来、配線層と絶縁層とを有する配線基板上に半導体チップをフリップチップ実装した半導体装置が知られている。この場合、配線層の一部がパッドとなり、はんだを介して、半導体チップの電極と接続される。パッドの表面に金属膜等が形成される場合もある（例えば、特許文献１参照）。
特許第５００３８１２号
しかしながら、従来の配線基板では、パッドとなる配線層の表面や、パッド上に形成された金属膜等の表面は、絶縁層の表面と同一平面上（面一）に露出している。そのため、配線基板上に半導体チップを実装する際に、はんだが絶縁層上に流れ出し、隣接するパッド間に形成されたはんだがブリッジして短絡が生じる場合があった。この問題は、特に隣接するパッドの間隔が狭くなるにつれて顕著となり、パッド間の絶縁信頼性を低下させる。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体チップを実装する際のパッド間の絶縁信頼性を向上させた配線基板を提供することを課題とする。
本配線基板は、単層の絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた銅からなる単層の配線層と、を有し、前記配線層の一方の面の全面をなす銅の表面が、前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置に露出しており、前記配線層の他方の面は、前記絶縁層の他方の面から窪んだ位置に部分的に露出しており、前記銅の表面が、半導体チップと接続するための接続パッドとして機能する領域を備えていることを要件とする。
開示の技術によれば、半導体チップを実装する際のパッド間の絶縁信頼性を向上させた配線基板を提供できる。
第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する図である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置を例示する図である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る半導体装置の構造］
まず、第１の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の絶縁層１１と配線層１２のみを示した部分拡大平面図である。なお、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。又、図１（ｂ）では、便宜上、配線層１２を梨地模様で示している。
図１を参照するに、第１の実施の形態に係る半導体装置１は、配線基板１０と、半導体チップ２０と、バンプ３０と、はんだ４０と、アンダーフィル樹脂５０と、モールド樹脂６０とを有している。又、配線基板１０は、絶縁層１１と、配線層１２と、表面処理膜１３とを有している。
なお、本実施の形態では、便宜上、半導体装置１のモールド樹脂６０側を上側又は一方の側、絶縁層１１側を下側又は他方の側とする。又、各部位のモールド樹脂６０側の面を一方の面又は上面、絶縁層１１側の面を他方の面又は下面とする。但し、半導体装置１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を絶縁層１１の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１１の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。
配線基板１０は、単層の絶縁層（絶縁層１１）と単層の配線層（配線層１２）を有している。このような構造により、配線基板１０の薄型化が可能となる。
絶縁層１１は、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の絶縁性樹脂から形成することができる。絶縁層１１を構成する絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂であっても熱可塑性樹脂であっても構わない。又、絶縁層１１は、補強部材を有しても構わない。補強部材としては、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布等を用いることができる。又、絶縁層１１は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを有しても構わない。絶縁層１１の厚さは、例えば、１０〜１００μｍ程度とすることができる。
配線層１２は、絶縁層１１に埋め込まれている。配線層１２の側面及び下面は絶縁層１１に被覆されており、配線層１２の上面の全面は絶縁層１１の上面から窪んだ位置に露出している。言い換えれば、配線層１２の上面と絶縁層１１の上面との間には、段差が形成されている。配線層１２の上面の絶縁層１１の上面に対する窪み量（段差）は、例えば、２〜１０μｍ程度とすることができる。配線層１２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１２の厚さは、例えば、５〜５０μｍ程度とすることができる。なお、段差を形成する部分の絶縁層１１の内壁面は、テーパが形成されず配線層１２の上面に対して略垂直な面となる。
絶縁層１１の下面側には開口部１１ｘが形成されている。開口部１１ｘは、配線層１２の下面を選択的に露出している。配線層１２の下面は絶縁層１１の下面から窪んだ位置に部分的に露出している。開口部１１ｘ内に露出する配線層１２の下面には、表面処理膜１３が形成されている。表面処理膜１３の一例としては、Ａｕ膜や、Ｎｉ／Ａｕ膜（Ｎｉ膜とＡｕ膜をこの順番で積層した金属膜）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜（Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜をこの順番で積層した金属膜）、Ｎｉ／Ｐｄ膜（Ｎｉ膜とＰｄ膜とをこの順番で積層した金属膜）、Ａｇ膜、はんだめっき膜等の金属膜を挙げることができる。又、表面処理膜１３の他の例としては、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等により形成される酸化防止膜を挙げることができる。なお、ＯＳＰ処理により形成される酸化防止膜は、アゾール化合物やイミダゾール化合物等からなる有機被膜である。
表面処理膜１３の下面側に、外部接続端子としてはんだバンプ９０を形成してもよい。はんだバンプ９０の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。但し、はんだバンプ９０の形成は必須ではなく、はんだバンプ９０は必要なときに適宜形成することができる。
半導体チップ２０は、配線基板１０の絶縁層１１の上面側にフリップチップ実装されている。具体的には、半導体チップ２０には金バンプや銅ポスト等のバンプ３０が形成され、バンプ３０は、はんだ４０により、配線基板１０の配線層１２の上面と接続されている。言い換えれば、配線層１２の上面のはんだ４０が形成されている領域は、半導体チップ２０と接続するための接続パッドとして機能している。はんだ４０の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
このように、配線基板１０では、配線層１２の上面側が電子部品搭載面であり、下面側が外部接続端子形成面である。
アンダーフィル樹脂５０は、半導体チップ２０と配線基板１０の上面側との間に充填されている。アンダーフィル樹脂５０の材料としては、例えば、流動性に優れたエポキシ系樹脂等を用いることができる。モールド樹脂６０は、配線基板１０の上面側、半導体チップ２０及びアンダーフィル樹脂５０を被覆するように、配線基板１０上に形成された封止樹脂である。モールド樹脂６０の材料としては、例えば、剛性に優れたエポキシ系樹脂等を用いることができる。エポキシ系樹脂等の流動性や剛性は、例えば、樹脂自体の組成や含有するフィラーの種類や量等により調整することができる。但し、アンダーフィル樹脂５０は設けずに、モールド樹脂６０のみを設けてもよい。
［第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図６は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。
まず、図２（ａ）に示す工程では、上面が平坦面である支持体３００を準備する。支持体３００としては、例えば、プリプレグ３１０の両面にキャリア付き金属箔３２０が積層されたものを用いることができる。支持体３００の厚さは、例えば５０〜５００μｍ程度とすることができる。
プリプレグ３１０は、例えば、ガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布（図示せず）にエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含侵させたものである。キャリア付き金属箔３２０は、銅からなる厚さ１０〜５０μｍ程度の厚箔（キャリア箔）３２２上に、剥離層（図示せず）を介して、銅からなる厚さ１．５〜５μｍ程度の薄箔３２１が剥離可能な状態で貼着されたものである。厚箔３２２は、薄箔３２１の取り扱いを容易にするための支持材として設けられている。厚箔３２２は、プリプレグ３１０に接着されている。
次に、図２（ｂ）に示す工程では、両側の薄箔３２１上に、配線層１２を形成する部分に開口部３４０ｘを備えたレジスト層３４０を形成する。具体的には、例えば、両側の薄箔３２１上に、レジスト層３４０として感光性樹脂からなるドライフィルムレジストをラミネートする。そして、ドライフィルムレジストを露光及び現像によりパターニングし、配線層１２を形成する部分に薄箔３２１を露出する開口部３４０ｘを形成する。
次に、図２（ｃ）に示す工程では、例えば、キャリア付き金属箔３２０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、レジスト層３４０の開口部３４０ｘ内に露出する薄箔３２１上に配線層１２を形成する。
次に、図３（ａ）に示す工程では、図２（ｃ）に示すレジスト層３４０を剥離する。レジスト層３４０は、例えば、水酸化ナトリウム等を含有する剥離液を用いて剥離できる。
次に、図３（ｂ）に示す工程では、両側の薄箔３２１上に、配線層１２を選択的に露出する開口部１１ｘを備えた絶縁層１１を形成する。具体的には、両側の薄箔３２１上に配線層１２を被覆するように、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂をラミネートする。或いは、両側の薄箔３２１上に配線層１２を被覆するように、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷法、スピンコート法等により塗布する。そして、ラミネート又は塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させ、絶縁層１１を作製する。必要に応じて、加圧しながら加熱してもよい。
絶縁層１１として感光性樹脂を用いた場合には、開口部１１ｘは絶縁層１１を露光及び現像することで形成できる（フォトリソグラフィ法）。絶縁層１１として非感光性の絶縁性樹脂を用いた場合には、開口部１１ｘをレーザ加工法やブラスト処理等により形成することができる。
なお、絶縁層１１を形成する前に配線層１２の表面を公知の方法で粗化し、絶縁層１１との密着性を向上させてもよい。
次に、図３（ｃ）に示す工程では、開口部１１ｘの底部に露出する配線層１２上に、例えば無電解めっき法等により表面処理膜１３を形成する。表面処理膜１３は、例えば、前述の金属膜とすることができる。表面処理膜１３として、ＯＳＰ処理等により酸化防止膜（有機被膜）を形成してもよい。
次に、図４（ａ）に示す工程では、両側の絶縁層１１上に、剥離可能な接着層４００を介して第２支持体４１０を形成する。接着層４００及び第２支持体４１０は、薄箔３２１をエッチングで除去する工程等における耐薬品性を有し、かつ、半導体チップ２０を実装する工程以降での熱負荷に対する耐熱性を有する材料を選択することが好ましい。接着層４００としては、例えば、エポキシ系の接着剤等を用いることができる。第２支持体４１０としては、例えば、ポリイミドフィルム、金属箔、セラミック板、樹脂板等を用いることができる。
次に、図４（ｂ）に示す工程では、支持体３００の一部を除去する。具体的には、支持体３００に機械的な力を加え、両側のキャリア付き金属箔３２０の薄箔３２１と厚箔３２２との界面を剥離する。前述のように、キャリア付き金属箔３２０は、厚箔３２２上に剥離層（図示せず）を介して薄箔３２１が貼着された構造を有するため、厚箔３２２は、剥離層（図示せず）とともに薄箔３２１から容易に剥離する。
これにより、薄箔３２１のみが絶縁層１１側に残り、支持体３００を構成する他の部材（プリプレグ３１０及び厚箔３２２）が除去される。なお、図４（ｂ）では支持体３００の一部を除去した後の１つの積層体のみを示しているが、同様の積層体がもう１つ形成される。以降の図では、１つの積層体のみを図示して説明する。
次に、図４（ｃ）に示す工程では、エッチングにより銅からなる薄箔３２１（図４（ｂ）参照）を除去する。銅からなる薄箔３２１は、例えば、過酸化水素／硫酸系水溶液や、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。
次に、図５（ａ）に示す工程では、配線層１２の上面をエッチングする。これにより、配線層１２の上面は絶縁層１１の上面から窪み、配線層１２の上面と絶縁層１１の上面との間に段差が形成される。配線層１２の上面の絶縁層１１の上面に対する窪み量（段差）は、例えば、２〜１０μｍ程度とすることができる。配線層１２が銅からなる場合には、図４（ｃ）に示す工程で用いたエッチング液を用いることができる。
配線層１２の上面をエッチングした後、プラズマ処理等により、配線層１２の上面の清浄化を行う。これにより、例えば配線層１２が銅からなり、配線層１２の上面が酸化して酸化銅が形成されている場合には酸化銅が還元され、又、油分等の有機被膜が除去され、清浄化された銅の表面が絶縁層１１から窪んだ位置に露出する。この工程により、配線基板１０が完成する。
次に、図５（ｂ）に示す工程では、半導体チップ２０を配線基板１０上にフリップチップ実装する。具体的には、配線層１２の上面の所定領域にクリームはんだ等を塗布し、バンプ３０がクリームはんだ等の上に位置するように、半導体チップ２０を配線基板１０上に配置する。そして、リフロー等により、クリームはんだ等を溶融後凝固させ、はんだ４０とする。これにより、バンプ３０が、はんだ４０により配線層１２の上面と接続され、半導体チップ２０が配線基板１０上にフリップチップ実装される。
ここで、配線層１２の上面よりも絶縁層１１の上面の方が高いため、クリームはんだ等が溶融した際に、溶融したはんだの余剰部分が配線層１２の上面から絶縁層１１の上面に流れ出すことを防止できる。その結果、半導体チップ２０と接続するための接続パッド（配線層１２の上面のはんだ４０が形成されている領域）間の距離が狭くなった場合でも、隣接するはんだ４０がブリッジして短絡することを防止可能となり、パッド間の絶縁信頼性を向上できる。特に、段差を形成する部分の絶縁層１１の内壁面は、テーパが形成されず配線層１２の上面に対して略垂直な面となることから、クリームはんだ等が溶融した際に絶縁層１１の上面に流れ出すことを防止するダムとして大きな効果を発揮する。
なお、従来は、はんだの流れ出しを防止するため、はんだを溶融させる前にアンダーフィル樹脂を形成する工程を行う場合があった。しかし、半導体装置１では、上記のように、はんだの流れ出しを防止する対策が採られているため、はんだを溶融させる前にアンダーフィル樹脂を形成する工程を採用する必要はない。
又、図５（ａ）に示す工程で、プラズマ処理等により配線層１２の上面の清浄化を行っていることから、配線層１２の上面に特別な表面処理膜（金属膜や有機被膜）を形成することなく、高いはんだ濡れ性を確保することができる。そのため、配線層１２の上面とはんだ４０との接続信頼性を向上できる。
又、一般に、配線層１２の上面に表面処理膜を形成すると、表面処理膜の上面の粗度は配線層１２の上面の粗度よりも小さくなる（滑らかになる）ため、アンダーフィル樹脂５０やモールド樹脂６０との密着性が低下する。半導体装置１では、配線層１２の上面に表面処理膜を形成していないため、配線層１２の上面とアンダーフィル樹脂５０やモールド樹脂６０との密着性を維持することができる。
次に、図５（ｃ）に示す工程では、半導体チップ２０と配線基板１０との間にアンダーフィル樹脂５０を形成する。そして、図６（ａ）に示す工程では、半導体チップ２０及びアンダーフィル樹脂５０を封止するように、配線基板１０上にモールド樹脂６０を形成する。その後、図６（ｂ）に示す工程では、接着層４００及び第２支持体４１０を除去する。そして、図６（ｃ）に示す工程では、必要に応じ、表面処理膜１３の下面側に、はんだバンプ９０を形成する。これにより、図１に示す半導体装置１が完成する。但し、図５（ｃ）に示す工程は設けなくてもよい。この場合には、アンダーフィル樹脂５０は形成されずに、モールド樹脂６０のみが形成される。
このように、半導体装置１では、配線層１２の上面よりも絶縁層１１の上面の方が高いため、半導体チップ２０を実装する際に、配線基板１０と半導体チップ２０とを接続するはんだ材料が、絶縁層１１の上面に流れ出すことを防止できる。その結果、半導体チップ２０と接続するための接続パッド（配線層１２の上面のはんだ４０が形成されている領域）間の距離が狭くなった場合でも、隣接するはんだ４０がブリッジして短絡することを防止可能となり、パッド間の絶縁信頼性を向上できる。
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、配線層１２の上面に選択的に表面処理膜を設け、はんだ４０と配線層１２との間に表面処理膜を介在させる例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図７は、第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置を例示する図であり、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の絶縁層１１と配線層１２と表面処理膜１５のみを示した部分拡大平面図である。なお、図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。又、図７（ｂ）では、便宜上、配線層１２及び表面処理膜１５を梨地模様で示している。
図７を参照するに、第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置１Ａは、配線基板１０Ａを備えており、配線基板１０Ａにおいて配線層１２の上面に選択的に表面処理膜１５が形成されている点が半導体装置１（図１参照）と相違する。はんだ４０は、表面処理膜１５上に形成され、半導体チップ２０のバンプ３０と表面処理膜１５とを接続している。表面処理膜１５としては、例えば、表面処理膜１３と同様の金属膜や酸化防止膜（有機被膜）を用いることができる。
このように、配線層１２の上面に選択的に表面処理膜１５を形成してもよい。この場合にも、配線層１２の上面よりも絶縁層１１の上面の方が高いため、半導体チップ２０を実装するクリームはんだ等が溶融した際に、溶融したはんだの余剰部分が表面処理膜１５の上面から配線層１２の上面の表面処理膜１５が形成されていない領域に流れる。そのため、溶融したはんだの余剰部分が絶縁層１１の上面に流れ出すことを防止できる。
なお、半導体装置１Ａでは、表面処理膜１５を形成することにより高いはんだ濡れ性を確保しているため、第１の実施の形態の図５（ａ）に示す工程で説明したプラズマ処理等の清浄化は行わなくてもよい。
又、第１の実施の形態の変形例１では、配線層１２の上面に選択的に表面処理膜１５を形成する例を示したが、配線層１２の上面の全面に表面処理膜１５を形成してもよい。但し、この場合には、表面処理膜１５の上面を絶縁層１１の上面から窪んだ位置に露出させる必要がある。言い換えれば、表面処理膜１５の上面と絶縁層１１の上面との間に段差を形成する必要がある。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、配線層１２を形成する際に、台形又は逆台形状に形成することで、絶縁層１１の内壁面をテーパ状又は逆テーパ状としてもよい。
又、絶縁層１１及び配線層１２上に、アンダーフィル樹脂を先に設けてから、半導体チップをフリップチップ接続してもよい。
１、１Ａ 半導体装置
１０、１０Ａ 配線基板
１１ 絶縁層
１１ｘ、３４０ｘ 開口部
１２ 配線層
１３、１５ 表面処理膜
２０ 半導体チップ
３０ バンプ
４０ はんだ
５０ アンダーフィル樹脂
６０ モールド樹脂
９０ はんだバンプ
３００ 支持体
３１０ プリプレグ
３２０ 金属箔
３２１ 薄箔
３２２ 厚箔
３４０ レジスト層
４００ 接着層
４１０ 第２支持体

Claims (9)

  1. 単層の絶縁層と、
    前記絶縁層に埋め込まれた銅からなる単層の配線層と、を有し、
    前記配線層の一方の面の全面をなす銅の表面が、前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置に露出しており、
    前記配線層の他方の面は、前記絶縁層の他方の面から窪んだ位置に部分的に露出しており、
    前記銅の表面の一部が、半導体チップと接続するための接続パッドとして機能する配線基板。
  2. 単層の絶縁層と、
    前記絶縁層に埋め込まれた単層の配線層と、を有し、
    前記配線層の一方の面の全面は、前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置に露出しており、
    前記配線層の他方の面は、前記絶縁層の他方の面から窪んだ位置に部分的に露出しており、
    前記配線層の一方の面は、表面処理膜が形成されている部分と、表面処理膜が形成されていない部分と、を有しており、
    前記表面処理膜が、前記配線層の一方の面の前記表面処理膜が形成されていない部分に対して前記絶縁層の一方の面側に突起しており、
    前記表面処理膜の全体が前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置にある配線基板。
  3. 前記配線層の一方の面側が電子部品搭載面であり、他方の面側が外部接続端子形成面である請求項１又は２に記載の配線基板。
  4. 前記絶縁層の他方の面側には支持体が形成されており、
    前記支持体は、前記絶縁層の他方の面、及び前記絶縁層の他方の面から窪んだ前記配線層の他方の面を覆うように配置されている請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
  5. 単層の絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた銅からなる単層の配線層と、を有し、前記配線層の一方の面の全面をなす銅の表面が、前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置に露出しており、前記配線層の他方の面は、前記絶縁層の他方の面から窪んだ位置に部分的に露出しており、前記銅の表面の一部が、半導体チップと接続するための接続パッドとして機能する配線基板と、
    前記絶縁層の一方の面側に実装された半導体チップと、を有し、
    前記半導体チップは、はんだを介して、前記配線層の一方の面と接続されている半導体装置。
  6. 単層の絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた単層の配線層と、を有し、前記配線層の一方の面の全面は、前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置に露出しており、前記配線層の他方の面は、前記絶縁層の他方の面から窪んだ位置に部分的に露出しており、前記配線層の一方の面は、表面処理膜が形成されている第１部分と、表面処理膜が形成されていない第２部分と、を有しており、前記表面処理膜が、前記配線層の一方の面の前記表面処理膜が形成されていない部分に対して前記絶縁層の一方の面側に突起しており、前記表面処理膜の全体が前記絶縁層の一方の面から窪んだ位置にある配線基板と、
    前記絶縁層の一方の面側に実装された半導体チップと、を有し、
    前記半導体チップは、はんだを介して、前記配線層の一方の面と接続されている半導体装置。
  7. 前記はんだは、前記第１部分と前記第２部分の両方に連続して設けられており、
    前記はんだと前記配線層との間に表面処理膜が介在する請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記配線基板の一方の面側及び前記半導体チップを被覆する封止樹脂を有している請求項５乃至７の何れか一項に記載の半導体装置。
  9. 前記配線基板の一方の面側と前記半導体チップとの間を充填するアンダーフィル樹脂を有している請求項５乃至８の何れか一項に記載の半導体装置。
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