JP6689691B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

従来、薄型化するために、１層の絶縁層と１層の配線層を備えた配線基板が知られている。この配線層の一方の面は絶縁層の一方の側から露出し、他方の面は絶縁層の他方の側に設けられた開口部内に露出している。

このような配線基板において、配線層は、例えば、開口部を備えたレジスト層を形成し、レジスト層の開口部内に電解めっき法等により一定のめっき厚の金属を析出させた後、レジスト層を剥離して形成される（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−１２４５５５号公報

しかしながら、配線層において、所望の厚さにめっき厚を形成した場合、ファインパターン部でのレジスト層のアスペクト比はラフパターン部と比較すると相対的に大きくなる。めっき工程の後レジスト層を剥離するが、レジスト層の剥離は、ラフパターン部では容易であるが、アスペクト比が大きなファインパターン部では剥離不良が発生し易くなる。又、ファインパターン部での剥離不良は、めっき厚が厚くなればなるほど発生し易い。ここで、ファインパターン部とはライン／スペースが２０μｍ／２０μｍ以下の部分、ラフパターン部とはライン／スペースが２０μｍ／２０μｍより大きい部分であるとする。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、レジスト層の剥離不良が発生し難い構造の配線基板を提供することを課題とする。

本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面側に埋め込まれた銅からなる配線層と、を有し、前記配線層は、第１の部分と、前記第１の部分よりも幅及び間隔が広い第２の部分と、を備え、前記第１の部分は、前記第２の部分よりも層厚が１．０μｍ以上薄く形成されており、前記第１の部分の一方の面及び前記第２の部分の一方の面は、前記絶縁層の一方の面から露出し、前記第２の部分の他方の面の一部は、前記絶縁層の他方の面側に開口する開口部内に露出していることを要件とする。

開示の技術によれば、レジスト層の剥離不良が発生し難い構造の配線基板を提供できる。

第１の実施の形態に係る配線基板を例示する図である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の製造工程を例示する図である。 応用例１に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 応用例１に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図である。 応用例２に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 実施例１の結果を示す図である。 実施例２の結果を示す図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する図であり、図１（ａ）は部分平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、配線層１０を梨地模様で示している。

図１を参照するに、配線基板１は、１層の配線層１０と、１層の絶縁層２０とを有するコアレスの配線基板である。

なお、本実施の形態では、便宜上、配線基板１において、絶縁層２０の配線層１０が露出する側を上側又は一方の側、絶縁層２０の開口部２０ｘが開口する側を下側又は他方の側とする。又、各部位の絶縁層２０の配線層１０が露出する側の面を一方の面又は上面、絶縁層２０の開口部２０ｘが開口する側の面を他方の面又は下面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を絶縁層２０の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層２０の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。

配線基板１において、配線層１０は絶縁層２０の一方の面側（上面側）に埋め込まれている。配線層１０の上面は絶縁層２０の上面から露出し、配線層１０の下面及び側面は絶縁層２０に被覆されている。配線層１０の上面は、例えば、絶縁層２０の上面と面一とすることができる。配線層１０は単一の金属層からなり、配線層１０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

配線層１０は、パッド１１と、パッド１２と、配線パターン１３とを有している。パッド１１は、配線パターン１３を介して、パッド１２と接続することができる。配線基板１において、絶縁層２０の上面側が半導体チップが搭載されるチップ搭載面となり、絶縁層２０の上面側に露出するパッド１１は半導体チップ接続用のパッドである。

本実施の形態では、配線層１０は、幅が狭い部分（第１の部分）と幅が広い部分（第２の部分）とを備えており、幅が狭い部分は幅が広い部分よりも層厚が薄く形成されている。幅が狭いか広いかの判断基準は、配線基板の仕様に応じて適宜決定できるが、ここでは一例として、幅が１５μｍ以下である部分を幅が狭い部分、幅が１５μｍより大きい部分を幅が広い部分とする。ここでいう幅とは、対象部分の平面形状が円形であれば直径、楕円形であれば短径、細長状であれば短手方向の長さを指す。

パッド１１及び１２は幅が広い部分であり、配線パターン１３は幅が狭い部分である。パッド１１の幅Ｗ_１１は、例えば、２５μｍ程度とすることができる。パッド１１の間隔は、例えば、パッド１１の幅Ｗ_１１と同程度とすることができる。パッド１２の幅Ｗ_１２は、例えば、８０μｍ程度とすることができる。パッド１２の間隔は、例えば、パッド１２の幅Ｗ_１２と同程度とすることができる。又、パッド１１及び１２の夫々の層厚は、例えば、１５μｍ程度とすることができる。

配線パターン１３の幅Ｗ_１３は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。配線パターン１３の間隔は、例えば、配線パターン１３の幅Ｗ_１３と同程度とすることができる。又、配線パターン１３の層厚は、例えば、１２μｍ程度とすることができる。

配線パターン１３の中で、図１（ａ）及び図１（ｂ）の中央部分Ｎに配された配線パターン１３は、配線パターン１３同士が狭ピッチで隣接し、特にライン／スペースの狭い部分として形成される。本実施の形態において、特にライン／スペースの狭い部分とは、ライン／スペース＝８μｍ／８μｍ以下の部分である。特にライン／スペースの狭い部分として、ライン／スペース＝１μｍ／１μｍ〜３μｍ／３μｍ程度の配線パターンを形成することも可能である。ここで、ライン／スペースにおけるラインとは配線幅を表し、スペースとは隣り合う配線同士の間隔（配線間隔）を表す。例えば、ライン／スペース＝８μｍ／８μｍと記載されていた場合、配線幅が８μｍで隣り合う配線同士の間隔が８μｍであることを表す。

なお、パッド１１の上面、パッド１２の上面、及び配線パターン１３の上面は、同一平面上にある。すなわち、パッド１１及び１２と配線パターン１３とは層厚が異なるが、絶縁層２０から露出している面側は面一であり、絶縁層２０の内部側に段差を有している。

絶縁層２０は、配線層１０が形成される層である。絶縁層２０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等を主成分とする熱硬化性の非感光性樹脂を用いることができる。絶縁層２０の材料として、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、合成ゴム等を主成分とする熱硬化性の感光性樹脂を用いてもよい。

又、絶縁層２０は、ガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布からなる補強部材を有しても構わない。又、絶縁層２０は、シリカやアルミナ等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層２０の厚さは、例えば１０〜５０μｍ程度とすることができる。なお、絶縁層２０の厚さとは、パッド１２の下面から絶縁層２０の下面までの距離である。

絶縁層２０は、他方の面側（下面側）に開口する開口部２０ｘを有し、開口部２０ｘ内には配線層１０のパッド１２の下面の一部が露出している。配線基板１において、絶縁層２０の下面側が外部接続端子が形成される外部接続端子面となり、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２は外部接続用のパッドである。必要に応じ、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２の下面に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。なお、開口部２０ｘは、例えば、パッド１２側の径より開口側の径が大きい円錐台形状に形成される。

又、必要に応じ、配線層１０の上面、開口部２０ｘ内に露出する配線層１０のパッド１２の下面に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、金属層の形成に代えて、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施してもよい。なお、ＯＳＰ処理により形成される表面処理層は、アゾール化合物やイミダゾール化合物等からなる有機被膜である。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図５は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、支持体上に複数の配線基板となる部分を作製し支持体を除去後個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、支持体上に１個ずつ配線基板を作製し支持体を除去する工程としてもよい。

まず、図２（ａ）に示す工程では、上面が平坦面である支持体３００を準備する。支持体３００としては、例えば、プリプレグ３１０上にキャリア付き金属箔３２０が積層されたものを用いることができる。支持体３００の厚さは、例えば１８〜１００μｍ程度とすることができる。

プリプレグ３１０は、例えば、ガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布（図示せず）にエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂を含侵させたものである。キャリア付き金属箔３２０は、銅からなる厚さ１０〜５０μｍ程度の厚箔（キャリア箔）３２２上に、剥離層（図示せず）を介して、銅からなる厚さ１．５〜５μｍ程度の薄箔３２１が剥離可能な状態で貼着されたものである。厚箔３２２は、薄箔３２１の取り扱いを容易にするための支持材として設けられている。厚箔３２２の下面は、プリプレグ３１０の上面に接着されている。

次に、図２（ｂ）に示す工程では、支持体３００を構成する薄箔３２１の上面に、例えば、キャリア付き金属箔３２０をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、バリア層３３０を形成する。バリア層３３０は、後工程で薄箔３２１をエッチングで除去する際のエッチングストップ層となるものである。バリア層３３０の材料としては、銅からなる薄箔３２１のエッチング液で除去されない金属、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。バリア層３３０の厚さは、例えば、数μｍ程度とすることができる。

次に、図２（ｃ）に示す工程では、バリア層３３０の上面に、配線層１０を形成する部分に開口部３４０ｘを備えたレジスト層３４０を形成する。具体的には、例えば、バリア層３３０の上面に、レジスト層３４０として感光性樹脂からなるドライフィルムレジストをラミネートする。そして、ドライフィルムレジストを露光及び現像によりパターニングし、配線層１０を形成する部分にバリア層３３０の上面を露出する開口部３４０ｘを形成する。

次に、図２（ｄ）に示す工程では、キャリア付き金属箔３２０及びバリア層３３０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、レジスト層３４０の開口部３４０ｘ内に露出するバリア層３３０の上面に配線層１０を形成する。配線層１０は、一方の面がバリア層３３０の上面に接し、他方の面が開口部３４０ｘ内に露出する。

例えば、硫酸銅と硫酸を所定の濃度比で建浴した電解銅めっき液を用い、支持体３００上に銅めっきを析出する。これにより、幅が広い部分であるパッド１１及び１２の層厚を厚く、幅が狭い部分である配線パターン１３の層厚を薄く形成できる。この際、硫酸銅と硫酸の濃度比（硫酸銅／硫酸）を１以上とすることが好ましいが、硫酸銅と硫酸の濃度比（硫酸銅／硫酸）を５程度とすると、幅が狭い配線パターン１３の部分の層厚を特に薄くできる点で好適である（後述の図１４参照）。なお、パッド１１、パッド１２、及び配線パターン１３の夫々の幅や層厚の数値例は、図１を参照して説明した通りである。

次に、図３（ａ）に示す工程では、図２（ｄ）に示すレジスト層３４０を剥離する。レジスト層３４０は、例えば、水酸化ナトリウム等を含有する剥離液を用いて剥離できる。この際、幅の狭い配線パターン１３の厚さが厚いと、狭ピッチ、高アスペクト比の配線パターンに挟まれ、狭ピッチ、高アスペクト比のレジストパターンが存在することになる。よって、前述のように、レジストパターンの剥離不良が発生し易くなる。

しかし、本実施の形態では、図２（ｄ）に示す工程において、めっき条件を調整することにより、配線パターン１３の厚さを薄くしている。そのため、狭ピッチの配線パターン１３に挟まれた狭ピッチ、高アスペクト比のレジストパターンにおいて、レジストパターン側面の、隣接する配線パターン１３に挟み込まれる部分の面積を減少できる。

その結果、レジストパターン側面と配線パターン１３との接触面積が減少しているため、容易にレジストパターンを剥離できる。よって、剥離不良の発生を抑制できる。この効果は、ライン／スペース＝８μｍ／８μｍ以下の、特にライン／スペースの狭い配線パターン１３として形成される部分（例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）の中央部分Ｎ）で顕著である。

なお、図３（ａ）に示す工程で、配線層１０の他方の面及び側面に粗化処理を施してもよい。粗化処理は、例えば、蟻酸系水溶液、過酸化水素／硫酸系水溶液、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等への浸漬や、これら水溶液のスプレー処理により行うことができる。粗化処理により、配線層１０の他方の面及び側面の表面粗さが、Ｒａ＝１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲、例えばＲａ＝３００ｎｍに粗化される。粗化処理により、配線層１０と、後工程で形成される絶縁層２０との密着性が向上する。又、配線層１０の一方の面の粗度より、配線層１０の他方の面及び側面の粗度が大きくなる。

次に、図３（ｂ）に示す工程では、バリア層３３０の上面に配線層１０の他方の面及び側面を被覆する絶縁層２０を形成する。具体的には、バリア層３３０の上面に配線層１０を被覆するように、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系絶縁樹脂等をラミネートする。或いは、バリア層３３０の上面に配線層１０を被覆するように、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系絶縁樹脂等をスクリーン印刷、スピンコート法等により塗布する。そして、ラミネート又は塗布した絶縁樹脂を押圧しつつ、硬化温度以上に加熱して硬化させ、絶縁層２０を作製する。必要に応じて、加圧しながら加熱してもよい。

次に、図３（ｃ）に示す工程では、絶縁層２０に、絶縁層２０を貫通しパッド１２の他方の面を露出させる開口部２０ｘを形成する。開口部２０ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。絶縁層２０を感光性樹脂により形成した場合には、感光性樹脂を露光及び現像することで絶縁層２０に開口部２０ｘを形成してもよい（フォトリソグラフィ法）。

開口部２０ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２の他方の面に付着した絶縁層２０の樹脂残渣を除去することが好ましい。なお、レーザ光が照射される部分であるパッド１２は厚く形成されているため、レーザ光がパッド１２を貫通するおそれを低減できる。

なお、樹脂残渣除去のため、デスミア処理に加え、ソフトエッチング処理により図３（ｃ）の構造体の開口部２０ｘに露出するパッド１２の他方の面を除去し、凹部を形成してもよい。この処理を施して凹部が設けられても、パッド１２は厚く形成されているため、パッド１２が貫通するおそれがない。

次に、図３（ｄ）に示す工程では、図３（ｃ）に示す構造体から支持体３００の一部を除去する。具体的には、支持体３００に機械的な力を加え、キャリア付き金属箔３２０の薄箔３２１と厚箔３２２との界面を剥離する。前述のように、キャリア付き金属箔３２０は、薄箔３２１上に剥離層（図示せず）を介して厚箔３２２が貼着された構造を有するため、厚箔３２２は、剥離層（図示せず）とともに薄箔３２１から容易に剥離する。

これにより、薄箔３２１のみがバリア層３３０側に残り、支持体３００を構成する他の部材（プリプレグ３１０及び厚箔３２２）が除去される。但し、剥離層とともに薄箔３２１から厚箔３２２が剥離する場合の他に、剥離層内で凝集破壊が起こり、薄箔３２１から厚箔３２２が剥離する場合もある。又、剥離層から厚箔３２２が剥離することで、薄箔３２１から厚箔３２２を剥離する場合もある。

次に、図４（ａ）に示す工程では、エッチングにより銅からなる薄箔３２１（図３（ｄ）参照）を除去する。銅からなる薄箔３２１は、例えば、過酸化水素／硫酸系水溶液や、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。なお、バリア層３３０がニッケル（Ｎｉ）からなる場合には、銅の上記エッチング液では除去されず、エッチングストップ層として機能するため、配線層１０はエッチングされない。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、バリア層３３０（図４（ａ）参照）を除去する。バリア層３３０がニッケル（Ｎｉ）からなる場合には、銅を除去せずにニッケル（Ｎｉ）を除去するエッチング液を選択することで、配線層１０はエッチングせずにバリア層３３０のみをエッチングすることができる。これにより、絶縁層２０の一方の面に配線層１０の一方の面が露出する。配線層１０の一方の面は、例えば、絶縁層２０の一方の面と面一とすることができる。

なお、必要に応じ、配線層１０の一方の面、開口部２０ｘから露出する配線層１０のパッド１２の他方の面に、例えば無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通りである。又、金属層の形成に代えて、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。

図４（ｂ）に示す工程の後、図４（ｂ）に示す構造体をスライサー等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１（図１参照）が完成する。必要に応じ、パッド１１上や、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２上に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。

又、必要に応じ、図４（ｃ）に示すように、配線基板１のチップ搭載面側に開口部４０ｘを備えたソルダーレジスト層４０を形成してもよい。ソルダーレジスト層４０は、図４（ｂ）に示す構造体をスライサー等により切断位置Ｃで切断する前に形成してもよいし、後に形成してもよい。

ソルダーレジスト層４０は、例えば、液状又はペースト状の絶縁樹脂を、スクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等により、配線層１０を被覆するように絶縁層２０上に塗布することで形成できる。或いは、フィルム状の絶縁樹脂を、配線層１０を被覆するように絶縁層２０上にラミネートしてもよい。絶縁樹脂としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いることができる。

そして、塗布又はラミネートした絶縁樹脂を露光及び現像することでソルダーレジスト層４０に配線層１０のパッド１１及び配線パターン１３の一部を露出する開口部４０ｘを形成することができる（フォトリソグラフィ法）。エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁樹脂（熱硬化性樹脂）をソルダーレジスト層４０の材料として用いた場合には、開口部４０ｘをレーザ加工法やブラスト処理等により形成してもよい。

なお、図３（ａ）に示す工程において配線層１０の他方の面及び側面に粗化処理を施し、図３（ｃ）に示す工程において開口部２０ｘに露出するパッド１２の他方の面にソフトエッチング処理を施した場合には、パッド１２の近傍は、図４（ｄ）のようになる。すなわち、パッド１２を含む配線層１０の他方の面及び側面は粗化面となり、開口部２０ｘに露出するパッド１２の他方の面には凹部１２ｘが形成される。又、凹部１２ｘの外縁部に、開口部２０ｘの内壁よりも絶縁層２０側に食い込んだアンダーカット１２ｙが形成される。

又、図２（ｂ）に示す工程において、図５に示すように、支持体３００を構成する薄箔３２１の上面と、キャリア付き金属箔３２０の側面（薄箔３２１の側面及び厚箔３２２の側面）とを連続的に被覆するように、バリア層３３０を形成してもよい。この構造は、配線基板１の製造工程中での不意のキャリア付き金属箔３２０の剥離を防止できる点で好適である。図５以降の工程は、図２（ｃ）〜図４（ｂ）と同様である。

このように、本実施の形態では、配線層１０を、例えば、硫酸銅と硫酸を所定の濃度比で建浴した電解銅めっき液を用い、支持体３００上に銅めっきを析出して形成する。これにより、配線層１０のうち、幅が狭い配線パターン１３の部分を薄く形成し、幅が広いパッド１１及び１２の部分を厚く形成することができる。

そのため、狭ピッチの配線パターン１３に挟まれた狭ピッチ、高アスペクト比のレジストパターンにおいて、レジストパターン側面の、隣接する配線パターン１３に挟み込まれる部分の面積を減少できる。その結果、レジストパターン側面と配線パターン１３との接触面積が減少しているため、容易にレジストパターンを剥離できる。よって、剥離不良の発生を抑制できる。

特に、硫酸銅と硫酸の濃度比（硫酸銅／硫酸）を５程度とすると、幅が狭い配線パターン１３の部分の層厚を特に薄くできる点で好適である。この場合、レジスト層３４０の剥離不良をいっそう低減できる。

又、パッド１１及び１２にはんだが形成される場合があるが、この場合、パッドとはんだとの界面に合金層が形成され、実質的にパッドの厚さが薄くなってパッドが脆くなる問題がある。配線基板１では、パッド１１及び１２を配線パターン１３に比べて厚く形成しているため、合金層が形成されたとしても、合金層が形成されていない部分が多く残るため、合金層による影響を低減できる。

又、パッド１１及び１２を配線パターン１３に比べて厚く形成しているため、例えば、パッド１１又は１２に対して無電解めっきの前処理で酸洗浄等を行った場合でも、パッドが過剰に薄くなることを防止できる。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、配線層１０の一方の面と絶縁層２０の一方の面との位置関係が第１の実施の形態とは異なる例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図６は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図であり、図１（ｂ）に対応する断面を示している。

図６を参照するに、配線基板２は、絶縁層２０に凹部２０ｙが形成され、配線層１０の一方の面が凹部２０ｙ内において絶縁層２０の一方の面よりも窪んだ位置に露出している点が、配線基板１（図１参照）と相違する。配線基板２は、例えば、以下に示す工程により製造できる。

図７は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板の製造工程を例示する図である。第１の実施の形態の変形例１では、支持体３００上にバリア層３３０を形成しない。

まず、図７（ａ）に示す工程では、図２（ａ）に示す工程の後、図２（ｃ）〜図３（ｃ）と同様の工程を実行し、支持体３００上に、直接、配線層１０及び絶縁層２０を積層する。次に、図７（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）に示す工程と同様にして、図７（ａ）に示す構造体から支持体３００を構成するプリプレグ３１０及び厚箔３２２を剥離する。これにより、薄箔３２１のみが絶縁層２０側に残り、支持体３００を構成する他の部材（プリプレグ３１０及び厚箔３２２）が除去される。

次に、図７（ｃ）に示す工程では、図４（ａ）に示す工程と同様にして、エッチングにより銅からなる薄箔３２１（図７（ｂ）参照）を除去する。本実施の形態では、エッチングストップ層となるバリア層３３０が存在しないため、銅からなる配線層１０の一方の面側もエッチングされ、絶縁層２０の一方の面に凹部２０ｙが形成される。そして、配線層１０の一方の面が凹部２０ｙ内において絶縁層２０の一方の面よりも窪んだ位置に露出する。

図７（ｃ）に示す工程の後、図７（ｃ）に示す構造体をスライサー等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板２が完成する。

必要に応じ、配線層１０の一方の面、開口部２０ｘから露出する配線層１０のパッド１２の他方の面に、金属層等を形成してもよい。又、必要に応じ、パッド１１上や、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２上に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。又、必要に応じ、配線基板２のチップ搭載面側に開口部４０ｘを備えたソルダーレジスト層４０を形成してもよい。

〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、配線基板１の製造方法の他の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図８は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の製造工程を例示する図である。第１の実施の形態の変形例２では、プリプレグ３１０上にキャリア付き金属箔３２０Ａが積層された支持体３００Ａを用いる。キャリア付き金属箔３２０Ａは、銅からなる厚さ１０〜５０μｍ程度の厚箔（キャリア箔）３２２上に、剥離層（図示せず）を介して、ニッケルからなる厚さ１．５〜５μｍ程度の薄箔３２１Ａが剥離可能な状態で貼着されたものである。なお、薄箔３２１Ａがエッチングストップ層となるため、支持体３００Ａにバリア層３３０を形成しない。

まず、図８（ａ）に示す工程では、図２（ａ）に示す工程と同様にして支持体３００Ａを作製後、図２（ｃ）〜図３（ｃ）と同様の工程を実行し、支持体３００Ａ上に、直接、配線層１０及び絶縁層２０を積層する。次に、図８（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）に示す工程と同様にして、図８（ａ）に示す構造体から支持体３００Ａを構成するプリプレグ３１０及び厚箔３２２を剥離する。これにより、薄箔３２１Ａのみが絶縁層２０側に残り、支持体３００Ａを構成する他の部材（プリプレグ３１０及び厚箔３２２）が除去される。

次に、図８（ｃ）に示す工程では、エッチングによりニッケルからなる薄箔３２１Ａ（図８（ｂ）参照）を除去する。銅を除去せずにニッケル（Ｎｉ）を除去するエッチング液を選択することで、配線層１０はエッチングせずに薄箔３２１Ａのみをエッチングすることができる。これにより、絶縁層２０の一方の面に配線層１０の一方の面が露出する。配線層１０の一方の面は、例えば、絶縁層２０の一方の面と面一とすることができる。

図８（ｃ）に示す工程の後、図８（ｃ）に示す構造体をスライサー等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１（図１参照）が完成する。

必要に応じ、配線層１０の一方の面、開口部２０ｘから露出する配線層１０のパッド１２の他方の面に、金属層等を形成してもよい。又、必要に応じ、パッド１１上や、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２上に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。又、必要に応じ、配線基板１のチップ搭載面側に開口部４０ｘを備えたソルダーレジスト層４０を形成してもよい。

〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、絶縁層２０の他方の面に支持体（キャリア）を設けた例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図９は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する断面図であり、図１（ｂ）に対応する断面を示している。

図９を参照するに、配線基板３は、絶縁層２０の他方の面に粘着層５０を介して支持体６０が設けられている点が、配線基板１（図１参照）と相違する。配線基板３は、例えば、以下に示す工程により製造できる。

図１０は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の製造工程を例示する図である。

まず、図１０（ａ）に示す工程では、図２（ａ）〜図３（ｃ）と同様の工程を実行し、図３（ｃ）の構造体の絶縁層２０の他方の面に粘着層５０を介して支持体６０を設ける。粘着層５０としては、例えば、アクリル系、シリコーン系、エポキシ系等の樹脂を用いることができる。支持体６０としては、例えば、金属箔（例えば、銅箔）、樹脂フィルム（例えば、ポリイミドフィルム）、樹脂基板（例えば、ガラスエポキシ基板）等を用いることができる。

なお、後述のように、粘着層５０及び支持体６０を備えた配線基板３に半導体チップを実装する場合があるため、粘着層５０及び支持体６０は、リフロー等の実装工程における加熱に耐える耐熱性を有している必要がある。

次に、図１０（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）に示す工程と同様にして、図１０（ａ）に示す構造体から支持体３００を構成するプリプレグ３１０及び厚箔３２２を剥離する。これにより、薄箔３２１のみがバリア層３３０側に残り、支持体３００を構成する他の部材（プリプレグ３１０及び厚箔３２２）が除去される。

次に、図１０（ｃ）に示す工程では、図４（ａ）に示す工程と同様にして、エッチングにより銅からなる薄箔３２１（図１０（ｂ）参照）を除去する。次に、図１０（ｄ）に示す工程では、図４（ｂ）に示す工程と同様にして、バリア層３３０（図１０（ｃ）参照）を除去する。これにより、絶縁層２０の一方の面に配線層１０の一方の面が露出する。配線層１０の一方の面は、例えば、絶縁層２０の一方の面と面一とすることができる。

図１０（ｄ）に示す工程の後、図１０（ｄ）に示す構造体をスライサー等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板３が完成する。

必要に応じ、図１０（ａ）に示す工程よりも前に、配線層１０の一方の面、開口部２０ｘから露出する配線層１０のパッド１２の他方の面に、金属層等を形成してもよい。又、必要に応じ、図１０（ｄ）に示す工程よりも後に、配線基板３のチップ搭載面側に開口部４０ｘを備えたソルダーレジスト層４０を形成してもよい。又、図２（ａ）に示す工程で用いる支持体に代えて、図５に示す支持体を用いてもよい。

又、必要に応じ、図３（ｃ）の構造体に支持体６０を設けて図１０（ａ）の構造体とする前に、図３（ｃ）の構造体の開口部２０ｘに露出するパッド１２の他方の面に、無電解めっき法等により金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。又、必要に応じ、図１０（ｄ）の構造体において、配線層１０の一方の面に、無電解めっき法等により金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。

又、図１０（ｃ）に示す構造体、すなわち、バリア層３３０が設けられた状態の支持体６０付き配線基板を製品出荷形態としてもよい。又、図１０（ｃ）に示す構造体又は図１０（ｄ）に示す構造体は、個片化前の状態を製品出荷形態としてもよいし、個片化後の状態を製品出荷形態としてもよい。

配線基板３は、絶縁層２０の他方の面に支持体６０が設けられているため、配線基板３全体の剛性を高めることができる。そのため、例えば、後述の図１２に示すように、配線基板３の出荷後に半導体チップを実装する際の取り扱いが容易となる。

なお、図６に示す配線基板２に支持体６０を設けてもよい。又、配線基板２の製造途中の構造体を用い、図１０の工程を行ってもよい。

〈配線基板の応用例１〉
配線基板の応用例１では、第１の実施の形態に係る配線基板に半導体チップが搭載（フリップチップ実装）された半導体パッケージの例を示す。なお、配線基板の応用例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図１１は、応用例１に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図１１を参照するに、半導体パッケージ４は、図１に示す配線基板１と、半導体チップ１００と、バンプ１１０と、アンダーフィル樹脂１２０と、封止樹脂１３０とを有する。

半導体チップ１００は、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板（図示せず）には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極パッド（図示せず）が形成されている。

バンプ１１０は、半導体チップ１００の電極パッド（図示せず）と、配線基板１のパッド１１とを電気的に接続している。バンプ１１０は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

アンダーフィル樹脂１２０は、半導体チップ１００と配線基板１（絶縁層２０）との間に充填されている。アンダーフィル樹脂１２０としては、例えば、フィラーを含有していない熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。

封止樹脂１３０は、半導体チップ１００とアンダーフィル樹脂１２０を被覆するように配線基板１上に形成されている。但し、封止樹脂１３０の上面に半導体チップ１００の上面（背面）を露出させてもよい。封止樹脂１３０としては、例えば、フィラーを含有した熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂（所謂モールド樹脂）を用いることができる。

但し、アンダーフィル樹脂１２０は、必要に応じて設ければよい。又、封止樹脂１３０は設けずに、アンダーフィル樹脂１２０のみを設けてもよい。

半導体パッケージ４を作製するには、例えば、配線基板１のチップ搭載面に、ペースト状のバンプ１１０を介して半導体チップ１００をフェースダウンで搭載する。そして、リフロー等により、バンプ１１０を溶融後凝固させ、半導体チップ１００の電極パッド（図示せず）と、配線基板１のパッド１１とを電気的に接続する。

その後、半導体チップ１００と配線基板１（絶縁層２０）との間に必要に応じてアンダーフィル樹脂１２０を充填後、半導体チップ１００とアンダーフィル樹脂１２０を被覆するように配線基板１上に封止樹脂１３０を形成する。封止樹脂１３０は、例えば、封止金型を用いたトランスファーモールド法等により形成することができる。必要に応じ、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２上に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。

なお、半導体パッケージ４において、配線基板１に代えて配線基板２又は３を用いてもよい。配線基板３を用いる場合には、図１２（ａ）に示すように、図１０（ｄ）の工程を経た配線基板３を個片化せずに、配線基板３となる各領域のチップ搭載面に、ペースト状のバンプ１１０を介して半導体チップ１００をフェースダウンで搭載する。そして、リフロー等により、バンプ１１０を溶融後凝固させ、半導体チップ１００の電極パッド（図示せず）と、配線基板３となる各領域のパッド１１とを電気的に接続する。そして、半導体チップ１００と絶縁層２０との間に必要に応じてアンダーフィル樹脂１２０を充填する。なお、図１０と図１２とは、配線基板の上下が反転した状態で描かれている。

次に、図１２（ｂ）に示すように、図１２（ａ）に示す支持体６０に機械的な力を加え、粘着層５０及び支持体６０を絶縁層２０の下面から剥離する。

次に、図１２（ｃ）に示すように、半導体チップ１００とアンダーフィル樹脂１２０を被覆するように配線基板３となる各領域上にトランスファーモールド法等により封止樹脂１３０を形成する。

図１２（ｃ）に示す工程の後、図１２（ｃ）に示す構造体をスライサー等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の半導体パッケージ４（図１１参照）が完成する。必要に応じ、開口部２０ｘ内に露出するパッド１２上に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。

なお、支持体６０を設けた状態で封止樹脂１３０を形成し、その後、支持体６０を除去し、個片化を行い、複数の半導体パッケージ４を形成してもよい。つまり、図１２（ａ）の状態で封止樹脂１３０を形成して図１２（ｄ）の状態とし、その後、支持体６０の除去を行って図１２（ｃ）の状態とし、個片化を行い、複数の半導体パッケージ４を形成してもよい。この場合は、封止樹脂１３０を形成後に支持体６０を除去するため、配線基板の剛性が低い場合でも配線基板の変形を防止できる。

このように、配線基板１〜３に半導体チップ１００を搭載することにより、半導体パッケージ４を実現できる。

ところで、パッド１１が、幅の異なる複数種類のパッドを含んでいる場合がある。この場合、幅が異なるパッドは厚さも異なるが（幅が広い方が厚くなる）、パッド１１の半導体チップ１００を搭載する側の面は同一平面にある。そのため、パッド１１の厚さが異なっても、各パッド１１と半導体チップ１００の各電極パッドとのギャップは一定となり、各パッド１１と半導体チップ１００の各電極パッドとを容易に接続することができる。

〈配線基板の応用例２〉
配線基板の応用例２では、半導体パッケージ上に更に他の半導体パッケージが搭載された所謂ＰＯＰ（Package on package）構造の半導体パッケージの例を示す。なお、配線基板の応用例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図１３は、応用例２に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図１３を参照するに、半導体パッケージ５は、半導体チップ１００を実装した配線基板１上に、更に半導体チップ１００を実装した配線基板１がバンプ９０を介して搭載された、所謂ＰＯＰ構造の半導体パッケージである。バンプ９０としては、例えば、銅コアボールの周囲をはんだで覆った構造のはんだボールを用いることができる。なお、半導体パッケージ５において、配線基板１に代えて配線基板２又は３を用いてもよい。

半導体パッケージ５を作製するには、例えば、図１２（ｂ）に示す構造体を２個作製する。そして、一方の図１２（ｂ）に示す構造体上に、銅コアボールの周囲をはんだで覆った構造のはんだボールを搭載し、更に他方の図１２（ｂ）に示す構造体を搭載する。この際、一方の図１２（ｂ）に示す構造体のパッド１２の上面と他方の図１２（ｂ）に示す構造体の開口部２０ｘ内のパッド１２の下面とが、はんだボールを介して対向するように配置する。

次に、他方の図１２（ｂ）に示す構造体を一方の図１２（ｂ）に示す構造体に対して押圧しながらリフローを行い、銅コアボールの周囲のはんだを溶融後凝固させて、銅コアボールを介して上下のパッド１２同士を接合する。この際、銅コアボールが上下のパッド１２と接した状態ではんだが凝固するため、銅コアボールがスペーサ部材として機能し、他方の図１２（ｂ）に示す構造体と一方の図１２（ｂ）に示す構造体との間隔が所定値に維持される。

その後、一方の図１２（ｂ）に示す構造体及び他方の図１２（ｂ）に示す構造体の各半導体チップ１００と各アンダーフィル樹脂１２０を被覆するようにトランスファーモールド法等により封止樹脂１３０を形成する。その後、スライサー等により個片化することにより、複数の半導体パッケージ５（図１３参照）が完成する。必要に応じ、一方の図１２（ｂ）に示す構造体の開口部２０ｘ内に露出するパッド１２上に、はんだボール等の外部接続端子を設けてもよい。

このように、第１の実施の形態に係る配線基板１〜３を用いて、ＰＯＰ構造の半導体パッケージ５を実現できる。

［実施例１］
配線幅が狭い部分（ここではファインライン部と称する）と、配線幅が広い部分（ここではラフライン部と称する）について、電解銅めっきの条件を変更して、形成された配線のめっき厚の検討を行った。

ここでは、ファインライン部のライン／スペースを１０μｍ／１０μｍ、ラフライン部のライン／スペースを２５μｍ／２５μｍとした。

まず、導体層を設けた基板上に、ライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍのファインライン部と、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍのラフライン部とを形成するための開口部を備えたレジスト層を作製した。

次に、硫酸銅と硫酸を濃度比１で建浴した電解銅めっき液と、濃度比５で建浴した電解銅めっき液とを用意した。そして、夫々の電解銅めっき液を用い、電流密度を１．０ＡＳＤ（Ａ／ｄｍ^２）、めっき時間を６０分として電解めっきを行い、ファインライン部及びラフライン部に対応するレジスト層の開口部内に電解銅めっき膜を析出した。

又、比較例１として、硫酸銅と硫酸を濃度比０．２で建浴した電解銅めっき液と、濃度比５．５で建浴した電解銅めっき液とを用意した。そして、実施例１と同様に、夫々の電解銅めっき液を用い、電流密度を１．０ＡＳＤ、めっき時間を６０分として電解めっきを行い、ファインライン部及びラフライン部に対応するレジスト層の開口部内に電解銅めっき膜を析出した。

結果を図１４に示す。図１４よりわかるように、硫酸銅と硫酸との濃度比を１とした場合には、ファインライン部のめっき厚は平均値で１３μｍ程度、ラフライン部のめっき厚は平均値で１５μｍ程度となり、両者の差異は２μｍ程度であった。又、硫酸銅と硫酸との濃度比を５とした場合には、ファインライン部のめっき厚は平均値で１２μｍ程度、ラフライン部のめっき厚は平均値で１５．５μｍ程度となり、両者の差異は３．５μｍ程度であった。つまり、何れの濃度比でも、ファインライン部とラフライン部で、平均値で１μｍ以上の十分なめっき厚差が得られた。

これに対して、比較例１で硫酸銅と硫酸との濃度比を０．２とした場合には、ファインライン部のめっき厚は平均値で１４μｍ程度、ラフライン部のめっき厚は平均値で１４．５μｍ程度となり、両者の差異は０．５μｍ程度であった。又、比較例１で硫酸銅と硫酸との濃度比を０．２とした場合には、銅イオンの供給不足のため、電解銅めっきの異常析出が生じていた。なお、比較例１で硫酸銅と硫酸との濃度比を５．５とした場合には、銅イオンの供給過剰のため、電解銅めっきの異常析出が生じ、めっき厚を計測することができず、図１４に結果を示すことができなかった。

このように、硫酸銅と硫酸との濃度比が０．２以下、又は５．５以上では電解銅めっき膜の品質を確保できないため、硫酸銅と硫酸との濃度比は０．２よりも大きく５以下であることが好ましい。又、ファインライン部とラフライン部で平均値で１μｍ以上の顕著なめっき厚差が得られる、硫酸銅と硫酸との濃度比が１以上５以下の範囲が特に好ましい。

［実施例２］
レジスト層のアスペクト比を１〜４まで０．５置きに変えたサンプルを作製した。そして、硫酸銅と硫酸を濃度比５で建浴した電解銅めっき液を用い、電流密度を１．０ＡＳＤ、めっき時間を６０分として、アスペクト比の異なるレジスト層を用いて電解めっきを行った。その後、レジスト層を剥離し、レジスト剥離の不良率を測定した。

又、比較例２として、硫酸銅と硫酸を濃度比０．２未満で建浴した電解銅めっき液を用い、電流密度を１．０ＡＳＤ、めっき時間を６０分として、アスペクト比の異なるレジスト層を用いて電解めっきを行った。その後、レジスト層を剥離し、レジスト剥離の不良率を測定した。

結果を図１５に示す。図１５よりわかるように、実施例２では、レジスト層のアスペクト比が３．５までは不良率が０％であり、レジスト層のアスペクト比が４では不良率が約１０％であった。これに対して、比較例２では、レジスト層のアスペクト比が３．５では不良率が約５％であり、レジスト層のアスペクト比が４では不良率が約５０％であった。

このように、レジスト層のアスペクト比が高い部分（すなわち、ファインライン部）におけるめっき厚を薄くすることにより、レジスト剥離の不良率を大幅に低減できることが確認された。

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、上記実施の形態では、配線層の幅が狭い部分の例として配線パターンを、幅が広い部分の例としてパッドを挙げたが、これには限定されない。例えば、幅が広い部分の例として、電源やグラウンドのプレーン層を挙げることができる。又、配線パターンの中に、幅が狭い配線パターンと、幅が広い配線パターンとが混在してもよい。

又、配線基板の製造方法において、プリプレグ３１０の両面にキャリア付き金属箔３２０や３２０Ａを積層して支持体とし、支持体の両面上に配線基板を形成してもよい。

１、２、３ 配線基板
４、５ 半導体パッケージ
１０ 配線層
１１、１２ パッド
１２ｘ、２０ｙ 凹部
１２ｙ アンダーカット
１３ 配線パターン
２０ 絶縁層
２０ｘ、４０ｘ、３４０ｘ 開口部
４０ ソルダーレジスト層
５０ 粘着層
６０、３００、３００Ａ 支持体
９０、１１０ バンプ
１００ 半導体チップ
１２０ アンダーフィル樹脂
１３０ 封止樹脂
３１０ プリプレグ
３２０、３２０Ａ キャリア付き金属箔
３２１、３２１Ａ 薄箔
３２２ 厚箔
３３０ バリア層
３４０ レジスト層

Claims (10)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層の一方の面側に埋め込まれた銅からなる配線層と、を有し、
   前記配線層は、第１の部分と、前記第１の部分よりも幅及び間隔が広い第２の部分と、を備え、
   前記第１の部分は、前記第２の部分よりも層厚が１．０μｍ以上薄く形成されており、
   前記第１の部分の一方の面及び前記第２の部分の一方の面は、前記絶縁層の一方の面から露出し、
   前記第２の部分の他方の面の一部は、前記絶縁層の他方の面側に開口する開口部内に露出している配線基板。
2. 前記第１の部分の一方の面と前記第２の部分の一方の面とが同一平面上にある請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第１の部分の側面及び他方の面は前記絶縁層に被覆され、
   前記第２の部分の側面及び他方の面は前記絶縁層に被覆され、
   前記第２の部分の他方の面の一部が前記開口部内に露出している請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記第１の部分は配線パターンを含み、前記第２の部分はパッドを含む請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
5. 前記パッドは、
   前記開口部内に露出する部分に設けられた外部接続用のパッドと、
   該外部接続用のパッドと異なる部分に設けられた半導体チップ接続用のパッドと、を含む請求項４に記載の配線基板。
6. 前記第１の部分の一方の面と前記第２の部分の一方の面は、前記絶縁層の一方の面よりも窪んだ位置に露出している請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板。
7. 前記絶縁層の他方の面側に、粘着層を介して支持体が設けられた請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線基板。
8. 支持体上にめっきを析出し、第１の部分と、前記第１の部分よりも幅及び間隔が広い第２の部分と、を備え、前記第１の部分及び前記第２の部分の一方の面が前記支持体と接する銅からなる配線層を形成する工程と、
   前記支持体上に、前記第１の部分及び前記第２の部分を被覆するように、一方の面が前記支持体と接する絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層に、前記絶縁層の他方の面側に開口し前記第２の部分の他方の面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
   前記支持体を除去する工程と、を有し、
   前記配線層を形成する工程では、前記第１の部分は、前記第２の部分よりも層厚が１．０μｍ以上薄く形成される配線基板の製造方法。
9. 前記開口部を形成する工程と前記支持体を除去する工程との間に、前記絶縁層の他方の面側に粘着層を介して他の支持体を設ける工程を有する請求項８に記載の配線基板の製造方法。
10. 前記配線層を形成する工程では、
    硫酸銅と硫酸を所定の濃度比で建浴した電解銅めっき液を用いた電解めっき法により、前記第１の部分及び前記第２の部分を銅めっきで形成し、
    前記所定の濃度比を予め調整することで、前記第１の部分の層厚を前記第２の部分の層厚よりも薄く形成する請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。

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