JP6618241B2 - 錫電気めっき浴および錫めっき皮膜 - Google Patents
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Description
錫塩は、めっき皮膜の構成に必須の成分である。本発明に用いられる錫塩の形態は、電気めっき浴の分野で通常用いられるものであれば特に限定されない。前記錫塩として、第一錫塩と第二錫塩とがある。
無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩は、pH等を調整して、めっき液の安定性に作用する。また、電気伝導性(電圧)にも作用する。
非イオン界面活性剤は、基材に対するめっき液の濡れ性を向上させる役割を有する。
酸化防止剤は、錫塩(II)を使用する場合、浴中の2価Snイオンの酸化と、他の浴成分の酸化を防ぎ、浴を安定化させる役割を有する。また、錫塩(IV)を使用する場合には、Sn錯体の安定性に寄与する。前記酸化防止剤として、カテコール、ヒドロキノン、4−メトキシフェノール(p−メトキシフェノール)等を用いることができる。
有機溶媒は、上記化合物Xをめっき浴中に溶解させる目的で用いる。また、めっき液内での安定性を向上させる目的で用いる。前記有機溶媒として、例えば、メタノール、2−プロパノール(イソプロピルアルコール)などの1価アルコール類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどの2価アルコール類;のうちの少なくとも1種を用いることが挙げられる。
電解脱脂(2分)→水洗(30秒)→酸洗(30秒)→水洗(30秒)→下地ニッケルめっき(膜厚1.5μm、下記条件)→水洗(30秒)→酸洗(30秒)→水洗(30秒)→錫めっき(下記条件)→水洗(30秒)→イオン交換水洗→乾燥
(ニッケルめっき条件)
陰極電流密度:8A/dm2
液温:50℃
めっき時間:60秒
pH:4.0
(錫めっき条件)
陰極電流密度:20A/dm2
液温:50℃
めっき時間:ウィスカ抑制効果の評価用試料の場合:12秒
皮膜硬さ測定用試料の場合:180秒
前記評価試料を用い、ウィスカ抑制効果の評価を行った。該評価において、荷重試験およびウィスカ測定は、電子情報技術産業協会規格の電子機器用コネクタのウィスカ試験方法(JEITA RC−5241)に基づいて行った。具体的には、荷重試験器を用い、球圧子法にて、錫めっき皮膜に対し直径1mmのジルコニアボール圧子を用いて荷重200gを局部的に加え、120時間放置した。その後、錫めっき皮膜から荷重を除き、錫めっき皮膜の圧痕箇所を走査型電子顕微鏡(SEM)により、倍率2,000倍で観察した。そのSEM像を用い、圧痕周辺から発生したウィスカを測長した。上記圧痕のSEM像の一例を図2に示す。また図3に、前記図2のSEM像の一部を拡大し、ウィスカ長さ測定の一例を示した写真を示す。
◎:長さ10μm超のウィスカは観察されず、長さ1μm以上10μm以下のウィスカは5本以下観察された。
○:長さ10μm超のウィスカは観察されず、長さ1μm以上10μm以下のウィスカは6本以上観察された。
×:長さ10μm超のウィスカが1本以上観察された。
前記評価試料を樹脂に埋め込み、錫めっき皮膜の膜厚(t)方向断面におけるt/2位置の皮膜硬さを測定した。測定条件は下記の通りである。
(皮膜硬さ測定条件)
測定機器:株式会社アカシ製 微小硬さ試験機HM−124
荷重:0.0010kg(0.0098N)
保持時間:15秒
印加速度:10μm/秒
Claims (4)
- フラボノイド化合物とその配糖体、キサンテン骨格を有する化合物とその配糖体、および、アクリジン骨格を有する化合物とその配糖体よりなる群から選択される1種以上の化合物(以下、化合物Xという)、および
1価のアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールよりなる群から選ばれる少なくとも1種の有機溶媒を5g/L〜100g/Lを含むことを特徴とする電子機器用部品用錫または錫合金電気めっき浴(但し、水不溶性有機金属仕上げ添加剤、加水分解不安定有機金属仕上げ添加剤、不溶性金属沈殿物を形成する有機金属仕上げ添加剤、および揮発性有機金属仕上げ添加剤よりなる群から選ばれる有機金属仕上げ添加剤、およびシクロデキストリンを含む錫または錫合金電気めっき浴を除く)。 - 前記化合物Xとして、前記フラボノイド化合物とその配糖体よりなる群から選択される1種以上の化合物を用いる請求項1に記載の錫または錫合金電気めっき浴。
- 前記化合物Xを、電気めっき浴中に占める割合で0.0001g/L以上5g/L以下含む請求項1または2に記載の錫または錫合金電気めっき浴。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の錫または錫合金電気めっき浴を用いて得られる錫めっき皮膜の製造方法であって、該錫めっき皮膜の膜厚(t)方向断面のt/2位置におけるビッカース硬さが10以下であることを特徴とする錫または錫合金めっき皮膜の製造方法。
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