JPH0995794A - 皮膜物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴 - Google Patents
皮膜物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴Info
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- JPH0995794A JPH0995794A JP27833195A JP27833195A JPH0995794A JP H0995794 A JPH0995794 A JP H0995794A JP 27833195 A JP27833195 A JP 27833195A JP 27833195 A JP27833195 A JP 27833195A JP H0995794 A JPH0995794 A JP H0995794A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スズ、又はハンダメッキ皮膜の展延性や接合
強度などの皮膜物性を改質する。 【解決手段】 有機スルホン酸にスズ塩、又はスズ塩と
鉛塩の混合物を加えたものを基本組成とするメッキ浴
に、下記の一般式(Ｉ)で表されるトリアルキルベンジル
アンモニウム塩類を添加する。 【化１】 (式(Ｉ)中、Ｒ1はメチル及びエチルのいずれか；Ｒ2は
メチル及びエチルのいずれか；Ｒ3はＣ8〜Ｃ18アルキ
ル；Ｒ4は水素、メチル、ハロゲン、ＣＦ3、ＣＣｌ3、Ｃ
Ｉ3；Ｘ-はＣ1〜Ｃ5アルキルスルホネート、ハロゲン、
アセテートなどの種々のアニオンである；ｎは０〜３の
整数である。) これにより、実装時の後加工でメッキ皮膜にクラックが
生じることなどを防止し、接合強度を高められる。
強度などの皮膜物性を改質する。 【解決手段】 有機スルホン酸にスズ塩、又はスズ塩と
鉛塩の混合物を加えたものを基本組成とするメッキ浴
に、下記の一般式(Ｉ)で表されるトリアルキルベンジル
アンモニウム塩類を添加する。 【化１】 (式(Ｉ)中、Ｒ1はメチル及びエチルのいずれか；Ｒ2は
メチル及びエチルのいずれか；Ｒ3はＣ8〜Ｃ18アルキ
ル；Ｒ4は水素、メチル、ハロゲン、ＣＦ3、ＣＣｌ3、Ｃ
Ｉ3；Ｘ-はＣ1〜Ｃ5アルキルスルホネート、ハロゲン、
アセテートなどの種々のアニオンである；ｎは０〜３の
整数である。) これにより、実装時の後加工でメッキ皮膜にクラックが
生じることなどを防止し、接合強度を高められる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスズメッキ浴、及びスズ
―鉛合金メッキ浴に関し、電着皮膜の展延性、接合強
度、硬度などの皮膜物性を有効に改質できるものを提供
する。
―鉛合金メッキ浴に関し、電着皮膜の展延性、接合強
度、硬度などの皮膜物性を有効に改質できるものを提供
する。
【０００２】
【発明の背景】近年、スズ―鉛合金メッキ(即ち、ハンダ
メッキ)、又はスズメッキはハンダ付け性を向上するた
めの皮膜やエッチングレジスト用の皮膜として、半導体
デバイスなどの電子工業や弱電工業用の部品等に広く利
用されている。そして、このハンダ又はスズメッキの分
野では、腐食性や毒性が激しいホウフッ化物浴に替え
て、毒性が比較的弱く、腐食性も少ない有機スルホン酸
を用いるメッキ浴が開発され、この有機スルホン酸浴に
よるハンダ又はスズメッキの技術が工業的に活用されて
いる。
メッキ)、又はスズメッキはハンダ付け性を向上するた
めの皮膜やエッチングレジスト用の皮膜として、半導体
デバイスなどの電子工業や弱電工業用の部品等に広く利
用されている。そして、このハンダ又はスズメッキの分
野では、腐食性や毒性が激しいホウフッ化物浴に替え
て、毒性が比較的弱く、腐食性も少ない有機スルホン酸
を用いるメッキ浴が開発され、この有機スルホン酸浴に
よるハンダ又はスズメッキの技術が工業的に活用されて
いる。
【０００３】
【従来の技術】本出願人は、先に、特開昭５９―１８２
９８６号公報で、スズ塩と、又はスズ塩及び鉛塩と、有
機スルホン酸から成る基本浴に、所定のノニオン系界面
活性剤と平滑剤を加えたスズ、及びスズ―鉛合金メッキ
浴を先に他の出願人と共同で開示した。
９８６号公報で、スズ塩と、又はスズ塩及び鉛塩と、有
機スルホン酸から成る基本浴に、所定のノニオン系界面
活性剤と平滑剤を加えたスズ、及びスズ―鉛合金メッキ
浴を先に他の出願人と共同で開示した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、半導体部品を
プリント基板などにリフローソルダリング等により実装
する場合、先ず、半導体部品のリードにハンダメッキ、
又はスズメッキを施して、銅合金或は４２合金製などの
リードとプリント基板の銅箔パターンとの接合強度を強
固に高めている。この半導体部品の実装工程において
は、メッキしたリードの全体を折り曲げたり、切断する
などの後加工がよく行われるが、この後加工では、皮膜
自体の展延性を高めて、リードを覆うメッキ皮膜にクラ
ックが発生するなどの弊害を生じないようにすることが
要求される。
プリント基板などにリフローソルダリング等により実装
する場合、先ず、半導体部品のリードにハンダメッキ、
又はスズメッキを施して、銅合金或は４２合金製などの
リードとプリント基板の銅箔パターンとの接合強度を強
固に高めている。この半導体部品の実装工程において
は、メッキしたリードの全体を折り曲げたり、切断する
などの後加工がよく行われるが、この後加工では、皮膜
自体の展延性を高めて、リードを覆うメッキ皮膜にクラ
ックが発生するなどの弊害を生じないようにすることが
要求される。
【０００５】一方、前記従来技術のハンダ又はスズメッ
キ浴は、所定のノニオン系界面活性剤と平滑剤の作用に
より、メッキ浴の分散性を向上し、緻密で平滑なメッキ
皮膜を得ることを特徴とするが、実装時の後加工におい
て、上記接合強度や皮膜の展延性などに関するメッキ皮
膜の物性を改善することを積極的に問題にしたものでは
ない。
キ浴は、所定のノニオン系界面活性剤と平滑剤の作用に
より、メッキ浴の分散性を向上し、緻密で平滑なメッキ
皮膜を得ることを特徴とするが、実装時の後加工におい
て、上記接合強度や皮膜の展延性などに関するメッキ皮
膜の物性を改善することを積極的に問題にしたものでは
ない。
【０００６】そこで、本発明は、有機スルホン酸系の基
本ハンダ又はスズメッキ浴において、メッキ皮膜の展延
性やハンダ接合強度などの皮膜物性を改質して、半導体
チップなどの実装の信頼性を高めることを技術的課題と
する。
本ハンダ又はスズメッキ浴において、メッキ皮膜の展延
性やハンダ接合強度などの皮膜物性を改質して、半導体
チップなどの実装の信頼性を高めることを技術的課題と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記従来技術の公開公報
には、有機スルホン酸のスズ、又はハンダメッキ浴に前
述したノニオン系界面活性剤や平滑剤を加えることの外
に、さらに、カチオン系界面活性剤や両性界面活性剤を
補助的に添加できることが記載されている。
には、有機スルホン酸のスズ、又はハンダメッキ浴に前
述したノニオン系界面活性剤や平滑剤を加えることの外
に、さらに、カチオン系界面活性剤や両性界面活性剤を
補助的に添加できることが記載されている。
【０００８】本発明者らは、このカチオン系界面活性剤
の具体例の中で述べられているトリアルキルベンジルア
ンモニウム塩類に着目して鋭意研究を重ねた結果、当該
塩類のうちでも特定の化合物を添加すると、ハンダ接合
強度などに影響を及ぼすこと、さらには、この特定のア
ンモニウム塩類に加えて、所定の芳香族スルホン酸類を
補助的に添加すると、メッキ皮膜の展延性や硬度への影
響をさらに促進できることを見い出し、本発明を完成し
た。
の具体例の中で述べられているトリアルキルベンジルア
ンモニウム塩類に着目して鋭意研究を重ねた結果、当該
塩類のうちでも特定の化合物を添加すると、ハンダ接合
強度などに影響を及ぼすこと、さらには、この特定のア
ンモニウム塩類に加えて、所定の芳香族スルホン酸類を
補助的に添加すると、メッキ皮膜の展延性や硬度への影
響をさらに促進できることを見い出し、本発明を完成し
た。
【０００９】即ち、本発明１は、(Ａ)第一スズ塩と、第
一スズ塩及び鉛塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性
金属塩、(Ｂ)アルカンスルホン酸、アルカノールスルホ
ン酸などの有機スルホン酸、(Ｃ)次の一般式(Ｉ)で表さ
れる特定のトリアルキルベンジルアンモニウム塩類から
成る皮膜物性改質剤
一スズ塩及び鉛塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性
金属塩、(Ｂ)アルカンスルホン酸、アルカノールスルホ
ン酸などの有機スルホン酸、(Ｃ)次の一般式(Ｉ)で表さ
れる特定のトリアルキルベンジルアンモニウム塩類から
成る皮膜物性改質剤
【００１０】
【化２】
【００１１】(式(Ｉ)中、Ｒ1はメチル及びエチルのいず
れか；Ｒ2はメチル及びエチルのいずれか；Ｒ3はＣ8〜
Ｃ18アルキル；Ｒ4は水素、メチル、ハロゲン、ＣＦ3、
ＣＣｌ3、ＣＩ3；Ｘ-はＣ1〜Ｃ5アルキルスルホネー
ト、ハロゲン、アセテートなどの種々のアニオン；ｎは
０〜３の整数である。)を含有することを特徴とする皮膜
物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴である。
れか；Ｒ2はメチル及びエチルのいずれか；Ｒ3はＣ8〜
Ｃ18アルキル；Ｒ4は水素、メチル、ハロゲン、ＣＦ3、
ＣＣｌ3、ＣＩ3；Ｘ-はＣ1〜Ｃ5アルキルスルホネー
ト、ハロゲン、アセテートなどの種々のアニオン；ｎは
０〜３の整数である。)を含有することを特徴とする皮膜
物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴である。
【００１２】本発明２は、上記本発明１において、ベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、及びこれらの
誘導体からなる群より選ばれた芳香族スルホン酸類を添
加することを特徴とするものである。
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、及びこれらの
誘導体からなる群より選ばれた芳香族スルホン酸類を添
加することを特徴とするものである。
【００１３】本発明３は、上記本発明１又は２におい
て、ノニオン系界面活性剤を添加することを特徴とする
ものである。
て、ノニオン系界面活性剤を添加することを特徴とする
ものである。
【００１４】本発明４は、上記本発明１〜３のいずれか
において、平滑剤を添加することを特徴とするものであ
る。
において、平滑剤を添加することを特徴とするものであ
る。
【００１５】上記本発明５は、上記本発明１〜４のいず
れかにおいて、酸化防止剤を添加することを特徴とする
ものである。
れかにおいて、酸化防止剤を添加することを特徴とする
ものである。
【００１６】上記本発明１は、有機スルホン酸、即ち、
アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸に、ス
ズ供給源、或はスズと鉛の供給源を加えたものを基本組
成とするメッキ浴であり、この基本メッキ浴に所定の上
記トリアルキルベンジルアンモニウム塩類をメッキ皮膜
の物性改質剤として添加したものである。
アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸に、ス
ズ供給源、或はスズと鉛の供給源を加えたものを基本組
成とするメッキ浴であり、この基本メッキ浴に所定の上
記トリアルキルベンジルアンモニウム塩類をメッキ皮膜
の物性改質剤として添加したものである。
【００１７】上記トリアルキルベンジルアンモニウム塩
類において、二つのアルキル基は夫々メチル又はエチル
であり、残りのアルキル基はＣ8〜18アルキルである。
また、ベンジル基の芳香環は、メチル、フルオロ、クロ
ロなどの所定の置換基が１〜３個結合した置換ベンゼン
環か、無置換ベンゼン環である。一方、上記塩類のアニ
オン部分Ｘ-としては、例えば、メチルスルホネート、
クロライド、ブロマイド、アセテートなどが挙げられる
が、これらに限らず、種々のアニオンが選択できる。
類において、二つのアルキル基は夫々メチル又はエチル
であり、残りのアルキル基はＣ8〜18アルキルである。
また、ベンジル基の芳香環は、メチル、フルオロ、クロ
ロなどの所定の置換基が１〜３個結合した置換ベンゼン
環か、無置換ベンゼン環である。一方、上記塩類のアニ
オン部分Ｘ-としては、例えば、メチルスルホネート、
クロライド、ブロマイド、アセテートなどが挙げられる
が、これらに限らず、種々のアニオンが選択できる。
【００１８】上記トリアルキルベンジルアンモニウム塩
類の具体例を挙げると、下記の通りである。 (1)(ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム塩 (2)(ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム塩 (3)(ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウム塩 (4)((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルド
デシルアンモニウム塩 (5)(ベンジル)エチルメチルオクタデシルアンモニウム
塩 (6)(ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウム塩 (7)(モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル
アンモニウム塩 (8)(ベンジル)ジメチルデシルアンモニウム塩 (9)(ベンジル)ジエチルデシルアンモニウム塩 (10)(ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム塩
類の具体例を挙げると、下記の通りである。 (1)(ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム塩 (2)(ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム塩 (3)(ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウム塩 (4)((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルド
デシルアンモニウム塩 (5)(ベンジル)エチルメチルオクタデシルアンモニウム
塩 (6)(ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウム塩 (7)(モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル
アンモニウム塩 (8)(ベンジル)ジメチルデシルアンモニウム塩 (9)(ベンジル)ジエチルデシルアンモニウム塩 (10)(ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム塩
【００１９】上記トリアルキルジベンジルアンモニウム
塩類は単用又は併用でき、その添加量は、メッキ浴全体
に対して、一般に０.０１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０.
１〜５ｇ／ｌである。
塩類は単用又は併用でき、その添加量は、メッキ浴全体
に対して、一般に０.０１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０.
１〜５ｇ／ｌである。
【００２０】前記芳香族スルホン酸類は、皮膜物性改質
の観点から上記トリアルキルベンジルアンモニウム塩類
に補助添加されるが、具体的には、上述のように、ベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、或は、これら
のナトリウム塩、カリウム塩などの誘導体をいう。当該
芳香族スルホン酸類のベンゼン環、ナフタレン環には、
ｔ−ブチル、イソプロピル、ヒドロキシルなどの各種の
置換基が１個、乃至複数個結合したものが好ましいが、
無置換のものでも差し支えない。
の観点から上記トリアルキルベンジルアンモニウム塩類
に補助添加されるが、具体的には、上述のように、ベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、或は、これら
のナトリウム塩、カリウム塩などの誘導体をいう。当該
芳香族スルホン酸類のベンゼン環、ナフタレン環には、
ｔ−ブチル、イソプロピル、ヒドロキシルなどの各種の
置換基が１個、乃至複数個結合したものが好ましいが、
無置換のものでも差し支えない。
【００２１】上記芳香族スルホン酸類の具体例を挙げる
と、下記の通りである。 (1)モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸、又はその
塩 (2)ジ−アミルナフタレンスルホン酸、又はその塩 (3)トリ−イソプロピルナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (4)２,７−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (5)１,２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (6)１,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (7)１,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、又はその
塩 (8)１,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、又はその
塩 (9)１,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、又はその
塩
と、下記の通りである。 (1)モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸、又はその
塩 (2)ジ−アミルナフタレンスルホン酸、又はその塩 (3)トリ−イソプロピルナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (4)２,７−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (5)１,２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (6)１,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、又はそ
の塩 (7)１,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、又はその
塩 (8)１,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、又はその
塩 (9)１,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸、又はその
塩
【００２２】上記芳香族スルホン酸類は単用又は併用で
き、その添加量は、メッキ浴全体に対して、一般に０.
０１〜２０ｇ／ｌ、好ましくは０.５〜３ｇ／ｌであ
る。
き、その添加量は、メッキ浴全体に対して、一般に０.
０１〜２０ｇ／ｌ、好ましくは０.５〜３ｇ／ｌであ
る。
【００２３】メッキ浴の基本組成を構成するアルカンス
ルホン酸、アルカノールスルホン酸などの前記有機スル
ホン酸は単用又は併用でき、その添加量は、一般に３０
〜４００ｇ／ｌ、好ましくは７０〜１５０ｇ／ｌであ
る。
ルホン酸、アルカノールスルホン酸などの前記有機スル
ホン酸は単用又は併用でき、その添加量は、一般に３０
〜４００ｇ／ｌ、好ましくは７０〜１５０ｇ／ｌであ
る。
【００２４】上記アルカンスルホン酸は、次の一般式を
有し、 Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜11のアルキル基) 具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プ
ロパンスルホン酸、２―プロパンスルホン酸、ブタンス
ルホン酸、２―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン
酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカン
スルホン酸などである。
有し、 Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜11のアルキル基) 具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プ
ロパンスルホン酸、２―プロパンスルホン酸、ブタンス
ルホン酸、２―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン
酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカン
スルホン酸などである。
【００２５】上記アルカノールスルホン酸は、次の一般
式を有し、 ＨＯ―Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜11のアルキル基、但し、ＯＨ基はアル
キル基の任意の位置にあって良い。) 具体的には、イセチオン酸(２―ヒドロキシエタン―１
―スルホン酸)、２―ヒドロキシプロパン―１―スルホ
ン酸、１―ヒドロキシプロパン―２―スルホン酸、３―
ヒドロキシプロパン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシ
ブタン―１―スルホン酸、４―ヒドロキシブタン―１―
スルホン酸、２―ヒドロキシペンタン―１―スルホン
酸、２―ヒドロキシヘキサン―１―スルホン酸、２―ヒ
ドロキシデカン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシドデ
カン―１―スルホン酸などである。
式を有し、 ＨＯ―Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜11のアルキル基、但し、ＯＨ基はアル
キル基の任意の位置にあって良い。) 具体的には、イセチオン酸(２―ヒドロキシエタン―１
―スルホン酸)、２―ヒドロキシプロパン―１―スルホ
ン酸、１―ヒドロキシプロパン―２―スルホン酸、３―
ヒドロキシプロパン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシ
ブタン―１―スルホン酸、４―ヒドロキシブタン―１―
スルホン酸、２―ヒドロキシペンタン―１―スルホン
酸、２―ヒドロキシヘキサン―１―スルホン酸、２―ヒ
ドロキシデカン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシドデ
カン―１―スルホン酸などである。
【００２６】上記第一スズ塩、又は第一スズ塩と鉛塩の
混合物は、有機塩、無機塩を問わず任意の可溶性の塩類
を使用できるが、前記有機スルホン酸の塩類が好まし
く、可溶性金属塩の総濃度は、一般には金属に換算して
０.５〜２００ｇ／ｌ、好ましくは１０〜１００ｇ／ｌ
である。
混合物は、有機塩、無機塩を問わず任意の可溶性の塩類
を使用できるが、前記有機スルホン酸の塩類が好まし
く、可溶性金属塩の総濃度は、一般には金属に換算して
０.５〜２００ｇ／ｌ、好ましくは１０〜１００ｇ／ｌ
である。
【００２７】一方、本発明１のメッキ浴は、前述したよ
うに、スズ供給源、又はスズと鉛の供給源と、有機スル
ホン酸と、特定のトリアルキルベンジルアンモニウム塩
類とを含有することを必須要件とし、本発明２では、さ
らに特定の芳香族スルホン酸類を加えることを必須要件
とするが、これらのメッキ浴には、浴の分散性を高める
とともに、密着性が良くて平滑なメッキ皮膜を得るため
に、種々の界面活性剤を添加することができる。特に、
ノニオン系界面活性剤の添加は、メッキ外観を向上させ
るとともに、低電流密度においてつき回り性を改善する
点で効果がある。上記界面活性剤の添加量は、一般に
０.０１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０.０３〜２０ｇ／ｌ
である。
うに、スズ供給源、又はスズと鉛の供給源と、有機スル
ホン酸と、特定のトリアルキルベンジルアンモニウム塩
類とを含有することを必須要件とし、本発明２では、さ
らに特定の芳香族スルホン酸類を加えることを必須要件
とするが、これらのメッキ浴には、浴の分散性を高める
とともに、密着性が良くて平滑なメッキ皮膜を得るため
に、種々の界面活性剤を添加することができる。特に、
ノニオン系界面活性剤の添加は、メッキ外観を向上させ
るとともに、低電流密度においてつき回り性を改善する
点で効果がある。上記界面活性剤の添加量は、一般に
０.０１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０.０３〜２０ｇ／ｌ
である。
【００２８】上記ノニオン系界面活性剤としては、下記
のものが好ましい。 (1)ポリアルキレングリコール(アルキレンとしては、エ
チレン、プロピレンなど)。 (2)Ｃ1〜20アルコール類、Ｃ0〜25アルキルフェノール
類、Ｃ0〜25アルキル―α(又はβ)―ナフトール類、ス
チレン化フェノール類(フェノール核の水素はＣ1〜4ア
ルキル又はフェニル基で置換可能)、ビスフェノール
類、アルキルアミン類(脂肪族アミンやアルキレンジア
ミンなど)、Ｃ3〜22脂肪酸アミド、Ｃ1〜25アルコキシ
ル化りん酸、Ｃ8〜22高級脂肪酸でエステル化したソル
ビタンエステルなどのポリオキシアルキレン付加物。
のものが好ましい。 (1)ポリアルキレングリコール(アルキレンとしては、エ
チレン、プロピレンなど)。 (2)Ｃ1〜20アルコール類、Ｃ0〜25アルキルフェノール
類、Ｃ0〜25アルキル―α(又はβ)―ナフトール類、ス
チレン化フェノール類(フェノール核の水素はＣ1〜4ア
ルキル又はフェニル基で置換可能)、ビスフェノール
類、アルキルアミン類(脂肪族アミンやアルキレンジア
ミンなど)、Ｃ3〜22脂肪酸アミド、Ｃ1〜25アルコキシ
ル化りん酸、Ｃ8〜22高級脂肪酸でエステル化したソル
ビタンエステルなどのポリオキシアルキレン付加物。
【００２９】さらに、本発明のハンダメッキ浴では、メ
ッキ表面の平滑性を向上するためにある種の平滑剤を含
有させることができる。当該平滑剤は各種の前記界面活
性剤と併用することにより、さらに相乗的な効果を奏す
る。この場合の平滑剤は、一般に、スズメッキ、又はス
ズ−鉛合金メッキに使われる平滑剤であれば原則として
差し支えなく使用できるが、例えば、スルファニル酸
系、キノイルエーテル系、ベンゾトリアゾール系、ベン
ゾチアゾール系、フェニレンジアミン系、トリアジン
系、ベンズアルデヒド系などの化合物を挙げることがで
きる。
ッキ表面の平滑性を向上するためにある種の平滑剤を含
有させることができる。当該平滑剤は各種の前記界面活
性剤と併用することにより、さらに相乗的な効果を奏す
る。この場合の平滑剤は、一般に、スズメッキ、又はス
ズ−鉛合金メッキに使われる平滑剤であれば原則として
差し支えなく使用できるが、例えば、スルファニル酸
系、キノイルエーテル系、ベンゾトリアゾール系、ベン
ゾチアゾール系、フェニレンジアミン系、トリアジン
系、ベンズアルデヒド系などの化合物を挙げることがで
きる。
【００３０】より具体的には、Ｎ―(３―ヒドロキシブ
チリデン)―ｐ―スルファニル酸、Ｎ―ブチリデンスル
ファニル酸、Ｎ―シンナモイリデンスルファニル酸、８
―プロピルキノイルエーテル、１―(３―ヒドロキシブ
テン―１)ベンゾトリアゾール、Ｎ,Ｎ′―ジブチリデン
―ｏ―フェニレンジアミン、Ｎ,Ｎ′―ジイソブチリデ
ン―ｏ―フェニレンジアミン、Ｎ,Ｎ′―ジ(３―ヒドロ
キシブチリデン)―ｏ―フェニレンジアミン、ｍ―ニト
ロベンズアルデヒド、２,４―ジアミノ―６―(２′―メ
チルイミダゾリル(１′))エチル―１,３,５―トリアジ
ン、２,４―ジアミノ―６―(２′―エチル―４―メチル
イミダゾリル(１′))エチル―１,３,５―トリアジン、
２,４―ジアミノ―６―(２′―ウンデシルイミダゾリル
(１′))エチル―１,３,５―トリアジン、サリチル酸フ
ェニル、スチリルシアナイドなどが挙げられる。
チリデン)―ｐ―スルファニル酸、Ｎ―ブチリデンスル
ファニル酸、Ｎ―シンナモイリデンスルファニル酸、８
―プロピルキノイルエーテル、１―(３―ヒドロキシブ
テン―１)ベンゾトリアゾール、Ｎ,Ｎ′―ジブチリデン
―ｏ―フェニレンジアミン、Ｎ,Ｎ′―ジイソブチリデ
ン―ｏ―フェニレンジアミン、Ｎ,Ｎ′―ジ(３―ヒドロ
キシブチリデン)―ｏ―フェニレンジアミン、ｍ―ニト
ロベンズアルデヒド、２,４―ジアミノ―６―(２′―メ
チルイミダゾリル(１′))エチル―１,３,５―トリアジ
ン、２,４―ジアミノ―６―(２′―エチル―４―メチル
イミダゾリル(１′))エチル―１,３,５―トリアジン、
２,４―ジアミノ―６―(２′―ウンデシルイミダゾリル
(１′))エチル―１,３,５―トリアジン、サリチル酸フ
ェニル、スチリルシアナイドなどが挙げられる。
【００３１】同じく、上記ベンゾチアゾール系の平滑剤
としては、特に、ベンゾチアゾール、２―メチルベンゾ
チアゾール、２―(メチルメルカプト)ベンゾチアゾー
ル、２―アミノベンゾチアゾール、２―アミノ―６―メ
トキシベンゾチアゾール、２―メチル―５―クロロベン
ゾチアゾール、２―ヒドロキシベンゾチアゾール、２―
アミノ―６―メチルベンゾチアゾール、２―クロロベン
ゾチアゾール、２,５―ジメチルベンゾチアゾール、６
―ニトロ―２―メルカプトベンゾチアゾール、５―ヒド
ロキシ―２―メチルベンゾチアゾール、２―ベンゾチア
ゾールチオ酢酸などが挙げられる。
としては、特に、ベンゾチアゾール、２―メチルベンゾ
チアゾール、２―(メチルメルカプト)ベンゾチアゾー
ル、２―アミノベンゾチアゾール、２―アミノ―６―メ
トキシベンゾチアゾール、２―メチル―５―クロロベン
ゾチアゾール、２―ヒドロキシベンゾチアゾール、２―
アミノ―６―メチルベンゾチアゾール、２―クロロベン
ゾチアゾール、２,５―ジメチルベンゾチアゾール、６
―ニトロ―２―メルカプトベンゾチアゾール、５―ヒド
ロキシ―２―メチルベンゾチアゾール、２―ベンゾチア
ゾールチオ酢酸などが挙げられる。
【００３２】上記平滑剤の添加量は、一般に０.００１
〜１０ｇ／ｌ、好ましくは０.１〜５ｇ／ｌである。
〜１０ｇ／ｌ、好ましくは０.１〜５ｇ／ｌである。
【００３３】上記酸化防止剤は、基本的にスズの２価か
ら４価への酸化を防止するために使用され、具体的に
は、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール、フロロ
グルシン、ピロガロール、α又はβ―ナフトール、フェ
ノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸などである。
ら４価への酸化を防止するために使用され、具体的に
は、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール、フロロ
グルシン、ピロガロール、α又はβ―ナフトール、フェ
ノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸などである。
【００３４】上記酸化防止剤の添加量は、一般に０.０
５〜１０ｇ／ｌ、好ましくは０.２〜３ｇ／ｌである。
５〜１０ｇ／ｌ、好ましくは０.２〜３ｇ／ｌである。
【００３５】また、本発明のメッキ浴での上記各成分の
濃度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッキ
等に対応して任意に選択できる。適用温度範囲は５〜３
０℃の常温付近で良く、高速度メッキでは３５〜６０℃
程度に昇温しても良い。
濃度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッキ
等に対応して任意に選択できる。適用温度範囲は５〜３
０℃の常温付近で良く、高速度メッキでは３５〜６０℃
程度に昇温しても良い。
【００３６】
(1)本発明１では、スズ供給源、又はスズ及び鉛供給源
となる可溶性混合塩と有機スルホン酸の基本浴に、特定
のトリアルキルベンジルアンモニウム塩類を添加する
と、後述の試験例に示すように、ハンダ接合強度を高め
て半導体部品などをプリント基板上に強固にマウントで
き、実装の信頼度を向上できる。
となる可溶性混合塩と有機スルホン酸の基本浴に、特定
のトリアルキルベンジルアンモニウム塩類を添加する
と、後述の試験例に示すように、ハンダ接合強度を高め
て半導体部品などをプリント基板上に強固にマウントで
き、実装の信頼度を向上できる。
【００３７】(2)本発明１では、後述の試験例に示すよ
うに、半導体部品などの実装に際して、スズ、又はハン
ダメッキした銅合金、或は４２合金製などのリードの全
体を折り曲げたり、切断するなどの後加工を施しても、
リードを覆うメッキ皮膜にクラックが発生するなどの弊
害を有効に低減でき、この面からも実装の信頼性が向上
する。
うに、半導体部品などの実装に際して、スズ、又はハン
ダメッキした銅合金、或は４２合金製などのリードの全
体を折り曲げたり、切断するなどの後加工を施しても、
リードを覆うメッキ皮膜にクラックが発生するなどの弊
害を有効に低減でき、この面からも実装の信頼性が向上
する。
【００３８】(3)本発明２では、上記トリアルキルベン
ジルアンモニウム塩類に加えて、ベンジルスルホン酸、
ナフタレンスルホン酸、又はこれらの誘導体などの所定
の芳香族スルホン酸類を併用添加すると、後述の試験例
に示すように、後加工に際して、クラック発生の防止効
果がさらに促進されるとともに、電着皮膜の硬度も良好
に増大する。通常、電着皮膜の硬度が増すと、メッキ処
理したリードを後加工する場合、皮膜にクラックが発生
し易くなるが、本発明２によれば、この皮膜硬度の向上
とクラック発生防止との相反的な条件を良好に両立でき
る。
ジルアンモニウム塩類に加えて、ベンジルスルホン酸、
ナフタレンスルホン酸、又はこれらの誘導体などの所定
の芳香族スルホン酸類を併用添加すると、後述の試験例
に示すように、後加工に際して、クラック発生の防止効
果がさらに促進されるとともに、電着皮膜の硬度も良好
に増大する。通常、電着皮膜の硬度が増すと、メッキ処
理したリードを後加工する場合、皮膜にクラックが発生
し易くなるが、本発明２によれば、この皮膜硬度の向上
とクラック発生防止との相反的な条件を良好に両立でき
る。
【００３９】(4)上記トリアルキルベンジルアンモニウ
ム塩類及び芳香族スルホン酸類の外に、ノニオン系界面
活性剤、又は平滑剤を追加混合すると、メッキ皮膜の付
き回り性、密着性、及び平滑性などが向上する。
ム塩類及び芳香族スルホン酸類の外に、ノニオン系界面
活性剤、又は平滑剤を追加混合すると、メッキ皮膜の付
き回り性、密着性、及び平滑性などが向上する。
【００４０】
【実施例】以下、トリアルキルベンジルアンモニウム塩
類を単独添加した場合、及び芳香族スルホン酸類を併用
添加した場合の実施例を比較例と併せて順次述べるとと
もに、各実施例の浴を用いたメッキ皮膜のハンダ接合強
度に関するピーリング試験、折り曲げによるクラック測
定試験、並びに皮膜硬度試験の結果を比較例との対比に
おいて併記する。尚、本発明は下記の実施例に拘束され
るものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で多くの
変形をなし得ることは勿論である。
類を単独添加した場合、及び芳香族スルホン酸類を併用
添加した場合の実施例を比較例と併せて順次述べるとと
もに、各実施例の浴を用いたメッキ皮膜のハンダ接合強
度に関するピーリング試験、折り曲げによるクラック測
定試験、並びに皮膜硬度試験の結果を比較例との対比に
おいて併記する。尚、本発明は下記の実施例に拘束され
るものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で多くの
変形をなし得ることは勿論である。
【００４１】以下の実施例１〜１２において、Ａ群は有
機スルホン酸の基本浴にトリアルキルベンジルアンモニ
ウム塩類を単独添加した例、Ｂ群は当該アンモニウム塩
類に芳香族スルホン酸類を併用添加した例、比較例１〜
１２のうち、例１〜５及び例１１はこの両者を省略した
もの、比較例６〜１０及び１２は当該アンモニウム塩類
を省略し、芳香族スルホン酸類を添加したものである。
機スルホン酸の基本浴にトリアルキルベンジルアンモニ
ウム塩類を単独添加した例、Ｂ群は当該アンモニウム塩
類に芳香族スルホン酸類を併用添加した例、比較例１〜
１２のうち、例１〜５及び例１１はこの両者を省略した
もの、比較例６〜１０及び１２は当該アンモニウム塩類
を省略し、芳香族スルホン酸類を添加したものである。
【００４２】《実施例１Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.４ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.６ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.４ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.６ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００４３】《実施例１Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００４４】《比較例１》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １７ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １７ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００４５】《実施例２Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.１ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.９ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.１ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.９ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００４６】《実施例２Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.１ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.９ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジペンチルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.１ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.９ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジペンチルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００４７】《比較例２》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２８ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ２２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２８ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ２２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００４８】《実施例３Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４９.１ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.９ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４９.１ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.９ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００４９】《実施例３Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４４.９ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.１ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ トリイソプロピルナフタレンスルホン酸カリウム １ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４４.９ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.１ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ トリイソプロピルナフタレンスルホン酸カリウム １ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００５０】《比較例３》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００５１】《実施例４Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ２.０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ２.０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５２】《実施例４Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４４.５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ２,７−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸 ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４４.５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ２,７−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸 ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５３】《比較例４》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５４】《実施例５Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.７ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.３ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)エチルメチルオクタデシル −アンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.７ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.３ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)エチルメチルオクタデシル −アンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００５５】《実施例５Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)エチルメチルオクタデシル −アンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)エチルメチルオクタデシル −アンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００５６】《比較例５》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００５７】《実施例６Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.７ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.７ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５８】《実施例６Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４３.９ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６.１ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４３.９ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６.１ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５９】《比較例６》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６０】《実施例７Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４９.３ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ０.７ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル −アンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４９.３ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ０.７ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル −アンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００６１】《実施例７Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４４.４ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.６ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル −アンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４４.４ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ５.６ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル −アンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００６２】《比較例７》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００６３】《実施例８Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４７.９ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ２.１ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４７.９ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ２.１ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６４】《実施例８Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６５】《比較例８》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６６】《実施例９Ａ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００６７】《実施例９Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.７ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.７ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００６８】《比較例９》下記の組成でスズ―鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００６９】《実施例１０Ａ》下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.４ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.６ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４８.４ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １.６ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７０】《実施例１０Ｂ》下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.１ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.９ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４５.１ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.９ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７１】《比較例１０》下記の組成でスズ―鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４３.７ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６.３ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４３.７ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６.３ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７２】《実施例１１Ａ》下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７３】《実施例１１Ｂ》下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −メチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７４】《比較例１１》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７５】《実施例１２Ａ》下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００７６】《実施例１２Ｂ》下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルデシルアンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００７７】《比較例１２》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １２０ｇ／ｌ １,４−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸カリウム ２ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ２０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００７８】《電気メッキ例》５mm×２０mm×０.２mm
の４２合金製の試験片にアルカリ浸漬脱脂、及び陰極電
解脱脂を施し、１０％塩酸で室温、３０秒の条件にて酸
洗浄し、化学研磨した後、再び塩酸で酸洗浄して(条件
は前記洗浄と同じ)前処理を終えた。当該前処理を施し
た試験片を上記Ａ群・Ｂ群実施例、並びに比較例１〜１
２の各メッキ浴に浸漬し、浴温２５℃、陰極電流密度１
５Ａ／ｄｍ2の条件で、スターラーで強力に撹拌しなが
ら試験片にスズ、又はスズ−鉛合金の電気メッキを施し
た。そして、電着皮膜が下記の膜厚条件を満たすように
してメッキ操作を終了し、各試験片を５％リン酸ナトリ
ウムに６０℃、３０秒の条件で浸漬した後、純水で湯洗
し、乾燥して、後述の各種試験用の試料を各々作成し
た。
の４２合金製の試験片にアルカリ浸漬脱脂、及び陰極電
解脱脂を施し、１０％塩酸で室温、３０秒の条件にて酸
洗浄し、化学研磨した後、再び塩酸で酸洗浄して(条件
は前記洗浄と同じ)前処理を終えた。当該前処理を施し
た試験片を上記Ａ群・Ｂ群実施例、並びに比較例１〜１
２の各メッキ浴に浸漬し、浴温２５℃、陰極電流密度１
５Ａ／ｄｍ2の条件で、スターラーで強力に撹拌しなが
ら試験片にスズ、又はスズ−鉛合金の電気メッキを施し
た。そして、電着皮膜が下記の膜厚条件を満たすように
してメッキ操作を終了し、各試験片を５％リン酸ナトリ
ウムに６０℃、３０秒の条件で浸漬した後、純水で湯洗
し、乾燥して、後述の各種試験用の試料を各々作成し
た。
【００７９】 電着皮膜の膜厚 (1)ピーリング試験、折り曲げ試験： １０μｍ±１μｍ (2)ビッカース硬度測定試験 ： ５０μｍ±３μｍ
【００８０】尚、スズ−鉛合金の電着皮膜(即ち、実施例
１Ａ・Ｂ〜１０Ａ・Ｂ、並びに比較例１〜１０)に関して
は、皮膜物性を統一したうえで下記の各種試験を実施す
る必要があるため、各メッキ浴の組成を夫々変化させ
て、皮膜の鉛組成比が１０±１％内に留まるように調整
した。
１Ａ・Ｂ〜１０Ａ・Ｂ、並びに比較例１〜１０)に関して
は、皮膜物性を統一したうえで下記の各種試験を実施す
る必要があるため、各メッキ浴の組成を夫々変化させ
て、皮膜の鉛組成比が１０±１％内に留まるように調整
した。
【００８１】《ピーリング試験例》図４Ａに示すよう
に、上記電気メッキを施した試験片と、同形状の銅板と
を極めて狭い隙間を介して重ね合わせ、２３０℃の共晶
ハンダ液に縦向きにしてディッピング方式で端部５mmを
浸漬し、ハンダ付けした。次いで、図４Ｂ〜Ｃに示すよ
うに、試験片と銅板の両端を開いて引っ張り、接合部を
破断させて、その破断面を２００倍の実体顕微鏡で観察
した。
に、上記電気メッキを施した試験片と、同形状の銅板と
を極めて狭い隙間を介して重ね合わせ、２３０℃の共晶
ハンダ液に縦向きにしてディッピング方式で端部５mmを
浸漬し、ハンダ付けした。次いで、図４Ｂ〜Ｃに示すよ
うに、試験片と銅板の両端を開いて引っ張り、接合部を
破断させて、その破断面を２００倍の実体顕微鏡で観察
した。
【００８２】但し、この破断面の評価基準は、次の通り
である。 ○：ハンダ層中で破断したもの(図５Ａ参照)。 △：ハンダ層中の破断と、試験片・ハンダ界面の破断と
が混在したもの(図５Ｂ参照)。 ×：試験片・ハンダ界面で破断したもの(図５Ｃ参照)。
である。 ○：ハンダ層中で破断したもの(図５Ａ参照)。 △：ハンダ層中の破断と、試験片・ハンダ界面の破断と
が混在したもの(図５Ｂ参照)。 ×：試験片・ハンダ界面で破断したもの(図５Ｃ参照)。
【００８３】図１はその結果を示し、トリアルキルベン
ジルアンモニウム塩類を単独添加したＡ群実施例(１Ａ
〜１２Ａ)、並びに芳香族スルホン酸類を併用添加した
Ｂ群実施例(１Ｂ〜１２Ｂ)では、評価は全て○であった
が、トリアルキルベンジルアンモニウム塩類を省略した
比較例１〜１２では△の評価が３例、他は全て×の評価
であった。
ジルアンモニウム塩類を単独添加したＡ群実施例(１Ａ
〜１２Ａ)、並びに芳香族スルホン酸類を併用添加した
Ｂ群実施例(１Ｂ〜１２Ｂ)では、評価は全て○であった
が、トリアルキルベンジルアンモニウム塩類を省略した
比較例１〜１２では△の評価が３例、他は全て×の評価
であった。
【００８４】《折り曲げ試験例》前記電気メッキを施し
た試験片を図６に示すようにラジオペンチで９０度の角
度に２往復折り曲げ、折り曲げ部の内側Ｐのクラックの
状態を２００倍の実体顕微鏡で観察した。
た試験片を図６に示すようにラジオペンチで９０度の角
度に２往復折り曲げ、折り曲げ部の内側Ｐのクラックの
状態を２００倍の実体顕微鏡で観察した。
【００８５】但し、クラックの評価基準は、次の通りで
ある。 ○：クラックなし。 △：微細なクラックが発生。 ×：顕著なクラックが発生。
ある。 ○：クラックなし。 △：微細なクラックが発生。 ×：顕著なクラックが発生。
【００８６】図２はその結果を示し、比較例の評価はほ
とんど×であったが、Ａ群実施例では△の評価が４例に
増え、クラック発生の弊害をある程度低減できた。ま
た、芳香族スルホン酸を併用添加したＢ群実施例では、
クラックが発生しないか、発生してもきわめて微細であ
り、全て略○の評価に改善された。
とんど×であったが、Ａ群実施例では△の評価が４例に
増え、クラック発生の弊害をある程度低減できた。ま
た、芳香族スルホン酸を併用添加したＢ群実施例では、
クラックが発生しないか、発生してもきわめて微細であ
り、全て略○の評価に改善された。
【００８７】《ビッカース硬度測定試験例》ＪＩＳ-Ｚ-
２２５１に基づいて、前記電気メッキを施した試験片の
電着皮膜の硬度を荷重０.５ｇｆ、保持時間３０秒で夫
々１０回測定し、その平均値を算出した。図３はその結
果を示し、Ａ群実施例の皮膜硬度は各比較例１〜１２と
余り変化はないが、芳香族スルホン酸を併用添加したＢ
群実施例の皮膜硬度は比較例１〜１２に比べて顕著に増
大し、特に、略半分のＢ群実施例で６０％前後の硬度増
加が認められた。
２２５１に基づいて、前記電気メッキを施した試験片の
電着皮膜の硬度を荷重０.５ｇｆ、保持時間３０秒で夫
々１０回測定し、その平均値を算出した。図３はその結
果を示し、Ａ群実施例の皮膜硬度は各比較例１〜１２と
余り変化はないが、芳香族スルホン酸を併用添加したＢ
群実施例の皮膜硬度は比較例１〜１２に比べて顕著に増
大し、特に、略半分のＢ群実施例で６０％前後の硬度増
加が認められた。
【００８８】因みに、前記折り曲げ試験例と併せて考察
すると、Ｂ群実施例では皮膜硬度が大きい(例えば、実施
例３Ｂ、６Ｂ、９Ｂ、１１Ｂ、１２Ｂでは、９に近い、又は９
以上の皮膜硬度を示す)にも拘わらず、折り曲げ試験の
結果でもクラックが発生しない(或は、ほとんど発生しな
い)ことから、硬度の向上とクラックの発生防止を有効
に両立できることが判る。
すると、Ｂ群実施例では皮膜硬度が大きい(例えば、実施
例３Ｂ、６Ｂ、９Ｂ、１１Ｂ、１２Ｂでは、９に近い、又は９
以上の皮膜硬度を示す)にも拘わらず、折り曲げ試験の
結果でもクラックが発生しない(或は、ほとんど発生しな
い)ことから、硬度の向上とクラックの発生防止を有効
に両立できることが判る。
【図１】ピーリング試験結果を示す図表である。
【図２】折り曲げ試験結果を示す図表である。
【図３】ビッカース硬度測定結果を示す図表である。
【図４】ピーリング試験の手順を示す説明図である。
【図５】ピーリング試験におけるハンダ層の破断面の状
態を示す要部縦断面図である。
態を示す要部縦断面図である。
【図６】折り曲げ試験の手順を示す説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤村 一正 兵庫県加古川市平岡町二俣651―２―1013 号 (72)発明者 正木 征史 兵庫県明石市二見町南二見21番地の８ 株 式会社大和化成研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び鉛塩
の混合物とのいずれかよりなる可溶性金属塩、 (Ｂ)アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸など
の有機スルホン酸、 (Ｃ)次の一般式(Ｉ)で表される特定のトリアルキルベン
ジルアンモニウム塩類から成る皮膜物性改質剤 【化１】 (式(Ｉ)中、Ｒ1はメチル及びエチルのいずれか；Ｒ2は
メチル及びエチルのいずれか；Ｒ3はＣ8〜Ｃ18アルキ
ル；Ｒ4は水素、メチル、ハロゲン、ＣＦ3、ＣＣｌ3、
ＣＩ3；Ｘ-はＣ1〜Ｃ5アルキルスルホネート、ハロゲ
ン、アセテートなどの種々のアニオンである；ｎは０〜
３の整数である。)を含有することを特徴とする皮膜物性
改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴。 - 【請求項２】 ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸、及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた芳香
族スルホン酸類を添加することを特徴とする請求項１に
記載の皮膜物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ
浴。 - 【請求項３】 ノニオン系界面活性剤を添加することを
特徴とする請求項１又は２に記載の皮膜物性改質用ス
ズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴。 - 【請求項４】 平滑剤を添加することを特徴とする請求
項１〜３のいずれか１項に記載の皮膜物性改質用スズ、
及びスズ―鉛合金メッキ浴。 - 【請求項５】 酸化防止剤を添加することを特徴とする
請求項１〜４のいずれか１項に記載の皮膜物性改質用ス
ズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27833195A JP3425642B2 (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 皮膜物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27833195A JP3425642B2 (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 皮膜物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0995794A true JPH0995794A (ja) | 1997-04-08 |
| JP3425642B2 JP3425642B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=17595847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27833195A Expired - Fee Related JP3425642B2 (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 皮膜物性改質用スズ、及びスズ―鉛合金メッキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3425642B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005290505A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Mitsubishi Materials Corp | 鉛−スズ合金ハンダめっき液 |
| JP2007051358A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 |
| JP2009242948A (ja) * | 2002-03-05 | 2009-10-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | スズ又はスズ合金電気メッキ浴液における酸化によるスズ損失の制限 |
-
1995
- 1995-10-02 JP JP27833195A patent/JP3425642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009242948A (ja) * | 2002-03-05 | 2009-10-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | スズ又はスズ合金電気メッキ浴液における酸化によるスズ損失の制限 |
| JP2005290505A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Mitsubishi Materials Corp | 鉛−スズ合金ハンダめっき液 |
| JP2007051358A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3425642B2 (ja) | 2003-07-14 |
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