JP2000265280A - 無電解スズ−銀合金メッキ浴及び当該メッキ浴でスズ−銀合金皮膜を施したｔａｂのフィルムキャリア等 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 無電解スズ−銀合金メッキ浴において、浴の
経時安定性を高めてスズと銀を確実に共析化させるとと
もに、皮膜中の銀の組成比を低く抑え、接合強度を向上
する。 【解決手段】 第一スズ塩及び銀塩と、有機スルホン酸
などの有機酸及び無機酸の少なくとも一種と、含窒素系
化合物(チオ尿素又はその誘導体、アミン類)と塩基性窒
素原子を有するスルフィド系化合物の混合物とを含有す
る。含窒素系化合物とスルフィド系化合物を錯化剤とし
て併用するため、その相乗効果によって浴中の銀イオン
が安定化し、スズも円滑に共析化する。このため、本発
明の無電解メッキ浴は高温経時安定性に優れ、スズ−銀
合金皮膜中の銀の組成比を低く抑えて、スズ皮膜などに
比べても遜色のない接合強度や皮膜外観を確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は無電解スズ−銀合金
メッキ浴、並びに当該メッキ浴によりスズ−銀合金皮膜
を形成したＴＡＢのフィルムキャリアやプリント基板に
関し、浴の高温経時安定性に優れ、銀とスズを確実に共
析化させて、スズ皮膜などに比べても遜色のない接合強
度や外観を有するスズ−銀合金メッキ皮膜を形成できる
ものを提供する。

【０００２】

【発明の背景】一般に、銀は種々の化合物と不溶性の塩
類を生成し易いので、メッキ浴中で銀イオンを安定化さ
せることは容易でなく、浴が分解して銀が析出し易い。
また、銀は電気化学的には貴な金属であるため、他の金
属との合金メッキは容易でない。このような実情から、
実用的な無電解スズ−銀合金メッキ浴はあまり知られて
おらず、この分野での優れたメッキ浴の開発が強く望ま
れている。

【０００３】

【従来の技術】特開昭６２−７７４８１号公報(以下、
従来技術１という)には、無電解スズメッキ浴に銀塩を
約５０〜５００００ｐｐｍ(即ち、約０.０５〜５０ｇ／
Ｌ)、或はパラジウム塩を約５〜１００００ｐｐｍ(即
ち、約０.００５〜１０ｇ／Ｌ)の割合で含有させて、ス
ズホイスカーの成長を防止する方法が記載されている
(同公報の請求の範囲及び第５頁右上欄第３行〜第１５
行参照)。さらに、上記無電解スズメッキ浴の具体例と
しては、シプレー社製のテイン−ポシト(TIN−POSIT)及
びＬＴ−２６が挙げられ、当該ＬＴ−２６には塩化第一
スズとチオ尿素などが含まれる(同公報の第５頁右下欄
第３行〜第９行参照)。また、同従来技術１の実施例３
には、上記テイン−ポシト溶液６０ｍｌに硫酸銀の飽和
水１０ｍｌ(水１００ｇ当たり硫酸銀０.７ｇ)を含有さ
せた無電解メッキ浴が開示されている。そして、このパ
ラジウム塩を含有した無電解メッキ浴により形成された
皮膜は、本質的にパラジウムを約０.１〜２０重量％ま
での範囲で含み、残部はスズから成っており、また、浴
に銀塩を含有させた場合には、皮膜に銀が含まれても良
いことが記載されている(同公報の第６頁右下欄第７行
〜第２０行参照)。

【０００４】一方、特開平６−７７２９２号公報(以
下、従来技術２という)には、ホウフッ化スズとフェノ
ールスルホン酸とチオ尿素と次亜リン酸ナトリウムなど
から構成された、シプレイ・ファーイースト社製の無電
解スズメッキ浴「TINPOSIT LT−34」が開示されている
(同公報の第７段落参照)。

【０００５】従って、従来技術１の析出皮膜の共析率の
数値、並びに従来技術２の記述を総合的に判断すると、
上記従来技術１の実施例３に記載された銀塩を含有する
テイン−ポシト溶液は、前記ＬＴ−２６と同様に、実質
的にチオ尿素を含有する無電解スズ−銀合金メッキ浴で
あると強く推定できる。また、一方で、実際の無電解ス
ズ−銀合金メッキ処理においては、析出速度を高く保持
して生産性を向上する見地から、６０〜７０℃の浴温
で、２００時間、或はそれ以上の時間に亘って連続運転
するのが一般的である。そこで、この実際的な条件に基
づいて、チオ尿素を含有(或は、これに界面活性剤を追
加)しただけの無電解スズ−銀合金メッキ浴を用いてメ
ッキ処理を試みたところ、高温経時安定性は不充分であ
り、長時間の連続運転では銀が析出して浴が分解してし
まう弊害がある。本発明は、浴の経時安定性が高く、接
合強度などに優れたスズ−銀合金メッキ皮膜を形成でき
る実用性の高い無電解メッキ浴を開発することを技術的
課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、無電解ス
ズ−銀合金メッキ浴中に、ジチオジアニリン、ジピリジ
ルジスルフィドなどの塩基性窒素原子を有するスルフィ
ド系化合物がチオ尿素などと共存すると、メッキ浴の経
時安定性が大幅に改善されてスズと銀の共析化が円滑に
達成されること、得られるスズ−銀合金皮膜の接合強度
や外観も良好に改善されること、また、析出皮膜中の銀
の組成比を低く抑制できることなどを見い出し、本発明
を完成した。

【０００７】即ち、本発明１は、(Ａ)第一スズ塩及び銀
塩、(Ｂ)有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機
酸、及びホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルフ
ァミン酸などの無機酸の少なくとも一種、(Ｃ)チオ尿素
類及びアミン類などの含窒素系化合物と、塩基性窒素原
子を有するスルフィド系化合物との混合物よりなる錯化
剤を含有することを特徴とする無電解スズ−銀合金メッ
キ浴である。

【０００８】本発明２は、上記本発明１において、(Ｃ)
の錯化剤が、チオ尿素とジスルフィド化合物の混合物で
あることを特徴とするものである。

【０００９】本発明３は、上記本発明１〜２のいずれか
の無電解メッキ浴に、さらに還元剤を含有することを特
徴とするものである。

【００１０】本発明４は、上記本発明１〜３のいずれか
の無電解メッキ浴に、さらに界面活性剤を含有すること
を特徴とするものである。

【００１１】本発明５は、上記本発明４において、界面
活性剤がノニオン系界面活性剤と両性界面活性剤の少な
くとも一種であることを特徴とするものである。

【００１２】本発明６は、上記本発明１〜５のいずれか
の無電解メッキ浴に、さらに第一銅化合物を含有するこ
とを特徴とするものである。

【００１３】本発明７は、上記本発明１〜６のいずれか
の無電解スズ−銀合金メッキ浴を用いて、銅箔上にスズ
−銀合金メッキ皮膜を施すことを特徴とするＴＡＢのフ
ィルムキャリア又はプリント基板である。

【００１４】

【発明の実施の形態】上記錯化剤は、チオ尿素類及びア
ミン類などの含窒素系化合物と、塩基性窒素原子を有す
るスルフィド系化合物との混合物よりなる。上記チオ尿
素類はチオ尿素とチオ尿素誘導体を包含する概念であ
る。当該チオ尿素誘導体は、基本的に、チオ尿素の窒素
原子或は硫黄原子の１個以上に各種の置換基が結合し
て、分子容がチオ尿素より大きい化合物をいい、具体的
には、１,３―ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿
素、ジエチルチオ尿素(例えば、１,３―ジエチル―２―
チオ尿素)、Ｎ,Ｎ′―ジイソプロピルチオ尿素、アリル
チオ尿素、アセチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、１,
３―ジフェニルチオ尿素、二酸化チオ尿素、チオセミカ
ルバジドなどが挙げられる。一方、上記アミン類は、ア
ミノ酢酸、アミノプロピオン酸、アミノ吉草酸、アミノ
酸などのアミノカルボン酸系化合物、エチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミンなどのポリアミン系化合
物、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどの
アミノアルコール系化合物などを包含する概念である。
上記アミン類のうちのアミノカルボン酸系化合物の具体
例としては、エチレンジアミン四酢酸(ＥＤＴＡ)、エチ
レンジアミン四酢酸二ナトリウム塩(ＥＤＴＡ・２Ｎ
ａ)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(ＨＥＤ
ＴＡ)、ジエチレントリアミン五酢酸(ＤＴＰＡ)、トリ
エチレンテトラミン六酢酸(ＴＴＨＡ)、エチレンジアミ
ンテトラプロピオン酸、ニトリロ三酢酸(ＮＴＡ)、イミ
ノジ酢酸(ＩＤＡ)、イミノジプロピオン酸(ＩＤＰ)、メ
タフェニレンジアミン四酢酸、１,２−ジアミノシクロ
ヘキサン−Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′−四酢酸、ジアミノプロピ
オン酸、グルタミン酸、オルニチン、システイン、Ｎ,
Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)グリシンなどが挙げら
れる。また、上記アミン類のうちのポリアミン系化合
物、アミノアルコール系化合物などの具体例としては、
エチレンジアミンテトラメチレンリン酸、ジエチレント
リアミンペンタメチレンリン酸、アミノトリメチレンリ
ン酸、アミノトリメチレンリン酸五ナトリウム塩、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールア
ミン、トリプロパノールアミン、メチレンジアミン、エ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレント
リアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレン
ヘキサミン、ヘキサエチレンヘプタミン、シンナミルア
ミン、ｐ―メトキシシンナミルアミンなどが挙げられ
る。尚、上記アミン類のうちでは、分子内にアミノ基を
複数個有するポリアミン系化合物、或はアミノカルボン
酸系化合物が好ましい。

【００１５】また、上記スルフィド系化合物は分子内に
塩基性窒素原子とスルフィド結合、或はジスルフィド結
合とを有する化合物であり、その具体例は次の(1)〜(2)
の通りである。 (1)モノスルフィド化合物 Ｃ₂Ｈ₅ＳＣ₂Ｈ₅、(ｉｓｏ−Ｃ₃Ｈ₇)−Ｓ−(ｉｓｏ−Ｃ₃
Ｈ₇)、Ｃ₂Ｈ₅Ｓ−(ｉｓｏ−Ｃ₄Ｈ₉)、Ｃ₆Ｈ₅ＳＣ₆Ｈ₅、
Ｃ₆Ｈ₅ＳＣＨ₃、２−エチルチオアニリン、２,２′−ジ
ピリジルスルフィド、ＨＯＯＣＣＨ₂ＳＣＨ₂ＣＯＯＨ、
ＨＯＯＣＣＨ₂ＣＨ₂ＳＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯＨなど。 (2)ジスルフィド化合物 ＣＨ₃ＳＳＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅ＳＳＣ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇ＳＳＣ
₃Ｈ₇、Ｃ₆Ｈ₅ＳＳＣ₆Ｈ₅、２,２′−ジベンゾチアゾリ
ルジスルフィド、２−(２−アミノエチルジチオ)ピリジ
ン、２,２′−ジチアジアゾリルジスルフィド、５,５′
−ジ(１,２,３−トリアゾリル)ジスルフィド、２,２′
−ジピラジニルジスルフィド、２,２′−ジピリジルジ
スルフィド、２,２′−ジチオジアニリン、４,４′−ジ
ピリジルジスルフィド、２,２′−ジアミノ−４,４′−
ジメチルジフェニルジスルフィド、２,２′−ジピリダ
ジニルジスルフィド、５,５′−ジピリミジニルジスル
フィド、２,２′−ジ(５−ジメチルアミノチアジアゾリ
ル)ジスルフィド、５,５′−ジ(１−メチルテトラゾリ
ル)ジスルフィド、２,２′−ジ(１−メチルピロリル)ジ
スルフィド、２−ピリジル−２−ヒドロキシフェニルジ
スルフィド、２,２′−ジピペリジルジスルフィド、２,
２′−ジピリジルジスルフィド、２,６−ジ(２−ピリジ
ルジチオ)ピリジン、２,２′−ジピペラジニルジスルフ
ィド、２,２′−ジ(３,５−ジヒドロキシピリミジニル)
ジスルフィド、２,２′−ジキノリルジスルフィド、２,
２′−α−ピコリルジスルフィド、２,２′−ジ(８−ヒ
ドロキシキノリル)ジスルフィド、５,５′−ジイミダゾ
リルジスルフィド、２,２′−ジチアゾリルジスルフィ
ド、２−ピリジル−２−アミノフェニルジスルフィド、
２−ピリジル−２−キノリルジスルフィド、２,２′−
ジチアゾリニルジスルフィド、２,２′−ジモルホリノ
ジスルフィド、２,２′−ジ(８−メトキシキノリル)ジ
スルフィド、４,４′−ジ(３−メトキシカルボニルピリ
ジル)ジスルフィド、２−ピリジル−４−メチルチオフ
ェニルジスルフィド、２−ピペラジル−４−エトキシメ
チルフェニルジスルフィド、２,２′−ジ｛６-(２-ピリ
ジルジチオ)ピリジル｝ジスルフィド、２,２′−ジキノ
キサリニルジスルフィド、２,２′−ジプテリジニルジ
スルフィド、３,３′−ジフラザニルジスルフィド、３,
３′−ジフェナントロリニルジスルフィド、８,８′−
ジキノリルジスルフィド、１,１′−ジフェナジニルジ
スルフィド、２,２′−ジピコリルジスルフィド、ジメ
チルアミノジエチルジスルフィド、２,２′−ジペルヒ
ドロインドリルジスルフィド、２−アミノエチル−２′
−ヒドロキシエチルジスルフィド、ジ(２−ピリジルチ
オ)メタンなど。

【００１６】本発明の錯化剤である含窒素系化合物とス
ルフィド系化合物は任意に組み合わせることができ、含
窒素系化合物及びスルフィド系化合物は夫々単用又は併
用できる。従って、その錯化剤の組み合わせとしては、
例えば、チオ尿素とジチオジアニリン、チオ尿素とジピ
リジルジスルフィド、１,３−チオ尿素とジチオジアニ
リン、１,３−チオ尿素とジピリジルジスルフィド、チ
オ尿素と５,５′−ジ(１,２,３−トリアゾリル)ジスル
フィド、チオ尿素とＤＴＰＡとジチオジアニリン、チオ
尿素とエチレンジアミンとジピリジルジスルフィド、Ｅ
ＤＴＡとジピリジルスルフィド、チオ尿素とジチオジア
ニリンとジピリジルジスルフィド、アセチルチオ尿素と
ＤＴＰＡとジピリジルスルフィド、チオ尿素とチオジア
ニリンなどが挙げられ、チオ尿素とジスルフィド化合物
の組み合わせなどが好ましい。上記含窒素系化合物とス
ルフィド系化合物の混合物よりなる錯化剤の添加量は、
合計で０.５〜３００ｇ／Ｌ、好ましくは２０〜２００
ｇ／Ｌである。

【００１７】上記第一スズ塩及び銀塩は夫々可溶性塩を
基本とするが、難溶性塩などを排除するものではなく、
任意の塩類を使用できる。なかでも、上記第一スズ塩と
しては、後述する有機スルホン酸との塩類が好ましく、
具体的には、メタンスルホン酸第一スズ、エタンスルホ
ン酸第一スズ、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン
酸第一スズ、ｐ−フェノールスルホン酸第一スズなどが
挙げられる。また、上記銀塩としては、硫酸銀、亜硫酸
銀、炭酸銀、スルホコハク酸銀、硝酸銀、有機スルホン
酸銀、ホウフッ化銀、クエン酸銀、酒石酸銀、グルコン
酸銀、シュウ酸銀、酸化銀などの可溶性塩が使用でき、
また、本来は難溶性であるが、スルフィド系化合物など
の作用によりある程度の溶解度を確保できる塩化銀など
も使用できる。銀塩の好ましい具体例としては、メタン
スルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、２−プロパノール
スルホン酸銀、フェノールスルホン酸銀、ホウフッ化銀
などが挙げられる。当該可溶性第一スズ塩或は可溶性銀
塩の金属塩としての換算添加量は、夫々０.０００１〜
２００ｇ／Ｌであり、好ましくは０.１〜８０ｇ／Ｌで
ある。

【００１８】本発明の無電解スズ−銀合金メッキ浴のベ
ースを構成する酸としては、排水処理が比較的容易なア
ルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族ス
ルホン酸等の有機スルホン酸、或は、脂肪族カルボン酸
などの有機酸が好ましいが、ホウフッ化水素酸、ケイフ
ッ化水素酸、スルファミン酸、塩酸、硫酸、過塩素酸な
どの無機酸でも差し支えない。上記の酸は単用又は併用
でき、酸の添加量は０.１〜３００ｇ／Ｌであり、好ま
しくは２０〜１２０ｇ／Ｌである。

【００１９】上記アルカンスルホン酸としては、化学式
Ｃ_nＨ_2n+1ＳＯ₃Ｈ(例えば、ｎ=１〜５、好ましくは１〜
３)で示されるものが使用でき、具体的には、メタンス
ルホン酸、エタンスルホン酸、１―プロパンスルホン
酸、２―プロパンスルホン酸、１―ブタンスルホン酸、
２―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸などの外、
ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスル
ホン酸などが挙げられる。

【００２０】上記アルカノールスルホン酸としては、化
学式 Ｃ_mＨ_2m+1-ＣＨ(ＯＨ)-Ｃ_pＨ_2p-ＳＯ₃Ｈ(例えば、ｍ=０
〜６、ｐ=１〜５) で示されるものが使用でき、具体的には、２―ヒドロキ
シエタン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシプロパン―
１―スルホン酸、２―ヒドロキシブタン―１―スルホン
酸、２―ヒドロキシペンタン―１―スルホン酸などの
外、１―ヒドロキシプロパン―２―スルホン酸、３―ヒ
ドロキシプロパン―１―スルホン酸、４―ヒドロキシブ
タン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシヘキサン―１―
スルホン酸、２―ヒドロキシデカン―１―スルホン酸、
２―ヒドロキシドデカン―１―スルホン酸などが挙げら
れる。

【００２１】上記芳香族スルホン酸は、基本的にはベン
ゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノ
ールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフ
タレンスルホン酸などであって、具体的には、１−ナフ
タレンスルホン酸、２―ナフタレンスルホン酸、トルエ
ンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ｐ―フェノールス
ルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、
ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフェニ
ルアミン―４―スルホン酸などが挙げられる。

【００２２】上記脂肪族カルボン酸としては、一般に、
炭素数１〜６のカルボン酸が使用できる。具体的には、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、クエン酸、酒石酸、グルコ
ン酸、スルホコハク酸、トリフルオロ酢酸などが挙げら
れる。

【００２３】上記還元剤は、前記金属塩の還元用、及び
その析出速度や析出合金比率の調整用などに添加され、
リン酸系化合物、アミンボラン類、水素化ホウ素化合
物、ヒドラジン誘導体などを単用又は併用できる。上記
リン酸系化合物としては、次亜リン酸、亜リン酸、ピロ
リン酸、ポリリン酸、或はこれらのアンモニウム、リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム等の塩が挙げ
られる。上記アミンボラン類としては、ジメチルアミン
ボラン、トリメチルアミンボラン、イソプロピルアミン
ボラン、モルホリンボランなどが挙げられる。上記水素
化ホウ素化合物としては水素化ホウ素ナトリウムなどが
挙げられる。上記ヒドラジン誘導体としては、ヒドラジ
ン水和物、メチルヒドラジン、フェニルヒドラジンなど
が挙げられる。上記還元剤の添加量は０.１〜２００ｇ
／Ｌであり、好ましくは１０〜１５０ｇ／Ｌである。

【００２４】本発明の無電解メッキ浴には上述の成分以
外に、目的に応じて公知の界面活性剤、ｐＨ調整剤、緩
衝剤、平滑剤、応力緩和剤、光沢剤、半光沢剤、安定化
補助錯化剤、隠蔽錯化剤、酸化防止剤などの無電解メッ
キ浴に通常使用される添加剤を混合できることは勿論で
ある。

【００２５】上記界面活性剤は、ノニオン系界面活性
剤、両性界面活性剤、カチオン系界面活性剤、或はアニ
オン系界面活性剤が挙げられ、これら各種の活性剤を単
用又は併用できる。その添加量は０.０１〜１００ｇ／
Ｌ、好ましくは０.１〜５０ｇ／Ｌである。

【００２６】当該ノニオン系界面活性剤の具体例として
は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルカノール、フェノール、ナフトー
ル、ビスフェノール類、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキルフェノー
ル、アリールアルキルフェノール、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキル
ナフトール、Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルコキシル化リン酸(塩)、ソ
ルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、Ｃ₁〜
Ｃ₂₂脂肪族アミン、Ｃ₁〜Ｃ₂₂脂肪族アミドなどにエチ
レンオキシド(ＥＯ)及び／又はプロピレンオキシド(Ｐ
Ｏ)を２〜３００モル付加縮合させたものや、Ｃ₁〜Ｃ_{2 5}
アルコキシル化リン酸(塩)などが挙げられる。

【００２７】上記エチレンオキシド(ＥＯ)及び／又はプ
ロピレンオキシド(ＰＯ)を付加縮合させるＣ₁〜Ｃ₂₀ア
ルカノールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−ブ
タノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール、オクタ
ノール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデカ
ノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、エ
イコサノール、オレイルアルコール、ドコサノールなど
が挙げられる。同じく上記ビスフェノール類としては、
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノール
Ｆなどが挙げられる。上記Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキルフェノー
ルとしては、モノ、ジ、若しくはトリアルキル置換フェ
ノール、例えば、ｐ−メチルフェノール、ｐ−ブチルフ
ェノール、ｐ−イソオクチルフェノール、ｐ−ノニルフ
ェノール、ｐ−ヘキシルフェノール、２,４−ジブチル
フェノール、２,４,６−トリブチルフェノール、ジノニ
ルフェノール、ｐ−ドデシルフェノール、ｐ−ラウリル
フェノール、ｐ−ステアリルフェノールなどが挙げられ
る。上記アリールアルキルフェノールとしては、２−フ
ェニルイソプロピルフェノール、クミルフェノール、
(モノ、ジ又はトリ)スチレン化フェノール、(モノ、ジ
又はトリ)ベンジルフェノールなどが挙げられる。上記
Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルキルナフトールのアルキル基としては、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オクチ
ル、デシル、ドデシル、オクタデシルなどが挙げられ、
ナフタレン核の任意の位置にあって良い。上記アルキレ
ングリコールとしては、ポリオキシエチレングリコー
ル、ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチ
レンポリオキシプロピレン・コポリマーなどが挙げられ
る。

【００２８】上記Ｃ₁〜Ｃ₂₅アルコキシル化リン酸(塩)
は、下記の一般式(ａ)で表されるものである。

【化１】 (式(ａ)中、Ｒ_a及びＲ_bは同一又は異なるＣ₁〜Ｃ₂₅アル
キル、但し、一方がＨであっても良い。ＭはＨ又はアル
カリ金属を示す。)

【００２９】上記ソルビタンエステルとしては、モノ、
ジ又はトリエステル化した１,４−、１,５−又は３,６
−ソルビタン、例えばソルビタンモノラウレート、ソル
ビタンモノパルミテート、ソルビタンジステアレート、
ソルビタンジオレエート、ソルビタン混合脂肪酸エステ
ルなどが挙げられる。上記Ｃ₁〜Ｃ₂₂脂肪族アミンとし
ては、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミ
ン、オクチルアミン、デシルアミン、ラウリルアミン、
ミリスチルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミ
ン、牛脂アミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミ
ンなどの飽和及び不飽和脂肪酸アミンなどが挙げられ
る。上記Ｃ₁〜Ｃ₂₂脂肪族アミドとしては、プロピオン
酸、酪酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリ
スチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、
ベヘン酸、ヤシ油脂肪酸、牛脂脂肪酸などのアミドが挙
げられる。

【００３０】更に、上記ノニオン系界面活性剤として
は、 Ｒ₁Ｎ(Ｒ₂)₂→Ｏ (上式中、Ｒ₁はＣ₅〜Ｃ₂₅アルキル又はＲＣＯＮＨＲ
₃(Ｒ₃はＣ₁〜Ｃ₅アルキレンを示す)、Ｒ₂は同一又は異
なるＣ₁〜Ｃ₅アルキルを示す。) などで示されるアミンオキシドを用いることができる。

【００３１】上記カチオン系界面活性剤としては、下記
の一般式(ｂ)で表される第４級アンモニウム塩

【００３２】

【化２】 (式(ｂ)中、Ｘはハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₅アル
カンスルホン酸又は硫酸、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は同一
又は異なるＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、アリール又はベンジル
を示す。) 或は、下記の一般式(ｃ)で表されるピリジニウム塩など
が挙げられる。

【００３３】

【化３】 (式(ｃ)中、Ｘはハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₅アル
カンスルホン酸又は硫酸、Ｒ₅はＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｒ
₆はＨ又はＣ₁〜Ｃ₁₀アルキルを示す。)

【００３４】塩の形態のカチオン系界面活性剤の例とし
ては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリル
トリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルア
ンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウ
ム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメ
チルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアン
モニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、ジメ
チルジフェニルアンモニウム塩、ベンジルジメチルフェ
ニルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム塩、ラ
ウリルピリジニウム塩、ドデシルピリジニウム塩、ステ
アリルアミンアセテート、ラウリルアミンアセテート、
オクタデシルアミンアセテートなどが挙げられる。

【００３５】上記アニオン系界面活性剤としては、アル
キル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、｛(モノ、ジ、ト
リ)アルキル｝ナフタレンスルホン酸塩などが挙げられ
る。アルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウ
ム、オレイル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオ
キシエチレンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオ
キシエチレン(ＥＯ５)ノニルエーテル硫酸ナトリウム、
ポリオキシエチレン(ＥＯ１５)ドデシルエーテル硫酸ナ
トリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキ
ルフェニルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレ
ン(ＥＯ１５)ノニルフェニルエーテル硫酸塩などが挙げ
られる。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
また、｛(モノ、ジ、トリ)アルキル｝ナフタレンスルホ
ン酸塩としては、ナフタレンスルホン酸塩、ジブチルナ
フタレンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸
ホルマリン縮合物などが挙げられる。

【００３６】上記両性界面活性剤としては、カルボキシ
ベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、ア
ミノカルボン酸などが挙げられる。また、エチレンオキ
シド及び／又はプロピレンオキシドとアルキルアミン又
はジアミンとの縮合生成物の硫酸化、或はスルホン酸化
付加物も使用できる。

【００３７】上記カルボキシベタインは下記の一般式
(ｄ)で表されるものである。

【化４】 (式(ｄ)中、Ｒ₇はＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｒ₈及びＲ₉は同
一又は異なるＣ₁〜Ｃ₅アルキル、ｎは１〜３の整数を示
す。)

【００３８】上記イミダゾリンベタインは下記の一般式
(ｅ)で表されるものである。

【化５】 (式(ｅ)中、Ｒ₁₀はＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｒ₁₁は(ＣＨ₂)_m
ＯＨ又は(ＣＨ₂)_mＯＣＨ₂ＣＯ₂ ^-、Ｒ₁₂は(ＣＨ₂)_nＣＯ₂
^-、(ＣＨ₂)_nＳＯ₃ ^-、ＣＨ(ＯＨ)ＣＨ₂ＳＯ₃ ^-、ｍ及びｎ
は１〜４の整数を示す。)

【００３９】代表的なカルボキシベタイン、或はイミダ
ゾリンベタインは、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイ
ン、ミリスチルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ステアリ
ルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプ
ロピルジメチルアミノ酢酸ベタイン、２−ウンデシル−
１−カルボキシメチル−１−ヒドロキシエチルイミダゾ
リニウムベタイン、２−オクチル−１−カルボキシメチ
ル−１−カルボキシエチルイミダゾリニウムベタインな
どが挙げられ、硫酸化及びスルホン酸化付加物としては
エトキシル化アルキルアミンの硫酸付加物、スルホン酸
化ラウリル酸誘導体ナトリウム塩などが挙げられる。

【００４０】上記スルホベタインとしては、ヤシ油脂肪
酸アミドプロピルジメチルアンモニウム−２−ヒドロキ
シプロパンスルホン酸、Ｎ−ココイルメチルタウリンナ
トリウム、Ｎ−パルミトイルメチルタウリンナトリウム
などが挙げられる。アミノカルボン酸としては、ジオク
チルアミノエチルグリシン、Ｎ−ラウリルアミノプロピ
オン酸、オクチルジ(アミノエチル)グリシンナトリウム
塩などが挙げられる。

【００４１】また、本発明６に示すように、無電解スズ
−銀合金メッキ浴には、第一銅化合物を添加することが
できる。第一銅化合物は基本的にメッキ浴に添加して第
一銅イオン(Ｃｕ⁺)を生成する化合物をいい、具体的に
は下記のものが挙げられる。 (1)銅酸化物：Ｃｕ₂Ｏ (2)ハロゲン化銅：ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ (3)その他の第一銅化合物：Ｃｕ₃Ｐ、ＣｕＳＣＮ、Ｃｕ
Ｂｒ(Ｓ(ＣＨ₃)₂)

【００４２】上記第一銅化合物は単用又は併用でき、そ
の添加量はメッキ浴全体に対して、一般に０.００００
１〜０.３ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０.０００５〜０.０
０３ｍｏｌ／ｌである。０.００００１ｍｏｌ／ｌより
少ないとメッキ皮膜の接合強度などに良好な効果を発揮
できず、０.３ｍｏｌ／ｌより多くなると、均一なフィ
レット形成の支障になる場合があり、析出速度も不安定
になる。尚、当該第一銅化合物は独立成分としてメッキ
浴に添加することを基本とするが、メッキ浴の他の構成
成分、即ち、可溶性塩、酸、錯化剤、還元剤、或は他の
添加剤などが第一銅塩を含んでいる場合、これらの成分
は当該第一銅化合物と同様の作用を奏することが期待で
きる。

【００４３】上記無電解浴でメッキを施す条件として
は、浴温は４５〜９０℃であり、析出速度を増す見地か
らは５０〜７０℃が好ましい。

【００４４】本発明７は上記無電解メッキ浴により電子
部品にスズ−銀合金皮膜を形成したものであり、電子部
品は、具体的には、ＴＡＢ用のフィルムキャリア、通常
のプリント基板である。通常、これらの電子部品は無電
解メッキ浴に浸漬して、電子部品のリード(銅箔)上にス
ズ−銀合金皮膜を被覆する。

【００４５】

【作用】本発明１〜６のメッキ浴には、錯化剤として含
窒素系化合物とスルフィド系化合物が共存する。これら
の両化合物は浴中の銀イオンに作用して、銀の酸化還元
電位を卑の側に変移させるため、スズと銀の間の酸化還
元電位の差異が縮減するものと推定できる。とりわけ、
本発明の塩基性窒素原子を有するスルフィド系化合物
は、分子内のスルフィド結合と塩基性窒素原子との電子
供与的な相乗効果により、銀に対する錯化作用に優れ、
メッキ浴中で銀イオンを安定化させるのに大きく寄与す
るものと思われる。一方、錯化剤のうちでも、チオ尿素
を初めとする含窒素系化合物は、上記作用と同時に、被
メッキ物の材質をなす銅、或は銅合金に作用して錯イオ
ンを形成するため、この銅(或は、銅合金)と浴中のスズ
との間で酸化還元電位の逆転が起こると考えられる。こ
の結果、浴中のスズ及び銀と被メッキ物の銅(銅合金)と
の間で化学置換反応が円滑に進行し、被メッキ物の表面
に金属スズと金属銀が円滑に共析化する。

【００４６】

【発明の効果】(1)本発明は、錯化剤としてチオ尿素、
エチレンジアミンなどを初めとする含窒素系化合物と塩
基性窒素原子を有するスルフィド系化合物とを併用する
ため、後述の試験例に示すように、無電解スズ−銀合金
メッキ浴の高温経時安定性に優れ、２５０時間の経過時
点でも浴が分解することはない。この結果、銀とスズを
確実に共析化できるとともに、当該メッキ浴から得られ
たメッキ皮膜の外観、接合強度などにも優れる。特に、
析出皮膜中の銀の組成比をスズ−銀の共晶合金の生成域
を含む低い範囲に抑制できる。これに対して、後述の試
験例に示すように、上記含窒素系化合物とスルフィド系
化合物の両錯化剤を含まないメッキ浴(比較例１参照)で
は、メッキ浴が短時間に分解して、スズと銀の共析化が
困難であった。また、チオ尿素だけを含みスルフィド系
化合物を含まないメッキ浴(比較例２参照)は冒述の従来
技術１〜２に基づく無電解スズ−銀合金メッキ浴と共通
するが、本発明のメッキ浴に比べて高温経時安定性が低
く、５０〜２５０時間の範囲を超えると分解してしまっ
た。しかも、析出皮膜中の銀の組成比が高く、メッキ皮
膜の外観や接合強度なども本発明の浴に比べると劣って
いた。一方、スルフィド系化合物とメルカプタン類はイ
オウ結合が分子内に含まれる点で共通するが、メルカプ
タン類に属するチオグリコール酸を無電解スズ−銀合金
メッキ浴にチオ尿素と共に併用添加したメッキ浴(比較
例３参照)では、高温経時安定性、析出皮膜中の銀の組
成比、皮膜の外観、接合強度などは上記チオ尿素を単独
添加した場合に類似しており、本発明のメッキ浴の優位
性が明らかになった。さらに、チオ尿素などの含窒素系
化合物を含まず、ジスルフィド化合物だけを含むメッキ
浴(比較例４参照)では、浴中の銀イオンは安定化する
が、スズの共析化は望めず、皮膜の接合強度も不良であ
った。

【００４７】(2)冒述したように、実際の無電解スズ−
銀合金メッキ浴では、生産性の見地から、メッキ浴を６
０〜７０℃程度の高温で２００〜３００時間に亘り連続
加熱運転するのが一般的である。上記(1)に示すよう
に、比較例１〜３のメッキ浴は短時間、或は２５０時間
以内に分解してしまったのに対して、本発明のメッキ浴
では、２５０時間経過時点でも浴が分解せずにきわめて
安定であり、無電解スズ−銀合金メッキ浴としての実用
性を高く保持できる。

【００４８】(3)上記(1)に示すように、本発明のスズ−
銀合金メッキ皮膜は、銀の組成比を低く抑制でき、スズ
皮膜、或は錫−鉛合金皮膜に比べても遜色がない優れた
接合強度を示すため、プリント基板上にチップ部品を実
装する場合などの製品の信頼性を良好に向上できる。従
って、本発明の無電解スズ−銀合金メッキ浴は、最近の
小型化、複雑化、多ピン化が急速に進む電子部品にも充
分に対応でき、殊に、プリント基板、ＴＡＢのフィルム
キャリアなどを初めとする高密度実装品にも好適であ
る。

【００４９】(4)第一銅化合物を微量配合する本発明６
では、スズ−銀合金皮膜の接合強度を一層強固に向上で
きる。また、後述の試験例に示すように、浴中の銀塩の
含有率を低減し、第一スズ塩の含有率を増した場合、或
は、これらの金属塩の含有率が一定でも、スルフィド系
化合物の含有率が増した場合には、同様に、析出皮膜の
接合強度の向上に有効に寄与する。

【００５０】(5)上記(1)に示すように、錯化剤としてチ
オ尿素を単用した比較例２、或は、チオ尿素とチオグリ
コール酸を併用した比較例３では、スズ−銀合金皮膜中
の銀の組成比は９０〜７０と高い数値を示して、スズの
共析が容易でないことを示すが、本発明のスズ−銀合金
メッキ浴では銀の組成比は低く抑制されており、スズが
銀と共に良好に共析でき、皮膜の接合強度、外観なども
有効に向上する。

【００５１】

【実施例】以下、無電解スズ−銀合金メッキ浴の実施例
を順次述べるとともに、各メッキ浴の高温経時安定性、
並びにメッキ浴から得られた皮膜の外観、接合強度、皮
膜中の銀の組成比などの各種試験例を説明する。尚、本
発明は下記の実施例並びに試験例に拘束されるものでは
なく、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし
得ることは勿論である。

【００５２】本発明の無電解スズ−銀合金メッキ浴は錯
化剤としてチオ尿素などの含窒素系化合物と塩基性窒素
原子を有するスルフィド系化合物との混合物を使用する
ことを特徴とするが、下記の実施例１〜８及び実施例１
３〜１５は含窒素化合物としてチオ尿素或はその誘導体
を単用した例、実施例１１〜１２は含窒素系化合物とし
てのアミノ酢酸の単用例、実施例９〜１０はチオ尿素と
アミノ酢酸、或はポリアミン系化合物の併用例である。
実施例３はスルフィド系化合物の併用例、他の全ての実
施例はスルフィド系化合物の単用例である。還元剤を含
有しない実施例４、或は界面活性剤を含有しない実施例
１０を除き、他の実施例は基本的に還元剤、或は界面活
性剤を含有している。実施例７は第一銅化合物を含有し
た例である。また、実施例１〜４及び実施例１４〜１５
は浴中での可溶性第一スズ塩、及び銀塩の含有率を統一
し、他の組成を変化させた例であり、特に、実施例１４
〜１５は実施例２を基本としてスルフィド系化合物の含
有率のみを変化させた例である。実施例５〜８も浴中で
の可溶性第一スズ塩、及び銀塩の含有率を統一し、他の
組成を変化させた例であるが、実施例１〜４に比べて可
溶性第一スズ塩の含有率を増し、銀塩の含有率を低減し
た。一方、下記の比較例１〜４のうち、比較例１は含窒
素系化合物とスルフィド系化合物との両方を含有しない
例、比較例２は含窒素系化合物のみを含有し、スルフィ
ド系化合物を含有しない例、逆に、比較例４はスルフィ
ド系化合物のみを含有し、含窒素系化合物を含有しない
例である。また、スルフィド系化合物とメルカプタン類
はイオウ化合物に属する点で共通するが、当該無電解ス
ズ−銀合金メッキ浴中における挙動の差異の有無を確認
するため、スルフィド系化合物に替えてメルカプタン類
(具体的には、チオグリコール酸)を含窒素系化合物と併
用した例を比較例３とした。

【００５３】《実施例１》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジチオジアニリン ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ラウリルアルコールポリエトキシレート(EO15) ： １０ｇ／Ｌ

【００５４】《実施例２》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸 ： ３０ｇ／Ｌ ・オクチルフェノールポリエトキシレート(EO10) ： １５ｇ／Ｌ

【００５５】《実施例３》 下記の組成で無電解スズ−銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジチオジアニリン ： １０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸 ： ３０ｇ／Ｌ ・Ｎ−ラウリル−Ｎ,Ｎ−ジメチル −Ｎ−カルボキシメチルベタイン ： １５ｇ／Ｌ

【００５６】《実施例４》 下記の組成で無電解スズ−銀合金メッキ浴を建浴した。 ・ｐ−フェノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・ｐ−フェノールスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・ｐ−フェノールスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジチオジアニリン ： １０ｇ／Ｌ ・ノニルフェノールポリエトキシレート(EO15) ： ７ｇ／Ｌ

【００５７】《実施例５》 下記の組成で無電解スズ−銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.１５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ７０ｇ／Ｌ ・１,３−ジメチルチオ尿素 ： １５０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジチオジアニリン ： １５ｇ／Ｌ ・次亜リン酸カリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・Ｎ−ミリスチル−Ｎ,Ｎ−ジメチル −Ｎ−カルボキシメチルベタイン ： ６ｇ／Ｌ

【００５８】《実施例６》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・２−ヒドロキシプロパン −１−スルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・ｐ−フェノールスルホン酸(Ａｇ⁺として) ：０.１５ｇ／Ｌ ・２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸 ： １１０ｇ／Ｌ ・１,３−ジメチルチオ尿素 ： １５０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １５ｇ／Ｌ ・次亜リン酸 ： ３０ｇ／Ｌ ・Ｎ−ステアリル−Ｎ,Ｎ−ジメチル −Ｎ−カルボキシメチルベタイン ： ５ｇ／Ｌ ・ジブチル−β−ナフトールポリエトキシレート(EO15) ： ８ｇ／Ｌ

【００５９】《実施例７》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.１５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ７０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １５０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ラウリン酸アミドプロピルベタイン ： ５ｇ／Ｌ ・酸化第一銅 ：０.０５ｇ／Ｌ

【００６０】《実施例８》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・安息香酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.１５ｇ／Ｌ ・エタンスルホン酸 ： ７０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １５０ｇ／Ｌ ・５,５′−ジ(１,２,３−トリアゾリル)ジスルフィド ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸アンモニウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ラウリルアルコールポリエトキシレート(EO15) ： １０ｇ／Ｌ

【００６１】《実施例９》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・クエン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.０５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・ジエチレントリアミン五酢酸(ＤＴＰＡ) ： １０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジチオジアニリン ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸 ： ３０ｇ／Ｌ ・ヤシ油脂肪酸アミドプロピル酢酸ベタイン ： ３ｇ／Ｌ

【００６２】《実施例１０》 下記の組成で無電解スズ−銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・スルファミン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.０５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・エチレンジアミン ： １５ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １５ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ

【００６３】《実施例１１》下記の組成で無電解スズ−
銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・ヨウ化銀(Ａｇ⁺として) ：０.０５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・エチレンジアミン四酢酸(ＥＤＴＡ) ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： ２０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・スチレン化フェノールポリエトキシレート(EO18) ： ８ｇ／Ｌ

【００６４】《実施例１２》下記の組成で無電解スズ−
銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.０５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・ジエチレントリアミン五酢酸(ＤＴＰＡ) ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・Ｎ−ラウリル−Ｎ,Ｎ−ジメチル −Ｎ−カルボキシメチルベタイン ： ８ｇ／Ｌ

【００６５】《実施例１３》下記の組成で無電解スズ−
銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ５０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.１０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １２０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ラウリルトリメチルアンモニウム塩 ： １５ｇ／Ｌ

【００６６】《実施例１４》下記の組成で無電解スズ−
銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： ３０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸 ： ３０ｇ／Ｌ ・オクチルフェノールポリエトキシレート(EO10) ： １５ｇ／Ｌ

【００６７】《実施例１５》下記の組成で無電解スズ−
銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・２,２′−ジピリジルジスルフィド ： ５０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸 ： ３０ｇ／Ｌ ・オクチルフェノールポリエトキシレート(EO10) ： １５ｇ／Ｌ

【００６８】《比較例１》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ジブチル−β−ナフトールポリエトキシレート(EO15) ： １０ｇ／Ｌ

【００６９】《比較例２》 下記の組成で無電解スズ−銀合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ジブチル−β−ナフトールポリエトキシレート(EO15) ： １０ｇ／Ｌ

【００７０】《比較例３》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・チオ尿素 ： １００ｇ／Ｌ ・チオグリコール酸 ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ジブチル−β−ナフトールポリエトキシレート(EO15) ： １０ｇ／Ｌ

【００７１】《比較例４》下記の組成で無電解スズ−銀
合金メッキ浴を建浴した。 ・メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ²⁺として) ： ３０ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸銀(Ａｇ⁺として) ：０.２５ｇ／Ｌ ・メタンスルホン酸 ： ５０ｇ／Ｌ ・２,２′−ジチオジアニリン ： １０ｇ／Ｌ ・次亜リン酸ナトリウム ： ３０ｇ／Ｌ ・ジブチル−β−ナフトールポリエトキシレート(EO15) ： １０ｇ／Ｌ

【００７２】《無電解スズ−銀合金メッキ浴の高温経時
安定性に関する試験例》そこで、上記実施例１〜１５並
びに比較例１〜４の各無電解スズ−銀合金メッキ液を１
Ｌビーカーに収容し、これを６５℃に恒温設定したウォ
ーターバスに入れて夫々２５０時間に亘って高温保持
し、当該加熱条件下における２５０時間経過時点、或は
当該時間までのメッキ液の変化を観測し、各メッキ液の
劣化(分解)状態の度合を評価した。当該高温経時安定性
の評価基準は下記の通りである。 ○：２５０時間経過時点でメッキ浴が安定であって、透
明度が高く、初期建浴時に比べて何ら変化がなかった。 △：５０時間から２５０時間までの間に濁りや沈殿が発
生し、メッキ浴が分解した。 ×：５０時間までに濁りや沈殿が発生し、メッキ浴が分
解した。

【００７３】図１の最左欄はその結果であり、実施例１
〜１５は全て○の評価であった。これに対して、含窒素
系化合物とスルフィド系化合物の両方を含有しない比較
例１では、銀イオンがメッキ浴中で安定しないため、ご
く短時間でメッキ浴が分解してしまった。含窒素系化合
物を含有しない比較例４も５０時間までに分解した。チ
オ尿素のみを含有し、スルフィド系化合物を含有しない
比較例２では、やはり銀イオンの浴中での安定化作用が
不充分であり、△の評価であった。チオ尿素とメルカプ
タン類(具体的には、チオグリコール酸)を併用した比較
例３でも、同様に△の評価であった。特に、スルフィド
系化合物とメルカプタン類はイオウ化合物に属する点で
共通するが、当該無電解スズ−銀合金メッキ浴中におけ
る挙動においては、メルカプタン類はスルフィド系化合
物ほどの銀イオンの安定化作用が望めない。このため、
スルフィド系化合物を使用した実施例１〜１５では、浴
の安定性が良好であったのに対して、メルカプタン類を
使用した比較例３では、浴の安定性が各実施例より劣っ
たものと推定できる。これにより、スルフィド系化合物
を含窒素系化合物と併用した実施例１〜１５では、両化
合物の一方を含有しない比較例２及び４に加えて、メル
カプタン類を含窒素系化合物と併用した比較例３との対
比においても、浴の高温経時安定性の点で明らかな優位
性が確認できた。

【００７４】そこで、上記各実施例１〜１５並びに比較
例１〜４の各無電解メッキ浴を６５℃に保持し、ＶＬＰ
(電解銅箔の一種)によりパターン形成したＴＡＢのフィ
ルムキャリアの試験片を１０分間浸漬させて、無電解ス
ズ−銀合金メッキを施した。得られた各スズ−銀合金メ
ッキ皮膜に関して、その外観を目視で観察するととも
に、皮膜の膜厚(μｍ)並びに皮膜中の銀の組成比(％)を
機器で測定した。但し、前述したように、比較例１のメ
ッキ浴は短時間で分解したため、析出皮膜の外観、銀の
組成比、膜厚(或は、後述する接合強度)などの各種試験
は行えなかった。

【００７５】《メッキ皮膜の外観評価試験例》スズ−銀
合金メッキ皮膜の外観は下記の基準に基づいて評価し
た。 ○：白色外観で、金属光沢を呈した。 △：白色外観を呈していたが、茶色、褐色などのシミ、
色ムラが見られた。 ×：黒色外観を呈した。

【００７６】図１の左寄り２欄目はその結果であり、実
施例１〜１５は全て○の評価であった。これに対して、
チオ尿素だけを含み、スルフィド系化合物を含まない比
較例２や、チオ尿素とメルカプタン類を併用した比較例
３は共に△であり、スルフィド系化合物だけを含み、チ
オ尿素を含まない比較例４は○の評価であった。比較例
２では、スルフィド系化合物の欠落によって銀イオンが
メッキ浴中で不安定になるため、或は、比較例３では、
前述したように、メルカプタン類はスルフィド系化合物
ほどの銀イオンの安定化効果が望めないために、共に皮
膜外観が劣ったものと推定できる。また、比較例４では
スルフィド系化合物の作用で円滑に金属銀が析出する
(即ち、スズ−銀合金皮膜ではなく銀皮膜が形成される)
ため、外観的には問題がなかった。

【００７７】《メッキ皮膜の膜厚及び銀の組成比》図１
の右半部の欄には、上記メッキ皮膜の膜厚及び銀の組成
比を示した。同図によると、実施例１〜１５では、スズ
と銀が確実に共析化して、得られた皮膜中の銀の組成比
は比較例２〜４に比べて低い水準を示した。これは、浴
中で銀イオンが安定に制御されていることを示唆するも
のと思われる。特に、前述したように、実施例１〜４及
び実施例５〜８は、夫々浴中の可溶性第一スズ塩、及び
銀塩の含有率を統一し、他の組成を変化させた例であ
る。皮膜中の銀の組成比は、実施例１〜４では１６.６
〜２３.２％であり、実施例５〜８では３.３〜８.８％
であって、実施例１〜４より浴中の可溶性第一スズ塩の
含有率を増し、銀塩の含有率を低減した実施例５〜８の
方が、皮膜中の銀の組成比が低く抑制された。ちなみ
に、スズ−銀合金においては、銀の組成比が約２〜５％
の範囲内で共晶合金が生成するが、実施例の皮膜中の銀
の組成比はこの共晶合金の範囲を含む低い水準を確保で
きるため(特に、実施例１１〜１２では、銀の組成比は
１.１〜２.２％である)、この点でも実施例の析出皮膜
は実用度が高い。また、実施例１４〜１５は実施例２を
基本としてスルフィド系化合物の含有率のみを変化させ
た例であるが、浴中でのスルフィド系化合物の含有率が
増すと、皮膜中の銀の組成比が減少した。これは、スル
フィド系化合物の含有率が増すことにより、銀イオンが
浴中でより安定に制御されたためと推定できる。これに
対して、比較例２〜３では、皮膜中の銀の組成比が９
０.０〜７０.０％と高く、スズの共析化が容易でないこ
とを示している。比較例４では、銀の組成比は１００％
であった。一方、膜厚に関しては、相対的に実施例１〜
１５が厚く、比較例２〜３は薄かった。

【００７８】そこで、前記実施例１〜１５並びに比較例
１〜４の各メッキ浴において、無電解スズ−銀合金メッ
キを施したＴＡＢを夫々銅板上にボンディングし、スズ
−銀合金皮膜の接合強度を調べた。

【００７９】《接合強度試験例》即ち、ボンディングマ
シーン（アビオニクス社製ＴＣＷ−１１５Ａ）を使用
し、０.５μｍの金メッキを施した銅板上に前記実施例
及び比較例の各メッキ浴によって無電解スズ−銀合金メ
ッキを施したＴＡＢの回路パターン(具体的には、イン
ナリード)を、荷重５０ｇ／単位インナリード、温度４
５０℃、時間５秒の条件下でボンディングした。そし
て、ボンディング後のインナリードの一端を、上記銅板
に対して直角方向に破断するまで引っ張り、その破断モ
ードを調べることでリードのピーリング強度(引き剥が
し強度)の簡易試験を行った。

【００８０】当該接合強度試験の評価基準は、接合強度
の強弱を主要な基準としながら、且つ、ボンディング後
のインナリード周辺のフィレットの形成状態(拡大鏡で
の俯瞰観察)を補足的な参考基準として、下記の通りに
設定した。 ◎：リード自体で破断し、且つ、フィレットはリードの
全周で均一な形状で連続形成されていた。 ○：リード自体で破断し、且つ、フィレットはリードの
全周でほぼ均一な形状で連続形成されていた。 ◇：フィレット形成は局部的に不充分であったが、リー
ド自体で破断しており、実用的な接合強度のレベルは保
持していた。 △：フィレットは不連続に形成され、リードと金メッキ
の界面で破断した。 ×：リードと金メッキの界面で破断し、フィレットは形
成されなかった。

【００８１】図１の中央欄はその試験結果である。錯化
剤として含窒素系化合物とスルフィド系化合物を組み合
わせた実施例１〜１５では、接合強度は全て◎〜◇の評
価、即ち、スズ皮膜、或はスズ−鉛合金皮膜に比べても
遜色のない実用レベルを具備していた。金メッキ上での
スズ−銀合金皮膜の接合強度は、界面での金スズ共晶合
金の生成に大きく影響されるため、前記皮膜中の銀の組
成比(即ち、スズの組成比)と関連性が強い。また、接合
強度は皮膜の緻密性や平滑性などにも関連する。これら
の観点から見ると、浴中の可溶性第一スズ塩の含有率を
増し、銀塩の含有率を低減した実施例５〜８や、浴中の
スルフィド系化合物の含有率を増した実施例１５、或は
実施例９、実施例１１〜１２では、皮膜中の銀の組成比
が低く(逆に、スズの組成比が高く)、接合強度は夫々◎
の評価であった。また、実施例７では、第一銅化合物を
含有させたことも接合強度の向上に寄与したものと推定
できる。実施例３〜４では、皮膜中の銀の組成比が他の
実施例に比べてやや高く、評価は◇であった。界面活性
剤を含有しなかった実施例１０では、界面活性剤を含有
した他の実施例に比べて皮膜の緻密性や平滑性などの点
が不充分であり、接合強度は実用度を満たしていたもの
の、◇の評価であった。また、カチオン系界面活性剤を
含有させた実施例１３の評価も◇であって、両性又はノ
ニオン系界面活性剤の方が、カチオン系界面活性剤に比
べて、皮膜の接合強度の点では優位性があることが判っ
た。これに対して、チオ尿素だけ含み、スルフィド系化
合物を含まない比較例２、チオ尿素とメルカプタン類を
併用した比較例３では、皮膜中の銀の組成比が多く、評
価は△であった。従って、チオ尿素を含まず、スルフィ
ド系化合物だけを含む比較例４では、×の評価であっ
た。

【００８２】以上の各種試験結果によると、無電解スズ
−銀合金メッキ浴に錯化剤として含窒素系化合物とスル
フィド系化合物を併用添加すると、スズと銀を確実に共
析化できるとともに、得られるスズ−銀合金皮膜の銀の
組成比を低く抑制でき、接合強度も実用レベル以上を確
保できることが確認できた。ちなみに、本実施例の各メ
ッキ浴では、主に、スルフィド系化合物が浴中で銀イオ
ンを安定化させ、且つ、含窒素系化合物がスズの共析化
を円滑にしているものと思われる。このため、含窒素系
化合物とスルフィド系化合物のいずれか一方しか含まな
い比較例２及び４や、含窒素系化合物とメルカプタン類
を併用した比較例３との対比において、各実施例１〜１
５は、スズ−銀合金皮膜の形成(スズと銀の共析化)、当
該皮膜の接合強度、並びに皮膜中の銀の組成比の抑制な
どの点で明らかな優位性が確認できた。また、上記両化
合物の併用添加に際して、両性界面活性剤とノニオン系
界面活性剤の少なくとも一種を添加し、或は、第一銅化
合物を添加すると、スズ−銀合金皮膜の接合強度などが
一層有効に改善されることが確認できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜１５並びに比較例１〜４の各無電解
スズ−銀合金メッキ浴の高温経時安定性、各メッキ浴か
ら得られるスズ−銀合金皮膜の外観、接合強度、膜厚、
皮膜中の銀の組成比などの試験或は観察結果を示す図表
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA42 BA01 BA08 BA21 BA32 DA01 DB04 DB07 DB08 5E343 BB54 CC78 DD43 GG01 5F044 MM23 MM35 MM48

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 (Ａ)第一スズ塩及び銀塩、 (Ｂ)有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機酸、
   及びホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミ
   ン酸などの無機酸の少なくとも一種、 (Ｃ)チオ尿素類及びアミン類などの含窒素系化合物と、
   塩基性窒素原子を有するスルフィド系化合物との混合物
   よりなる錯化剤を含有することを特徴とする無電解スズ
   −銀合金メッキ浴。
2. 【請求項２】 (Ｃ)の錯化剤が、チオ尿素とジスルフィ
   ド化合物の混合物であることを特徴とする請求項１に記
   載の無電解スズ−銀合金メッキ浴。
3. 【請求項３】 請求項１〜２のいずれか１項に記載の無
   電解メッキ浴に、さらに還元剤を含有することを特徴と
   する無電解スズ−銀合金メッキ浴。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の無
   電解メッキ浴に、さらに界面活性剤を含有することを特
   徴とする無電解スズ−銀合金メッキ浴。
5. 【請求項５】 界面活性剤がノニオン系界面活性剤と両
   性界面活性剤の少なくとも一種であることを特徴とする
   請求項４に記載の無電解スズ−銀合金メッキ浴。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の無
   電解メッキ浴に、さらに第一銅化合物を含有することを
   特徴とする無電解スズ−銀合金メッキ浴。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の無
   電解スズ−銀合金メッキ浴を用いて、銅箔上にスズ−銀
   合金メッキ皮膜を施すことを特徴とするＴＡＢのフィル
   ムキャリア又はプリント基板。