JP6613858B2 - Euv用マスクブランク用のガラス基板、euv用マスクブランクの製造方法、およびeuv用フォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
互いに略平行とされる2つの主面と、
互いに略平行とされ且つ2つの前記主面に対し略垂直とされる2つの側面と、
それぞれ、いずれか1つの前記主面に対し鈍角に交わり、いずれか1つの前記主面といずれか1つの前記側面とをつなぐ略平坦な4つの傾斜面とを有し、
2つの前記主面および2つの前記側面に対し略垂直な断面であって片側の前記側面の長手方向中点および反対側の前記側面の長手方向中点の両方を含む断面において、片側の前記側面を挟んで隣り合う2つの前記傾斜面の傾斜角の差の大きさが0°以上、2°以下であり、且つ、反対側の前記側面を挟んで隣り合う他の2つの前記傾斜面の傾斜角の差の大きさが0°以上、2°以下である、マスクブランク用のガラス基板が提供される。
手順1:10個の測定値を昇順に並べ、4〜7番目の平均値を母集団の平均値の推定値μrとした。
手順2:10個の測定値のそれぞれからμrを引き算した値の絶対値を昇順に並べ、4〜7番目の平均値を0.675で除した値を母集団の標準偏差の推定値σrとした。
手順3:10個の測定値のうち、下限値(μr−2.5×σr)よりも小さい値、および上限値(μr+2.5×σr)よりも大きい値を外れ値とした。
12a、12b 主面
14a〜14d 側面
16a〜16h 傾斜面
20 平坦度測定装置
22a、22b 保持具
30 反射膜
40 吸収膜
40a 開口パターン
50 遮光膜
50a 開口パターン
Claims (5)
- 互いに略平行とされる2つの主面と、
互いに略平行とされ且つ2つの前記主面に対し略垂直とされる2つの側面と、
それぞれ、いずれか1つの前記主面に対し鈍角に交わり、いずれか1つの前記主面といずれか1つの前記側面とをつなぐ略平坦な4つの傾斜面とを有し、
2つの前記主面および2つの前記側面に対し略垂直な断面であって片側の前記側面の長手方向中点および反対側の前記側面の長手方向中点の両方を含む断面において、片側の前記側面を挟んで隣り合う2つの前記傾斜面の傾斜角の差の大きさが0°以上、2°以下であり、且つ、反対側の前記側面を挟んで隣り合う他の2つの前記傾斜面の傾斜角の差の大きさが0°以上、2°以下である、EUV用マスクブランク用のガラス基板。 - 請求項1に記載のガラス基板に、開口パターンが形成される膜を形成することを有する、EUV用マスクブランクの製造方法。
- 前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を形成することを有する、請求項2に記載のEUV用マスクブランクの製造方法。 - 請求項1に記載のガラス基板に、開口パターンを有する膜を形成することを有する、EUV用フォトマスクの製造方法。
- 前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を形成することを有する、請求項4に記載のEUV用フォトマスクの製造方法。
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