TWI756349B - 光罩基底用玻璃基板、光罩基底及光罩 - Google Patents

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Abstract

本發明之光罩基底用玻璃基板可於被夾固時改善表面之平坦性。於具有相互對向之大致正方形狀之第1表面及第2表面之光罩基底用玻璃基板中，第1表面具有特定之輪廓特性。

Description

光罩基底用玻璃基板、光罩基底及光罩
本發明係關於一種光罩基底用玻璃基板、光罩基底及光罩。
於半導體製造製程中，利用使用光罩之光微影技術。於該技術中，使用曝光裝置對光罩照射曝光光，藉此將光罩之圖案轉印至被加工基板。 最近，可進行微細圖案之轉印，故而逐漸研究使用短波長之曝光光、例如ArF準分子雷射光、進而EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線)光等。 此處，所謂EUV光，包含軟X射線及真空紫外線光，具體而言，係指波長為0.2 nm～100 nm左右之光。現如今，正主要研究13.5 nm左右之波長之EUV光作為曝光光。 於光微影技術中，轉印圖案之品質精度可能會受光罩表面之平坦度之影響。尤其是若轉印圖案之微細化進一步發展，則預計光罩表面之平坦度之影響會變得更加顯著。 根據此種背景，逐漸對光罩要求較高之平坦度。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際公開第WO2010/110139號
[發明所欲解決之問題] 迄今為止，於成為光罩之原形之光罩基底用玻璃基板中，為了提高平坦性(即將平坦度抑制為較小)，提出有各種表面研磨方法。 然而，根據如上述之趨勢，預計於不久之將來，亦對光罩要求例如30 nm以下之極高之平坦度。 於此種平坦度之區域中，不易僅利用針對光罩基底用玻璃基板之表面之研磨處理而達成目標值。 因此，想到利用將光罩實際上夾固於曝光裝置之光罩載置台時可能產生之變形而達成光罩之目標平坦度之方法。即，想到藉由光罩基底用玻璃基板之表面研磨所實現之特定範圍之平坦度與光罩之夾固時之變形所帶來之效果之組合而達成目標平坦度。 本發明係鑒於此種背景而成者，本發明之目的在於提供一種於將光罩夾固於光罩載置台之狀態下可明顯改善表面之平坦度之光罩基底用玻璃基板。又，本發明之目的在於提供一種使用此種玻璃基板之光罩基底、及光罩。 [解決問題之技術手段] 於本發明中提供一種玻璃基板，其係光罩基底用玻璃基板， 該玻璃基板具有相互對向之第1表面及第2表面，各個表面為大致正方形狀，縱與橫之長度(P)相等， 於上述第1表面，假定具有與該第1表面之中心相同之中心且具有與上述第1表面之各邊平行之邊之1邊之長度為P1 (＝104 mm)之第1正方形、1邊之長度為P2 (＝132 mm)之第2正方形、及1邊之長度為P3 (＝142 mm)之第3正方形， 將上述第1正方形之內側之區域(包含第1正方形本身)稱為中央區域，將由上述第2正方形與上述第1正方形包圍之區域(包含第2正方形本身，但不包含第1正方形本身)稱為周邊區域，將由上述第3正方形與上述第2正方形包圍之區域(包含第3正方形本身，但不包含第2正方形本身)稱為端部區域，將上述第2正方形之內側之區域(包含第2正方形本身)稱為非端部區域，將上述第3正方形之內側之區域(包含第3正方形本身)稱為有效區域， 於上述第1表面之上述有效區域，沿著上述縱向以相等之間隔d劃100條以上之縱線，沿著上述橫向以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線，測定沿著各條直線之剖面於各位置點之相對高度而掌握輪廓， 於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值高於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凸狀輪廓，另一方面，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值低於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凹狀輪廓， 將上述縱線中按照上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第1區間」)、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第1區間」)、上述中央區域、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第2區間」)、及上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第2區間」)之順序與各區域交叉者稱為特定縱線， 將上述橫線中按照上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第3區間」)、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第3區間」)、上述中央區域、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第4區間」)、及上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第4區間」)之順序與各區域交叉者稱為特定橫線時， 上述有效區域中之峰谷(PV)值為70 nm以下， (i)於上述凸狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
Figure 02_image001
1 且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
Figure 02_image001
2 之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
Figure 02_image001
1 、
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2 之高度值加上3 nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1 、R2 時， 於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1 之下側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2 之下側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立， (ii)於上述凹狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
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1 且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
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2 之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
Figure 02_image001
1 、
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2 之高度值減去3 nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1 、R2 時， 於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1 之上側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2 之上側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 又，於本發明中提供一種光罩基底，其係具有玻璃基板、及形成於上述玻璃基板之表面之膜者， 上述玻璃基板具有相互對向之第1表面及第2表面，各個表面為大致正方形狀，縱與橫之長度(P)相等， 於上述第1表面，假定具有與該第1表面之中心相同之中心且具有與上述第1表面之各邊平行之邊之1邊之長度為P1 (＝104 mm)之第1正方形、1邊之長度為P2 (＝132 mm)之第2正方形、及1邊之長度為P3 (＝142 mm)之第3正方形， 將上述第1正方形之內側之區域(包含第1正方形本身)稱為中央區域，將由上述第2正方形與上述第1正方形包圍之區域(包含第2正方形本身，但不包含第1正方形本身)稱為周邊區域，將由上述第3正方形與上述第2正方形包圍之區域(包含第3正方形本身，但不包含第2正方形本身)稱為端部區域，將上述第2正方形之內側之區域(包含第2正方形本身)稱為非端部區域，將上述第3正方形之內側之區域(包含第3正方形本身)稱為有效區域， 於上述第1表面之上述有效區域，沿著上述縱向以相等之間隔d劃100條以上之縱線，沿著上述橫向以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線，測定沿著各條直線之剖面於各位置點之相對高度而掌握輪廓， 於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值高於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凸狀輪廓，另一方面，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值低於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凹狀輪廓， 將上述縱線中按照上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第1區間」)、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第1區間」)、上述中央區域、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第2區間」)、及上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第2區間」)之順序與各區域交叉者稱為特定縱線， 將上述橫線中按照上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第3區間」)、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第3區間」)、上述中央區域、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第4區間」)、及上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第4區間」)之順序與各區域交叉者稱為特定橫線時， 上述有效區域中之峰谷(PV)值為70 nm以下， (i)於上述凸狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
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1 且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
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2 之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
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1 、
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2 之高度值加上3 nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1 、R2 時， 於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1 之下側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2 之下側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立， (ii)於上述凹狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
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1 且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
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2 之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
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1 、
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2 之高度值減去3 nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1 、R2 時， 於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1 之上側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2 之上側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 進而，於本發明中提供一種光罩，其係具有玻璃基板、及形成於上述玻璃基板之表面之經圖案化之膜者， 上述玻璃基板具有相互對向之第1表面及第2表面，各個表面為大致正方形狀，縱與橫之長度(P)相等， 於上述第1表面，假定具有與該第1表面之中心相同之中心且具有與上述第1表面之各邊平行之邊之1邊之長度為P1 (＝104 mm)之第1正方形、1邊之長度為P2 (＝132 mm)之第2正方形、及1邊之長度為P3 (＝142 mm)之第3正方形， 將上述第1正方形之內側之區域(包含第1正方形本身)稱為中央區域，將由上述第2正方形與上述第1正方形包圍之區域(包含第2正方形本身，但不包含第1正方形本身)稱為周邊區域，將由上述第3正方形與上述第2正方形包圍之區域(包含第3正方形本身，但不包含第2正方形本身)稱為端部區域，將上述第2正方形之內側之區域(包含第2正方形本身)稱為非端部區域，將上述第3正方形之內側之區域(包含第3正方形本身)稱為有效區域， 於上述第1表面之上述有效區域，沿著上述縱向以相等之間隔d劃100條以上之縱線，沿著上述橫向以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線，測定沿著各條直線之剖面於各位置點之相對高度而掌握輪廓， 於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值高於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凸狀輪廓，另一方面，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值低於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凹狀輪廓， 將上述縱線中按照上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第1區間」)、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第1區間」)、上述中央區域、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第2區間」)、及上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第2區間」)之順序與各區域交叉者稱為特定縱線， 將上述橫線中按照上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第3區間」)、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第3區間」)、上述中央區域、上述周邊區域(以下，稱為「上述周邊區域之第4區間」)、及上述端部區域(以下，稱為「上述端部區域之第4區間」)之順序與各區域交叉者稱為特定橫線時， 上述有效區域中之峰谷(PV)值為70 nm以下， (i)於上述凸狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
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1 且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
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2 之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
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1 、
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2 之高度值加上3 nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1 、R2 時， 於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1 之下側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2 之下側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立， (ii)於上述凹狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
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1 且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
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2 之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
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1 、
Figure 02_image001
2 之高度值減去3 nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1 、R2 時， 於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1 之上側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2 之上側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 [發明之效果] 於本發明中提供一種於將光罩夾固於光罩載置台之狀態下可明顯改善表面之平坦度之光罩基底用玻璃基板。又，於本發明中提供一種使用此種玻璃基板之光罩基底、及光罩。
以下，參照圖式對本發明之一實施形態進行說明。 (本發明之一實施形態之光罩基底用玻璃基板) 於圖1中表示本發明之一實施形態之光罩基底用玻璃基板(以下，稱為「第1玻璃基板」)100的立體圖。 如圖1所示，第1玻璃基板100具有相互對向之第1表面110A及第2表面110B。第1玻璃基板100於俯視下為大致正方形狀，因此，第1表面110A及第2表面110B亦為大致正方形狀。此處，「大致正方形狀」亦包含4個角部之至少一個為圓形形狀之形態。 此處，於對第1玻璃基板100之特徵進行說明之前，參照圖2對第1玻璃基板100中之各區域之名稱進行說明。 於圖2(a)中表示第1玻璃基板100之第1表面110A之俯視圖。又，於圖2(b)中模式性地表示第1玻璃基板100之第1表面110A中之各區域於Y方向上之存在範圍。 如圖2(a)所示，第1玻璃基板100之第1表面110A係縱(X方向)及橫(Y方向)之各者之長度P為152 mm之大致正方形狀。如上所述，第1表面110A亦可為4個角部之至少一個為圓形形狀。 第1表面110A藉由具有與該第1表面110A之中心G(對角線之交點)相同中心之3個正方形狀之框線(虛線)L1 ～L3 而被大體劃分成4個區域130A、132A、135A及155A。 若更具體地進行說明，則框線L1 係1邊之長度為P1 之正方形狀，將由該框線L1 包圍之區域(包含框線L1 本身)稱為第1表面110A之「中央區域」130A。又，框線L2 係1邊之長度為P2 之正方形狀，將由框線L1 與框線L2 包圍之由陰影表示之區域(包含框線L2 本身，但不包含框線L1 本身)稱為「周邊區域」132A。進而，框線L3 係1邊之長度為P3 之正方形狀，將由框線L3 與框線L2 包圍之區域(包含框線L3 本身，但不包含框線L2 本身)稱為「端部區域」135A。又，將框線L2 之內部之區域(包含框線L2 本身)稱為「非端部區域」140A，將框線L3 之內部之區域(包含框線L3 本身)稱為第1表面110A之「有效區域」150A。進而，將框線L3 之外側之區域稱為「非有效區域」155A。 於圖2(b)中模式性地表示圖2(a)所示之各區域之一維性之位置關係。 此處，P1 為104 mm，P2 為132 mm，P3 為142 mm。 再者，為了明確說明，該等框線L1 ～L3 被簡單地描繪，需要注意於實際之第1玻璃基板100之第1表面110A無需存在此種框線。 又，於圖2(a)、(b)中，以第1玻璃基板100之第1表面110A為例對各區域之名稱進行了說明，於第1玻璃基板100之第2表面110B中，亦藉由相同之區間化規定各區域之名稱。但是，於本申請案中，為了避免第1表面110A與第2表面110B之混淆，於表示第2表面110B之各區域時，附上「B」替代末尾之參照符號「A」來進行記載。因此，例如，於第1玻璃基板100之第2表面110B，中央區域係由參照符號130B表示，周邊區域係由參照符號132B表示，端部區域係由135B表示，非端部區域係由140B表示，有效區域係由150B表示，非有效區域係由155B表示。 繼而，參照圖3，對第1玻璃基板100之特徵進行說明。 於圖3中再次表示第1玻璃基板100之第1表面110A之俯視圖。 此處，作為用以理解第1玻璃基板100之特徵之準備，進行以下之操作。 首先，於第1表面110A之有效區域150A，沿著縱向(X方向)以相等之間隔d劃100條以上之縱線T，沿著橫向(Y方向)以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線U。縱線T與橫線U之數量相等。縱線T及橫線U之數量例如為100條、124條、200條、218條、或256條等。 於圖3中，作為一例，示出通過第1表面110A之中心G之一條縱線T及一條橫線U。再者，縱線T及橫線U未必必須通過中心G。 縱線T之中，將按照端部區域135A、周邊區域132A、中央區域130A、周邊區域132A、及端部區域135A之順序通過各區域者特別稱為特定縱線Ta。若依據該規定，則圖3所示之縱線T成為特定縱線Ta。 又，將特定縱線Ta所通過之端部區域135A及周邊區域132A之各部分依序稱為「端部區域之第1區間」135A-1、周邊區域之第1區間132A-1、「周邊區域之第2區間」132A-2、及「端部區域之第2區間」135A-2。 再者，於圖3之例中，於特定縱線Ta，端部區域135A之上側之部分被稱為端部區域之第1區間135A-1，端部區域135A之下側之部分被稱為端部區域之第2區間135A-2。又，於特定縱線Ta，周邊區域132A之上側之部分被稱為周邊區域之第1區間132A-1，周邊區域132A之下側之部分被稱為周邊區域之第2區間132A-2。然而，該等之名稱化簡單，第1區間與第2區間之名稱亦可相反。 但是，端部區域135A與周邊區域132A之第1區間135A-1、132A-1必須分別相對於中央區域130A配置於相同側。 同樣地，於橫線U之中，將按照端部區域135A、周邊區域132A、中央區域130A、周邊區域132A、及端部區域135A之順序通過各區域者特別稱為特定橫線Ua。若依據該規定，則圖3所示之橫線U成為特定橫線Ua。 又，將特定橫線Ua所通過之端部區域135A及周邊區域132A之各部分依序稱為「端部區域之第3區間」135A-3、「周邊區域之第3區間」132A-3、「周邊區域之第4區間」132A-4、及「端部區域之第4區間」135A-4。 與特定縱線Ta之情形同樣，端部區域135A之第3區間135A-3與周邊區域132A之第3區間132A-3必須分別相對於中央區域130A配置於相同側。關於端部區域135A之第4區間135A-4與周邊區域132A之第4區間132A-4亦相同。 繼而，測定沿著各條直線T、U之剖面於各位置點之相對高度，掌握各個剖面中之第1表面110A之稜線輪廓。再者，於通過第1表面110A之有效區域150A內之所有縱線T及橫線U上之測定點之中，將具有最大高度之點與具有最小高度之點之間之高度差稱為峰谷(PV)值。 於圖4中，作為一例，示出沿著一條特定橫線Ua之剖面中之第1表面110A之稜線輪廓S。再者，實際上，稜線輪廓S係各測定點之繪圖之集合，此處，為了使之明確，以模式性之曲線表示稜線輪廓S。 繼而，將通過中央區域130A(於圖4中為P1 之範圍)之所有縱線T及橫線U上之測定點之高度進行平均，求出平均高度(稱為中央平均高度Have130 )。同樣地，將通過周邊區域132A(於圖4中不包含P1 但包含P2 之範圍)之所有縱線T及橫線U上之測定點之高度進行平均，求出平均高度(稱為周邊平均高度Have132 )。 於將中央平均高度Have130 與周邊平均高度Have132 進行比較時，於成為Have130 ＞Have132 之情形時，規定第1表面110A為「凸狀輪廓」。另一方面，將成為Have130 ＜Have132 之情形規定成第1表面110A為「凹狀輪廓」。 以下，對凸狀輪廓/凹狀輪廓之各情形時之第1玻璃基板100所具有之特徵進行說明。 (凸狀輪廓之情形) 於該情形時，於以上述方式獲得之特定縱線Ta及特定橫線Ua之各剖面中之第1表面110A之稜線輪廓S中，對非端部區域140A內所包含之各點進行曲線擬合而求出擬合曲線F。 於曲線擬合中，較佳為使用2次以上之多項式並藉由最小平方法求出擬合曲線F。但，於使用2次多項式之情形時，有時擬合之精度並不太高。尤其存在難以利用2次多項式再現非端部區域中之外周部(非端部區域中與端部區域鄰接之部分)之形狀之情形，於該情形時，可使用4次以上之多項式。進而，亦可適當使用6次以上之多項式。但，於6次以上之情況下，存在曲線擬合所需之計算量增加，但擬合精度並未相應提高之情形。因此，較佳為利用4次多項式實施擬合。 於本說明書中，於以下之說明、實施例、比較例中，藉由使用4次多項式之最小平方法實施曲線擬合。 於圖5中示出對圖4所示之一條特定橫線Ua上之稜線輪廓S中之包含於非端部區域140A內之各點進行擬合而繪製出擬合曲線F之一例。再者，於圖5中，為了使圖明確，省略稜線輪廓S之一部分(與非端部區域140A對應之部分)。 如圖5所示，於特定橫線Ua，對P2 內(即非端部區域140A內)之各測定點進行曲線擬合，藉此獲得擬合曲線F。 繼而，將利用上述操作而獲得之擬合曲線F外插至有效區域150A而獲得外插曲線
Figure 02_image001
。藉此，以與擬合曲線F之一端連接之方式於與端部區域之第1區間135A-1或第3區間135A-3對應之位置繪製外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 。又，以與擬合曲線F之另一端連接之方式於與端部區域之第2區間135A-2或第4區間135A-4對應之位置繪製外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 。 於圖6中示出將圖5中之擬合曲線F外插至有效區域150A而繪製外插曲線
Figure 02_image001
時之情況之一部分。藉由該操作，於擬合曲線F之一端獲得外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 。再者，於圖6中僅示出外插曲線
Figure 02_image001
之一部分(圖5中之擬合曲線F之左側部分)，但實際上，於圖6之右側，亦藉由相同之操作於圖5中之擬合曲線F之右側部分繪製出外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 。 繼而，將第1部分
Figure 02_image001
1 之各位置上之高度值加上3 nm後求出第1參照曲線R1 。 再者，加上3 nm之原因在於考慮到平坦度之測定誤差所產生之影響。即，於測定表面之平坦度時通常使用干涉計，但即便為高精度之干涉計，通常亦存在±3 nm之測定誤差。因此，於本申請案中，考慮到裝置所帶來之測定值之偏差之影響而將上述高度值加上3 nm。 於上述圖6中一併示出外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 以及如上所述之第1參照曲線R1 。 針對外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 ，亦藉由相同之處理獲得第2參照曲線R2 (未圖示)。 繼而，於外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 之位置、即端部區域135A之第1區間135A-1或第3區間135A-3，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似而求出第1直線ST1 。 同樣地，於外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 之位置、即端部區域135A之第2區間135A-2或第4區間135A-4，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似而求出第2直線ST2 。 例如，於上述圖6中示出對圖4所示之稜線輪廓S中之端部區域135A之第1區間135A-1中所包含之各點進行直線近似而獲得之第1直線ST1 。 繼而，於各條特定縱線Ta及特定橫線Ua上之剖面中，掌握第1直線ST1 與第1參照曲線R1 之位置關係，並且掌握第2直線ST2 與第2參照曲線R2 之位置關係。例如，於圖6中，掌握第1直線ST1 位於較第1參照曲線R1 更靠下方。 對所有特定縱線Ta及特定橫線Ua實施此種操作。 於進行以上之評價之情形時，於第1玻璃基板100中獲得如下特徵：第1直線ST1 位於較第1參照曲線R1 更靠下方且第2直線ST2 位於較第2參照曲線R2 更靠下方之態樣，於特定縱線Ta及特定橫線Ua上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 (凹狀輪廓之情形) 於該情形時，亦於以如上方式獲得之特定縱線Ta及特定橫線Ua之各者之剖面中之第1表面110A之稜線輪廓S中，對非端部區域140A內所包含之各點進行曲線擬合，藉此獲得擬合曲線F。 於圖7中表示對根據一條特定橫線Ua而獲得之稜線輪廓S中之非端部區域140之各點進行曲線擬合而於與非端部區域140A對應之位置繪製擬合曲線F之一例。 繼而，將利用上述之操作而獲得之擬合曲線F外插至有效區域150A而獲得外插曲線
Figure 02_image001
。藉此，以與擬合曲線F之一端連接之方式於與端部區域135A之第1區間135A-1或第3區間135A-3對應之位置繪製外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 。又，以與擬合曲線F之另一端連接之方式於與端部區域135A之第2區間135A-2或第4區間135A-4對應之位置繪製外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 。 於圖8中示出將圖7中之擬合曲線F外插至有效區域150A而繪製外插曲線
Figure 02_image001
時之情況之一部分。藉由該操作，於擬合曲線F之一端獲得外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 。再者，於圖8中僅示出外插曲線
Figure 02_image001
之一部分(圖7中之擬合曲線F之左側部分)，但實際上於圖8之右側，亦藉由相同之操作於圖7中之擬合曲線F之右側部分繪製外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 。 繼而，將第1部分
Figure 02_image001
1 之各個位置上之高度值減去3 nm，求出第1參照曲線R1 。減去3 nm之原因如上所述般在於考慮到測定值之偏差之影響。 於上述圖8中一併示出外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 以及如上述之第1參照曲線R1 。 針對外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 ，亦藉由相同之處理獲得第2參照曲線R2 (未圖示)。 繼而，於外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 之位置、即端部區域135A之第1區間135A-1或第3區間135A-3，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第1直線ST1 。 同樣地，於外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 之位置、即端部區域135A之第2區間135A-2或第4區間135A-4，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第2直線ST2 。 例如，於上述圖8中示出對圖7所示之稜線輪廓S中之端部區域135A之第1區間135A-1中所包含之各點進行直線近似而獲得之第1直線ST1 。 繼而，於各條特定縱線Ta及特定橫線Ua上之剖面中，掌握第1直線ST1 與第1參照曲線R1 之位置關係，並且掌握第2直線ST2 與第2參照曲線R2 之位置關係。例如，於圖8中，掌握第1直線ST1 位於較第1參照曲線R1 更靠上方。 對所有特定縱線Ta及特定橫線Ua實施此種操作。 於進行以上之評價之情形時，於第1玻璃基板100中獲得如下特徵：第1直線ST1 位於較第1參照曲線R1 更靠上方且第2直線ST2 位於較第2參照曲線R2 更靠上方之態樣，於特定縱線Ta及特定橫線Ua上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 進而，第1玻璃基板100具有如下特徵：無關第1表面110A具有凸狀輪廓/凹狀輪廓之任一者，而上述PV值均為70 nm以下。 如此，第1玻璃基板100之有效區域150A之PV值被抑制為70 nm以下，進而，具有如上述之凸狀輪廓或凹狀輪廓。 於將由此種第1玻璃基板100構成之光罩夾固於曝光裝置之光罩載置台之情形時，可藉由光罩本身所具有之較高之平坦度與因夾固而產生之變形之協同效應明顯改善光罩之平坦度。例如，於光罩之第1表面，可達成如30 nm之較高之平坦度。 因此，第1玻璃基板100可適當應用於經由該第1玻璃基板100使曝光光透過而對半導體基板實施光微影製程之所謂之透過型之光罩。 再者，為了穩定地獲得表面之PV值成為0.5 μm以下之玻璃基板，亦可於通常之使用兩面研磨機之研磨步驟之間追加使用小於玻璃基板之第1表面之面積之局部加工工具之局部研磨步驟。作為局部加工方法，可列舉使用電漿蝕刻、氣體團簇離子束、磁流體研磨及小型旋轉工具之方法等。此時，局部加工用之加工工具遍及玻璃基板之整個第1表面，以相同之研磨條件沿特定之方向依據根據基板形狀與局部加工工具之研磨量計算所得之載置台速度進行掃描。然而，僅使用此種局部研磨方法難以製造具有如上述之特徵之第1玻璃基板100。 因此，第1玻璃基板100係藉由利用特殊之局部研磨方法而製造。具體而言，於局部研磨方法中，於局部加工工具對第1表面110A之端部區域135A進行掃描之情形時及對中央區域130A進行掃描之情形時，使研磨條件變化。尤其是於端部區域135A之4條邊之各者分別獨立地設定研磨條件。藉此，可製造具有如上述之特徵之第1玻璃基板100。 (本發明之一實施形態之光罩基底用另一玻璃基板) 繼而，對本發明之一實施形態之光罩基底用另一玻璃基板200進行說明。 於圖9中表示本發明之一實施形態之光罩基底用另一玻璃基板(以下，稱為「第2玻璃基板」)200之立體圖。 如圖9所示，第2玻璃基板200具有相互對向之第1表面210A及第2表面210B。第2玻璃基板200於俯視下為大致正方形狀，因此，第1表面210A及第2表面210B亦為大致正方形狀。再者，第1表面210A及第2表面210B亦可為4個角部之至少一個為圓形形狀。 於第1表面210A及第2表面210B，縱及橫之長度(P)均為152 mm。 再者，於第2玻璃基板200中，第1表面210A亦具有與第1玻璃基板100之第1表面110A相同之特徵。 即，第2玻璃基板200之第1表面210A具有有效區域中之PV值為70 nm以下之特徵。 又，第2玻璃基板200具有如下特徵：於第1表面210A，如上所述般分別規定中央區域、周邊區域、端部區域、非端部區域、及有效區域，藉由上述方法規定凸狀輪廓/凹狀輪廓，於實施如圖3～圖8所示之操作時， (i)於凸狀輪廓之情形時，第1直線ST1 位於第1參照曲線R1 之下側且第2直線ST2 為第2參照曲線R2 之下側之態樣，於特定縱線Ta及特定橫線Ua之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，或 (ii)於凹狀輪廓之情形時，第1直線ST1 位於第1參照曲線R1 之上側且第2直線ST2 位於第2參照曲線R2 之上側之態樣，於特定縱線Ta及特定橫線Ua之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 進而，第2玻璃基板200於第2表面210B，有效區域中之PV值亦為70 nm以下，並且具有如上述之(i)或(ii)之特徵。 但是，於第2玻璃基板200中，於第1表面210A之輪廓之種類(凸狀輪廓或凹狀輪廓)與第2表面210B之輪廓之種類(凸狀輪廓或凹狀輪廓)之間必須產生如以下之「匹配」。 即，於第1表面210A為凸狀輪廓之情形時，第2表面210B亦必須為凸狀輪廓(即，第1表面210A與第2表面210B均為凸狀輪廓)，並且於第2表面210B， 第1直線ST1 位於第1參照曲線R1 之下側，且 第2直線ST2 位於第2參照曲線R2 之下側 之態樣，於特定縱線Ta及特定橫線Ua上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 又，於第1表面210A為凹狀輪廓之情形時，第2表面210B亦必須為凹狀輪廓(即，第1表面210A與第2表面210B均為凹狀輪廓)，並且於第2表面210B， 第1直線ST1 位於第1參照曲線R1 之上側，且 第2直線ST2 位於第2參照曲線R2 之上側 之態樣，於特定縱線Ta及特定橫線Ua上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。 此處，所謂「第1表面210A與第2表面210B均為凸狀輪廓」，意指於自與第2玻璃基板200之厚度方向垂直之方向對第1表面210A之中央區域(稱為「第1中央區域230A」)及與其位於相反側之第2表面210B之中央區域(稱為「第2中央區域230B」)進行一體觀察之情形時，第1中央區域230A朝向外側(與第2中央區域230B相反之側)相對突出，第2中央區域230B朝向內側(第1中央區域230A之側)相對突出之形態。 於圖10中模式性地表示此種態樣。 又，所謂「第1表面210A與第2表面210B均為凹狀輪廓」，意指於自與第2玻璃基板200之厚度方向垂直之方向對第1表面210A之第1中央區域230A及與其位於相反側之第2表面210B之第2中央區域230B進行一體觀察之情形時，第1中央區域230A朝向內側(第2中央區域230B之側)相對突出，第2中央區域230B朝向外側(與第1中央區域230A相反之側)相對突出之形態。 於圖11中模式性地表示此種態樣。 於具有此種特徵之第2玻璃基板200中，亦可獲得與第1玻璃基板100相同之效果。即，於將由第2玻璃基板200構成之光罩夾固於曝光裝置之光罩載置台之情形時，可藉由光罩本身所具有之平坦度及因夾固而產生之變形之協同效應明顯改善光罩之平坦度。例如，於光罩之第1表面，可達成如30 nm之極高之平坦度。 再者，於第2玻璃基板200中，於使用該第2玻璃基板200作為光罩並將例如第2表面210B夾固於曝光裝置之光罩載置台時，可明顯提高第1表面210A及第2表面220B之兩者之平坦性。 因此，第2玻璃基板200可適當應用於在該第2玻璃基板200之一表面使曝光光反射而對半導體基板實施光微影製程之所謂之反射型之光罩。 (本發明之一實施形態之光罩基底) 繼而，參照圖12，對本發明之一實施形態之光罩基底進行說明。 於圖12中模式性地表示本發明之一實施形態之光罩基底(以下，稱為「第1光罩基底300」)之剖面。 如圖12所示，第1光罩基底300具有玻璃基板308及遮光膜360。又，第1光罩基底300具有第1表面302及第2表面304。第1光罩基底300之第1表面302與遮光膜360之側對應，第1光罩基底300之第2表面304與玻璃基板308之側對應。 玻璃基板308具有相互對向之第1表面310A及第2表面310B，遮光膜360配置於第1表面310A之側。 遮光膜360具有阻斷特定波長範圍之光之功能。遮光膜360例如亦可由金屬鉻等構成。 再者，第1光罩基底300亦可於玻璃基板301之第1表面310A及/或第2表面310B之側進而具有其他層。 此處，於第1光罩基底300中，玻璃基板308係由具有如上述之特徵之第1玻璃基板100構成。 因此，於第1光罩基底300中，亦可明顯提高如上述之效果，即於將其用作光罩並將第1表面302之側夾固於曝光裝置之光罩載置台時，可明顯提高第1光罩基底300之第1表面302之平坦性。 第1光罩基底300尤其可適當應用於經由第2表面304使自第1表面302之側入射之曝光光透過而對半導體基板實施光微影製程之所謂之透過型之光罩。 於圖13中模式性地表示此種透過型之光罩300A之構成之一例之剖視圖。 如圖13所示，透過型之光罩300A具有與上述第1光罩基底300相同之構成。但是，於透過型之光罩300A中，遮光膜以經圖案化之遮光膜360A之狀態配置於玻璃基板308之第1表面310A。 此種透過型之光罩300A例如可於將ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、或水銀燈等作為光源之曝光裝置中適當使用。 (本發明之一實施形態之另一光罩基底) 繼而，參照圖14對本發明之一實施形態之另一光罩基底進行說明。 於圖14中模式性地表示本發明之一實施形態之另一光罩基底(以下，稱為「第2光罩基底400」)之剖面。 如圖14所示，第2光罩基底400具有第1表面402及第2表面404。又，第2光罩基底400具有玻璃基板408、反射膜470、吸收膜480、及導電膜490。 玻璃基板408具有相互對向之第1表面410A及第2表面410B，反射膜470及吸收膜480均配置於玻璃基板408之第1表面410A之側。另一方面，導電膜490配置於玻璃基板408之第2表面410B之側。 第2光罩基底400之第1表面402與吸收膜480之側對應，第2光罩基底400之第2表面404與導電膜490之側對應。 再者，第2光罩基底400亦可於玻璃基板401之第1表面410A及/或第2表面410B之側進而具有其他層。 反射膜470具有反射特定波長範圍之光之作用。該光例如可為EUV(Extreme Ultra Violet)光。反射膜470例如亦可為將高折射率層與低折射率層交替地積層而構成之多層膜。於該情形時，可使用矽作為高折射率層，使用鉬作為低折射率層。 吸收膜480具有吸收特定波長範圍之光之作用。吸收膜480例如可包含鉭、鉻及鈀之至少一種元素。吸收膜480例如亦可由包含該等元素之至少一種之單金屬、合金、氮化物、氧化物、或氮氧化物等構成。 導電膜490係由具有導電性且表面粗糙度較小之材料、例如Si、TiN、Mo、Cr、CrN、MoSi、或透明導電性氧化物等構成。導電膜490具有於將第2光罩基底400用作如以下所示之光罩時將該光罩夾固於曝光裝置之光罩載置台之作用。即，可藉由導電膜490之靜電效應將光罩安裝於光罩載置台。 但是，亦可於第2光罩基底400之階段省略導電膜490。 此處，於第2光罩基底400中，玻璃基板408例如係由具有如上述之特徵之第2玻璃基板200構成。 因此，於第2光罩基底400中，亦可明顯提高如上述之效果，即於將其用作光罩並將第2表面404之側夾固於光罩載置台時，亦可明顯提高第2光罩基底400之第1表面402及第2表面404之平坦性。 第2光罩基底400尤其可適當地應用於使自第1表面402之側入射之曝光光反射而對半導體基板實施光微影製程之所謂之反射型之光罩。 於圖15中模式性地表示此種反射型之光罩400A之構成之一例的剖視圖。 如圖15所示，反射型之光罩400A具有與上述第2光罩基底400相同之構成。但是，於反射型之光罩400A中，吸收膜以經圖案化之吸收膜480A之狀態配置於玻璃基板408之第1表面410A。 此種反射型之光罩400A於例如使用EUV光之曝光裝置中可適當地應用。 [實施例] 以下，對本發明之實施例進行說明。再者，於以下之說明中，例1～例4、及例11～例12為實施例，例5～例8為比較例。 (例1) 利用以下之方法對玻璃板之兩表面進行局部研磨而製造光罩基底用玻璃基板。 玻璃板使用長152 mm×寬152 mm×厚度6.5 mm之正方形狀之石英玻璃。 針對該玻璃板，依序實施一次研磨步驟、二次研磨步驟、三次研磨步驟、局部研磨步驟、及精加工步驟。藉此，玻璃板之厚度成為約6.35 mm。 於一次研磨步驟中，使用市售之兩面研磨機同時對玻璃板之兩表面進行研磨。研磨漿料使用含有包含氧化鈰之平均粒徑為1.5 μm之研磨粒子之水溶液。又，研磨墊使用胺基甲酸酯系研磨墊。 於二次研磨步驟中，使用兩面研磨機同時對玻璃板之兩表面進行研磨。研磨漿料使用含有包含氧化鈰之平均粒徑為1.0 μm之研磨粒子之水溶液。又，研磨墊使用麂皮系之研磨墊。 於三次研磨步驟中，使用兩面研磨機同時對玻璃板之兩表面進行研磨。研磨漿料使用含有包含膠體二氧化矽之平均粒徑為20 nm之研磨粒子且被調整為pH3之水溶液。又，研磨墊使用超軟質麂皮系研磨布。 於局部研磨步驟中，實施如上述之特殊之局部研磨方法。即，於局部加工工具對玻璃板之第1表面之中央區域進行掃描之情形與對第1表面之端部區域之各邊進行掃描之情形時，使研磨條件變化而實施研磨。 更具體而言，使用研磨工具及控制載置台，針對玻璃板之表面內之各座標改變載置台之速度而控制各位置上之研磨量。再者，於使用研磨工具之局部研磨方法中，可設定工具之按壓量、轉數、壓力、工具與基板所成之角度、及載置台速度等條件，此處，於各端部，分別獨立地設定工具之按壓量後實施加工。 研磨漿料使用含有包含氧化鈰之平均粒徑為1.0 μm之研磨粒子之水溶液。又，作為本次研磨工具，使用貼附有麂皮墊之小型研磨工具。 於精加工步驟中，使用市售之兩面研磨機同時對玻璃板之兩表面進行研磨。研磨漿料使用含有20質量%之平均一次粒徑未達20 nm之膠體二氧化矽之水溶液。又，研磨墊使用BELLATRIX N7512(Filwel股份有限公司製造)。 藉由以上之步驟製造光罩基底用玻璃基板(以下，稱為「玻璃基板A」)。 (評價) 繼而，於玻璃基板A中，如下所述般實施第1表面之評價。 (第1表面之有效區域中之輪廓之評價) 首先，於第1表面之有效區域內分別劃218條縱線T及橫線U，測定沿著各直線T、U之剖面於各位置點之相對高度。再者，於縱線T及橫線U中，直線之間隔固定。 於圖16中示出將於玻璃基板A中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓表示成高低圖狀之圖。再者，於該圖中，高低差雖以彩色進行表示，但是各區域中之凹凸關係並不明確。因此，於圖16中對微細之凹凸進行過濾處理而製作視認性更高之鳥瞰圖。於圖17中示出根據圖16製作之鳥瞰圖。 繼而，將通過中央區域之所有縱線T及橫線U上之測定點之高度進行平均，求出中央平均高度Have130 。同樣地，將通過周邊區域之所有縱線T及橫線U上之測定點之高度進行平均，求出周邊平均高度Have132 。結果Have130 ＜Have132 ，得知第1表面為凹狀輪廓。 再者，求出第1表面之有效區域中之PV值，結果PV值為51 nm。 繼而，於特定縱線Ta(縱線中與端部區域及周邊區域交叉2次者)及特定橫線Ua(橫線中與端部區域及周邊區域交叉2次者)之各者之剖面中之稜線輪廓中，使用利用4次多項式之最小平方法對非端部區域內所包含之各點進行曲線擬合，藉此求出擬合曲線F。 又，將所獲得之擬合曲線F外插至有效區域，求出外插曲線
Figure 02_image001
。藉此，於擬合曲線F之兩端側獲得第1部分
Figure 02_image001
1 及第2部分
Figure 02_image001
2 。 於圖18中示出根據一條特定縱線Ta之稜線輪廓S求出擬合曲線F之結果作為一例。於圖18中，實線為實際測得之稜線輪廓S，虛線為藉由非端部區域內所包含之各點(以橫軸之座標值計為-66 mm～+66 mm之範圍)之曲線擬合而獲得之擬合曲線F。 又，於圖19中將藉由將擬合曲線F外插至有效區域而獲得之外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 (較細之虛線)放大表示。同樣地，於圖20中將藉由將擬合曲線F外插至有效區域而獲得之外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 (較細之虛線)放大表示。 繼而，將第1部分
Figure 02_image001
1 之各個高度值減去3 nm，求出第1參照曲線R1 。同樣地，將第2部分
Figure 02_image001
2 中之各個高度值減去3 nm，求出第2參照曲線R2 。 於上述圖19及圖20中分別示出第1參照曲線R1 (較細之實線)及第2參照曲線R2 (較細之實線)。 再者，於圖19中亦示出外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 (較細之虛線)及第1參照曲線R1 (較細之實線)以及與座標位置(-71 mm～-66 mm)對應之上述稜線輪廓S之一部分(較粗之實線：以下稱為「第1對應部分」)。又，於圖20中亦示出外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 (較細之虛線)及第2參照曲線R2 (較細之實線)以及與座標位置(+66 mm～+71 mm)對應之上述稜線輪廓S之一部分(較粗之實線：以下稱為「第2對應部分」)。 繼而，於第1對應部分，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第1直線ST1 。又，於第2對應部分，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第2直線ST2 。 於上述圖19中以較粗之虛線表示利用此種操作而獲得之第1直線ST1 。又，於上述圖20中以較粗之虛線表示利用此種操作而獲得之第2直線ST2 。 繼而，判斷第1直線ST1 與上述第1參照曲線R1 之相對位置關係。又，判斷第2直線ST2 與上述第2參照曲線R2 之相對位置關係。並且，將第1直線ST1 位於較第1參照曲線R1 更靠上方且第2直線ST2 位於較第2參照曲線R2 更靠上方之情形認定為稜線輪廓S為「適當配置」。 例如，於圖19所示之例中，得知第1直線ST1 位於較第1參照曲線R1 更靠上方。又，於圖20所示之例中，得知第2直線ST2 位於較第2參照曲線R2 更靠上方。因此，判斷該特定縱線Ta之稜線輪廓S為「適當配置」。 於所有特定縱線Ta及特定橫線Ua中實施此種操作，算定包含「適當配置」之稜線輪廓S之比率Q。 結果，於玻璃基板A中，比率Q為94%。 (夾固時之平坦度之評價) 繼而，假定將玻璃基板A夾固於光罩載置台之情形，並對此時所產生之第1表面之平坦度進行評價。再者，此處，假定透過型之光罩，並假定玻璃基板A之第1表面之周邊部夾固於光罩載置台。 通常，於將光罩夾固於光罩載置台之情形時，為了改善有效區域中之PV值，第1表面經二次函數地修正。 此時所使用之二次函數Zfit 如以下之(1)式所表示： Zfit ＝a＋bX＋cY＋dXY＋eX2 ＋fY2 (1)式 此處，a、b、c、d、e、f為係數，X及Y表示與該基板表面之正方形之正交之兩邊分別平行且將基板之中心設為0之兩個座標，Z表示基板輪廓之高度。 藉由此種二次函數Zfit 進行修正，結果求出玻璃基板A之第1表面之有效區域中之修正後之殘差成分之PV值為25 nm。 再者，以下之(2)式所表示之修正效果率V(%)成為51%： V(%)＝{1－(PVc )/(PVa )}×100 (2)式 此處，PVa 係藉由二次函數Zfit 進行修正前之第1表面之有效區域中之PV值，PVc 係藉由二次函數Zfit 進行修正後之該區域中之PV值。 將於玻璃基板A中所獲得之輪廓種類(凸狀輪廓/凹狀輪廓)、比率Q、第1表面之有效區域之PV值(PVa 及PVc )、以及修正效果率V彙總示於以下之表1之「例1」之欄。 [表1]
Figure 107103185-A0304-0001
 (例2～例4) 藉由與例1相同之方法製造光罩基底用玻璃基板。其中，於該等例2～例4中，於局部研磨步驟中，以與例1不同之參數對第1表面之端部區域之各邊之研磨條件進行調整。具體而言，於例2之基板中，使工具之轉數於各邊與中心部分變化。又，於例3之基板中，使載置台速度於各邊與中心部分變化。進而，於例4之基板中，使工具與基板所成之角度於各邊與中心部分變化。再者，各邊之研磨條件分別獨立設定。 又，於例2～例4中，於所製造之光罩基底用玻璃基板(以下，分別稱為「玻璃基板B～D」)中，利用與例1之情形相同之方法實施第1表面之評價。 於圖21～圖23中分別示出根據於玻璃基板B～D中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該等圖得知，於玻璃基板B～D中，第1表面均為「凹狀輪廓」。 分別將於玻璃基板B～D中所獲得之輪廓種類(凸狀輪廓/凹狀輪廓)、比率Q、第1表面之有效區域之PV值(PVa 及PVc )、以及修正效果率V彙總示於上述表1之例2～例4之欄中。 (例5) 藉由與例1相同之方法製造光罩基底用玻璃基板。其中，於該例5中，於局部研磨步驟中，以相同之條件對第1表面之整個有效區域進行研磨。 又，於所製造之光罩基底用玻璃基板(以下，稱為「玻璃基板E」)中，利用與例1之情形相同之方法實施第1表面之評價。 於圖24中示出根據於玻璃基板E中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該圖得知，於玻璃基板E中，第1表面為「凸狀輪廓」。 於圖25中示出根據一條特定縱線Ta之稜線輪廓S求出擬合曲線F之結果作為一例。於圖25中，實線為實際測得之稜線輪廓S，虛線為藉由非端部區域內所包含之各點(以橫軸之座標值計為-66 mm～+66 mm之範圍)之曲線擬合而獲得之擬合曲線F。 又，於圖26中將藉由將擬合曲線F外插至有效區域而獲得之外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 (較細之虛線)放大表示。同樣地，於圖27中將藉由將擬合曲線F外插至有效區域而獲得之外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 (較細之虛線)放大表示。 根據所獲得之外插曲線，將第1部分
Figure 02_image001
1 之各個高度值加上3 nm，求出第1參照曲線R1 。同樣地，將第2部分
Figure 02_image001
2 中之各個高度值加上3 nm，求出第2參照曲線R2 。 於上述圖26及圖27中分別示出第1參照曲線R1 (較細之實線)及第2參照曲線R2 (較細之實線)。 再者，於圖26中亦示出外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 (較細之虛線)及第1參照曲線R1 (較細之實線)以及與座標位置(-71 mm～-66 mm)對應之上述稜線輪廓S之一部分(較粗之實線：以下稱為「第1對應部分」)。又，於圖27中亦示出外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 (較細之虛線)及第2參照曲線R2 (較細之實線)以及與座標位置(+66 mm～+71 mm)對應之上述稜線輪廓S之一部分(較粗之實線：以下稱為「第2對應部分」)。 進而，於第1對應部分，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第1直線ST1 。又，於第2對應部分，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第2直線ST2 。 於上述圖26中以較粗之虛線表示利用此種操作而獲得之第1直線ST1 。又，於上述圖27中以較粗之虛線表示利用此種操作而獲得之第2直線ST2 。 繼而，判斷第1直線ST1 與上述第1參照曲線R1 之相對位置關係、及第2直線ST2 與上述第2參照曲線R2 之相對位置關係。 結果得知，如圖26所示，於該例中，不能說第1直線ST1 位於第1參照曲線R1 之下側。又，得知如圖27所示，於該例中，不能說第2直線ST2 位於第2參照曲線R2 之下側。因此，判斷圖25所示之特定縱線Ta之稜線輪廓S並非為「適當配置」。 於所有特定縱線Ta及特定橫線Ua中實施此種操作，算定包含「適當配置」之稜線輪廓S之比率Q。 結果，於玻璃基板E中，比率Q為16%。 繼而，利用上述方法進行將玻璃基板E夾固於光罩載置台時所產生之第1表面之平坦度之評價。結果，上述(2)式所表示之修正效果率V(%)成為12%。 將於玻璃基板E中所獲得之輪廓種類(凸狀輪廓/凹狀輪廓)、比率Q、第1表面之有效區域之PV值(PVa 及PVc )、以及修正效果率V彙總示於上述表1之例5之欄。 (例6～例8) 藉由與例5相同之方法製造光罩基底用玻璃基板。其中，於該等例6～例8中，於局部研磨步驟中，使第1表面之研磨條件與例5之情形時變化。其中，於第1表面之整個有效區域採用相同之研磨條件。 又，於所製造之光罩基底用玻璃基板(以下，分別稱為「玻璃基板F～H」)中，利用與例1之情形相同之方法實施第1表面之評價。 於圖28～圖30中分別示出根據於玻璃基板F～H中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該等圖得知，於玻璃基板F及G中，第1表面均為「凹狀輪廓」。另一方面，得知於玻璃基板H中，第1表面為「凸狀輪廓」。 分別將於玻璃基板F～H中所獲得之輪廓種類(凸狀輪廓/凹狀輪廓)、比率Q、第1表面之有效區域之PV值(PVa 及PVc )、以及修正效果率V彙總示於上述表1之例6～例8之欄。 根據以上之結果得知，於例5～例8中，比率Q最大僅為52%左右，相對於此，於例1～例4中，比率Q為75%以上。又，得知於例1～例4中，與例5～例8相比，獲得明顯較高之修正效果率V(%)。結果得知，於例1～例4中，與例5～例8相比，夾固後獲得良好之平坦度(PVc )。尤其是於例1～例4中，確認到PVc 變成未達30 nm而亦可充分地應對今後預想之低平坦度之要求。 (例11) 藉由與例1相同之方法製造光罩基底用玻璃基板。 其中，於該例11中，針對玻璃板之兩表面，實施如上述之研磨步驟、即一次研磨步驟、二次研磨步驟、三次研磨步驟、局部研磨步驟、及精加工步驟。 藉此，製造光罩基底用玻璃基板(以下，稱為「玻璃基板I」)。於玻璃基板I中，第1表面中之有效區域之PV值(上述PVa )為60 nm，第2表面中之有效區域之PV值(以下，稱為「PVb 」)為61 nm。 (評價) 繼而，於玻璃基板I中，針對第1表面及第2表面之兩者進行與上述例1之情形相同之評價。 於圖31中示出根據於玻璃基板I中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該圖得知，於玻璃基板I中，第1表面為「凸狀輪廓」。 又，於圖32中示出根據第2表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該圖得知，於玻璃基板I中，第2表面為「凸狀輪廓」。 此處，圖32所示之第2表面之鳥瞰圖之上下方向與圖31所示之第1表面之鳥瞰圖之上下方向「對應」。即，該等圖分別與自與厚度垂直之方向對玻璃基板I進行一體視認之情形時之上側部分(第1表面)之輪廓與下側部分(第2表面)之輪廓對應。於玻璃基板I中，第1及第2表面均成為「凸狀輪廓」，因此上述「匹配」成立。 於圖33中示出根據第1表面中之一條特定縱線Ta之稜線輪廓S求出擬合曲線F之結果作為一例。於圖33中，實線為實際測得之稜線輪廓S，虛線為藉由非端部區域內所包含之各點(以橫軸之座標值計為-66 mm～+66 mm之範圍)之曲線擬合而獲得之擬合曲線F。 又，於圖34中將藉由將擬合曲線F外插至有效區域而獲得之外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 (較細之虛線)放大表示。同樣地，於圖35中將藉由將擬合曲線F外插至有效區域而獲得之外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 (較細之虛線)放大表示。 根據所獲得之外插曲線，將第1部分
Figure 02_image001
1 之各個高度值加上3 nm，求出第1參照曲線R1 。同樣地，將第2部分
Figure 02_image001
2 中之各個高度值加上3 nm，求出第2參照曲線R2 。 於上述圖34及圖35中分別示出第1參照曲線R1 (較細之實線)及第2參照曲線R2 (較細之實線)。 再者，於圖34中亦示出外插曲線
Figure 02_image001
之第1部分
Figure 02_image001
1 (較細之虛線)及第1參照曲線R1 (較細之實線)以及與座標位置(-71 mm～-66 mm)對應之上述稜線輪廓S之一部分(較粗之實線：以下稱為「第1對應部分」)。又，於圖35中亦示出外插曲線
Figure 02_image001
之第2部分
Figure 02_image001
2 (較細之虛線)及第2參照曲線R2 (較細之實線)以及與座標位置(+66 mm～+71 mm)對應之上述稜線輪廓S之一部分(較粗之實線：以下稱為「第2對應部分」)。 進而，於第1對應部分，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第1直線ST1 。又，於第2對應部分，針對端部區域內之稜線輪廓S中所包含之各點，使用最小平方法進行直線近似，求出第2直線ST2 。 於上述圖34中以較粗之虛線表示利用此種操作而獲得之第1直線ST1 。又，於上述圖35中以較粗之虛線表示利用此種操作而獲得之第2直線ST2 。 繼而，判斷第1直線ST1 與上述第1參照曲線R1 之相對位置關係、及第2直線ST2 與上述第2參照曲線R2 之相對位置關係。 結果得知，如圖34所示，於該例中，第1直線ST1 位於第1參照曲線R1 之下側。又，得知如圖35所示，於該例中，第2直線ST2 位於第2參照曲線R2 之下側。因此，判斷圖33所示之特定縱線Ta之稜線輪廓S為「適當配置」。 於第1及第2表面，於所有特定縱線Ta及特定橫線Ua中實施此種操作，算定包含「適當配置」之稜線輪廓S之比率Q。 結果，於第1表面中，比率Q為80%，於第2表面中，比率Q為79%。 繼而，藉由如上述之評價，假定將玻璃基板I夾固於光罩載置台之情形，並對此時所產生之第1表面及第2表面之平坦度進行評價。 首先，假定將玻璃基板I之第1表面之周邊部夾固於光罩載置台並進行評價。結果，求出玻璃基板I之第1表面之有效區域中之修正後之PV值(上述之PVc )為25 nm。因此，上述(2)式所表示之修正效果率V(%)成為58%。 繼而，假定將玻璃基板I之第2表面之周邊部夾固於光罩載置台並進行相同之評價。結果，求出玻璃基板I之第2表面之有效區域中之修正後之PV值為22 nm。因此，於上述(2)式中，使用PVb 代替PVa 而算出之修正效果率V(%)成為64%。 將於玻璃基板I之第1表面及第2表面之各者所獲得之輪廓種類(凸狀輪廓/凹狀輪廓)、比率Q、夾固前之有效區域之PV值(PVa 或PVb )、夾固後之有效區域之PV值(PVc )、以及修正效果率V彙總示於以下表2之「例11」之欄。 [表2]
Figure 107103185-A0304-0002
 (例12) 藉由與例11相同之方法製造光罩基底用玻璃基板。 其中，於該例12中，於第1表面及第2表面之局部研磨步驟中，使端部區域之各邊之研磨條件與例11之情形時變化。具體而言，設為與例2相同之研磨條件。再者，各邊之研磨條件分別獨立地設定。 又，於所製造之光罩基底用玻璃基板(以下，稱為「玻璃基板J」)中，針對第1表面及第2表面之兩者進行與上述例1之情形相同之評價。 於圖36中示出根據於玻璃基板J中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該圖得知，於玻璃基板J中，第1表面為「凸狀輪廓」。 又，於圖37中示出根據第2表面之有效區域中之輪廓而製作之鳥瞰圖。根據該圖得知，於玻璃基板J中，第2表面為「凸狀輪廓」。 此處，圖37所示之第2表面之鳥瞰圖之上下方向與圖36所示之第1表面之鳥瞰圖之上下方向「對應」。即，該等圖分別與自與厚度垂直之方向對玻璃基板J進行一體視認之情形時之上側部分(第1表面)之輪廓與下側部分(第2表面)之輪廓對應。於玻璃基板J中，第1及第2表面均成為「凸狀輪廓」，因此上述「匹配」成立。 將於玻璃基板J之兩表面所獲得之輪廓種類(凸狀輪廓/凹狀輪廓)、比率Q、夾固前之有效區域之PV值(PVa 或PVb )、夾固後之有效區域之PV值(PVc )、以及修正效果率V彙總示於上述表2之例12之欄。 於圖38中表示於玻璃基板A～J中獲得之比率Q與修正效果率V之關係。於圖38中，橫軸為比率Q，縱軸為修正效果率V。 根據圖38得知，於比率Q為75%以上之玻璃基板中，修正效果率V明顯提高。 如上所述，於光罩中，為了實現下一代高平坦度，需要玻璃基板本身之特定範圍以上之平坦度與夾固時之變形所產生之效果之組合。 就該方面而言，於玻璃基板A～D及玻璃基板I～J中，與玻璃基板E～H相比具有較高之修正效果率V。又，於玻璃基板A～D及玻璃基板I～J中，玻璃基板本身具有70 nm以下之平坦度。因此，藉由該等效果，於玻璃基板A～D及玻璃基板I～J中，可明顯改善夾固時之玻璃基板之第1表面之平坦度(PVc )。 (追加之評價) 於以上之評價中，假定透過型之光罩，並對將玻璃基板夾固於光罩載置台時所產生之表面之平坦度進行評價。 因此，繼而假定反射型之光罩，並對將玻璃基板夾固於光罩載置台時所產生之表面之平坦度進行研究。 於反射型之光罩之情形時，整個背面(以下，稱為第2表面)被夾固於曝光裝置之光罩載置台。此時，第2表面以與光罩載置台對齊之方式變形。結果，玻璃基板之第1表面之形狀亦受到變形。因此，夾固狀態之第1表面之平坦度受到夾固前之第1表面與第2表面之兩者之平坦度之影響。 此處，考慮於玻璃基板中，上述匹配條件於第1表面與第2表面之間成立之情形。 例如，於第1表面及第2表面均為凸狀輪廓之情形時，藉由夾固而第2表面於成為平坦之方向、即凸形狀被減輕之方向上受到變形。隨之，第1表面亦於成為平坦之方向、即凸形狀被減輕之方向上受到變形。 又，於第1表面及第2表面均為凹狀輪廓之情形時，若藉由夾固而第2表面於成為平坦之方向上變形，則第1表面亦於成為平坦之方向、即凹形狀被減輕之方向上受到變形。 因此，於上述匹配條件於玻璃基板之兩表面之間成立之情形時，於夾固後，可明顯改善第1表面之平坦度。 反之，於上述匹配於第1表面與第2表面之間不成立之玻璃基板中，於藉由夾固而導致第2表面變形時，第1表面之平坦度可能會變差。 如此，認為於反射型之光罩、及此種光罩基底用玻璃基板中，除如上述之構成、即PVa 為70 nm以下、比率Q為75%以上以外，滿足第1表面與第2表面之間之匹配條件亦較為重要。 再者，此處，作為評價用之玻璃基板，使用上述玻璃基板I及玻璃基板J。 於假定將該等玻璃基板用作反射型之光罩之情形時，夾固所產生之變形係利用2次函數進行計算，第1表面及第2表面分別利用2次函數進行近似。又，使用該兩者之係數計算整個玻璃基板之翹曲。繼而，自夾固前之第1表面之形狀減去整個玻璃基板之翹曲，藉此算定第1表面之夾固後之平坦度。 此種評價之結果為算定將玻璃基板I夾固於光罩載置台時之第1表面之有效區域中之PV值為28 nm。 因此，以下之(3)式所表示之第2修正效果率V2 (%)成為53%： V2 (%)＝{1－(PVd )/(PVa )}×100 (3)式 此處，如上所述，PVa 係藉由二次函數Zfit 進行修正前之第1表面之有效區域中之PV值，PVd 係夾固於光罩載置台時之第1表面之有效區域中之PV值。 同樣地，玻璃基板J之評價之結果為算定將玻璃基板J夾固於光罩載置台時之第1表面之有效區域中之PV值(PVd )為25 nm。 將於玻璃基板I及玻璃基板J中獲得之有效區域之PV值(PVd )及第2修正效果率V2 彙總示於以下之表3。 [表3]
Figure 107103185-A0304-0003
 如上所述，於匹配於第1表面與第2表面之間成立之玻璃基板I及玻璃基板J中，確認到於夾固狀態下獲得充分高之平坦度。 參照特定之實施態樣詳細地對本申請案進行了說明，但業者明白可於不脫離本發明之精神與範圍之情況下添加各種變更或修正。
100‧‧‧第1玻璃基板110A‧‧‧第1表面110B‧‧‧第2表面130A‧‧‧中央區域132A‧‧‧周邊區域132A-1‧‧‧周邊區域之第1區間132A-2‧‧‧周邊區域之第2區間132A-3‧‧‧周邊區域之第3區間132A-4‧‧‧周邊區域之第4區間135A‧‧‧端部區域135A-1‧‧‧端部區域之第1區間135A-2‧‧‧端部區域之第2區間135A-3‧‧‧端部區域之第3區間135A-4‧‧‧端部區域之第4區間140A‧‧‧非端部區域150A‧‧‧有效區域155A‧‧‧非有效區域200‧‧‧第2玻璃基板210A‧‧‧第1表面210B‧‧‧第2表面230A‧‧‧第1中央區域230B‧‧‧第2中央區域300‧‧‧第1光罩基底300A‧‧‧透過型之光罩302‧‧‧第1光罩基底之第1表面304‧‧‧第1光罩基底之第2表面308‧‧‧玻璃基板310A‧‧‧第1表面310B‧‧‧第2表面360‧‧‧遮光膜360A‧‧‧經圖案化之遮光膜400‧‧‧第2光罩基底400A‧‧‧反射型之光罩402‧‧‧第2光罩基底之第1表面404‧‧‧第2光罩基底之第2表面408‧‧‧玻璃基板410A‧‧‧第1表面410B‧‧‧第2表面470‧‧‧反射膜480‧‧‧吸收膜480A‧‧‧經圖案化之吸收膜490‧‧‧導電膜F‧‧‧擬合曲線G‧‧‧中心L1‧‧‧框線L2‧‧‧框線L3‧‧‧框線P‧‧‧長度P1‧‧‧長度P2‧‧‧長度P3‧‧‧長度R1‧‧‧ 第1參照曲線S‧‧‧稜線輪廓ST1‧‧‧第1直線T‧‧‧縱線Ta‧‧‧特定縱線U‧‧‧橫線Ua‧‧‧特定橫線
Figure 02_image001
‧‧‧外插曲線
Figure 02_image001
1‧‧‧外插曲線之第1部分
Figure 02_image001
2‧‧‧ 外插曲線之第2部分
圖1係概略性地表示本發明之一實施形態之光罩基底用玻璃基板之一例的立體圖。 圖2係用以說明本發明之一實施形態之玻璃基板之第1表面中之各區域的圖。於圖2(a)中表示本發明之一實施形態之玻璃基板之第1表面的俯視圖，於圖2(b)中模式性地表示圖2(a)所示之玻璃基板之第1表面中之各區域於Y方向上的存在範圍。 圖3係本發明之一實施形態之玻璃基板之第1表面之俯視圖。 圖4模式性地表示沿著特定橫線之剖面中之第1表面之稜線輪廓的圖。 圖5係表示對圖4所示之稜線輪廓中非端部區域內所包含之各點進行擬合並繪製擬合曲線之一例的圖。 圖6係表示藉由圖5中之擬合曲線之外插獲得外插曲線之第1部分之情況的圖。 圖7係表示對根據特定橫線所獲得之稜線輪廓中之非端部區域之各點進行曲線擬合並繪製擬合曲線之一例的圖。 圖8表示藉由圖7中之擬合曲線之外插獲得外插曲線之第1部分之情況的圖。 圖9係概略性地表示本發明之另一實施形態之光罩基底用玻璃基板(第2玻璃基板)之一例的立體圖。 圖10係模式性地表示於本發明之一實施形態之玻璃基板(第2玻璃基板)中，「第1表面與第2表面均為凸狀輪廓」之情形時之玻璃基板之中央部分之剖面之一例的圖。 圖11係模式性地表示於本發明之一實施形態之玻璃基板(第2玻璃基板)中，「第1表面與第2表面均為凹狀輪廓」之情形時之玻璃基板之中央部分之剖面之一例的圖。 圖12係模式性地表示本發明之一實施形態之光罩基底之剖面的剖視圖。 圖13係模式性地表示由圖12所示之光罩基底獲得之透過型之光罩之構成之一例的剖視圖。 圖14係模式性地表示本發明之一實施形態之另一光罩基底之剖面的剖視圖。 圖15係模式性地表示由圖14所示的光罩基底獲得之反射型之光罩之構成之一例的剖視圖。 圖16係將於玻璃基板A中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓表示成高低圖狀的圖。 圖17係於圖16中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖18係於玻璃基板A之第1表面，將於一個特定縱線之剖面中所獲得之稜線輪廓及擬合曲線重疊表示之曲線圖。 圖19係將外插曲線之第1部分、第1參照曲線、及第1直線與玻璃基板A之第1表面之端部區域(座標位置-71 mm～-66 mm)中之稜線輪廓重合表示之曲線圖。 圖20係將外插曲線之第2部分、第2參照曲線、及第2直線與玻璃基板A之第1表面之端部區域(座標位置+66 mm～+71 mm)中之稜線輪廓重合表示之曲線圖。 圖21係於在玻璃基板B中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖22係於在玻璃基板C中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖23係於在玻璃基板D中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖24係於在玻璃基板E中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖25係於玻璃基板E之第1表面，將於一個特定縱線之剖面中所獲得之稜線輪廓、及擬合曲線重疊表示之曲線圖。 圖26係將外插曲線之第1部分、第1參照曲線、及第1直線與玻璃基板E之第1表面之端部區域(座標位置-71 mm～-66 mm)中之稜線輪廓重合表示之曲線圖。 圖27係將外插曲線之第2部分、第2參照曲線、及第2直線與玻璃基板E之第1表面之端部區域(座標位置+66 mm～+71 mm)中之稜線輪廓重合表示之曲線圖。 圖28係於在玻璃基板F中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖29係於在玻璃基板G中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖30係於在玻璃基板H中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖31係於在玻璃基板I中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖32係於在玻璃基板I中所測得之第2表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖33係於玻璃基板I之第1表面，將於一個特定縱線之剖面中所獲得之稜線輪廓、及擬合曲線重疊表示之曲線圖。 圖34係將外插曲線之第1部分、第1參照曲線、及第1直線與玻璃基板I之第1表面之端部區域(座標位置-71 mm～-66 mm)中之稜線輪廓重合表示之曲線圖。 圖35係將外插曲線之第2部分、第2參照曲線、及第2直線與玻璃基板I之第1表面之端部區域(座標位置+66 mm～+71 mm)中之稜線輪廓重合表示之曲線圖。 圖36係於在玻璃基板J中所測得之第1表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖37係於在玻璃基板J中所測得之第2表面之有效區域中之輪廓中對微細之凹凸進行過濾處理後製作之鳥瞰圖。 圖38係表示於玻璃基板A～J中所獲得之比率Q與修正效果率V之關係之曲線圖。
132A‧‧‧周邊區域
135A‧‧‧端部區域
150A‧‧‧有效區域
F‧‧‧擬合曲線
R1‧‧‧第1參照曲線
ST1‧‧‧第1直線
Figure 107103185-A0304-11-0001-39
‧‧‧外插曲線
Figure 107103185-A0304-11-0001-40
‧‧‧外插曲線之第1部分

Claims (14)

  1. 一種玻璃基板，其係光罩基底用玻璃基板，該玻璃基板具有相互對向之第1表面及第2表面，各個表面為大致正方形狀，縱與橫之長度(P)相等，於上述第1表面，假定具有與該第1表面之中心相同之中心且具有與上述第1表面之各邊平行之邊之如下正方形，即：1邊之長度P1為104mm之第1正方形、1邊之長度P2為132mm之第2正方形、及1邊之長度P3為142mm之第3正方形，將包含第1正方形本身之上述第1正方形之內側之區域稱為中央區域，將包含第2正方形本身，但不包含第1正方形本身之由上述第2正方形與上述第1正方形包圍之區域稱為周邊區域，將包含第3正方形本身，但不包含第2正方形本身之由上述第3正方形與上述第2正方形包圍之區域稱為端部區域，將包含第2正方形本身之上述第2正方形之內側之區域稱為非端部區域，將包含第3正方形本身之上述第3正方形之內側之區域稱為有效區域，於上述第1表面之上述有效區域，沿著上述縱向以相等之間隔d劃100條以上之縱線，沿著上述橫向以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線，測定沿著各條直線之剖面於各位置點之相對高度而掌握輪廓，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值高於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凸狀輪廓，另一方面，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值低於上 述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凹狀輪廓，將上述縱線中按照稱為上述端部區域之第1區間之上述端部區域、稱為上述周邊區域之第1區間之上述周邊區域、上述中央區域、稱為上述周邊區域之第2區間之上述周邊區域、及稱為上述端部區域之第2區間之上述端部區域之順序與各區域交叉者稱為特定縱線，將上述橫線中按照稱為上述端部區域之第3區間之上述端部區域、稱為上述周邊區域之第3區間之上述周邊區域、上述中央區域、稱為上述周邊區域之第4區間之上述周邊區域、及稱為上述端部區域之第4區間之上述端部區域之順序與各區域交叉者稱為特定橫線時，上述有效區域中之峰谷(PV)值為70nm以下，(i)於上述凸狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
    Figure 107103185-A0305-02-0050-1
    且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0050-2
    之外插曲線，於將上述第1及第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0050-3
    、
    Figure 107103185-A0305-02-0050-4
    之高度值加上3nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1、R2時，於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1之下側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2之下側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立， (ii)於上述凹狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
    Figure 107103185-A0305-02-0051-5
    且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0051-6
    之外插曲線，於將上述第1及第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0051-7
    、
    Figure 107103185-A0305-02-0051-8
    之高度值減去3nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1、R2時，於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1之上側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2之上側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。
  2. 如請求項1之玻璃基板，其中於上述第2表面，假定具有與該第2表面之中心相同之中心且具有與上述第2表面之各邊平行之邊之如下正方形，即：1邊之長度P1為104mm之第4正方形、1邊之長度P2為132mm之第5正方形、及1邊之長度P3為142mm之第6正方形，將包含第4正方形本身之上述第4正方形之內側之區域稱為第2中央區域，將包含第5正方形本身，但不包含第4正方形本身之由上述第5正方形與上述第4正方形包圍之區域稱為第2周邊區域，將包含第6正方形本身，但不包含第5正方形本身之由上述第6正方形與上述第5正方形包圍之區域稱為第2端部區域，將包含第5正方形本身之上述第5正方形之內側之區域稱為第2非端部區域，將包含第6正方形本身之上述第6正方形之內側之區 域稱為第2有效區域，於藉由與上述第1表面之情形相同之方法將上述第2表面之輪廓規定為凸狀輪廓或凹狀輪廓時，上述第2有效區域之峰谷(PV)值為70nm以下，於在上述第2表面為凸狀輪廓之情形時實施與針對上述第1表面之操作相同之操作時，對上述第2端部區域之第1區間或第3區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於第1參照曲線R1之下側且對上述第2端部區域之第2區間或第4區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於第2參照曲線R2之下側之態樣，於特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，於在上述第2表面為凹狀輪廓之情形時實施與針對上述第1表面之操作相同之操作時，對上述第2端部區域之第1區間或第3區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於第1參照曲線R1之上側且對上述第2端部區域之第2區間或第4區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於第2參照曲線R2之上側之態樣，於特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，於上述第1表面為凸狀輪廓之情形時，於自與該玻璃基板之厚度方向垂直之方向對上述第1表面之上述中央區域與上述第2表面之上述第2中央區域進行一體觀察之情形時，上述中央區域朝向與具有上述第2中央區域之側相反之側相對突出，上述第2中央區域朝向具有上述中央區域之側相對突出， 於上述第1表面為凹狀輪廓之情形時，於自與該玻璃基板之厚度方向垂直之方向對上述第1表面之上述中央區域與上述第2表面之上述第2中央區域進行一體觀察之情形時，上述中央區域朝向具有上述第2中央區域之側相對突出，上述第2中央區域朝向與具有上述中央區域之側相反之側相對突出。
  3. 一種光罩基底，其具有：如請求項1之玻璃基板；及膜，其設置於該玻璃基板之上述第1表面。
  4. 如請求項3之光罩基底，其中上述膜係遮擋特定波長範圍之光之遮光膜。
  5. 一種光罩基底，其具有：如請求項2之玻璃基板；及膜，其設置於該玻璃基板之上述第1表面。
  6. 如請求項5之光罩基底，其中上述膜具有吸收特定波長範圍之光之吸收膜、及反射上述光之反射膜。
  7. 一種光罩基底，其係具有玻璃基板、及形成於上述玻璃基板之表面之膜者，上述玻璃基板具有相互對向之第1表面及第2表面，各個表面為大致 正方形狀，縱與橫之長度(P)相等，於上述第1表面，假定具有與該第1表面之中心相同之中心且具有與上述第1表面之各邊平行之邊之如下正方形，即：1邊之長度P1為104mm之第1正方形、1邊之長度P2為132mm之第2正方形、及1邊之長度P3為142mm之第3正方形，將包含第1正方形本身之上述第1正方形之內側之區域稱為中央區域，將包含第2正方形本身，但不包含第1正方形本身之由上述第2正方形與上述第1正方形包圍之區域稱為周邊區域，將包含第3正方形本身，但不包含第2正方形本身之由上述第3正方形與上述第2正方形包圍之區域稱為端部區域，將包含第2正方形本身之上述第2正方形之內側之區域稱為非端部區域，將包含第3正方形本身之上述第3正方形之內側之區域稱為有效區域，於上述第1表面之上述有效區域，沿著上述縱向以相等之間隔d劃100條以上之縱線，沿著上述橫向以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線，測定沿著各條直線之剖面於各位置點之相對高度而掌握輪廓，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值高於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凸狀輪廓，另一方面，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值低於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凹狀輪廓，將上述縱線中按照稱為上述端部區域之第1區間之上述端部區域、稱為上述周邊區域之第1區間之上述周邊區域、上述中央區域、稱為上述周 邊區域之第2區間之上述周邊區域、及稱為上述端部區域之第2區間之上述端部區域之順序與各區域交叉者稱為特定縱線，將上述橫線中按照稱為上述端部區域之第3區間之上述端部區域、稱為上述周邊區域之第3區間之上述周邊區域、上述中央區域、稱為上述周邊區域之第4區間之上述周邊區域、及稱為上述端部區域之第4區間之上述端部區域之順序與各區域交叉者稱為特定橫線時，上述有效區域中之峰谷(PV)值為70nm以下，(i)於上述凸狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
    Figure 107103185-A0305-02-0055-9
    且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0055-10
    之外插曲線，於將上述第1及第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0055-11
    、
    Figure 107103185-A0305-02-0055-12
    之高度值加上3nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1、R2時，於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1之下側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2之下側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，(ii)於上述凹狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
    Figure 107103185-A0305-02-0055-13
    且於與上述端部區域之上述第 2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0056-14
    之外插曲線，於將上述第1及第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0056-15
    、
    Figure 107103185-A0305-02-0056-16
    之高度值減去3nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1、R2時，於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1之上側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2之上側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。
  8. 如請求項7之光罩基底，其中上述膜係遮擋特定波長範圍之光之遮光膜，且設置於上述第1表面之側。
  9. 如請求項7之光罩基底，其中於上述第2表面，假定具有與該第2表面之中心相同之中心且具有與上述第2表面之各邊平行之邊之如下正方形，即：1邊之長度P1為104mm之第4正方形、1邊之長度P2為132mm之第5正方形、及1邊之長度P3為142mm之第6正方形，將包含第4正方形本身之上述第4正方形之內側之區域稱為第2中央區域，將包含第5正方形本身，但不包含第4正方形本身之由上述第5正方形與上述第4正方形包圍之區域稱為第2周邊區域，將包含第6正方形本身，但不包含第5正方形本身之由上述第6正方形與上述第5正方形包圍之區域稱為第2端部區域，將包含第5正方形本身之上述第5正方形之內側之區域稱為第2非端部區域，將包含第6正方形本身之上述第6正方形之內側之區域稱為第2有效區域， 於藉由與上述第1表面之情形相同之方法將上述第2表面之輪廓規定為凸狀輪廓或凹狀輪廓時，上述第2有效區域之峰谷(PV)值為70nm以下，於在上述第2表面為凸狀輪廓之情形時實施與針對上述第1表面之操作相同之操作時，對上述第2端部區域之第1區間或第3區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於第1參照曲線R1之下側且對上述第2端部區域之第2區間或第4區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於第2參照曲線R2之下側之態樣，於特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，於在上述第2表面為凹狀輪廓之情形時實施與針對上述第1表面之操作相同之操作時，對上述第2端部區域之第1區間或第3區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於第1參照曲線R1之上側且對上述第2端部區域之第2區間或第4區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於第2參照曲線R2之上側之態樣，於特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，於上述第1表面為凸狀輪廓之情形時，於自與上述玻璃基板之厚度方向垂直之方向對上述第1表面之上述中央區域與上述第2表面之上述第2中央區域進行一體觀察之情形時，上述中央區域朝向與具有上述第2中央區域之側相反之側相對突出，上述第2中央區域朝向具有上述中央區域之側相對突出，於上述第1表面為凹狀輪廓之情形時，於自與上述玻璃基板之厚度方 向垂直之方向對上述第1表面之上述中央區域與上述第2表面之上述第2中央區域進行一體觀察之情形時，上述中央區域朝向具有上述第2中央區域之側相對突出，上述第2中央區域朝向與具有上述中央區域之側相反之側相對突出。
  10. 如請求項9之光罩基底，其中上述膜具有吸收特定波長範圍之光之吸收膜、及反射上述光之反射膜。
  11. 一種光罩，其係具有玻璃基板、及形成於上述玻璃基板之表面之經圖案化之膜者，上述玻璃基板具有相互對向之第1表面及第2表面，各個表面為大致正方形狀，縱與橫之長度(P)相等，於上述第1表面，假定具有與該第1表面之中心相同之中心且具有與上述第1表面之各邊平行之邊之如下正方形，即：1邊之長度P1為104mm之第1正方形、1邊之長度P2為132mm之第2正方形、及1邊之長度P3為142mm之第3正方形，將包含第1正方形本身之上述第1正方形之內側之區域稱為中央區域，將包含第2正方形本身，但不包含第1正方形本身之由上述第2正方形與上述第1正方形包圍之區域稱為周邊區域，將包含第3正方形本身，但不包含第2正方形本身之由上述第3正方形與上述第2正方形包圍之區域稱為端部區域，將包含第2正方形本身之上述第2正方形之內側之區域稱為非端部區域，將包含第3正方形本身之上述第3正方形之內側之區域稱為有效區域， 於上述第1表面之上述有效區域，沿著上述縱向以相等之間隔d劃100條以上之縱線，沿著上述橫向以上述相等之間隔d劃100條以上之橫線，測定沿著各條直線之剖面於各位置點之相對高度而掌握輪廓，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值高於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凸狀輪廓，另一方面，於上述中央區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值低於上述周邊區域中所包含之所有縱線及橫線上之測定點之高度之平均值之情形時，將上述第1表面之輪廓規定為凹狀輪廓，將上述縱線中按照稱為上述端部區域之第1區間之上述端部區域、稱為上述周邊區域之第1區間之上述周邊區域、上述中央區域、稱為上述周邊區域之第2區間之上述周邊區域、及稱為上述端部區域之第2區間之上述端部區域之順序與各區域交叉者稱為特定縱線，將上述橫線中按照稱為上述端部區域之第3區間之上述端部區域、稱為上述周邊區域之第3區間之上述周邊區域、上述中央區域、稱為上述周邊區域之第4區間之上述周邊區域、及稱為上述端部區域之第4區間之上述端部區域之順序與各區域交叉者稱為特定橫線時，上述有效區域中之峰谷(PV)值為70nm以下，(i)於上述凸狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
    Figure 107103185-A0305-02-0059-17
    且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0059-18
    之外插曲線， 於將上述第1及第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0060-19
    、
    Figure 107103185-A0305-02-0060-20
    之高度值加上3nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1、R2時，於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1之下側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2之下側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，(ii)於上述凹狀輪廓之情形時，於上述特定縱線及特定橫線上之各剖面之輪廓中，對上述非端部區域之各點進行曲線擬合而繪製輪廓曲線，進而將該輪廓曲線外插至上述有效區域，而繪製於與上述端部區域之上述第1區間或第3區間對應之位置具有第1部分
    Figure 107103185-A0305-02-0060-21
    且於與上述端部區域之上述第2區間或第4區間對應之位置具有第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0060-22
    之外插曲線，於將上述第1及第2部分
    Figure 107103185-A0305-02-0060-23
    、
    Figure 107103185-A0305-02-0060-24
    之高度值減去3nm後分別繪製第1及第2參照曲線R1、R2時，於上述端部區域之上述第1區間或第3區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於上述第1參照曲線R1之上側，且於上述端部區域之上述第2區間或第4區間，對上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於上述第2參照曲線R2之上側之態樣，於上述特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立。
  12. 如請求項11之光罩，其中上述膜係遮擋特定波長範圍之光之遮光膜，且設置於上述第1表面之側。
  13. 如請求項11之光罩，其中於上述第2表面，假定具有與該第2表面之中心相同之中心且具有與上述第2表面之各邊平行之邊之如下正方形，即：1邊之長度P1為104mm之第4正方形、1邊之長度P2為132mm之第5正方形、及1邊之長度P3為142mm之第6正方形，將包含第4正方形本身之上述第4正方形之內側之區域稱為第2中央區域，將包含第5正方形本身，但不包含第4正方形本身之由上述第5正方形與上述第4正方形包圍之區域稱為第2周邊區域，將包含第6正方形本身，但不包含第5正方形本身之由上述第6正方形與上述第5正方形包圍之區域稱為第2端部區域，將包含第5正方形本身之上述第5正方形之內側之區域稱為第2非端部區域，將包含第6正方形本身之上述第6正方形之內側之區域稱為第2有效區域，於藉由與上述第1表面之情形相同之方法將上述第2表面之輪廓規定為凸狀輪廓或凹狀輪廓時，上述第2有效區域之峰谷(PV)值為70nm以下，於在上述第2表面為凸狀輪廓之情形時實施與針對上述第1表面之操作相同之操作時，對上述第2端部區域之第1區間或第3區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於第1參照曲線R1之下側且對上述第2端部區域之第2區間或第4區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於第2參照曲線R2之下側之態樣，於特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，於在上述第2表面為凹狀輪廓之情形時實施與針對上述第1表面之操作相同之操作時， 對上述第2端部區域之第1區間或第3區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第1直線位於第1參照曲線R1之上側且對上述第2端部區域之第2區間或第4區間中之上述輪廓之各點進行直線近似而獲得之第2直線位於第2參照曲線R2之上側之態樣，於特定縱線及特定橫線上之所有剖面中之75%以上之剖面中成立，於上述第1表面為凸狀輪廓之情形時，於自與上述玻璃基板之厚度方向垂直之方向對上述第1表面之上述中央區域與上述第2表面之上述第2中央區域進行一體觀察之情形時，上述中央區域朝向與具有上述第2中央區域之側相反之側相對突出，上述第2中央區域朝向具有上述中央區域之側相對突出，於上述第1表面為凹狀輪廓之情形時，於自與上述玻璃基板之厚度方向垂直之方向對上述第1表面之上述中央區域與上述第2表面之上述第2中央區域進行一體觀察之情形時，上述中央區域朝向具有上述第2中央區域之側相對突出，上述第2中央區域朝向與具有上述中央區域之側相反之側相對突出。
  14. 如請求項13之光罩，其中上述膜具有吸收特定波長範圍之光之吸收膜、及反射上述光之反射膜。
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