TWI725144B

TWI725144B - 光罩基底用基板及光罩基底

Info

Publication number: TWI725144B
Application number: TW106109681A
Authority: TW
Inventors: 池之谷伸彥; 平林佑介
Original assignee: 日商Ａｇｃ股份有限公司
Priority date: 2016-03-23
Filing date: 2017-03-23
Publication date: 2021-04-21
Also published as: JP2017182055A; JP6233538B2; TW201800830A

Abstract

本發明提供一種可顯著抑制變形之光罩基底用基板。於光罩基底用基板中，於第1主表面劃分出標準區域、框狀區域及內部區域，框狀區域於各拐角部具有第1～第4拐角區域，於鄰接之拐角區域之中央具有第1～第4中央區域，基於標準區域之最小平方平面PP₁ 而規定之內部區域之平坦度為100 nm以下，當將框狀區域之一個拐角區域設為第n個拐角區域，將最接近該第n個拐角區域之2個中央區域分別設為第1接近中央區域及第2接近中央區域時，於第n個拐角區域、第1接近中央區域及第2接近中央區域中，關於表面凹凸之特定之關係成立。

Description

光罩基底用基板及光罩基底

本發明係關於一種光罩基底用基板及光罩基底。

於半導體製造領域中，於在如矽晶圓般之被加工基板形成圖案時，利用使用了曝光之光及光罩之圖案轉印技術。於該圖案轉印技術中，藉由介隔光罩對被加工基板照射曝光之光，可對被加工基板之表面(通常為抗蝕劑之表面)轉印光罩之圖案(以下，亦將該製程稱為｢轉印製程｣)。其後，藉由對抗蝕劑進行顯影處理，可獲得設置有所需之圖案之抗蝕劑之被加工基板。尤其是，最近，為了能夠進行微細圖案轉印，使用ArF準分子雷射光之ArF曝光技術或使用EUV(Extreme Ultra-Violet，遠紫外線)曝光之光之EUV曝光技術備受關注。例如，於EUV曝光技術中，作為曝光之光，係使用較ArF準分子雷射光短波長之EUV光。此處，EUV光係指包含軟X射線及真空紫外光，具體而言係指波長0.2 nm～100 nm左右之光。現在，作為曝光之光，主要研究13.5 nm左右之波長之EUV光。

[發明所欲解決之問題] 一般而言，於上述轉印製程中，光罩係以安裝(吸附)於步進式曝光機般之曝光裝置之載台之狀態使用。然而，當將光罩吸附於載台時，經常發現於光罩發生變形。此種光罩之變形有使轉印製程之精度降低之虞。尤其是，於近年來之ArF曝光技術及EUV曝光技術中，因曝光之光之波長較短，故而光罩之輕微之變形可能會對轉印製程之精度產生較大影響。其結果，可能會產生難以對被加工基板轉印所需之圖案之問題。本發明係鑒於此種背景而完成者，於本發明中，其目的在於提供一種能夠顯著抑制將光罩吸附於曝光裝置時之變形之光罩基底用基板及光罩基底。 [解決問題之技術手段] 於本發明中，提供一種光罩基底用基板，其係具有相互對向之第1及第2主表面者，於上述第1主表面之大致中央部，存在一邊之長度為L₂ 之正方形之形狀之標準區域，上述標準區域包含：框狀區域，其相當於該標準區域之外周部分；及內部區域，其由該框狀區域包圍；上述內部區域係一邊之長度L₃ 為132 mm之正方形狀，上述框狀區域具有：外框，其由與上述標準區域之正方形之各邊一致之4邊構成；及內框，其由與上述內部區域之正方形之各邊一致之4邊構成；上述外框係與將上述內框以使該內框之各邊分別朝外側平行移動8 mm之方式擴展而成之形狀一致，當將上述框狀區域之上述外框之各頂點分別沿逆時針方向設為頂點A₂ 、B₂ 、C₂ 及D₂ 時，上述框狀區域於各拐角部具有第1～第4拐角區域，第1拐角區域包含頂點A₂ ，第2拐角區域包含頂點B₂ ，第3拐角區域包含頂點C₂ ，第4拐角區域包含頂點D₂ ，各拐角區域係一邊之長度為8 mm之正方形狀，於上述框狀區域中，於上述第1拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第1中央區域，於上述第1拐角區域與上述第2拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第2中央區域，於上述第2拐角區域與上述第3拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第3中央區域，於上述第3拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第4中央區域， (i)基於上述標準區域之最小平方平面PP₁ 而規定之上述內部區域之平坦度F_in1 為100 nm以下， (ii)當將上述框狀區域之一個拐角區域設為第n個拐角區域，將最接近該第n個拐角區域之2個中央區域分別設為第1接近中央區域及第2接近中央區域，將基於上述最小平方平面PP₁ 而規定之第n個拐角區域之最大高度設為H_max (C_n )，將最小高度設為H_min (C_n )，將上述第1接近中央區域之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將上述第2接近中央區域之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，當n＝1～4中之任一者時，以下之(1)式 ΔD＝Max{H_max (C_n )－H_min (M₁ )，H_max (C_n )－H_min (M₂ )，H_max (M₁ )－H_min (C_n )，H_max (M₂ )－H_min (C_n )} (1)式所表示之最大高低差ΔD均為100 nm以下，且此處，Max{x₁ 、x₂ 、x₃ 、x₄ }係意指x₁ ～x₄ 中之最大值。又，於本發明中，提供一種光罩基底，其係具有基板者，該光罩基底具有第1主表面及第2主表面，上述第2主表面係配置有電路圖案用層之側之主表面，於上述第1主表面之大致中央部，存在一邊之長度為L₂ 之正方形之形狀之標準區域，上述標準區域包含：框狀區域，其相當於該標準區域之外周部分；及內部區域，其由該框狀區域包圍；上述內部區域係一邊之長度L₃ 為132 mm之正方形狀，上述框狀區域具有：外框，其由與上述標準區域之正方形之各邊一致之4邊構成；及內框，其由與上述內部區域之正方形之各邊一致之4邊構成；上述外框係與將上述內框以使該內框之各邊分別朝外側平行移動8 mm之方式擴展而成之形狀一致，當將上述框狀區域之上述外框之各頂點分別沿逆時針方向設為頂點A₂ 、B₂ 、C₂ 及D₂ 時，上述框狀區域於各拐角部具有第1～第4拐角區域，第1拐角區域包含頂點A₂ ，第2拐角區域包含頂點B₂ ，第3拐角區域包含頂點C₂ ，第4拐角區域包含頂點D₂ ，各拐角區域係一邊之長度為8 mm之正方形狀，於上述框狀區域中，於上述第1拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第1中央區域，於上述第1拐角區域與上述第2拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第2中央區域，於上述第2拐角區域與上述第3拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第3中央區域，於上述第3拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8 mm之正方形之第4中央區域， (iii)基於上述標準區域之最小平方平面PP₁ 而規定之上述內部區域之平坦度F_in1 為200 nm以下， (iv)當將上述框狀區域之一個拐角區域設為第n個拐角區域，將最接近該第n個拐角區域之2個中央區域分別設為第1接近中央區域及第2接近中央區域，將基於上述最小平方平面PP₁ 而規定之第n個拐角區域之最大高度設為H_max (C_n )，將最小高度設為H_min (C_n )，將上述第1接近中央區域之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將上述第2接近中央區域之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，當n＝1～4中之任一者時，以下之(1)式 ΔD＝Max{H_max (C_n )－H_min (M₁ )，H_max (C_n )－H_min (M₂ )，H_max (M₁ )－H_min (C_n )，H_max (M₂ )－H_min (C_n )} (1)式所表示之最大高低差ΔD均為150 nm以下，且此處，Max{x₁ 、x₂ 、x₃ 、x₄ }係意指x₁ ～x₄ 中之最大值。 [發明之效果] 於本發明中，可提供一種能夠顯著抑制將光罩吸附於曝光裝置時之變形之光罩基底用基板及光罩基底。

以下，參照圖式，對本發明之一實施形態進行說明。於本案中，｢光罩基底｣與於一個主表面具有經圖案化之層之光罩不同，係意指於一個主表面具有經圖案化成所需之圖案前之層之基板。因此，於通常之情形時，於｢光罩基底｣之階段，層配置於基板之主表面整體。進而，｢光罩基底用基板｣係意指於主表面設置如上述般之層之前之基板。 (根據本發明之一實施形態之光罩基底用基板) 參照圖1，對本發明之一實施形態進行說明。圖1模式性地表示根據本發明之一實施形態之光罩基底用基板之一例。如圖1所示，根據本發明之一實施形態之光罩基底用基板(以下稱為｢第1基板｣)100具有相互對向之第1主表面102及第2主表面104。第1基板100(之第1主表面102)具有大致正方形狀之形狀，一邊之長度L₁ 例如為152 mm。第1基板100於第1主表面102之大致中央具有標準區域120(於圖1中以粗框表示之框內之區域)。標準區域120係一邊之長度為L₂ 之正方形狀。長度L₂ 為148 mm。於圖1所示之例中，第1主表面102之輪廓線(正方形)110與將標準區域120之各邊例如分別朝外側擴展2 mm後所得之形狀一致。標準區域120包含：框狀區域130，其相當於該標準區域120之外周部分；及內部區域140，其被該框狀區域130包圍。換言之，框狀區域130相當於自標準區域120將內部區域140去除後之區域。內部區域140存在於標準區域120之大致中央部，係一邊之長度L₃ 為132 mm之正方形狀。將內部區域140之各邊自上邊沿逆時針方向分別稱為第1邊(上邊)142、第2邊144、第3邊(下邊)146、及第4邊148。框狀區域130由外框及內框劃分。框狀區域130之外框由與標準區域120之各個邊一致之第1外側邊143～第4外側邊149構成。又，框狀區域130之內框由與內部區域140之各個邊一致之第1內側邊142～第4內側邊148構成。再者，於框狀區域130之外框與內框中，相互平行之對應之外側邊與內側邊(例如第1內側邊142及第1外側邊143等)之間之間隔、即框狀區域130之寬度(參照圖1之長度W)均為8 mm。以下，為了使說明明確化，於第1基板100中，將相當於第1主表面102之輪廓線110之拐角之4點分別稱為點A₁ ～點D₁ 。此處，關於各點，如圖1所示，將左上之拐角設為點A₁ ，以下，沿逆時針方向命名為點B₁ ～點D₁ 。同樣地，於第1基板100中，將相當於標準區域120之拐角之4點分別稱為點A₂ ～點D₂ 。又，將相當於內部區域140之拐角之4點分別稱為點A₃ ～點D₃ 。該等命名之方法與於第1主表面102之拐角之情形時相同。進而，如圖1所示，於第1主表面102中，將框狀區域130之第1內側邊142(亦為內部區域140之第1邊)之延長線與框狀區域130之第2及第4外側邊145、149相交之點分別設為點U₂ 及點E₂ 。又，將框狀區域130之第2內側邊144(亦為內部區域140之第2邊)之延長線與框狀區域130之第3及第1外側邊147、143相交之點分別設為點F₂ 及點G₂ 。又，將框狀區域130之第3內側邊146(亦為內部區域140之第3邊)之延長線與框狀區域130之第4及第2外側邊149、145相交之點分別設為點H₂ 及點I₂ 。進而，將框狀區域130之第4內側邊148(亦為內部區域140之第4邊)之延長線與框狀區域130之第1及第3外側邊143、147相交之點分別設為點J₂ 及點K₂ 。其結果，於框狀區域130之左上角劃分有由正方形A₂ U₂ A₃ G₂ 包圍而成之第1拐角區域161。又，於框狀區域130之左下角劃分有由正方形B₂ F₂ B₃ I₂ 包圍而成之第2拐角區域162，於框狀區域130之右下角劃分有由正方形C₂ H₂ C₃ K₂ 包圍而成之第3拐角區域163，於框狀區域130之右上角劃分有由正方形D₂ J₂ D₃ E₂ 包圍之第4拐角區域164。該等拐角區域161～164之一邊之長度均為8 mm。又，如圖1所示，於框狀區域130中，將位於第1拐角區域161與第4拐角區域164之正中間之正方形部分稱為第1中央區域171，將位於第1拐角區域161與第2拐角區域162之正中間之正方形部分稱為第2中央區域172，將位於第2拐角區域162與第3拐角區域163之正中間之正方形部分稱為第3中央區域173，將位於第3拐角區域163與第4拐角區域164之正中間之正方形部分稱為第4中央區域174。該等中央區域171～174係一邊之長度為8 mm之正方形形狀。例如，第1中央區域171以T₂ T₃ M₃ M₂ 之正方形表示，第2中央區域172以N₂ N₃ O₃ O₂ 之正方形表示，第3中央區域173以Q₂ Q₃ P₃ P₂ 之正方形表示，第4中央區域174以S₂ S₃ R₃ R₂ 之正方形表示。再者，點T₂ 、M₂ 、N₂ 、O₂ 、P₂ 、Q₂ 、R₂ 、S₂ 分別為框狀區域130之外側邊143、145、147、149上之點。又，點T₃ 、M₃ 、N₃ 、O₃ 、P₃ 、Q₃ 、R₃ 、S₃ 分別為框狀區域130之內側邊142、144、146、148上之點。此處，第1基板100具有如下特徵： (i)基於標準區域120之最小平方平面PP₁ 而規定之內部區域140之平坦度F_in1 為100 nm以下。再者，內部區域140之｢平坦度F_in1 ｣可根據以標準區域120之最小平方平面PP₁ 為基準時之內部區域140之表面凹凸之最大高度與最小高度的差而求出。上述差可藉由FUJINON公司製造之平坦度側性測定。又，第1基板100具有如下特徵： (ii)當將框狀區域130之一個拐角區域設為第n個拐角區域，將最接近該第n個拐角區域之2個中央區域分別設為第1接近中央區域及第2接近中央區域，將基於上述最小平方平面PP₁ 而規定之第n個拐角區域之最大高度設為H_max (C_n )，將最小高度設為H_min (C_n )，將上述第1接近中央區域之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將上述第2接近中央區域之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，當n＝1～4中之任一者時，以下之(1)式 ΔD＝Max{H_max (C_n )－H_min (M₁ )，H_max (C_n )－H_min (M₂ )，H_max (M₁ )－H_min (C_n )，H_max (M₂ )－H_min (C_n )} (1)式表示之最大高低差ΔD均為100 nm以下。此處，Max{x₁ 、x₂ 、x₃ 、x₄ }係意指x₁ ～x₄ 中之最大值。例如，於n＝1之情形時，關於框狀區域130之第1拐角區域161，最接近第1拐角區域161之2個中央區域成為第1中央區域171及第2中央區域172。因此，於將基於標準區域120之最小平方平面PP₁ 而規定之第1拐角區域161之最大高度設為H_max (C₁ )，將最小高度設為H_min (C₁ )，將第1中央區域171之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將第2中央區域172之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，第1基板100以使上述(1)式表示之最大高低差ΔD成為100 nm以下之方式而構成。又，於n＝2之情形時，關於框狀區域130之第2拐角區域162，最接近第2拐角區域162之2個中央區域成為第2中央區域172及第3中央區域173。因此，於將基於標準區域120之最小平方平面PP₁ 而規定之第2拐角區域162之最大高度設為H_max (C₂ )，將最小高度設為H_min (C₂ )，將第2中央區域172之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將第3中央區域173之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，第1基板100以使上述(1)式表示之最大高低差ΔD成為100 nm以下之方式而構成。同樣地，於n＝3之情形時，關於框狀區域130之第3拐角區域163，最接近第3拐角區域163之2個中央區域成為第3中央區域173及第4中央區域174。因此，於將基於標準區域120之最小平方平面PP₁ 而規定之第3拐角區域163之最大高度設為H_max (C₃ )，將最小高度設為H_min (C₃ )，將第3中央區域173之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將第4中央區域174之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，第1基板100以使上述(1)式表示之最大高低差ΔD成為100 nm以下之方式而構成。進而，於n＝4之情形時，關於框狀區域130之第4拐角區域164，最接近第4拐角區域164之2個中央區域成為第4中央區域174及第1中央區域171。因此，於將基於標準區域120之最小平方平面PP₁ 而規定之第4拐角區域164之最大高度設為H_max (C₄ )，將最小高度設為H_min (C₄ )，將第4中央區域174之最大高度設為H_max (M₁ )，將最小高度設為H_min (M₁ )，將第1中央區域171之最大高度設為H_max (M₂ )，將最小高度設為H_min (M₂ )時，第1基板100以使上述(1)式表示之最大高低差ΔD成為100 nm以下之方式而構成。此處，光罩基底用基板之內部區域之平坦度F_in1 較佳為80 nm以下，進而較佳為50 nm以下。又，光罩基底用基板之最大高低差ΔD較佳為75 nm以下，進而較佳為50 nm以下。如後文詳細所示，於以具有上述(i)及(ii)之特徵之方式構成光罩基底用基板之情形時，當將對包含此種光罩基底用基板之光罩基底之成膜面賦予轉印圖案而成之光罩吸附於曝光裝置時，可顯著抑制光罩之變形。因此，於將第1基板100應用於光罩之情形時，可顯著抑制如上述般之轉印製程之精度降低之先前之問題。尤其是，於第1基板100之情形時，即便於將該第1基板100應用於ArF曝光技術及EUV曝光技術用光罩之情形時，亦可發揮此種效果。 (其他特徵) 第1基板100包含透明之材料。第1基板100例如可較佳使用含有90質量%以上之SiO₂ 之石英玻璃。SiO₂ 占石英玻璃之含量之上限值為100質量%。石英玻璃與普通鈉鈣玻璃相比，線膨脹係數較小，因溫度變化而引起之尺寸變化較小。石英玻璃除了含有SiO₂ 之外，亦可含有TiO₂ 。石英玻璃亦可含有90～95質量%之SiO₂ 、5～10質量%之TiO₂ 。若TiO₂ 含量為5～10質量%，則於室溫附近之線膨脹係數大致為零，幾乎不會發生於室溫附近之尺寸變化。具體而言，較佳為20℃下之熱膨脹係數為0±30ppb/℃之低膨脹玻璃，進而較佳為20℃下之熱膨脹係數為0±10ppb/℃之超低膨脹玻璃，特佳為20℃下之熱膨脹係數為0±5ppb/℃之超低膨脹玻璃。只要透過型光罩或反射型光罩包含此種低熱膨脹係數之玻璃，便可充分地應對半導體製造步驟中之溫度變化，而良好地轉印高精細之電路圖案。石英玻璃亦可含有SiO₂ 及TiO₂ 以外之微量成分，但較佳為不含有微量成分。第1基板100之厚度例如為6.25 mm～6.45 mm之範圍。如上述，當將第1基板100作為光罩吸附於曝光裝置時，可顯著抑制變形。例如，於使第1基板100之第1主表面102與載台接觸，以｢整個面吸附方式｣將第1基板100安裝至載台時，可將第2主表面104之平坦度抑制為50 nm以下。此處，所謂｢整個面吸附方式｣，針對如光罩般之被安裝對象物，與僅使2個邊吸附於載台之｢2邊吸附方式｣或使4個邊框狀地吸附於載台之｢4邊吸附方式｣不同，係意指使被安裝對象物之主表面整體吸附於載台之方式。又，第2主表面104之平坦度(以下稱為第2平坦度F_in2 )係與如上述之第1主表面102中之內部區域140之平坦度F_in1 同樣地規定。即，於第2主表面104，於將上述第1主表面102中之與標準區域120相對應之區域設為｢背面標準區域｣，將第1主表面102中之與內部區域140相對應之區域設為｢背面內部區域｣時，第2平坦度F_in2 可以背面標準區域之最小平方平面PP₂ 為基準，根據背面內部區域之表面凹凸之最大高度與最小高度之差求出。以上，以第1基板100為例，對根據本發明之一實施形態之光罩基底用基板之特徵進行了說明。然而，上述記載僅為一例，熟知本技藝者明白根據本發明之光罩基底用基板亦可具有其他形態及/或特徵。例如，於圖1所示之例中，第1基板100之第1主表面102具有一邊之長度L₁ 為152 mm之正方形形狀。然而，第1主表面102之一邊之長度L₁ ，進而第1主表面102之形狀並不限於此。即，需要留意：只要可於第1主表面102內劃分出一邊之長度L₂ 為148 mm之標準區域120，則第1主表面102之尺寸及形狀並無特別限定。 (第1基板之製造方法) 其次，對具有如上述之特徵之第1基板100之製造方法之一例進行簡單說明。但是，以下所示之方法僅為一例，需要留意：第1基板100亦可利用其他方法製造。又，此處，以基板係玻璃基板之情形時為例，對第1基板100之製造方法進行說明。第1基板100之製造方法(以下稱為｢第1製造方法｣) 具有 (1)玻璃基板之資訊獲取步驟、及 (2)玻璃基板之研磨步驟。以下，對各步驟進行說明。 (1.資訊獲取步驟) 首先，準備成為基礎之玻璃基板。玻璃基板具有第1及第2主表面。玻璃基板例如具有一邊之長度為152 mm之正方形形狀。然後，測定玻璃基板之第1及第2主表面之表面凹凸分佈、最小平方平面、以及PV(Peak-to-Valley，峰谷)值(最大高度與最小高度之差)等(以下，將其等總括稱為｢表面參數｣)。藉此，獲取關於加工前之玻璃基板之主表面之凹凸形狀之資訊(以下稱為｢初始表面參數｣)。 (2.研磨步驟) 然後，對玻璃基板進行研磨。玻璃基板之研磨包含預研磨步驟、局部研磨步驟、及精研磨步驟。以下，對各步驟進行簡單說明。 (預研磨步驟) 首先，對玻璃基板進行預研磨。於該預研磨步驟中，以使玻璃基板之第1及第2主表面之表面粗糙度與PV值成為特定之範圍內之方式，對玻璃基板進行粗研磨。此時，基於在上述資訊獲取步驟中獲取之關於初始表面參數之資訊，對玻璃基板進行粗研磨。於預研磨步驟中，可應用公知之方法。例如，亦可連續使用複數個雙面拋光研磨裝置，對玻璃基板之第1及第2主表面進行預研磨。此時，作為研磨布，亦可使用硬質胺基甲酸酯發泡體或麂皮墊，作為研磨劑，亦可使用粒徑0.5 μm～2 μm之氧化鈰。於預研磨步驟後，再次，測定第1及第2主表面之表面參數，確認表面狀態。 (局部研磨步驟) 然後，對玻璃基板之第1主表面進行局部研磨。該局部研磨步驟係藉由在玻璃基板之第1主表面上掃描局部加工工具而實施。於局部加工工具，可使用公知者。例如使用離子束蝕刻法、氣體簇離子束(GCIB)蝕刻法、電漿蝕刻法、濕式蝕刻法、利用磁性流體之研磨法、或利用旋轉研磨工具之研磨法等。此處，局部研磨步驟係以如下方式實施，即，於玻璃基板之第1主表面獲得上述第1基板100所具有之特徵(i)及(ii)。因此，局部研磨步驟亦可利用模擬假定第1主表面中之等高線之分佈而實施。於局部研磨步驟之中途，為了進行確認，亦可對第1主表面實施如上述之表面參數之測定。若測定之結果，確認於玻璃基板之第1主表面獲得上述特徵(i)及(ii)，則局部研磨步驟結束。 (精研磨步驟) 然後，對玻璃基板之第1及第2主表面進行最終研磨。此時，使用具有較玻璃基板之主表面大之面積之研磨墊，一面供給研磨漿料，一面對玻璃基板之主表面進行研磨。使用較大之研磨墊係為了同時研磨玻璃基板之主表面整體。作為研磨墊，例如可使用藉由使不織布等底布含浸聚胺基甲酸酯樹脂而獲得之具有聚胺基甲酸酯樹脂發泡層的研磨墊等。研磨漿料通常包含研磨粒子及其分散介質。研磨漿料亦可含有膠體氧化矽或氧化鈰。膠體氧化矽因可精密地對玻璃基板進行研磨，故而較佳。作為研磨粒子之分散介質，可列舉水及有機溶劑。藉此，最終對玻璃基板之第1及第2主表面完成加工。藉由以上之步驟，可製造具有上述(i)及(ii)之特徵之第1基板100。 (根據本發明之一實施形態之光罩基底) 其次，對根據本發明之一實施形態之光罩基底之一例進行說明。再者，此處，參照圖式，對反射型光罩基底及透過型光罩基底之各者進行說明。 (反射型光罩基底) 圖2係模式性地表示根據本發明之一實施形態之反射型光罩基底之剖面。如圖2所示，該反射型光罩基底(以下稱為｢第1光罩基底｣)10具有基板200。基板200具有相互對向之第1主表面202及第2主表面204。於基板200之第1主表面202，配置有第1層250，於基板200之第2主表面204配置有第2層280。如圖2所示，於第1光罩基底10中，將第1層250之側之主表面稱為第1光罩基底10之第1主表面12，將第2層280之側之主表面稱為第1光罩基底10之第2主表面14。第1層250係導電膜，例如包含氮化鉻等。藉由設置第1層250，可將第1光罩基底10靜電吸附於載台。另一方面，第2層280包含複數個膜。即，第2層280自靠近基板200之側起依序具有反射膜282、保護膜284、及吸收膜286等。其中，反射膜282具有反射如EUV曝光之光般之光之功能。反射膜282例如亦可具有Mo膜/Si膜之重複構造。保護膜284具有當對吸收膜286進行圖案處理時保護反射膜282之功能。保護膜284例如亦可包含Ru或Ru化合物。但是，保護膜284並非為必須之構成，亦可將其省略。吸收膜286包含吸收曝光之光之材料。吸收膜286係以當將第1光罩基底10用作光罩時具有圖案化構造之方式而提供，於轉印製程中，可將該圖案轉印至被加工基板。再者，亦可於吸收膜286之與反射膜282為相反之側形成低反射膜(例如TaON或TaO等)。低反射膜具有對吸收膜286之電路圖案之檢查光較吸收膜286低之反射特性。此處，利用低反射膜之檢查光之反射率較利用吸收膜286之檢查光之反射率低。再者，第1層250及第2層280之規格及形成方法係與先前之反射型光罩基底之情形時相同。因此，此處不再詳細說明。此種第1光罩基底10例如用於EUV曝光技術等。於EUV曝光技術中，於將第1光罩基底10實際用作光罩之情形時，第1主表面12之側成為吸附於曝光裝置之載台之側。又，第2主表面14之側成為曝光之光之照射側。此處，第1光罩基底10係以具有上述(iii)及(iv)之特徵之方式而構成。再者，於(iii)及(iv)之特徵中，第1光罩基底10之內部區域之平坦度F_in1 及最大高低差ΔD之較佳範圍與上述第1光罩基底用基板100中之平坦度F_in1 及最大高低差ΔD之較佳範圍略有不同。其係因為：通常，為了製造光罩基底，若對光罩基底用基板實施成膜，則因膜應力使光罩基底用基板翹曲。其結果，於通常之情形時，光罩基底之主表面之平坦度F_in1 及最大高低差ΔD變得大於光罩基底用基板之F_in1 及ΔD。但是，即便發生此種變形，只要以具有上述(iii)及(iv)之特徵之方式構成光罩基底，當將自該光罩基底製造之光罩吸附於曝光裝置時，與先前相比，可顯著抑制光罩之變形。又，藉此，能夠以高精度將所需之圖案轉印至被加工基板。於第1光罩基底10中，上述內部區域之平坦度F_in1 較佳為180 nm以下，進而較佳為150 nm以下，上述最大高低差ΔD較佳為125 nm以下，進而較佳為100 nm以下。因此，當將包含第1光罩基底10之光罩吸附於曝光裝置時，與先前相比，可顯著抑制光罩之變形。又，藉此，能夠以高精度將所需之圖案轉印至被加工基板。 (透過型光罩基底) 圖3係模式性地表示根據本發明之一實施形態之透過型光罩基底之剖面。如圖3所示，該透過型光罩基底(以下稱為｢第2光罩基底｣)20具有基板300。基板300具有相互對向之第1主表面302及第2主表面304。於基板300之第1主表面302配置有第1層380。如圖3所示，於第2光罩基底20中，將第1層380之側之主表面稱為第2光罩基底20之第1主表面22，將相反側之主表面稱為第2光罩基底20之第2主表面24。再者，雖然圖3中並不明確，但第1層380亦可包含複數個膜。此種膜例如亦可為遮光膜及/或半色調膜等。再者，第1層380之規格及形成方法係與先前之透過型光罩基底之情形時相同。因此，此處不再詳細說明。此種第2光罩基底20例如用於ArF曝光技術等。於ArF曝光技術中，於將第2光罩基底20實際用作光罩之情形時，基板300之第1主表面302之側成為吸附於曝光裝置之載台之側。又，該第2主表面304之側成為曝光之光之照射側。此處，第2光罩基底20係以具有上述(iii)及(iv)之特徵之方式而構成。於該情形時，當將包含第2光罩基底20之光罩吸附於曝光裝置時，與先前相比，亦可顯著抑制光罩之變形。又，藉此，能夠以高精度將所需之圖案轉印至被加工基板。於第2光罩基底20中，上述最大高低差ΔD較佳為125 nm以下，進而較佳為100 nm以下。 [實施例] 其次，對本發明之實施例進行說明。再者，於以下之說明中，例1為實施例，例2及例3為比較例。 (事先準備) 首先，準備13片玻璃基板，對各者進行預研磨。玻璃基板係使用摻TiO₂ 之玻璃基板。再者，該等玻璃基板係長152 mm×寬152 mm之正方形狀。於預研磨後，測定各玻璃基板之第1及第2主表面之表面參數。其結果，各玻璃基板之第1主表面中之最大高度與最小高度之差為200 nm～350 nm之範圍。再者，最大高度與最小高度之差係使用FUJINON公司製造之平坦度測定機而測定。又，使用白色干涉儀以2.8 mm×2.1 mm之範圍測定第1主表面中之表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra)。其結果，算術平均粗糙度Ra為0.8 nm～1.2 nm。於第2主表面，亦獲得相同之值。再者，預研磨後之各玻璃基板之厚度為6.448 mm～6.449 mm之範圍。 (例1) 針對預研磨後之7片玻璃基板，對第1主表面進行局部研磨。局部研磨係使用研磨區域為f15 mm之旋轉型小型加工工具。局部研磨係條件如下：研磨劑：平均粒徑(D50)2 μm之氧化鈰；研磨墊：軟質墊(BELLATRIX N7512，Filwel股份有限公司製造)；研磨加工部之轉數：400 rpm；研磨壓力：2.5 g重/mm² 。再者，局部研磨處理係假定於第1主表面獲得如圖4所示般之等高線分佈而實施。圖4係模式性地表示於例1中進行局部研磨處理時所假定之第1主表面中之等高線之分佈。如圖4所示，第1主表面402包含標準區域420(148 mm×148 mm)，該標準區域420劃分出框狀區域430及內部區域440(132 mm×132 mm)。又，各等高線411～415呈大致正方形狀，成為角部經磨圓之形狀，各個正方形之中心係與第1主表面402之中心一致。再者，等高線411～415係表示正方形之尺寸越大，水平越高(即表面越高)，反之，係表示正方形之尺寸越小，水平越低(即表面越低)。鄰接之等高線之高度水平之差為約100 nm。此處，於局部研磨處理時，留意儘量不使框狀區域430與較多之等高線交叉。例如，於圖4之例中，於框狀區域430中，僅導入於4個拐角區域與框狀區域430交叉之一條等高線414，該等高線414實質上與框狀區域430之外框一致(因此，於框狀區域430之拐角區域以外之部分，實質上並不交叉)。於此種局部研磨處理之結束後，對各玻璃基板之兩主表面進行精研磨。精研磨條件係如下：研磨試驗機：雙面24B研磨機(浜井產業股份有限公司製造)；研磨墊：BELLATRIX N7512(Filwel股份有限公司製造)；研磨壓盤轉數：10 rpm；研磨時間：30分；研磨荷重：0.52 g重/mm² ；研磨量：0.06 μm/面；稀釋水：純水(過濾0.1 μm以上異物)；研磨漿料：含有20質量%之平均一次粒徑未達20 nm之膠體氧化矽；研磨漿料流量：10升/min。藉由以上之步驟，獲得7片光罩基底用基板。將各光罩基底用基板分別稱為樣本1-1～樣本1-7。於上述精研磨步驟結束後，藉由FUJINON公司製造之平坦度測定機測定各光罩基底用基板之最大高度與最小高度之差。 (例2) 藉由與例1相同之方法，針對預研磨後之4片玻璃基板，對第1主表面進行局部研磨。但是，於該例2中，局部研磨處理係假定於第1主表面獲得圖5所示般之等高線分佈而實施。圖5係模式性地表示於例2中局部研磨處理時所假定之第1主表面中之等高線之分佈。如圖5所示，第1主表面402包含標準區域420(148 mm×148 mm)，該標準區域420劃分出框狀區域430及內部區域440(132 mm×132 mm)。又，各等高線511～515大致呈圓形，各個圓之中心係與第1主表面402之中心一致。再者，等高線511～515表示圓之直徑越大，水平越高(即表面越高)，反之，表示圓之直徑越小，水平越低(即表面越低)。鄰接之等高線之高度水平之差為約100 nm。於該例中，兩條等高線514、515與框狀區域430交叉。又，於框狀區域430之4個拐角區域存在等高線514～等高線515之間之區域及等高線515之外側之區域之2個不同高度區域。於此種局部研磨處理之結束後，對各玻璃基板之兩主表面進行與例1之情形時相同之精研磨。將所獲得之各光罩基底用基板分別稱為樣本2-1～樣本2-4。 (例3) 藉由與例1相同之方法，針對預研磨後之2片玻璃基板，對第1主表面進行局部研磨。但是，於該例3中，局部研磨處理係假定於第1主表面獲得圖6所示般之等高線分佈而實施。圖6係模式性地表示於例3中局部研磨處理時所假定之第1主表面中之等高線之分佈。如圖6所示，第1主表面402包含標準區域420(148 mm×148 mm)，該標準區域420劃分出框狀區域430及內部區域440(132 mm×132 mm)。又，各等高線611～617呈大致正方形狀，成為角部經磨圓之形狀，各個正方形之中心係與第1主表面402之中心一致。再者，等高線611～617表示正方形之尺寸越大，水平越高(即表面越高)，反之，表示正方形之尺寸越小，水平越低(即表面越低)。鄰接之等高線之高度水平之差為約100 nm。於該例中，於框狀區域430，僅導入於4個拐角區域與框狀區域430交叉之一條等高線616，該等高線616實質上與框狀區域430之外框一致(因此，於框狀區域430之拐角區域以外之部分，實質上並不交叉)。於此種局部研磨處理之結束後，對各玻璃基板之兩主表面進行與例1之情形時相同之精研磨。將所獲得之各光罩基底用基板分別稱為樣本3-1及樣本3-2。 (評價) 針對如上述般製備之各樣本，實施以下之評價。再者，以後，各樣本之第1主表面之各區域係以上述圖1所示之名稱表示。 (內部區域之平坦度F_in1 ) 於各樣本之第1主表面中，評價中央部分之內部區域(L₂ ＝132 mm之正方形區域)之平坦度F_in1 。內部區域之平坦度F_in1 係如上述，測定標準區域中之最小平方平面PP₁ ，基於該最小平方平面PP₁ 而計算。 (最大高低差ΔD) 於各樣本之第1主表面，計算上述(1)式表示之最大高低差ΔD。以下之表1係總括表示各樣本中獲得之內部區域之平坦度F_in1 及最大高低差ΔD。 [表1]

(吸附時之平坦度) 然後，將各樣本以整個面吸附方式真空安裝至載台，評價樣本所發生之變形狀態。評價時，各樣本係以使第1主表面之側與載台接觸之方式進行真空安裝。再者，變形之狀態係利用樣本之第2主表面中之第2平坦度F_in2 進行評價。如上述，該第2平坦度F_in2 係以背面標準區域之最小平方平面PP₂ 為基準而規定。將於各樣本中獲得之評價結果總括示於上述表1之｢吸附時之平坦度｣之欄。自該表1可知，於樣本1-1～1-7中，內部區域之平坦度F_in1 均成為100 nm以下。可知，與此相對，於樣本3-1、3-2中，內部區域之平坦度F_in1 超過100 nm。又，可知，於樣本1-1～1-7中，最大高低差ΔD均成為100 nm以下。可知，另一方面，於樣本2-1～2-4中，最大高低差ΔD超過100 nm。進而，可知，於樣本1-～1-7中，吸附時之平坦度均成為30 nm以下，與此相對，於樣本2-1～2-4及樣本3-1、3-2中，吸附時之平坦度超過50 nm。圖7係表示對在各樣本中獲得之最大高低差ΔD與吸附時之平坦度之關係進行繪圖所得的圖表。自該圖7可知，於樣本2-1～2-4及3-1、3-2中，吸附時之平坦度超過50 nm，幾乎未獲得良好之平坦度。可知，與此相對，於樣本1-1～1-7中，吸附時之平坦度成為50 nm以下，尤其是成為30 nm以下，獲得良好之結果。如此，確認到：藉由以滿足上述(i)及(ii)之特徵之方式製造光罩基底用基板，而顯著抑制吸附時之變形。 (例11) 使用利用上述方法獲得之樣本1-1，藉由以下之方法製造光罩基底。 (導電膜之形成) 於樣本1-1之第1主表面，使用磁控濺鍍法，成膜導電膜。導電膜係設為CrNH膜。導電膜之成膜條件係如下：靶；Cr靶真空度；1×10^-4 Pa以下濺鍍氣體：Ar、N₂ 及H₂ 之混合氣體(Ar：58.2 vol%，N₂ ：40 vol%，H₂ ：1.8 vol%) 氣體壓力；0.1 Pa 投入電力；1500 W 成膜速度；0.18 nm/sec 導電膜之膜厚係以185 nm為目標。 (反射膜之形成) 然後，於樣本1-1之第2主表面，使用離子束濺鍍法形成反射膜。反射膜係設為Mo/Si多層反射膜。更具體而言，交替重複50次目標厚度2.3 nm之Mo層之成膜與目標厚度4.5 nm之Si層之成膜，形成厚度340 nm之Mo/Si多層反射膜。 Mo層之成膜條件係如下：靶；Mo靶濺鍍氣體；Ar氣體(氣體壓力：0.02 Pa) 電壓；700 V 成膜速度；0.064 nm/sec 另一方面，Si層之成膜條件係如下：靶；Si靶(摻雜硼) 濺鍍氣體；Ar氣體(氣體壓力：0.02 Pa) 電壓；700 V 成膜速度；0.077 nm/sec。 (保護膜之形成) 然後，於反射膜上，使用離子束濺鍍法形成保護膜。保護膜係設為Ru層。保護膜之成膜條件係如下：靶；Ru靶濺鍍氣體；Ar氣體(氣體壓力：0.02 Pa) 電壓；700 V 成膜速度；0.052 nm/sec 保護膜之膜厚係以2.5 nm為目標。 (吸收膜之形成) 然後，於保護膜上，使用磁控濺鍍法形成吸收膜。吸收膜係設為TaN層。吸收膜之成膜條件係如下：靶；Ta靶濺鍍氣體；Ar與N₂ 之混合氣體(Ar：86 vol%，N₂ ：14 vol%) 氣體壓力；0.3 Pa 投入電力；150 W 成膜速度；7.2 nm/min 吸收膜之膜厚係以60 nm為目標。 (低反射膜之形成) 然後，於吸收膜上，使用磁控濺鍍法形成低反射膜。低反射膜係設為TaON層。低反射膜之成膜條件係如下：靶；Ta靶濺鍍氣體；Ar、O₂ 及N₂ 之混合氣體(Ar：49 vol%，O₂ ：37 vol%，N₂ ：14 vol%) 氣體壓力；0.3 Pa 投入電力；250 W 成膜速度；2.0 nm/min 低反射膜之膜厚係以8 nm為目標。藉由以上之步驟，製造包含樣本1-1之光罩基底(以下稱為｢光罩基底11｣)。使用FUJINON公司製造之平坦度測定機，測定光罩基底11之最大高度與最小高度之差。 (例12～例17) 藉由與例11相同之方法，使用樣本1-2～樣本1-7，分別製造光罩基底12～光罩基底17。 (例21～例24) 藉由與例11相同之方法，使用樣本2-1～樣本2-4，分別製造光罩基底21～光罩基底24。 (例31～例32) 藉由與例11相同之方法，使用樣本3-1～樣本3-2，分別製造光罩基底31～光罩基底32。 (評價) 使用各光罩基底，實施與對上述各樣本實施之評價相同之評價。以下之表2係總括表示於各光罩基底中獲得之評價結果。 [表2]

如表2所示，可知，於光罩基底11～光罩基底17中，內部區域之平坦度F_in1 均成為200 nm以下。可知，與此相對，於光罩基底31及光罩基底32中，內部區域之平坦度F_in1 超過200 nm。又，可知，於光罩基底11～光罩基底17中，最大高低差ΔD均成為150 nm以下。可知，另一方面，於光罩基底21～光罩基底24中，最大高低差ΔD超過150 nm。進而，可知，於光罩基底11～光罩基底17中，吸附時之平坦度均成為30 nm以下，與此相對，於光罩基底21～光罩基底24及光罩基底31～光罩基底32中，吸附時之平坦度超過50 nm。圖8係表示對在各光罩基底中獲得之最大高低差ΔD與吸附時之平坦度之關係進行繪圖所得的圖表。於該圖8可知，於光罩基底21～光罩基底24及光罩基底31～光罩基底32中，吸附時之平坦度超過50 nm，幾乎未獲得良好之平坦度。可知，與此相對，於光罩基底11～光罩基底17中，吸附時之平坦度成為50 nm以下，尤其是成為30 nm以下，獲得良好之結果。如此，確認：藉由以滿足上述(iii)及(iv)之特徵之方式製造光罩基底，而顯著抑制吸附時之變形。參照詳細且特定之實施態樣對本申請案進行了說明，但熟知本技藝者明白可不脫離本發明之精神及範圍而進行各種變更或修正。本申請案係基於在2016年3月23日申請之日本專利申請(日本專利特願2016-059047)及於2017年3月3日申請之日本專利申請(日本專利特願2017-041105)者，並將其內容引入至此以作為參照。

10‧‧‧反射型光罩基底 12‧‧‧第1主表面 14‧‧‧第2主表面 20‧‧‧透過型光罩基底 22‧‧‧第1主表面 24‧‧‧第2主表面 100‧‧‧光罩基底用基板 102‧‧‧第1主表面 104‧‧‧第2主表面 110‧‧‧輪廓線 120‧‧‧標準區域 130‧‧‧框狀區域 140‧‧‧內部區域 142‧‧‧第1邊(第1內側邊) 143‧‧‧第1外側邊 144‧‧‧第2邊(第2內側邊) 145‧‧‧第2外側邊 146‧‧‧第3邊(第3內側邊) 147‧‧‧第3外側邊 148‧‧‧第4邊(第4內側邊) 149‧‧‧第4外側邊 161‧‧‧第1拐角區域 162‧‧‧第2拐角區域 163‧‧‧第3拐角區域 164‧‧‧第4拐角區域 171‧‧‧第1中央區域 172‧‧‧第2中央區域 173‧‧‧第3中央區域 174‧‧‧第4中央區域 200‧‧‧基板 202‧‧‧第1主表面 204‧‧‧第2主表面 250‧‧‧第1層 280‧‧‧第2層 282‧‧‧反射膜 284‧‧‧保護膜 286‧‧‧吸收膜 300‧‧‧基板 302‧‧‧第1主表面 304‧‧‧第2主表面 380‧‧‧第1層 402‧‧‧第1主表面 411‧‧‧等高線 412‧‧‧等高線 413‧‧‧等高線 414‧‧‧等高線 415‧‧‧等高線 420‧‧‧標準區域 430‧‧‧框狀區域 440‧‧‧內部區域 511‧‧‧等高線 512‧‧‧等高線 513‧‧‧等高線 514‧‧‧等高線 515‧‧‧等高線 611‧‧‧等高線 612‧‧‧等高線 613‧‧‧等高線 614‧‧‧等高線 615‧‧‧等高線 617‧‧‧等高線 A₁‧‧‧點 A₂‧‧‧點 A₃‧‧‧點 B₁‧‧‧點 B₂‧‧‧點 B₃‧‧‧點 C₁‧‧‧點 C₂‧‧‧點 C₃‧‧‧點 D₁‧‧‧點 D₂‧‧‧點 D₃‧‧‧點 E₂‧‧‧點 F₂‧‧‧點 G₂‧‧‧點 H₂‧‧‧點 I₂‧‧‧點 J₂‧‧‧點 K₂‧‧‧點 L₁‧‧‧長度 L₂‧‧‧長度 L₃‧‧‧長度 M₂‧‧‧點 M₃‧‧‧點 N₂‧‧‧點 N₃‧‧‧點 O₂‧‧‧點 O₃‧‧‧點 P₂‧‧‧點 P₃‧‧‧點 Q₂‧‧‧點 Q₃‧‧‧點 R₂‧‧‧點 R₃‧‧‧點 S₂‧‧‧點 S₃‧‧‧點 T₂‧‧‧點 T₃‧‧‧點 U₂‧‧‧點 W‧‧‧長度 ΔD‧‧‧最大高低差

圖1係模式性地表示根據本發明之一實施形態之光罩基底用基板之一例的俯視圖。圖2係模式性地表示根據本發明之一實施形態之反射型光罩基底之構成之一例的剖視圖。圖3係模式性地表示根據本發明之一實施形態之透過型光罩基底之構成之一例的剖視圖。圖4係模式性地表示於例1中局部研磨處理時所假定之第1主表面中之等高線之分佈的圖。圖5係模式性地表示於例2中局部研磨處理時所假定之第1主表面中之等高線之分佈的圖。圖6係模式性地表示於例3中局部研磨處理時所假定之第1主表面中之等高線之分佈的圖。圖7係對在各樣本中獲得之最大高低差ΔD與吸附時之第2主表面之平坦度F_in2 之關係進行繪圖所得的圖表。圖8係對在各光罩基底中獲得之最大高低差ΔD與吸附時之第2主表面之平坦度F_in2 之關係進行繪圖所得的圖表。

100‧‧‧光罩基底用基板

102‧‧‧第1主表面

104‧‧‧第2主表面

110‧‧‧輪廓線

120‧‧‧標準區域

130‧‧‧框狀區域

140‧‧‧內部區域

142‧‧‧第1邊(第1內側邊)

143‧‧‧第1外側邊

144‧‧‧第2邊(第2內側邊)

145‧‧‧第2外側邊

146‧‧‧第3邊(第3內側邊)

147‧‧‧第3外側邊

148‧‧‧第4邊(第4內側邊)

149‧‧‧第4外側邊

161‧‧‧第1拐角區域

162‧‧‧第2拐角區域

163‧‧‧第3拐角區域

164‧‧‧第4拐角區域

171‧‧‧第1中央區域

172‧‧‧第2中央區域

173‧‧‧第3中央區域

174‧‧‧第4中央區域

A₁‧‧‧點

A₂‧‧‧點

A₃‧‧‧點

B₁‧‧‧點

B₂‧‧‧點

B₃‧‧‧點

C₁‧‧‧點

C₂‧‧‧點

C₃‧‧‧點

D₁‧‧‧點

D₂‧‧‧點

D₃‧‧‧點

E₂‧‧‧點

F₂‧‧‧點

G₂‧‧‧點

H₂‧‧‧點

I₂‧‧‧點

J₂‧‧‧點

K₂‧‧‧點

L₁‧‧‧長度

L₂‧‧‧長度

L₃‧‧‧長度

M₂‧‧‧點

M₃‧‧‧點

N₂‧‧‧點

N₃‧‧‧點

O₂‧‧‧點

O₃‧‧‧點

P₂‧‧‧點

P₃‧‧‧點

Q₂‧‧‧點

Q₃‧‧‧點

R₂‧‧‧點

R₃‧‧‧點

S₂‧‧‧點

S₃‧‧‧點

T₂‧‧‧點

T₃‧‧‧點

U₂‧‧‧點

W‧‧‧長度

Claims

一種光罩基底用基板，其係具有相互對向之第1及第2主表面者，於上述第1主表面之大致中央部，存在一邊之長度為L₂之正方形之形狀之標準區域，上述標準區域包含：框狀區域，其相當於該標準區域之外周部分；及內部區域，其由該框狀區域包圍；上述內部區域係一邊之長度L₃為132mm之正方形狀，上述框狀區域具有：外框，其由與上述標準區域之正方形之各邊一致之4邊構成；及內框，其由與上述內部區域之正方形之各邊一致之4邊構成；上述外框係與將上述內框以使該內框之各邊分別朝外側平行移動8mm之方式擴展而成之形狀一致，當將上述框狀區域之上述外框之各頂點分別沿逆時針方向設為頂點A₂、B₂、C₂及D₂時，上述框狀區域於各拐角部具有第1~第4拐角區域，第1拐角區域包含頂點A₂，第2拐角區域包含頂點B₂，第3拐角區域包含頂點C₂，第4拐角區域包含頂點D₂，各拐角區域係一邊之長度為8mm之正方形狀，於上述框狀區域中，於上述第1拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第1中央區域，於上述第1拐角區域與上述第2拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第2中央區域，於上述第2拐角區域與上述第3拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第3中央區域，於上述第3拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第4中央區域，(i)基於上述標準區域之最小平方平面PP₁而規定之上述內部區域之平坦度F_in1為100nm以下，(ii)當將上述框狀區域之一個拐角區域設為第n個拐角區域，將最接近該第n個拐角區域之2個中央區域分別設為第1接近中央區域及第2接近中央區域，將基於上述最小平方平面PP₁而規定之第n個拐角區域之最大高度設為H_max(C_n)，將最小高度設為H_min(C_n)，將上述第1接近中央區域之最大高度設為H_max(M₁)，將最小高度設為H_min(M₁)，將上述第2接近中央區域之最大高度設為H_max(M₂)，將最小高度設為H_min(M₂)時，當n=1~4中之任一者時，以下之(1)式△D=Max{H_max(C_n)-H_min(M₁)，H_max(C_n)-H_min(M₂)，H_max(M₁)-H_min(C_n)，H_max(M₂)-H_min(C_n)} (1)式所表示之最大高低差△D均為100nm以下，且此處，Max{x₁、x₂、x₃、x₄}係意指x₁~x₄中之最大值。
如請求項1之光罩基底用基板，其中上述第1主表面係一邊之長度L₁為152mm之正方形狀。
如請求項1或2之光罩基底用基板，其中該光罩基底用基板係玻璃基板。
一種光罩基底，其係具有基板者，該光罩基底具有第1主表面及第2主表面，上述第2主表面係配置有電路圖案用層之側之主表面，於上述第1主表面之大致中央部，存在一邊之長度為L₂之正方形之形狀之標準區域，上述標準區域包含：框狀區域，其相當於該標準區域之外周部分；及內部區域，其由該框狀區域包圍；上述內部區域係一邊之長度L₃為132mm之正方形狀，上述框狀區域具有：外框，其由與上述標準區域之正方形之各邊一致之4邊構成；及內框，其由與上述內部區域之正方形之各邊一致之4邊構成；上述外框係與將上述內框以使該內框之各邊分別朝外側平行移動8mm之方式擴展而成之形狀一致，當將上述框狀區域之上述外框之各頂點分別沿逆時針方向設為頂點A₂、B₂、C₂及D₂時，上述框狀區域於各拐角部具有第1~第4拐角區域，第1拐角區域包含頂點A₂，第2拐角區域包含頂點B₂，第3拐角區域包含頂點C₂，第4拐角區域包含頂點D₂，各拐角區域係一邊之長度為8mm之正方形狀，於上述框狀區域中，於上述第1拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第1中央區域，於上述第1拐角區域與上述第2拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第2中央區域，於上述第2拐角區域與上述第3拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第3中央區域，於上述第3拐角區域與上述第4拐角區域之中間位置，劃分出一邊之長度為8mm之正方形之第4中央區域， (iii)基於上述標準區域之最小平方平面PP₁而規定之上述內部區域之平坦度F_in1為200nm以下，(iv)當將上述框狀區域之一個拐角區域設為第n個拐角區域，將最接近該第n個拐角區域之2個中央區域分別設為第1接近中央區域及第2接近中央區域，將基於上述最小平方平面PP₁而規定之第n個拐角區域之最大高度設為H_max(C_n)，將最小高度設為H_min(C_n)，將上述第1接近中央區域之最大高度設為H_max(M₁)，將最小高度設為H_min(M₁)，將上述第2接近中央區域之最大高度設為H_max(M₂)，將最小高度設為H_min(M₂)時，當n=1~4中之任一者時，以下之(1)式△D=Max{H_max(C_n)-H_min(M₁)，H_max(C_n)-H_min(M₂)，H_max(M₁)-H_min(C_n)，H_max(M₂)-H_min(C_n)} (1)式所表示之最大高低差△D均為150nm以下，且此處，Max{x₁、x₂、x₃、x₄}係意指x₁~x₄中之最大值。
如請求項4之光罩基底，其中上述第1主表面係一邊之長度L₁為152mm之正方形狀。
如請求項4或5之光罩基底，其中上述基板係玻璃基板。
如請求項4或5之光罩基底，其中上述電路圖案用層具備對光進行遮光之遮光膜。
如請求項6之光罩基底，其中上述電路圖案用層具備對光進行遮光之遮光膜。
如請求項4或5之光罩基底，其中上述電路圖案用層具備吸收光之吸收膜，進而，於上述吸收膜與上述基板之間具備反射上述光之反射膜。
如請求項6之光罩基底，其中上述電路圖案用層具備吸收光之吸收膜，進而，於上述吸收膜與上述基板之間具備反射上述光之反射膜。
如請求項4或5之光罩基底，其中上述電路圖案用層自靠近上述基板之上述第2主表面起依序具有：反射膜，其反射光；吸收膜，其吸收上述光；及低反射膜，其具有對上述吸收膜之電路圖案之檢查光較上述吸收膜低之反射特性。
如請求項6之光罩基底，其中上述電路圖案用層自靠近上述基板之上述第2主表面起依序具有：反射膜，其反射光；吸收膜，其吸收上述光；及低反射膜，其具有對上述吸收膜之電路圖案之檢查光較上述吸收膜低之反射特性。
如請求項9之光罩基底，其於上述第1主表面具備導電膜。
如請求項10之光罩基底，其於上述第1主表面具備導電膜。
如請求項11之光罩基底，其於上述第1主表面具備導電膜。
如請求項12之光罩基底，其於上述第1主表面具備導電膜。