TW202217430A - Euvl用玻璃基板、及euvl用光罩基底 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm之技術。  本發明之EUVL用玻璃基板具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面。上述第1主表面之中，除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標以(x，y，z(x，y))表示時，作為使用說明書中之式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差為6.0 nm以下。

Description

EUVL用玻璃基板、及EUVL用光罩基底
本發明係關於一種EUVL(Extreme Ultra-Violet Lithography，極紫外線微影)用玻璃基板、及EUVL用光罩基底。
自先前以來，製造半導體器件時會用到微影技術。微影技術中，藉由曝光裝置對光罩之電路圖案照射光，將該電路圖案縮小而轉印至光阻膜。
最近，為了能夠實現微細電路圖案之轉印，而對短波長之曝光之光，例如ArF準分子雷射光、進而EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線)光等之使用進行了研究。
此處，所謂EUV(極紫外線)係指包含軟X射線及真空紫外線在內的具體而言波長為0.2 nm～100 nm左右之光。目前，主要研究的是13.5 nm左右之波長之EUV。
EUVL用光罩係藉由在EUVL用光罩基底上形成電路圖案而獲得。
EUVL用光罩基底具有玻璃基板、形成於玻璃基板之第1主表面之導電膜、以及形成於玻璃基板之第2主表面之EUV反射膜及EUV吸收膜。EUV反射膜與EUV吸收膜依序形成。
EUV反射膜反射EUV。EUV吸收膜吸收EUV。作為電路圖案之開口圖案形成於EUV吸收膜。導電膜吸附於曝光裝置之靜電吸盤。
對於EUVL用光罩基底要求較高之平坦度，以提高電路圖案之轉印精度。該平坦度主要由EUVL用玻璃基板之平坦度決定。因此，對於EUVL用玻璃基板亦要求較高之平坦度。
專利文獻1所記載EUVL用光罩基底在導電膜之與玻璃基板相反之側之主表面具有中央區域與外周區域。中央區域係除包圍該中央區域之矩形框狀之外周區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域。中央區域中，勒讓德多項式之次數為3以上25以下之成分之平坦度為20 nm以下。
又，專利文獻2所記載之EUVL用光罩基底的合成表面形狀與假想表面形狀之差分資料之計算區域內之最高高度與最低高度之差為25 nm以下。計算區域係直徑104 mm之圓之內側區域。合成表面形狀係藉由將多層反射膜之表面形狀與導電膜之表面形狀合成而獲得。假想表面形狀係由以極座標系統呈現之澤尼克多項式來定義。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6229807號公報  [專利文獻2]日本專利第6033987號公報
[發明所欲解決之問題]
如上所述，ELVL用玻璃基板被要求具有較高之平坦度。因此，於EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域，一般會依序實施研磨、局部加工、及精研磨。局部加工之方法例如為GCIB(Gas Cluster Ion Beam，氣體團簇離子束)法、或PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining，電漿化學蒸發加工)法等。
精研磨中，一面使EUVL用玻璃基板與壓盤分別旋轉，一面將EUVL用玻璃基板壓抵於壓盤。EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域係大致以其中心為中心呈軸對稱地進行精研磨，並未實現完全軸對稱之精研磨，故在精研磨後包含軸對稱之成分及其剩餘之變形成分。
變形成分包含以中央區域之中心為中心旋轉的四次對稱之成分。該四次對稱之成分係藉由精研磨而產生。相比於勒讓德多項式，以澤尼克多項式來呈現該四次對稱之成分為佳。原因在於，澤尼克多項式不同於勒讓德多項式，其係以極座標來呈現，適合於排除掉軸對稱之成分。
但是，澤尼克多項式不同於勒讓德多項式，僅可呈現出圓形區域。EUVL用玻璃基板之主表面為矩形，其中央區域亦為矩形，而矩形之四角無法以澤尼克多項式呈現出來。因此，先前一直無法準確地掌握因精研磨產生之變形成分。
結果，先前難以將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm。
本發明之一態樣提供一種技術，能將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm。  [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之EUVL用玻璃基板具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反的矩形之第2主表面。上述第1主表面之中，除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形中央區域之點的座標以(x，y，z(x，y))表示時，則作為使用下式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差為6.0 nm以下。
[數1]
Figure 02_image001
於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向座標，y表示縱向座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。  [發明之效果]
根據本發明之一態樣，能夠將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm。
以下，參照附圖對用以實施本發明之形態進行說明。對於各附圖中相同或對應之構成，有時會標附相同符號並省略說明。說明書中，表示數值範圍之「～」之含義為，將其前後所記載之數值作為下限值及上限值包含在內。
如圖1所示，EUVL用光罩基底之製造方法具有步驟S1～S7。使用圖2及圖3所示之EUVL用玻璃基板2，製造圖4所示之EUVL用光罩基底1。以下，亦將EUVL用光罩基底1簡稱為光罩基底1。又，亦將EUVL用玻璃基板2簡稱為玻璃基板2。
如圖2及圖3所示，玻璃基板2包含第1主表面21、及與第1主表面21朝向相反之第2主表面22。第1主表面21為矩形狀。於本說明書中，所謂矩形狀，包括對角實施倒角加工而成的形狀。又，矩形包括正方形。第2主表面22與第1主表面21為相反朝向。第2主表面22亦與第1主表面21同樣為矩形狀。
又，玻璃基板2包含4個端面23、4個第1倒角面24、及4個第2倒角面25。端面23相對於第1主表面21及第2主表面22垂直。第1倒角面24形成於第1主表面21與端面23之交界。第2倒角面25形成於第2主表面22與端面23之交界。第1倒角面24及第2倒角面25於本實施方式中為所謂的C倒角面，但亦可為R倒角面。
玻璃基板2之玻璃較佳為含有TiO 2之石英玻璃。石英玻璃與一般之鈉鈣玻璃相比，線膨脹係數較小，溫度變化導致之尺寸變化較小。石英玻璃可包含80質量%～95質量%之SiO 2、4質量%～17質量%之TiO 2。若TiO 2含量為4質量%～17質量%，則室溫附近之線膨脹係數大致為零，基本不會發生室溫附近之尺寸變化。石英玻璃可包含SiO 2及TiO 2以外之第三成分或雜質。
在俯視下，玻璃基板2之尺寸例如為縱152 mm、橫152 mm。縱尺寸及橫尺寸亦可為152 mm以上。
玻璃基板2於第1主表面21具有中央區域27及周緣區域28。中央區域27係除包圍該中央區域27之矩形框狀之周緣區域28以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域，且係藉由步驟S1～S4而被加工為理想平坦度之區域。中央區域27之4條邊平行於4個端面23。中央區域27之中心與第1主表面21之中心一致。
再者，雖未圖示，但玻璃基板2之第2主表面22亦與第1主表面21同樣，具有中央區域及周緣區域。第2主表面22之中央區域與第1主表面21之中央區域同樣為縱142 mm、橫142 mm之正方形之區域，且係藉由圖1之步驟S1～S4而被加工為理想平坦度之區域。
首先，在步驟S1中，對玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22進行研磨。第1主表面21及第2主表面22於本實施方式中係由下述之雙面研磨機9同時研磨，但亦可藉由未圖示之單面研磨機依序研磨。於步驟S1中，一面對研磨墊與玻璃基板2之間供給研磨漿料，一面研磨玻璃基板2。
作為研磨墊，使用例如胺基甲酸酯系研磨墊、不織布系研磨墊、或麂皮系研磨墊等。研磨漿料包含研磨劑及分散介質。研磨劑例如為氧化鈰粒子。分散介質例如為水或有機溶劑。第1主表面21及第2主表面22可利用不同材質或粒度之研磨劑進行複數次研磨。
再者，步驟S1中使用之研磨劑並不限定於氧化鈰粒子。例如，步驟S1中使用之研磨劑亦可為氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鋯粒子、氧化鈦粒子、金剛石粒子、或碳化矽粒子等。
其次，於步驟S2中，對玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22之表面形狀進行測定。表面形狀之測定時可使用例如雷射干擾式等非接觸式之測定機，以避免表面受傷。測定機對第1主表面21之中央區域27、及第2主表面22之中央區域之表面形狀進行測定。
其次，於步驟S3中，參照步驟S2之測定結果，對玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22進行局部加工以提昇平坦度。第1主表面21與第2主表面22按照順序進行局部加工。該順序不分先後，不受特別限定。局部加工之方法例如為GCIB法或PCVM法。局部加工之方法亦可為利用磁性流體之研磨法、或利用旋轉研磨工具之研磨法等。
其次，於步驟S4中，進行玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22之精研磨。第1主表面21及第2主表面22於本實施方式中由下述之雙面研磨機9同時研磨，但亦可藉由未圖示之單面研磨機按照順序進行研磨。於步驟S4中，一面對研磨墊與玻璃基板2之間供給研磨漿料，一面研磨玻璃基板2。研磨漿料包含研磨劑。研磨劑例如為膠體二氧化矽粒子。
其次，於步驟S5中，在玻璃基板2之第1主表面21之中央區域27形成圖4所示之導電膜5。導電膜5用於將EUVL用光罩吸附於曝光裝置之靜電吸盤。導電膜5例如由氮化鉻(CrN)等形成。作為導電膜5之成膜方法，例如使用濺鍍法。
其次，於步驟S6中，在玻璃基板2之第2主表面22之中央區域形成圖4所示之EUV反射膜3。EUV反射膜3反射EUV。EUV反射膜3可為例如將高折射率層與低折射率層交替積層而成之多層反射膜。高折射率層例如由矽(Si)形成，低折射率層例如由鉬(Mo)形成。作為EUV反射膜3之成膜方法，例如使用離子束濺鍍法、磁控濺鍍法等濺鍍法。
最後，於步驟S7中，在步驟S6中形成之EUV反射膜3之上形成圖4所示之EUV吸收膜4。EUV吸收膜4吸收EUV。EUV吸收膜4例如由包含選自鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈀(Pd)中之至少一種元素的單金屬、合金、氮化物、氧化物、氮氧化物等形成。作為EUV吸收膜4之成膜方法，例如使用濺鍍法。
再者，步驟S6～S7在本實施方式中係於步驟S5之後實施，但亦可於步驟S5之前實施。
藉由上述步驟S1～S7，可獲得圖4所示之光罩基底1。光罩基底1具有第1主表面11、及與第1主表面11朝向相反之第2主表面12，從第1主表面11之側向第2主表面12之側，依序具有導電膜5、玻璃基板2、EUV反射膜3、及EUV吸收膜4。
雖未圖示，但光罩基底1係與玻璃基板2同樣於第1主表面11具有中央區域及周緣區域。中央區域係除包圍該中央區域之矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域。又，光罩基底1係與玻璃基板2同樣，於第2主表面12亦具有中央區域及周緣區域。中央區域係除包圍該中央區域之矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域
再者，光罩基底1可在導電膜5、玻璃基板2、EUV反射膜3、及EUV吸收膜4之外，還包含其他膜。
例如，光罩基底1亦可進而包含低反射膜。低反射膜形成於EUV吸收膜4上。其後，於低反射膜與EUV吸收膜4之兩者形成電路圖案41。低反射膜用於電路圖案41之檢查，對於檢查光具有較EUV吸收膜4低之反射特性。低反射膜例如由TaON或TaO等形成。作為低反射膜之成膜方法，例如使用濺鍍法。
又，光罩基底1亦可進而包含保護膜。保護膜形成於EUV反射膜3與EUV吸收膜4之間。當為了在EUV吸收膜4形成電路圖案41而蝕刻EUV吸收膜4時，保護膜會對EUV反射膜3加以保護以免EUV反射膜3被蝕刻。保護膜例如由Ru、Si、或TiO 2等形成。作為保護膜之成膜方法，例如使用濺鍍法。
如圖5所示，EUVL用光罩係於EUV吸收膜4形成電路圖案41而獲得。電路圖案41係開口圖案，於其形成時使用微影法及蝕刻法。因此，用於形成電路圖案41之光阻膜可包含於光罩基底1。
且說，對於光罩基底1要求較高之平坦度，以提昇電路圖案41之轉印精度。該平坦度主要由玻璃基板2之平坦度來決定。因此，對於玻璃基板2亦要求較高之平坦度。
因此，對於玻璃基板2，如上所述依序實施研磨(步驟S1)、局部加工(步驟S3)、及精研磨(步驟S4)。精研磨中，一面使玻璃基板2與壓盤分別旋轉，一面將玻璃基板2壓抵於壓盤。精研磨中，例如使用圖6所示之雙面研磨機9。
雙面研磨機9具有下壓盤91、上壓盤92、載具93、太陽齒輪94、及內齒輪95。下壓盤91水平地配置，於下壓盤91之上表面貼附下研磨墊96。上壓盤92水平地配置，於上壓盤92之下表面貼附上研磨墊97。載具93將玻璃基板2水平地保持於下壓盤91與上壓盤92之間。各載具93係各保持一片玻璃基板2，但亦可各保持複數片。載具93配置於太陽齒輪94之徑向外側，且配置於內齒輪95之徑向內側。載具93於太陽齒輪94之周圍隔開間隔地配置有複數個。太陽齒輪94與內齒輪95呈同心圓狀配置，與載具93之外齒輪93a嚙合。
雙面研磨機9例如為四向方式，下壓盤91、上壓盤92、太陽齒輪94、及內齒輪95以同一鉛直之旋轉中心線為中心進行旋轉。下壓盤91與上壓盤92向相反方向旋轉的同時，將下研磨墊96壓抵於玻璃基板2之下表面，且將上研磨墊97壓抵於玻璃基板2之上表面。又，下壓盤91及上壓盤92中之至少一個對玻璃基板2供給研磨漿料。研磨漿料被供給至玻璃基板2與下研磨墊96之間，以研磨玻璃基板2之下表面。又，研磨漿料被供給至玻璃基板2與上研磨墊97之間，以研磨玻璃基板2之上表面。
例如，下壓盤91、太陽齒輪94、及內齒輪95在俯視下向相同方向旋轉。其等之旋轉方向係與上壓盤92之旋轉方向相反之方向。載具93一面公轉，一面自轉。載具93之公轉方向係與太陽齒輪94及內齒輪95之旋轉方向相同之方向。另一方面，載具93之自轉方向根據太陽齒輪94之轉速與節圓直徑之積、及內齒輪95之轉速與節圓直徑之積之大小來決定。若內齒輪95之轉速與節圓直徑之積大於太陽齒輪94之轉速與節圓直徑之積，則載具93之自轉方向與載具93之公轉方向為相同方向。另一方面，若內齒輪95之轉速與節圓直徑之積小於太陽齒輪94之轉速與節圓直徑之積，則載具93之自轉方向與載具93之公轉方向為相反方向。
藉由雙面研磨機9，玻璃基板2之第1主表面21與第2主表面22大致以各自之中心為中心呈軸對稱地精研磨。第1主表面21與第2主表面22存在以玻璃基板2之板厚方向中心面為基準呈面對稱地研磨之傾向。第1主表面21與第2主表面22存在均被研磨成凸曲面或均被研磨成凹曲面之傾向。再者，精研磨中，亦可如上所述，使用未圖示之單面研磨機。
圖7表示精研磨後之第1主表面21之中央區域27之高度分佈之一例。此處，表示傾斜修正後之高度分佈。圖7所示之中央區域27係中心之高度高於四角之高度之凸曲面。圖7中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。再者，由於精研磨後之第2主表面22之中央區域之高度分佈為與圖7之高度分佈相同之分佈，故省略圖示。
圖7所示之高度分佈係藉由Corning Tropel公司製造之UltraFlat200Mask測定所得。此處，為了排除重力影響，將玻璃基板2大致垂直地豎立，以玻璃基板2之第1主表面21與第2主表面22之兩者不接觸載台等其他構件之方式支持玻璃基板2，測定高度分佈。
如根據圖7明確可知，精研磨後之第1主表面21之中央區域27並非完全之軸對稱，包含軸對稱之成分及其剩餘之變形成分。變形成分包含如圖9所示般以中央區域27之中心為中心旋轉之四次對稱之成分，詳情於下文敍述。該四次對稱之成分係藉由精研磨而產生。
相比於勒讓德多項式，以澤尼克多項式來呈現該四次對稱之成分為佳。原因在於，澤尼克多項式不同於勒讓德多項式，其係以極座標來呈現，適合於排除掉軸對稱之成分。
但是，澤尼克多項式不同於勒讓德多項式，僅可呈現出圓形區域。中央區域27為矩形，而矩形之四角無法以澤尼克多項式呈現出來。因此，先前一直無法準確地掌握因精研磨產生之變形成分。
因此，於本實施方式中，將縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域27之點之座標以(x，y，z(x，y))表示，使用下式(1)～(3)來掌握變形成分。
[數2]
Figure 02_image003
於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
圖8中表示設定於中央區域27之複數點之配置之一例。於圖8中，X軸方向為橫向，Y軸方向為縱向。作為X軸與Y軸之交點之原點為中央區域27之中心。
如根據圖8明確可知，式(1)之z1(x，y)係以原點為中心呈四次對稱之4點之高度之平均值。將作為座標(x，y，z1(x，y))之集合的面之高度分佈示於圖9。圖9中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。圖9所示之高度分佈除包含軸對稱之成分以外，還包含以原點為中心旋轉之四次對稱之成分。該四次對稱之成分例如係如圖9中以虛線所示般，向逆時針方向旋轉。
如根據圖8明確可知，式(2)之z2(x，y)係以通過原點之4條基準線L1～L4為中心呈線對稱之8點之高度之平均值。基準線L1為X軸，基準線L2為Y軸，基準線L3及L4為中央區域27之對角線。將作為座標(x，y，z2(x，y))之集合的面之高度分佈示於圖10。圖10中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。圖10所示之高度分佈僅包含大致軸對稱之成分。
式(3)之z3(x，y)係式(1)之z1(x，y)與式(2)之z2(x，y)之差分。將作為座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之高度分佈示於圖11。圖11中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。圖11所示之高度分佈係圖9所示之高度分佈與圖10所示之高度分佈之差分，主要包含以原點為中心旋轉之四次對稱之成分。
其次，參照圖12，對因精研磨而產生圖11所示之高度分佈之理由進行說明。圖12所示之箭頭表示壓盤(例如下壓盤91或上壓盤92)相對於中央區域27的相對之旋轉方向。即，圖12所示之箭頭表示固定於中央區域27之座標系統中之壓盤之旋轉方向。
在中央區域27之四角，壓盤之旋轉方向上游側之部分A1之研磨容易進行，壓盤之旋轉方向下游側之部分A2之研磨不易進行。可想到其結果為，因精研磨而產生了圖11所示之高度分佈。
本發明者藉由實驗等而發現，只要作為座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差Δz3(Δz3≧0)為6.0 nm以下，則能夠將中央區域27之平坦度PV(PV≧0)抑制為未達10.0 nm。
於本發明中，所謂中央區域27之平坦度PV，係指從中央區域27之高度分佈之所有成分中去除由二次函數表示之成分後的剩餘成分之最大高低差。二次函數由下式(4)表示。
[數3]
Figure 02_image005
於上式(4)中，a、b、c、d、e、f係以z fit(x，y)與z(x，y)之差之平方之和最小之方式決定之常數，且係藉由最小平方法求出之常數。
二次函數之成分係於曝光裝置中能夠自動修正之成分。因此，二次函數之成分不會對電路圖案41之轉印精度產生影響。因此，二次函數之成分係於求中央區域27之平坦度PV時從中央區域27之高度分佈之所有成分中去除。
本發明者為了將Δz3抑制為6.0 nm以下，首先在事前對另一玻璃基板2實施步驟S1～S4之處理，並使用下式(5)算出精研磨前後之中央區域27之各點之高度之差z dif(x，y)。其次，使用下式(6)算出z 4 ＿ dif(x，y)。
[數4]
Figure 02_image007
於上式(5)中，z after(x，y)係精研磨後之座標(x，y)處之高度，z before(x，y)係局部加工後且精研磨前之座標(x，y)處之高度。由於z after(x，y)與z before(x，y)之差分為z dif(x，y)，故z dif(x，y)表示精研磨之研磨量之分佈。
上式(6)之z 4 ＿ dif(x，y)係以原點為中心呈四次對稱之4點之平均值。因此，上式(6)之z 4 ＿ dif(x，y)係上述變形成分中之四次對稱之成分，相當於上式(3)之z3(x，y)。
本發明者發現，只要使用預先算出之z 4 ＿ dif(x，y)來修正局部加工(步驟S3)中之中央區域27之各點之目標高度，便能將Δz3抑制為6.0 nm以下。結果，能夠獲得PV未達10.0 nm之玻璃基板2。
此處，修正後之目標高度係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標高度與預先算出之z 4 ＿ dif(x，y)之差而求出。換言之，修正後之目標加工量係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標加工量與預先算出之z 4 ＿ dif(x，y)之和而求出。該等修正所使用之z 4 ＿ dif(x，y)較佳為複數片玻璃基板2之平均值。z 4 ＿ dif(x，y)之平均值係在精研磨之各處理條件(例如研磨劑之種類、研磨墊之種類、研磨壓力、及轉速等)下求出。
又，本發明者發現，著眼於藉由精研磨(步驟S4)產生之變形成分係因壓盤相對於玻璃基板2之相對旋轉引起之情況，只要於精研磨時使壓盤之旋轉方向反轉，便能將Δz3抑制為4.0 nm以下。結果，能夠獲得PV未達8.0 nm之玻璃基板2。
具體而言，於精研磨(步驟S4)之中途，使下壓盤91與上壓盤92各自之旋轉方向反轉。此時，太陽齒輪94與內齒輪95各自之旋轉方向亦反轉。只要旋轉方向反轉即可，轉速可相同。再者，如上所述，精研磨中可使用單面研磨機。
若於精研磨之中途使壓盤之旋轉方向反轉，則圖12所示之箭頭方向反轉，研磨進行之部分與研磨不易進行之部分互換。於精研磨中，壓盤沿順時針旋轉之時間與壓盤沿逆時針旋轉之時間被設定為相同程度。結果，能夠將Δz3抑制為4.0 nm以下。
再者，於在精研磨之中途使壓盤之旋轉方向反轉之情形時，局部加工中之目標高度或目標加工量之修正中，代替上式(6)之z 4 ＿ dif(x，y)而使用下式(7)之z 8 ＿ dif(x，y)。
[數5]
Figure 02_image009
上式(7)之z 8 ＿ dif(x，y)係以4條基準線L1～L4為中心呈線對稱之8點之平均值。若代替4點之平均值z 4 ＿ dif(x，y)而使用8點之平均值z 8 ＿ dif(x，y)，則能夠增加採樣數，從而能夠減少誤差。
再者，8點之平均值z 8 ＿ dif(x，y)中不包含如圖11所示之四次對稱之成分，但並無問題。其原因在於，只要於精研磨之中途使壓盤之旋轉方向反轉，則可減少如圖11所示之四次對稱之成分。
於在精研磨之中途使壓盤之旋轉方向反轉之情形時，修正後之目標高度係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標高度與預先算出之z 8 ＿ dif(x，y)之差而求出。換言之，修正後之目標加工量係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標加工量與預先算出之z 8 ＿ dif(x，y)之和而求出。該等修正中所使用之z 8 ＿ dif(x，y)較佳為複數片玻璃基板2之平均值。z 8 ＿ dif(x，y)之平均值係在精研磨之各處理條件(例如研磨劑之種類、研磨墊之種類、研磨壓力、及轉速等)下求出。
以上，對玻璃基板2之第1主表面21之中央區域27進行了說明，但玻璃基板2之第2主表面22之中央區域亦同樣如此。第2主表面22之中央區域亦係只要將Δz3抑制為6.0 nm以下，便能將PV抑制為未達10.0 nm。
又，根據玻璃基板2之第1主表面21之平坦度，決定了光罩基底1之第1主表面11之平坦度。因此，第1主表面11之中央區域亦係只要將Δz3抑制為6.0 nm以下，便能將PV抑制為15.0 nm以下，較佳為未達10.0 nm。
進而，根據玻璃基板2之第2主表面22之平坦度，決定了光罩基底1之第2主表面12之平坦度。因此，第2主表面12之中央區域亦係只要將Δz3抑制為6.0 nm以下，便能將PV抑制為15.0 nm以下，較佳為未達10.0 nm。  [實施例]
例1～例7之中，除下述條件以外，均在相同條件下實施圖1所示之步驟S1～S4，製作玻璃基板2，對其第1主表面21之中央區域27測定Δz3與PV。再者，例1～例3中，於精研磨之中途使壓盤之旋轉方向反轉，且使用預先求出之z 8 ＿ dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度。又，例4～例5中，於精研磨中持續使壓盤之旋轉方向維持為一方向，且使用預先求出之z 4 ＿ dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度。另一方面，例6～例7中，於精研磨中持續使壓盤之旋轉方向維持為一方向，且不使用預先求出之z 4 ＿ dif(x，y)之平均值，而是使用步驟S2之測定結果來設定局部加工之目標高度。例1～例5為實施例，例6～例7為比較例。將結果示於表1。
[表1]
   例1 例2 例3 例4 例5 例6 例7
∆z3(nm) 2.1 2.8 3.8 4.2 5.2 7.7 8.2
PV(nm) 7.4 7.7 7.7 8.0 8.5 12.8 13.9
如根據表1明確可知，例1～例3中係於精研磨之中途使壓盤之旋轉方向反轉，且使用預先求出之z 8 ＿ dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度，故能夠將Δz3抑制為4.0 nm以下，能夠將PV抑制為未達8.0 nm。又，例4～例5中係於精研磨中持續使壓盤之旋轉方向維持為一方向，且使用預先求出之z 4 ＿ dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度，故能夠將Δz3抑制為6.0 nm以下，能夠將PV抑制為未達10.0 nm。另一方面，例6～例7中係於精研磨中持續使壓盤之旋轉方向維持為一方向，且不使用預先求出之z 4 ＿ dif(x，y)之平均值，而是使用步驟S2之測定結果來設定局部加工之目標高度，故Δz3大於6.0 nm，PV成為10.0 nm以上。
其次，使用例1～例7之玻璃基板2製作出EUVL用光罩基底1。首先，於玻璃基板2之第1主表面21(已測定過Δz3與PV之面)，藉由離子束濺鍍法形成100 nm之CrN膜作為導電膜。其次，於玻璃基板2之第2主表面22，藉由離子束濺鍍法形成多層反射膜(EUV反射膜)。多層反射膜係將約4 nm之Si膜與約3 nm之Mo膜交替積層40週期之後，最後積層約4 nm之Si膜而成者。繼而，作為保護膜係於多層反射膜之上藉由濺鍍法成膜2.5 nm之Ru膜。繼而，作為吸收膜(EUV吸收膜)係於保護膜之上藉由濺鍍法成膜75 nm之TaN膜、5 nm之TaON膜。以如此之方式，獲得了依序具有導電膜5、玻璃基板2、EUV反射膜3、及EUV吸收膜4之EUVL用光罩基底1。
對於使用例1～例7之玻璃基板2所製作之EUVL用光罩基底1之第1主表面11(導電膜5側之面)之中央區域，測定Δz3與PV。將結果示於表2。
[表2]
   例1 例2 例3 例4 例5 例6 例7
玻璃基板 第1主表面 ∆z3(nm) 2.1 2.8 3.8 4.2 5.2 7.7 8.2
PV(nm) 7.4 7.7 7.7 8.0 8.5 12.8 13.9
光罩基底 第1主表面 ∆z3(nm) 2.8 3.3 4.1 4.4 5.6 9.5 10.6
PV(nm) 14.1 14.2 14.3 14.4 14.6 16.6 17.2
如表2所示，例1～例5中，關於EUVL用光罩基底1之第1主表面11之中央區域，能夠將Δz3抑制為6.0 nm以下，能夠將PV抑制為15.0 nm以下。例6、例7中，關於EUVL用光罩基底1之第1主表面11之中央區域，Δz3大於6.0 nm，PV大於15.0 nm。
以上，對本發明之EUVL用玻璃基板及EUVL用光罩基底進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式等。於申請專利範圍所記載之範疇內，能夠進行各種變更、修正、置換、附加、刪除、及組合。其等亦當然屬於本發明之技術範圍。
1:光罩基底 2:玻璃基板 3:EUV反射膜 4:EUV吸收膜 5:導電膜 9:雙面研磨機 11:第1主表面 12:第2主表面 21:第1主表面 22:第2主表面 23:端面 24:第1倒角面 25:第2倒角面 27:中央區域 28:周緣區域 41:電路圖案 91:下壓盤 92:上壓盤 93:載具 93a:外齒輪 94:太陽齒輪 95:內齒輪 96:下研磨墊 97:上研磨墊 A1:部分 A2:部分 L1:基準線 L2:基準線 L3:基準線 L4:基準線 S1～S7:步驟
圖1係表示一實施方式之EUVL用光罩基底之製造方法之流程圖。  圖2係表示一實施方式之EUVL用玻璃基板之剖視圖。  圖3係表示一實施方式之EUVL用玻璃基板之俯視圖。  圖4係表示一實施方式之EUVL用光罩基底之剖視圖。  圖5係表示EUVL用光罩之一例之剖視圖。  圖6係表示雙面研磨機之一例之立體圖，且係將雙面研磨機之一部分斷裂表示之立體圖。  圖7係表示精研磨後之第1主表面之中央區域之高度分佈之一例的圖。  圖8係表示設定於中央區域之複數點之配置之一例的俯視圖。  圖9係表示從圖7之高度分佈中使用式(1)提取之成分之高度分佈的圖。  圖10係表示從圖7之高度分佈中使用式(2)提取之成分之高度分佈的圖。  圖11係表示從圖7之高度分佈中使用式(3)提取之成分之高度分佈的圖。  圖12係表示壓盤相對於中央區域之相對旋轉方向的俯視圖。
2:玻璃基板
21:第1主表面
23:端面
24:第1倒角面
27:中央區域
28:周緣區域

Claims (4)

  1. 一種EUVL用玻璃基板，其具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，且  上述第1主表面之中，除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標以(x，y，z(x，y))表示時，則作為使用下式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差為6.0 nm以下，  [數1]
    Figure 03_image011
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
  2. 一種EUVL用玻璃基板，其具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，且  上述第2主表面之中，除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標以(x，y，z(x，y))表示時，則作為使用下式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差為6.0 nm以下，  [數2]
    Figure 03_image013
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
  3. 一種EUVL用光罩基底，其具有矩形之第1主表面、及與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，從上述第1主表面之側向上述第2主表面之側，依序具有導電膜、玻璃基板、EUV反射膜、及EUV吸收膜，且  上述第1主表面之中，除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標以(x，y，z(x，y))表示時，則作為使用下式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差為6.0 nm以下，  [數3]
    Figure 03_image015
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
  4. 一種EUVL用光罩基底，其具有矩形之第1主表面、及與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，從上述第1主表面之側向上述第2主表面之側，依序具有導電膜、玻璃基板、EUV反射膜、及EUV吸收膜，  上述第2主表面之中，除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標以(x，y，z(x，y))表示，則作為使用下式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差為6.0 nm以下，  [數4]
    Figure 03_image017
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
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