TWI572974B

TWI572974B - The manufacturing method of the mask

Info

Publication number: TWI572974B
Application number: TW101102920A
Authority: TW
Inventors: Yoshiaki Ikuta; Naohiro Umeo
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Priority date: 2011-01-26
Filing date: 2012-01-30
Publication date: 2017-03-01
Also published as: WO2012102313A1; TW201243487A; JP5880449B2; JPWO2012102313A1

Description

光罩之製造方法

本發明係關於一種光罩之製造方法，尤其關於一種對於使用EUV(Extreme Ultra Violet，極紫外)光之極紫外光微影(EUVL，Extreme Ultraviolet Lithography)用反射型光罩而言適宜之製造方法。

自先前以來，於微影技術中，廣泛地利用用以將微細之電路圖案轉印至晶圓上而製造半導體裝置之曝光裝置。隨著半導體裝置之高集成化、高速化及省電化，半導體裝置之微細化正在進步。應對該動向，對於曝光裝置，謀求以更大之焦點深度使更微細之半導體裝置電路圖案於晶圓面上成像，而推進曝光光源之短波長化。具體而言，用作曝光光源之光自先前之g射線(波長436 nm)、i射線(波長365 nm)或KrF準分子雷射(波長248 nm)發展到使用ArF準分子雷射(波長193 nm)之紫外光。

然而，即便為使用此種波長為193 nm之光之微影技術，亦僅可製作至多具有32~45 nm之電路尺寸之半導體裝置，因此謀求開發出可製作具有30 nm以下之電路尺寸之半導體裝置之技術。基於此種背景，使用極紫外光(EUV光)之微影技術作為有力候補而備受關注，目前正進行積極開發。所謂EUV光，係指軟X射線區域或真空紫外線區域之波長區域之光，具體而言，係指波長為0.2~100 nm左右之光。目前，主要研究使用13.5 nm附近之波長之光作為微影光源。

就使用投影光學系統使光罩圖案縮小投影於晶圓上之方面而言，EUV微影(以下，亦簡稱為「EUVL」)之曝光原理與先前之微影相同，但於EUV光之能區中不存在透光之材料，因此無法採用使用有以波長為193~436 nm之光作為光源之曝光裝置中通常使用之穿透型光罩的穿透折射光學系統，而使用反射光學系統。反射光學系統之光學構件係由反射型光罩與複數個反射鏡所構成，且將形成於遮罩上之圖案經由反射鏡，以1/4~1/5倍之比率縮小投影於形成於晶圓上之光阻上者。

此處，反射型光罩為主要經由4個程序(第1程序：研磨基板之準備，第2程序：ML(Multi-Layer，多層)基底之製作，第3程序：光罩基底之製作，及第4程序：光罩之製作)而獲得之光學構件(EUVL用光學構件)之一種。

作為參考，將光罩基底及反射型光罩之剖面構造分別示意性地表示於圖1、圖2。於圖1及圖2中，1表示研磨基板，2表示形成於研磨基板之成膜面上之多層反射膜(以下，簡稱為「ML膜」)，3表示形成於ML膜面上之保護膜，4表示形成於保護膜面上之吸收膜，5表示形成於吸收膜面上之抗反射膜，6表示形成於抗反射膜上之光阻膜，7表示形成於研磨基板之背面之導電膜。

又，圖4表示研磨基板之側視圖(圖中，以容易理解之方式誇張地表現變形之態樣)。圖4(a)表示拋光(局部)研磨前之研磨基板，圖4(b)表示局部研磨後之研磨基板。

反射型光罩係具有如下部分者：於光罩基底之EUV光吸收膜上形成光罩圖案，使EUV光反射層露出而反射EUV光之部分；及利用吸收膜覆蓋反射層而幾乎不反射EUV光之部分。

又，於將反射型光罩保持於曝光裝置之光罩台上時通常使用靜電吸盤，因此於反射型光罩之背面通常形成薄片電阻100 Ω以下之導電膜(例如CrN或Cr、CrO、CrON、TaN等)。

且說，於以EUV光作為光源之曝光裝置中，反射型光罩係利用形成於其背面之導電膜並利用靜電吸盤而吸附保持，將形成於其成膜面之光罩圖案縮小投影、轉印至晶圓上之光阻膜上。此時，反射型光罩之光罩圖案形成面越平坦，越能使形成於反射型光罩之成膜面之光罩圖案如實地轉印、形成於晶圓上之光阻膜上的所需位置，故而較佳。

尤其是研究有EUVL之應用之電路尺寸為30 nm以下之半導體裝置之情形時，存在對電路圖案之形成位置之要求精度為5 nm以下，進而3 nm以下之非常嚴格之要求。因此，針對研磨基板之成膜面及背面之平坦度，先前之要求水平為250 nm以下，而對於EUVL用研磨基板變為要求100 nm以下、進而50 nm以下、進而30 nm以下之非常嚴格之水平。

此處，所謂研磨基板之平坦度，如非專利文獻1之圖4所示，係指研磨基板之成膜面與背面上之空間波長為0.1 mm以上之平緩凹凸之高低差的最大值(參照非專利文獻1之圖4)。進而，對於研磨基板之成膜面，除平坦度以外，亦要求無深度為1 nm以上之刮痕(scratch)或擦痕(slick)等缺陷及聚苯乙烯乳膠粒徑換算尺寸為50 nm以上之微小凹凸等缺陷。

如上所述之嚴格要求的原因在於：曝光所使用之光之波長與目前主流之ArF微影之193 nm相比為1/10以下之極短者，為EUVL用反射型光罩所特有者。

另一方面，對於上述要求水準，加工方法之水平未必可充分地滿足，實際上極難獲得同時滿足鏡面(平滑性)、低缺陷數、高平坦度之全部的研磨基板。因此，揭示有使用應用未達到所要求之平坦度之研磨基板之反射型遮罩的方法(參照專利文獻1及2、非專利文獻1)。具體為如下方法：於使用電子束等描繪光罩圖案時，根據構成光罩基底之研磨基板之成膜面與背面之平坦度或研磨基板之板厚分佈來調整光罩圖案之形成位置。

例如，若採用如上所述之光罩圖案形成位置之調整方法，則例如對構成光罩基底之研磨基板之平坦度之要求可放寬至300 nm以下。於此情形時，只要實現成膜面及背面之平坦度為300 nm以下、成膜面之表面粗糙度(RMS)為0.15 nm以下、成膜面上之尺寸為50 nm以上之缺陷數較少的研磨基板即可，可僅注意表面粗糙度與缺陷而進行加工，因此研磨基板之加工變得相當容易。

然而，於所揭示之方法中，於使用電子束等將反射型光罩之光罩圖案描繪於光罩基底上時，必須對各個光罩基底，根據其研磨基板之平坦度等表面形狀逐個調整光罩圖案形成位置，而存在光罩圖案形成相當耗時耗力之問題。因此，就生產性、成本等方面而言，強烈地要求加以改善。

再者，光罩圖案形成位置之調整並非為僅使用於EUVL用反射型光罩者，毋庸置疑，亦可應用於其以外之光罩，即以i射線(波長365nm)、KrF準分子雷射(波長248nm)或ArF準分子雷射(波長193nm)作為光源之微影用穿透型光罩。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2006-39223號公報(US7703066)

[專利文獻2]日本專利特開2008-103512號公報

[非專利文獻]

[非專利文獻1] J. Sohn, et. al., "Implementing E-beam Correction Strategies for Compensation of EUVL Mask Non-flatness", EUVLsymposium, November 2, 2009.

於先前之光罩(尤其是，EUVL用反射型光罩)之製造方法中，於使用電子束等將光罩(尤其是，EUVL用反射型光罩)之光罩圖案描繪於光罩基底上時，必須對各個光罩基底根據其研磨基板之平坦度與板厚分佈逐個地調整光罩圖案形成位置，即，每1片光罩基底均需進行光罩圖案形成位置之調整作業，而存在光罩圖案形成作業變得繁雜之問題，就生產性、成本方面等方面而言，強烈要求加以改善。

因此，本發明之目的在於提供一種可不對各個光罩基底根據其研磨基板之平坦度與板厚分佈逐個地調整光罩圖案形成位置的光罩(尤其是EUVL用反射型光罩)之製造方法。

本發明之光罩之製造方法(以下，稱為本製造法)係於至少包含研磨基板及形成於該研磨基板上之光吸收膜之光罩基底上，根據光罩圖案設計而描繪光罩圖案者，並且其係測定複數片研磨基板之表面形狀或複數片光罩基底之表面形狀中之至少任一者，根據上述所測定之表面形狀而算出基準板厚分佈後，根據上述所算出之基準板厚分佈而調整上述光罩圖案描繪時之光罩圖案形成位置。

於本製造法中，較佳為光罩為EUVL用反射型光罩，上述光罩基底於研磨基板與光吸收膜之間具有多層反射膜(ML膜)，形成於ML膜上之光吸收膜為EUV光吸收膜。

於本製造法中，上述基準板厚分佈較佳為上述複數片研磨基板之平均板厚分佈或上述複數片光罩基底之平均板厚分佈。或者，於本製造法中，上述基準板厚分佈亦較佳為算出上述複數片研磨基板之平均板厚分佈或上述複數片光罩基底之平均板厚分佈，利用Legendre多項式或Zernike多項式等多項式對該算出之平均板厚分佈進行擬合而獲得者。進而，於本製造法中，上述基準板厚分佈亦較佳為利用Legendre多項式或Zernike多項式等多項式對上述複數片研磨基板之板厚分佈或上述複數片光罩基底之板厚分佈中之至少任一者進行擬合，並算出該等之平均值而獲得者。

與對每1片研磨基板測定表面形狀測定或板厚分佈，根據該測定資料來調整光罩圖案形成位置，並描繪光罩圖案之先前技術相比，本製造法係根據同一基準表面形狀或同一基準板厚分佈而調整光罩圖案形成位置，並對複數片研磨基板進行描繪，因此可大幅度縮短光罩圖案形成位置調整時間。

例如於製造5片光罩之情形時，於先前之方法中，必需進行5次光罩圖案形成位置之調整，但若根據本方法，則根據5片研磨基板之基準表面形狀或基準板厚分佈僅調整1次即可。結果可顯著提高光罩之生產性。

藉由本製造法，可同時實現光罩之高生產性與用於EUVL用途時具有充分精度之光罩之提供，可穩定地提高實施EUVL時之轉印精度。

本發明係關於一種光罩之製造方法。首先，將光罩之製造方法之概略設為以下4個程序(第1程序：研磨基板之準備，第2程序：ML基底之製作，第3程序：光罩基底之製作，及第4程序：光罩之製作)進行說明。再者，第2程序(ML基底之製作)於EUVL用光罩之製造方法中為必需，於EUVL用以外之光罩之製造方法中並非必需。

首先，作為第1程序，準備具有表面粗糙度非常小、無空間波長為0.1mm以上之平緩之凹凸、具有平穩且平坦之表面的對向之兩面，及連接該對向之兩面之四個側面之基板(以下，稱為研磨基板)。上述具有平坦之表面之對向兩面中，一面最終成為形成有半導體裝置電路圖案之面(以下，稱為成膜面)，餘下之另一面成為未形成圖案之面(以下，稱為背面)。

再者，研磨基板要求較低之熱膨脹性，以使其儘可能不產生由溫度變化引起之伸縮。因此，作為較佳之材料，例如可列舉含有TiO₂之二氧化矽玻璃(以下，簡稱為TiO₂-SiO₂玻璃)或二氧化矽玻璃(SiO₂玻璃)等。製造上述材料製之長方體，對其進行切割、加工而製成切片基板，再對其進行研磨而製作研磨基板。

作為第2程序(EUVL用光罩之情形)，製作於第1程序中獲得之研磨基板之成膜面上形成反射EUV光之ML膜的ML基底。作為ML膜，通常使用藉由交替積層對於EUV光之高折射率膜(例如Si等)與低折射率層(例如Mo等)而提高反射率之多層反射膜。又，為了防止ML膜之氧化等劣化，通常亦可於ML膜上形成保護膜(例如Ru、Si、TiO₂等)。

其次，作為第3程序，於EUVL用以外之光罩之情形時，於第1程序中獲得之研磨基板上形成光吸收膜。於EUVL用光罩之情形時，於第2程序中獲得之ML基底之ML膜上(於ML膜之上形成有保護膜之情形時，係於該保護膜上)形成吸收EUV光之吸收膜(例如Ta或TaN等)。視需要，亦可將於光罩圖案檢測光之波長下具有低反射率之抗反射膜(例如，TaON或TaO等)形成於吸收膜上。繼而，於吸收膜上(於形成有抗反射膜之情形時，係於該抗反射膜上)形成光阻膜。如此於ML基底上依序形成有吸收膜、進而視需要之抗反射膜、光阻膜者係光罩基底(剖面構造可參照圖1)。

最後之第4程序為光罩圖案之形成。即，包括如下一系列製程：(4-1)使用以電子束或紫外光作為光源之描繪裝置，於利用將光罩基底之側面或表背面之外周部附近夾緊等任一種方法保持光罩基底之狀態下，於光阻膜上描繪設計之光罩圖案；(4-2)加熱；(4-3)除去不需要之部分之光阻膜；(4-4)除去不需要之部分之光阻膜，蝕刻除去露出之吸收膜(於形成有抗反射膜之情形時，係抗反射膜與吸收膜之兩膜)；(4-5)除去殘餘之光阻膜。

本發明係關於一種光罩之製造方法，尤其是於光罩圖案形成位置調整方面具有特徵。以下，以此為中心對本發明加以詳細說明。

[研磨基板之準備(第1程序)]

研磨基板可藉由如下步驟而獲得：獲得由材料塊加工為所需形狀精度之基板，使用雙面拋光(polish)機，將含有研磨劑與水之研磨漿料供給至研磨墊等，對該基板之研磨基板之成膜面及成為背面之面兩面同時進行研磨。其後，進而較佳為使用對所獲得之研磨基板之成膜面及/或背面進行局部性部分性研磨之局部研磨法。作為局部研磨法，可列舉：機械性、化學機械性之使用磁性研磨粒之MRF、光束(雷射)照射法、氣體團簇離子束蝕刻法等。

[研磨基板所要求之特性]

於本發明中，作為研磨基板，要求成膜面及背面之表面平滑性優異。具體而言，於EUVL用光罩之情形時，於10 μm×10 μm見方之區域內藉由原子力顯微鏡測定品質保證區域中之成膜面及背面之表面粗糙度，其結果(RMS)較佳為0.5 nm以下，更佳為0.3 nm以下，進而較佳為0.15 nm以下。

此處，所謂品質保證區域，係指於成膜面之情形時，於使用該研磨基板製作之光罩基底及光罩中，照射用以曝光或對準之EUV光等光之區域及照射用以對準或遮罩識別之EUV光或紫外~可見光之區域。

又，背面之品質保證區域係用以使EUVL用光罩基底及反射型遮罩吸附保持於靜電吸盤上之區域。於圖3所示之光罩基底(EUVL用)10之情形時，該品質保證區域為11。品質保證區域之範圍根據光罩基底(EUVL用)之尺寸、更具體而言根據研磨基板之成膜面及背面之尺寸而不同，例如於成膜面及背面之尺寸為152×152 mm見方之情形時，品質保證區域之範圍係自端部除去5 mm之外緣部所得之142 mm×142 mm見方之區域。

又，於本發明中，作為研磨基板，要求其成膜面之表面不存在微粒等凸缺陷或刮痕或擦痕、凹坑等凹陷。具體而言，成膜面之表面品質區域中的聚苯乙烯乳膠粒徑換算尺寸為150 nm以上之大小之凹凸兩種缺陷之數量較佳為10個以下，更佳為5個以下，進而較佳為0個。又，成膜面之表面品質區域中的二氧化矽粒徑換算尺寸為70 nm以上之大小之凹凸兩種缺陷之數量較佳為100個以下，更佳為80個以下，進而較佳為60個以下。

[研磨基板(光罩基底)之表面形狀測定方法]

於本發明中，作為研磨基板之成膜面及背面之表面形狀之測定裝置，可使用雷射干涉式平坦度計(例如Zygo公司製造之Verifire、MarkIV，或FUJINON公司製造之G310S，Tropel公司製造之FlatMaster等)或雷射位移計、超音波位移計、接觸式位移計等。此處，自使用各種測定裝置獲得之結果減去傾斜成分所得之剩餘量為表面形狀，表面形狀之最大值與最小值之差值為平坦度。

於本發明中，作為測定研磨基板之板厚分佈之方法，有如下方法：於該基板於波長300~800 nm之可見光域中具有穿透率30%以上之充分之光線穿透性之情形時，使用以波長300~800 nm之可見光為光源之干涉計(例如Zygo公司製造之Verifire、MarkIV，或FUJINON公司製造之G310S，Tropel公司製造之FlatMaster等)，根據來自成膜面與背面反射之光之光程差測定該基板之板厚分佈，用所獲得之板厚分佈減去傾斜成分，將所得之剩餘量作為板厚分佈。

於本發明中，分別藉由上述雷射干涉式平坦度測定機等測定其他研磨基板之成膜面及背面之表面形狀，並將該等相加，藉此亦可算出研磨基板之板厚分佈。此處，為了算出研磨基板之板厚分佈，必需使成膜面及背面之表面形狀(或表面分佈)中之一者之表面形狀測定結果反轉後，與另一者之表面形狀測定結果相加。前者之方法由於所獲得之最大板厚分佈中包含基板材料之折射率分佈，因此於使用具有折射率分佈之材料獲得之基板之情形時，較佳為後者。以下，對後者之測定方法進一步進行詳細說明。

圖5係說明算出研磨基板(EUVL用)之板厚分佈之程序之圖。以下，藉由圖5對程序加以說明。首先，如圖5(a)、圖5(b)所示，測定成膜面C及背面D之表面形狀(或表面分佈)後，如圖5(c)所示，使背面D之表面形狀(或表面分佈)之測定結果反轉後與成膜面C之表面形狀(或表面分佈)之測定結果相加，自相加所得者減去傾斜成分，藉此算出圖5(d)所示之EUVL用研磨基板之板厚分佈。

再者，以兩種方法中獲得之板厚分佈之最大值與最小值之差值之形式獲得最大板厚分佈。又，此處所記載之表面形狀測定方法可藉由將測定對象由研磨基板變更為光罩基底，而直接用作光罩基底之表面形狀測定方法。

[ML基底之製作(第2程序：EUVL用光罩之情形)]

於研磨基板1之成膜面上形成交替複數次積層高折射率膜與低折射率膜之多層反射膜作為具有EUV反射光之較高反射率之ML膜2。此處，所謂EUV反射光，係指以入射角6~10度照射EUV光之波長區域之光線時所產生之反射光，所謂EUV反射光之反射率，係指波長12~15 nm下之EUV反射光中波長13.5 nm附近之光線之反射率。

來自ML膜表面之EUV反射光的反射率之最大值較佳為60%以上，更佳為63%以上。ML膜之高折射率膜廣泛使用Si(折射率=0.999(λ=13.5 nm))，低折射率膜廣泛地使用Mo(同一波長下之折射率=0.924)(Mo/Si多層反射膜)。

但是，ML膜並不限定於此，亦可使用Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Rh/Si多層反射膜、Pt/Si多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜等。

構成ML膜之各層之膜厚及層之重複單元之數量可根據所使用之膜材料及ML膜所要求之EUV反射光之反射率而適當選擇。以Mo/Si多層反射膜為例，為了EUV反射光之反射率之最大值成為60%以上，較佳為以使重複單元數成為30~60之方式依序積層膜厚為4.5±0.1 nm之Si層與膜厚為2.3±0.1 nm之Mo層。

再者，構成ML膜之各層只要使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾所周知之成膜方法而形成所需之膜厚即可。

為了防止ML膜之兩表面及其附近於保管時自然氧化或於清洗時氧化，可於ML膜之兩表面上設置保護膜3。作為保護膜3，可使用於Si、Ti、Ru、Rh、C、SiC、或該等元素/化合物之混合物、或於該等元素/化合物中添加N、O或B等而成者等。

於使用Ru作為保護膜之情形時，膜厚可為較薄之2~3 nm，可兼具下述緩衝膜之功能，因此尤佳。又，於ML膜為Mo/Si多層反射膜之情形時，藉由使最上層為Si膜，可使該最上層作為保護膜而發揮功能。於此情形時，亦發揮作為保護膜之作用之最上層之Si膜的膜厚大於通常之4.5 nm，較佳為5~15 nm。又，形成Si膜作為保護膜後，亦可於該Si膜上形成兼作保護膜與緩衝膜之Ru膜。

再者，ML膜或保護膜等膜並非必須為1層，亦可為2層以上。於ML膜上設置有保護膜之情形時，來自保護膜表面之EUV反射光之反射率之最大值必須滿足上述範圍。即，來自保護膜表面之EUV反射光之反射率之最大值較佳為60%以上，更佳為63%以上。再者，保護膜只要使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾所周知之成膜方法以成為所需膜厚之方式成膜即可。

[光罩基底之形成(第3程序)]

其次，於EUVL用以外之光罩之情形時，於第1程序中獲得之研磨基板上形成光吸收膜。於EUVL用光罩之情形時，於ML基底表面上(ML膜上，或於ML膜上形成有保護膜之情形時，於該保護膜上)形成吸收膜4。吸收膜4所特別要求之特性係以使形成於EUV反射遮罩上之圖案經由EUVL曝光機之投影光學系統如實地轉印於晶圓上之光阻膜上之方式，調整自吸收膜4之反射光之強度、相位。

該具體方法有兩種，第一種方法係儘可能縮小自吸收膜4之反射光之強度之方法，以使來自吸收膜4(於吸收膜表面形成有抗反射膜之情形時為抗反射膜)表面之EUV光之反射率成為1%以下，尤其是成為0.7%以下之方式調整吸收膜4之膜厚及材料。又，第二種方法係利用來自ML膜2之反射光與來自吸收膜4(於吸收膜表面形成有抗反射膜之情形時為抗反射膜)之反射光之干涉效果之方法，以使來自吸收膜4(於吸收膜表面形成有抗反射膜之情形時為抗反射膜)之EUV光之反射率成為5~15%，且使來自ML膜2之反射光與自吸收膜4(於吸收膜表面形成有抗反射膜之情形時為抗反射膜)之反射光之相位差成為175~185度之方式調整吸收膜4之膜厚及材料。

於任一種方法中，作為構成吸收膜4之材料，均較佳為含有Ta 40原子%以上、較佳為50原子%以上、更佳為55原子%以上之材料。吸收膜4所使用之以Ta為主成分之材料較佳為除Ta以外亦含有Hf、Si、Zr、Ge、B、Pd、H及N中之至少1種以上之元素。

作為含有Ta以外之上述元素之材料之具體例，例如可列舉：TaN、TaNH、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN、TaPd等。但是，吸收膜4中較佳為不含有氧。具體而言，吸收膜4中之氧之含有率較佳為未達25原子%。

於光罩基底之吸收膜上形成光罩圖案而製作EUV遮罩時，通常使用乾式蝕刻製程，作為蝕刻氣體，通常使用氯氣(包含混合氣體)或氟系氣體(包含混合氣體)。

於為了防止由蝕刻製程引起之ML膜之損傷，而於ML膜上形成包含Ru或Ru化合物之膜作為保護膜之情形時，就保護膜之損傷較少方面而言，主要使用氯氣作為吸收膜4之蝕刻氣體。然而，於使用氯氣對吸收膜4實施乾式蝕刻製程之情形時，若吸收膜4中含有氧，則蝕刻速度降低，光阻膜之損傷變大，故而欠佳。作為吸收膜4中之氧之含有率，更佳為15原子%以下，進而較佳為10原子%以下，尤佳為5原子%以下。

於採用上述第一種方法之情形時，為了使自吸收膜4表面之EUV光之反射率成為1%以下、尤其是0.7%以下，吸收膜4之厚度較佳為60 nm以上，尤佳為70 nm以上。又，於採用上述第二種方法之情形時，吸收膜4之厚度較佳為40 nm~60 nm之範圍，尤佳為45 nm~55 nm之範圍。

又，上述構成之吸收膜4可藉由公知之成膜方法、例如磁控濺鍍法或離子束濺鍍法而形成。

於本發明中，於光罩基底之吸收膜4上形成光罩圖案而製作EUV遮罩時所實施之蝕刻製程通常採用乾式蝕刻製程，為了防止ML膜2受到損傷，亦可將作為蝕刻終止層而發揮作用之緩衝膜設置於ML膜2(於ML膜上形成有保護膜3之情形時為保護膜3)與吸收膜4之間。作為緩衝膜之材質，可選擇不易受到吸收膜4之蝕刻製程的影響，即其蝕刻速度慢於吸收膜4，並且不易受到由該蝕刻製程引起之損傷的物質。作為滿足此條件之物質，例如可例示：Cr、Al、Ru、Ta及該等之氮化物，以及SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃或該等之混合物。該等之中，較佳為Ru、CrN及SiO₂，更佳為CrN及Ru，就兼備保護膜與緩衝膜之功能而言，尤佳為Ru。緩衝膜之膜厚較佳為1~60 nm。緩衝膜可使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾所周知之成膜方法而成膜。

又，於本發明中，作為光罩基底，亦可於吸收膜4上設置低反射性之抗反射膜。利用抗反射膜，光罩圖案之檢測時之對比度變得良好，準確之光罩圖案缺陷檢測變得容易。具體而言，將光罩圖案之檢測光照射於抗反射膜表面時所產生之反射光之反射率較佳為15%以下，更佳為10%以下，進而較佳為5%以下。作為檢測光，通常使用257 nm左右之光。為了實現上述特性，抗反射膜較佳為由檢測光之波長之折射率低於吸收膜之材料構成。具體而言，可列舉以Ta為主成分之材料。又，除Ta以外，亦可含有Hf、Ge、Si、B、N、H、及O中至少1種以上之元素。作為具體例，例如可列舉：TaO、TaON、TaONH、TaHfO、TaHfON、TaBSiO、TaBSiON、SiN、SiON等。

於吸收膜上形成抗反射膜之情形時，吸收膜及抗反射膜之厚度之合計較佳為10~65 nm，更佳為30~65 nm，進而較佳為35~60 nm。又，若抗反射膜之膜厚大於吸收膜之膜厚，則有吸收膜之EUV光吸收特性下降之虞，因此抗反射膜之膜厚較佳為小於吸收膜之膜厚。因此，抗反射膜之厚度較佳為1~20 nm，更佳為3~15 nm，進而較佳為5~10 nm。

又，於本發明中，亦可設置硬質遮罩等功能膜。硬質遮罩係形成於吸收膜(於吸收膜上形成有抗反射膜且硬質遮罩不具有抗反射膜之功能之情形時為抗反射膜)之面上者，上述乾式蝕刻速度小於吸收膜及/或抗反射膜，因此可縮減光阻膜之膜厚，可製作更微細之圖案。作為此種硬質遮罩之材料，可使用Cr₂O₃、Ru、Cr(N、O)等，其膜厚較佳為2~10 nm。

於本發明中，作為光罩基底，於EUVL用以外之光罩之情形時，係將於研磨基板之表面上至少具有光吸收膜之構成設為基本構成。於EUVL用光罩之情形時，係將於研磨基板之表面上至少具有反射EUV光之ML膜，且於該ML膜之上至少具有吸收EUV光之吸收膜之構成設為基本構成，但亦可於ML膜面上形成保護膜，亦可形成保護膜與緩衝膜兩者，亦可於吸收膜之面上形成抗反射膜、硬質遮罩。

[導電膜之形成]

為了將EUVL用之光罩基底或反射光罩吸附保持於靜電吸盤上，較佳為於研磨基板之背面形成包含高介電性材料之導電膜。作為導電膜，以使薄片電阻成為100Ω/□以下之方式選擇構成材料之導電率與厚度。作為構成材料，具體而言，可應用包含Si、Mo、Cr、TiN、CrO、CrN、CrON、TaSi之單層膜或該等之積層膜。

導電膜之厚度較佳為設為例如10~1000 nm。作為導電膜之成膜方法，可使用公知之成膜方法、例如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等濺鍍法、CVD法(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積法)、真空蒸鍍法、電解鍍敷法而成膜。又，導電膜之成膜只要於程序1~4中之任意者之間實施即可。例如可於程序1與程序2之間實施，即，於程序1中所準備之研磨基板之背面，於成膜面形成ML膜之程序2之前實施。又，亦可於程序2與程序3之間實施，即，於程序2中所製作之ML基底之背面，於成膜面形成吸收膜等之程序3之前實施。又，亦可於程序3與程序4之間實施，即，於程序3中所製作之光罩基底之背面，於光阻膜形成等程序4之前實施。

[光罩之製作(第4程序)]

於本發明中，光罩之製造方法係根據研磨基板之成膜面及背面之基準表面形狀，或根據研磨基板之基準板厚分佈，來調整光罩圖案形成位置並進行電子束描繪，除此以外可依據如先前之遮罩製作製程而製作。

即，將光阻膜塗佈於利用上述方法製作之光罩基底，進行加熱。其後，根據研磨基板之成膜面及背面之基準表面形狀，或根據研磨基板之基準板厚分佈，來調整光罩圖案形成位置並進行利用電子束或紫外光之描繪，繼而藉由顯影、蝕刻將不需要之吸收膜或抗反射膜、光阻除去而獲得光罩。

[光罩圖案形成位置調整法]

使用圖6進行具體說明。此處，為方便起見，將以EUV光作為光源之曝光裝置之光罩台之表面平坦度設為0 nm，反射型光罩係設為無間隙地吸附於該光罩台者。於使使用表背面之平坦度為0 nm且板厚分佈為0 nm之研磨基板所製作之理想之反射型光罩吸附於曝光裝置之光罩台上之情形時，反射型光罩之表面如圖6之虛線所示，與靜電吸盤表面成為平行，因此反射型光罩之光罩圖案於此狀態下可以使圖案轉印於晶圓上之所需位置之方式形成。

例如，自點A以自光罩台法線傾斜θ之角度入射至反射型光罩之EUV光在理想之反射型光罩表面之點B反射，通過投影光學系統之點C而投影於晶圓上之點D。本態樣之投影光學系統之倍率為1/4倍，因此等同於4倍之欲形成於晶圓上之點D之圖案者形成於理想之反射型光罩之點B。再者，θ例如為6°左右。

然而，對於實際之反射型光罩，構成反射型光罩之研磨基板之表背平坦度與最大板厚分佈中之至少任一者不為0 nm，因此吸附於曝光裝置之光罩台之狀態之反射型光罩之表面如圖6之實線所示，具有平緩之凹凸，而成為自圖6之虛線偏移者。

因此，同樣自點A入射之EUV光於自虛線在高度方向上偏移z之點B'處被反射型光罩表面反射，通過投影光學系統之點C'而投影於晶圓上之點D'。因此，應形成於晶圓上之點D之圖案投影於自點D偏移ΔX之點D'，無法使微細之電路圖案形成於所需之位置，故而欠佳。此處，ΔX與z之關係為ΔX=(z‧tanθ)/4。

作為光罩圖案之形成位置調整方法，於該例之情形時，根據自虛線起之高度方向之位移z，將反射型光罩圖案之形成位置僅調整δx(=z‧tanθ)，於此情形時，可使反射型光罩上之圖案形成於晶圓上之所需位置。

此係以上述假設為前提之單純情況，實際之調整中除構成反射型光罩之研磨基板之表背表面形狀或板厚分佈以外，亦必須考慮曝光裝置之光罩台之表面形狀或使反射型光罩吸附保持於光罩台上之情形之間隙、由對反射型光罩之圖案描繪時之重力等引起之反射型光罩之變形等，調整變得更加複雜。

若以調整光罩圖案之形成位置為前提，則對研磨基板之平坦度之要求可放寬至300 nm以下。於此情形時，只要實現成膜面及背面之平坦度為300 nm以下、表面粗糙度(RMS)為0.15 nm以下、尺寸為50 nm以上之缺陷數較少之研磨基板即可，可僅注意表面粗糙度與缺陷而進行加工，因此研磨基板之加工變得相對容易。

於本發明中，根據研磨基板之成膜面與背面之基準表面形狀或基準板厚分佈、或光罩基底之成膜面與背面之基準表面形狀或基準板厚分佈而計算該偏移量。並且，上述基準表面形狀及上述基準板厚分佈並非以1片研磨基板或1片光罩基底為對象，而以將複數片研磨基板或複數片光罩基底為對象而求出作為特徵。

[本發明中之基準表面形狀]

於本發明中，作為基準表面形狀，規定下述3種基準表面形狀，較佳為使用其中之任一者。規定基準表面形狀之第一種方法(以下，稱為第1基準表面形狀)係將複數片研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀或複數片光罩基底之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀設為成膜面(或成膜面)與背面之基準表面形狀。再者，所謂複數片，只要為2片以上則無特別限制，例如可列舉4~15片等作為較佳片數之一例。再者，平均形狀係簡單地計算設為對象之複數片表面形狀之平均值而求出。

規定基準表面形狀之第二種方法(以下，稱為第2基準表面形狀)係計算複數片研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀或複數片光罩基底之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀，並利用多項式對其進行擬合(fitting)，將所得者設為成膜面(或成膜面)與背面之基準表面形狀。作為多項式，可列舉Legendre多項式或Zernike多項式等作為較佳之多項式。將xyz正交座標系中之Legendre多項式(直至6次為止)及Zernike多項式(直至8次為止)分別示於下述式1及式2。作為多項式擬合，例如於Legendre多項式之情形時，使用至6次為止之擬合可獲得精度與時間之平衡性，故而較佳。

[式1]

Z(x，y)=

a₀

+a₁

+a₂(3x²-1)(3y²-1)/4

+a₃(5x³-3x)(5y³-3y)/4

+a₄(35x⁴-30x²+3)(35y⁴-30y²+3)/64

+a₅(63x⁵-70x³+15x)(63y⁵-70y³+15x)/64

+a₆(231x⁶-315x⁴+105x²-5)(231y⁶-315y⁴+105y²-5)/256

此處，a_n為係數。

[式2]

Z(x，y)=

a₀

+a₁(x²+y²)^0.5cos(tan^-1(y/x))

+a₂(x²+y²)^0.5sin(tan^-1(y/x))

+a₃(2(x²+y²)-1)

+a₄(x²+y²)cos(2tan^-1(y/x))

+a₅(x²+y²)sin(2tan^-1(y/x))

+a₆(3(x²+y²)-2)(x²+y²)^0.5cos(tan^-1(y/x))

+a₇(3(x²+y²)-2)(x²+y²)^0.5sin(tan^-1(y/x))

+a₈(6(x²+y²)²-6(x²+y²)+1)

此處，a_n為係數。

規定基準表面形狀之第三種方法(以下，稱為第3基準表面形狀)係將利用多項式對複數片研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀或複數片光罩基底之成膜面與背面之各自之表面形狀中之至少任一者進行擬合，並計算該等之平均值，將所得者設為成膜面(或成膜面)與背面之基準表面形狀。作為多項式，可較佳地使用第2基準表面形狀中所列舉者。

[本發明中之基準板厚分佈]

於本發明中，作為基準板厚分佈，規定下述3種基準板厚分佈，較佳為使用其中之任一種。關於板厚分佈，測定研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀或光罩基底之成膜面與背面之各自之表面形狀，使背面之表面形狀之測定結果反轉後與成膜面(或成膜面)之表面形狀之測定結果相加，用所得者減去傾斜成分，藉此算出研磨基板或光罩基底之板厚分佈。再者，以所獲得之板厚分佈之最大值與最小值之差值之形式求出最大板厚分佈。

規定基準板厚分佈之第一種方法(以下，稱為第1基準板厚分佈)係將複數片研磨基板之平均板厚分佈或複數片光罩基底之平均板厚分佈設為基準板厚分佈者。規定基準板厚分佈之第二種方法(以下，稱為第2基準板厚分佈)係利用多項式對複數片研磨基板之平均板厚分佈或複數片光罩基底之平均板厚分佈進行擬合(fitting)，並將所得者設為基準板厚分佈。規定基準板厚分佈之第三種方法(以下，稱為第3基準板厚分佈)係利用多項式對複數片(n片)研磨基板之板厚分佈或複數片光罩基底之板厚分佈中之至少任一者進行擬合(fitting)，並將該等之平均值設為基準板厚分佈。

於第2基準板厚分佈及第3基準板厚分佈中，作為多項式，與上述基準表面形狀之情形相同，可列舉Legendre多項式或Zernike多項式等作為較佳之多項式。作為多項式擬合，例如於Legendre多項式之情形時，就精度與時間之平衡性之方面而言較佳為使用至6次為止之擬合。又，作為算出基準板厚分佈時之研磨基板或光罩基底之片數，只要為2片以上則無特別限制，例如可列舉4~15片等作為較佳片數之一例。

於本發明中，作為光罩圖案之形成位置調整方法，較佳為根據上述基準表面形狀或基準板厚分佈中之至少一者進行調整。即，可根據基準表面形狀或基準板厚分佈中之任一者進行調整，亦可根據基準表面形狀及基準板厚分佈兩者進行調整。

再者，上述基準表面形狀或基準板厚分佈可測定複數片研磨基板或複數片光罩基底中之至少任一者之形狀，據此算出基準表面形狀及/或基準板厚分佈，亦可測定複數片研磨基板及複數片光罩基底兩者之形狀，根據該等算出基準表面形狀及/或基準板厚分佈。

[實施例]

以下，基於實施例(例1~10)更具體地說明本發明。但是，本發明並不限定於此。

[研磨基板製作方法]

準備包含將四氯化矽與四氯化鈦進行火焰水解而獲得之TiO₂-SiO₂玻璃(TiO₂摻雜量為7質量%)的切片基板(大小為153 mm見方×厚度6.75 mm)。使用NC(Numerical Control，數控)切角機，利用#120之金剛石磨石，以使切角寬度成為0.2~0.4 mm之方式對該切片基板進行切角加工，以使外徑尺寸成為152 mm見方、厚度成為6.75 mm之方式實施精加工。繼而，使切片基板夾持於鑄鐵製定盤上，供給含有以Al₂O₃為主成分之研磨粒之研磨漿料，對切片基板之表面進行拋光研磨。對切片基板之側面進行使用尼龍毛刷、氧化鈰漿料之側面研磨，使其表面粗糙度為1 nm(RMS)以下，即成為鏡面。其後，使用雙面拋光機對進行了側面研磨之切片基板之成膜面與背面兩面依序進行使用硬質發泡聚胺基甲酸酯墊、氧化鈰漿料之第1階段之研磨，使用軟質發泡聚胺基甲酸酯絨面革墊、氧化鈰漿料之第2階段之研磨，使用軟質發泡聚胺基甲酸酯絨面革墊、膠體二氧化矽之第3階段之研磨，而獲得成膜面與背面之表面粗糙度為0.15 nm(RMS)以下研磨基板(例1~5)。

[研磨基板之表面性狀]

使用鹼性清潔劑與PVA(Polyvinyl Alcohol，聚乙烯醇)海綿對所獲得之研磨基板進行洗擦後，使用分批式清洗機，依序浸漬於超純水、硫酸-過氧化氫水混合溶液、超純水、鹼性清潔劑、超純水各種溶液中，再浸漬於異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)後，於80℃下進行乾燥。使用Fizeau型雷射干涉式平坦度測定機(Fujinon公司製造，商品名：G310S)測定所獲得之研磨基板之成膜面與背面之表面品質區域(中央142 mm見方)之表面形狀與平坦度。所獲得之研磨基板之成膜面與背面之表面形狀均為中心相對較低周邊相對較高之凹狀，成膜面之平坦度為200~300 nm，背面之平坦度為500~600 nm。

[研磨基板之加工方法]

作為EUVL用研磨基板，成膜面與背面之平坦度相對較大，其表面形狀之基板間差異亦較大而不適合使用，因此使用氣體團簇離子束蝕刻(Epion公司製造，商品名：US50XP)對研磨基板之成膜面及背面實施局部研磨。此處，各部位之局部研磨量係設為修正研磨步驟後之研磨基板之成膜面與背面所需之表面形狀(中心相對較低周邊相對較高之凹狀，成膜面與背面之平坦度分別為330nm、600nm)與局部研磨前之研磨基板之成膜面與背面之表面形狀測定結果之差值，局部研磨量之調整係藉由調整氣體團簇離子束之掃描速度而實施。其他主要之局部研磨之加工條件如下所示。

<局部研磨加工條件>

來源氣體：5%之NF₃與95%之N₂之混合氣體，加速電壓：30kV，離子化電流：100μA，氣體團簇離子束之束徑(FWHM(full width of half maximum，半高全寬)值)：6mm，蝕刻速度：50nm．cm²/秒。

經局部研磨之研磨基板之成膜面與背面之表面粗糙度為較大之約0.5nm(RMS)，不適合作為EUVL用研磨基板，因此進而於如下所示之條件下對研磨基板之成膜面及背面實施拋光研磨，使其表面粗糙度成為0.15nm(RMS)以下。

<拋光研磨條件>

研磨試驗機：濱井產業公司製造，雙面24B研磨機

研磨墊：佳麗寶(kanebo)公司製造，Bellatrix N7512

研磨定盤轉速：10rpm

研磨時間：30分鐘

研磨荷重：51cN/cm²

研磨量：0.06μm/面

稀釋水：純水(濾去0.1μm以上之雜質)

漿料流量：10升/min

研磨漿料：含有20質量%之平均一次粒徑未達20nm之膠體二氧化矽

研磨量：0.02μm。

[加工後之研磨基板之表面性狀]

藉由與上述相同之方法對所獲得之研磨基板進行清洗，藉由與上述相同之方法測定成膜面與背面之表面品質區域(中央142mm見方)之表面形狀與平坦度。將如此獲得之5片EUVL用研磨基板之成膜面與背面之表面形狀與平坦度之測定值分別示於圖7(a)、圖7(b)、圖8(a)、圖8(b)、表1。

[與第1基準表面形狀之差異]

由5片研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀求出成膜面與背面之基準表面形狀，分別示於圖7(a)、圖7(b)、圖8(a)、圖8(b)。圖中，自左側起第2列表示表面形狀(surface porfile)，第3列表示表面形狀與基準表面形狀(reference，最終行之第2列)之差異(residual)。成膜面與背面之基準表面形狀之平坦度為68nm、56nm。計算5片研磨基板之成膜面與背面之表面形狀較第1基準表面形狀的差異之最大值，將其結果示於表1。差異均為46nm以下，根據成膜面與背面之基準表面形狀進行光罩圖案形成位置之調整並進行光罩圖案描繪，藉此可獲得於實施EUVL時具有充分之轉印精度之 EUVL用反射型光罩之製造方法。

[與第2基準表面形狀之差異]

規定基準表面形狀之第二種方法係利用至5次為止之Legendre多項式(函數)對5片研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀進行擬合(fitting)，而作為成膜面與背面之基準表面形狀。將成膜面(Front surface)與背面(Back surface)之基準表面形狀示於圖9。成膜面與背面之基準表面形狀之平坦度為52nm、45nm。

計算5片研磨基板之成膜面與背面之表面形狀較第2基準表面形狀的差異之最大值，將其結果示於表2。差異均為57nm以下，根據成膜面與背面之基準表面形狀進行光罩圖案形成位置之調整並進行光罩圖案描繪，藉此可獲得於實施EUVL時具有充分之轉印精度之EUVL用反射型光罩之製造方法。

[加工後之研磨基板之板厚分佈]

藉由與例1~5相同之方法製作研磨基板。藉由與例1~5相同之方法測定如此獲得之5片研磨基板之成膜面與背面之表面形狀，使背面之表面形狀之測定結果反轉後與成膜面之表面形狀之測定結果相加，自其中減去傾斜成分，藉此算出研磨基板之板厚分佈(例6~10)。以所獲得之板厚分佈之最大值與最小值之差值之形式獲得最大板厚分佈。將5片研磨基板之板厚分佈示於圖10(a)、圖10(b)，將最大板厚分佈示於表3。圖中，自左側起第2列表示板厚分佈(Thickness variation)，第3列表示板厚分佈與基準板厚分佈(reference，最終行之第2列)之差異(residual)。

[與第1基準板厚分佈之差異]

由5片研磨基板之研磨基板之平均板厚分佈求出第1基準板厚分佈。將基準板厚分佈示於圖10(a)、圖10(b)。基準板厚分佈之最大值為93nm。計算5片研磨基板之板厚分佈較第1基準板厚分佈之差異的最大值，將其結果示於表3。差異均為50nm以下，根據基準板厚分佈進行光罩圖案形成位置之調整並進行光罩圖案描繪，藉此可獲得於實施EUVL時具有充分之轉印精度之EUVL用反射型光罩之製造方法。

[與第2基準板厚分佈之差異]

確定基準板厚分佈之第二種方法係利用至5次為止之Legendre多項式(函數)對5片EUVL用研磨基板之平均板厚分佈進行擬合(fitting)，將所得者設為基準板厚分佈(第2基準板厚分佈)。將基準板厚分佈示於圖11。基準板厚分佈之最大值為75nm。計算所準備之5片EUVL用研磨基板之板厚分佈較該基準板厚分佈之差異的最大值，將其結果示於表4。差異均為75nm以下，根據基準板厚分佈進行光罩圖案形成位置之調整並進行光罩圖案描繪，藉此可獲得於實施EUVL時具有充分之轉印精度之EUVL用反射型光罩之製造方法。

上文詳細地且參照特定實施態樣對本發明進行了說明，但從業者明瞭在不脫離本發明之精神與範圍之情況下可施加各種修正或變更。

本申請案係基於2011年1月26日提出申請之日本專利申請案2011-014460者，其內容作為參照而併入本文中。

[產業上之可利用性]

藉由使用本發明之研磨基板及光罩基底，又，藉由根據本發明製作EUVL用反射型光罩，可穩定地提高實施EUVL時之轉印精度。

1‧‧‧研磨基板

2‧‧‧多層反射膜

3‧‧‧保護膜

4‧‧‧吸收膜

5‧‧‧抗反射膜

6‧‧‧光阻膜

7‧‧‧導電膜

10‧‧‧光罩基底

11‧‧‧品質保證區域

圖1係表示光罩基底(EUVL用)之剖面構造之示意圖。

圖2係表示光罩(EUVL用反射型)之剖面構造之示意圖。

圖3係自光罩(EUVL用反射型)之圖案形成面側觀察之光罩基底之俯視圖。

圖4(a)及圖4(b)係研磨基板之側視圖。

圖5(a)~圖5(d)係說明算出光罩基底所使用之研磨基板之板厚分佈之程序的圖。

圖6係說明光罩圖案之形成位置之調整方法之概念圖。

圖7(a)及圖7(b)係5片研磨基板之成膜面之表面形狀的測定結果及其平均形狀(基準表面形狀)。

圖8(a)及圖8(b)係5片研磨基板之背面之表面形狀之測定結果及其平均形狀(基準表面形狀)。

圖9係利用Legendre多項式對5片研磨基板之成膜面與背面之各自之表面形狀之平均形狀進行擬合，而設為各自之基準表面形狀之例。

圖10(a)及圖10(b)係使5片研磨基板之背面之表面形狀之測定結果反轉後與成膜面的表面形狀之測定結果相加而算出之研磨基板之板厚分佈及該5片研磨基板之平均板厚分佈(基準板厚分佈)。

圖11係利用Legendre多項式對5片研磨基板之平均板厚分佈進行擬合而設為基準板厚分佈之例。

1．．．研磨基板

2．．．多層反射膜

3．．．保護膜

4．．．吸收膜

5．．．抗反射膜

6．．．光阻膜

7．．．導電膜

Claims

一種光罩之製造方法，其係於至少包含研磨基板及形成於該研磨基板上之光吸收膜之光罩基底上，根據光罩圖案設計而描繪光罩圖案者，並且其係測定複數片研磨基板之表面形狀或複數片光罩基底之表面形狀中之至少任一者，根據上述所測定之表面形狀而算出基準板厚分佈後，根據上述所算出之基準板厚分佈而調整上述光罩圖案描繪時之光罩圖案形成位置。
如請求項1之光罩之製造方法，其中光罩為EUVL用反射型光罩，上述光罩基底於研磨基板與光吸收膜之間具有多層反射膜(ML膜)，形成於ML膜上之光吸收膜為EUV光吸收膜。
如請求項1之光罩之製造方法，其中上述基準板厚分佈為上述複數片研磨基板之平均板厚分佈或上述複數片光罩基底之平均板厚分佈。
如請求項1之光罩之製造方法，其中上述基準板厚分佈係算出上述複數片研磨基板之平均板厚分佈或上述複數片光罩基底之平均板厚分佈，利用多項式對該算出之平均板厚分佈進行擬合而獲得。
如請求項1之光罩之製造方法，其中上述基準板厚分佈係利用多項式對上述複數片研磨基板之板厚分佈或上述複數片光罩基底之板厚分佈中之至少任一者進行擬合，並算出該等之平均值而獲得。
如請求項4或5之光罩之製造方法，其中上述多項式為勒壤得(Legendre)多項式或冊尼克(Zernike)多項式。