JP2023162941A - Ｅｕｖマスクブランク用ガラス部材、その製造方法およびｅｕｖマスクブランク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板の生産性を向上する、技術を提供すること。【解決手段】ＥＵＶマスクブランク用ガラス部材は、第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面を有する。少なくとも前記第１主面の所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向の粗さ曲線において、算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下である。【選択図】図１０

Description

本開示は、ＥＵＶマスクブランク用ガラス部材、その製造方法およびＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の製造方法に関する。

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶとは、軟Ｘ線および真空紫外線を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶが主に検討されている。

ＥＵＶマスクは、ガラス基板と、ＥＵＶを反射する多層反射膜と、ＥＵＶを吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。

ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、ワイヤーソーでガラスブロックをスライスすることでガラス部材を得ることと、ガラス部材を研削することでガラス基板を得ることと、を有する。

特許文献１には、ガラスブロックをワイヤーソーでスライスすることでガラス板を得ることと、スライス直後のガラス板の表面粗さが低いことが望ましいことと、が記載されている。特許文献２には、スライス直後の磁気ディスク用ガラス板の表面粗さが０．３μｍであることが記載されている。

特開２００９－５３５２２４号公報 特開平９－１４１６５０号公報

ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、ワイヤーソーでガラスブロックをスライスすることでガラス部材を得ることと、ガラス部材を研削することでガラス基板を得ることと、を有する。

ガラス部材の研削は、砥粒が固定された研削パッドを用いて行う。目潰れ（砥粒が磨り減ること）又は目詰まり（研削屑が砥粒間のポケットに詰まること）が生じると、研削レートが低下する。

そこで、定期的に研削パッドの目直し（ドレッシング）が行われる。ドレッシングは、磨り減った砥粒を除去して新しい砥粒を露出させること、又は砥粒間のポケットに詰まった研削屑を除去することを含む。これにより、研削レートを回復できる。

研削パッドのドレッシングは、ガラス基板の生産を中断して行われるので、ガラス基板の生産性を低下させてしまう。

本開示の一態様は、ガラス基板の生産性を向上する、技術を提供する。

本開示の一態様に係るＥＵＶマスクブランク用ガラス部材は、第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面を有する。少なくとも前記第１主面の所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向の粗さ曲線において、算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下である。

本開示の一態様によれば、所定領域の算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下である。所定領域が適度な表面粗さを有するので、所定領域の研削開始時にドレッシング効果が得られ、ガラス基板の生産時にドレッシング効果が得られる。よって、ドレッシングのためにガラス基板の生産を中断することを抑制でき、ガラス基板の生産性を向上できる。

図１は、一実施形態に係るＥＵＶマスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。 図２は、ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の一例を示す断面図である。 図３は、図２のＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の平面図である。 図４は、ＥＵＶマスクブランクの一例を示す断面図である。 図５は、ＥＵＶマスクの一例を示す断面図である。 図６は、ワイヤーソーの一例を示す正面図である。 図７は、ＥＵＶマスクブランク用ガラス部材の一例を示す平面図である。 図８は、研削機の一例を示す斜視図である。 図９（Ａ）は例１に係るガラス板の表面プロファイルを示す図であり、図９（Ｂ）は例２に係るガラス板の表面プロファイルを示す図であり、図９（Ｃ）は例３に係るガラス板の表面プロファイルを示す図であり、図９（Ｄ）は例４に係るガラス板の表面プロファイルを示す図である。 図１０（Ａ）は例４と同様の表面粗さを有するガラス板を研削する処理を繰り返し行う途中で例１に係るガラス板を研削したときの研削レートの経時変化を示す図であり、図１０（Ｂ）は例４と同様の表面粗さを有するガラス板を研削する処理を繰り返し行う途中で例２に係るガラス板を研削したときの研削レートの経時変化を示す図であり、図１０（Ｃ）は例４と同様の表面粗さを有するガラス板を研削する処理を繰り返し行う途中で例３に係るガラス板を研削したときの研削レートの経時変化を示す図である。

以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

図１を参照して、一実施形態に係るＥＵＶマスクブランクの製造方法について説明する。図１に示すように、ＥＵＶマスクブランクの製造方法は、例えばステップＳ１０１～Ｓ１０９を有する。ステップＳ１０１は、ガラス部材の製造方法に含まれる。ステップＳ１０２～Ｓ１０６は、ガラス基板の製造方法に含まれる。

ガラス基板２１０は、図２及び図３に示すように、第１主面２１１と、第１主面２１１とは反対向きの第２主面２１２とを含む。第１主面２１１は、矩形状である。本明細書において、矩形状とは、角に面取加工を施した形状を含む。また、矩形は、正方形を含む。第２主面２１２は、第１主面２１１とは反対向きである。第２主面２１２も、第１主面２１１と同様に、矩形状である。

また、ガラス基板２１０は、４つの端面２１３と、４つの第１面取面２１４と、４つの第２面取面２１５とを含む。端面２１３は、第１主面２１１及び第２主面２１２に対して垂直である。第１面取面２１４は、第１主面２１１と端面２１３の境界に形成される。第２面取面２１５は、第２主面２１２と端面２１３の境界に形成される。第１面取面２１４及び第２面取面２１５は、本実施形態では、いわゆるＣ面取面であるが、Ｒ面取面であってもよい。

ガラス基板２１０のガラスは、ＴｉＯ_２を含有する石英ガラスが好ましい。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ_２を８０質量％～９５質量％、ＴｉＯ_２を４質量％～１７質量％含んでもよい。ＴｉＯ_２含有量が４質量％～１７質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。石英ガラスは、ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２以外の第三成分又は不純物を含んでもよい。

平面視にてガラス基板２１０のサイズは、例えば縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍである。縦寸法及び横寸法は、１５２ｍｍ以上であってもよい。

ガラス基板２１０は、第１主面２１１に中央領域２１１Ａと周縁領域２１１Ｂとを有する。中央領域２１１Ａは、その中央領域２１１Ａを取り囲む矩形枠状の周縁領域２１１Ｂを除く、正方形の領域であり、ステップＳ１０２～Ｓ１０６によって所望の平坦度に加工される領域であり、品質保証領域である。品質保証領域は、例えば縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍのサイズを有する。縦寸法及び横寸法は、１４２ｍｍ以上であってもよい。中央領域２１１Ａの４つの辺は、４つの端面２１３に平行である。中央領域２１１Ａの中心は、第１主面２１１の中心に一致する。

なお、図示しないが、ガラス基板２１０の第２主面２１２も、第１主面２１１と同様に、中央領域と、周縁領域とを有する。第２主面２１２の中央領域は、第１主面２１１の中央領域と同様に、正方形の領域であって、図１のステップＳ１０２～Ｓ１０６によって所望の平坦度に加工される領域であり、品質保証領域である。品質保証領域は、例えば縦１４２ｍｍ、横１４２ｍｍのサイズを有する。縦寸法及び横寸法は、１４２ｍｍ以上であってもよい。

ステップＳ１０１は、図６に示すように、ガラスブロック１０をワイヤーソー２０でスライスすることで、板状のガラス部材１１０を得ることを含む。ワイヤーソー２０は、図６に示すように、例えば、供給リール２１と、回収リール２２と、一対のガイドローラ２３、２４と、ワイヤー２５と、を有する。

ワイヤーソー２０は、供給リール２１からワイヤー２５を引き出し、引き出したワイヤー２５を一対のガイドローラ２３、２４に巻き付けて往復させ、最終的に回収リール２２に巻き取る。ワイヤー２５には、砥粒が固定されていてもよいし、砥粒が供給されてもよい。砥粒は、例えばダイヤモンド砥粒である。

一対のガイドローラ２３、２４は、それぞれの外周に、回転軸方向に等ピッチで並ぶ複数のガイド溝を有する。複数のガイド溝が、ワイヤー２５を等ピッチで配列させる。ワイヤー２５のピッチは、ガラス部材１１０の目標厚みに応じて決められる。ガラスブロック１０を複数のガラス部材１１０に一括で切断できる。

ワイヤーソー２０は、供給リール２１から回収リール２２に向けてワイヤー２５を送ることと、回収リール２２から供給リール２１に向けてワイヤー２５を戻すことと、を複数回繰り返し行う。各回で、ワイヤー２５を送る量Ａは、ワイヤー２５を戻す量Ｂよりも多い。従って、ワイヤー２５は、供給リール２１から回収リール２２に徐々に移行する。

ガラス部材１１０は、図７に示すように、第１主面１１１に、ストライプパターンの凹凸を有する。図７において、凹凸の縞と平行な方向がＸ軸方向であり、凹凸の縞と直交する方向がＹ軸方向である。Ｙ軸方向が、第１主面１１１の算術平均粗さＲａが最大となる方向である。Ｘ軸方向が、第１主面１１１の算術平均粗さＲａが最小となる方向である。

第１主面１１１は、ワイヤー２５で切断された切断面である。Ｘ軸方向は、ワイヤーソー２０でガラスブロック１０をスライスする際にワイヤー２５を走行させる方向（図６において左右方向）である。Ｙ軸方向は、ワイヤーソー２０でガラスブロック１０をスライスする際に、ガラスブロック１０を移動させる方向（図６において上下方向）である。

凹凸の高低差と、凹凸の縞のピッチは、主に、ワイヤー２５の直径と、ワイヤー２５を送る量Ａとワイヤー２５を戻す量Ｂとの差分（Ａ－Ｂ）と、で調節可能である。ワイヤー２５の直径が大きいほど、凹凸の高低差と凹凸の縞のピッチが大きくなる。また、差分（Ａ－Ｂ）が大きいほど、凹凸の高低差と凹凸の縞のピッチが大きくなる。

ガラス部材１１０は、第１主面１１１とは反対向きの第２主面１１２を有する。第２主面１１２は、第１主面１１１と同様にワイヤー２５で切断された切断面である。それゆえ、第２主面１１２も、第１主面１１１と同様に、ストライプパターンの凹凸を有する。第２主面１１２の表面粗さは、第１主面１１１の表面粗さと同様である。

ステップＳ１０２は、図８に示すように、ガラス部材１１０を研削機９０で研削することで、ガラス基板２１０を得ることを含む。研削機９０は、両面研削機であって、ガラス部材１１０の第１主面１１１と第２主面１１２を同時に研削する。なお、研削機９０は、片面研削機であってもよく、第１主面１１１と第２主面１１２を順番に研削してもよい。

研削機９０は、下定盤９１と、上定盤９２と、キャリア９３と、サンギヤ９４と、インターナルギヤ９５とを有する。下定盤９１は水平に配置され、下定盤９１の上面には下研削パッド９６が貼付される。上定盤９２は水平に配置され、上定盤９２の下面には上研削パッド９７が貼付される。下研削パッド９６と上研削パッド９７には、それぞれ、砥粒が固定されている。砥粒は、特に限定されないが、例えばダイヤモンド砥粒である。

キャリア９３は、下定盤９１と上定盤９２との間に、ガラス部材１１０を水平に保持する。各キャリア９３は、ガラス部材１１０を一枚ずつ保持するが、複数枚ずつ保持してもよい。キャリア９３は、サンギヤ９４の径方向外側に配置され、且つ、インターナルギヤ９５の径方向内側に配置される。キャリア９３は、サンギヤ９４の周りに間隔をおいて複数配置される。サンギヤ９４とインターナルギヤ９５とは、同心円状に配置され、キャリア９３の外周ギヤ９３ａと噛み合う。

研削機９０は例えば４Ｗａｙ方式であり、下定盤９１と上定盤９２とサンギヤ９４とインターナルギヤ９５とは、同一の鉛直な回転中心線を中心に回転する。下定盤９１と上定盤９２とは、反対方向に回転すると共に、下研削パッド９６をガラス部材１１０の下面に押し付け、且つ上研削パッド９７をガラス部材１１０の上面に押し付ける。下定盤９１および上定盤９２のうちの少なくとも１つは、ガラス部材１１０に対して研削液を供給する。研削液は、ガラス部材１１０と下研削パッド９６との間に供給される。また、研削液は、ガラス部材１１０と上研削パッド９７との間に供給される。

例えば、下定盤９１と、サンギヤ９４と、インターナルギヤ９５とは、平面視で同じ方向に回転する。これらの回転方向は、上定盤９２の回転方向とは逆方向である。キャリア９３は、公転しながら、自転する。キャリア９３の公転方向は、サンギヤ９４とインターナルギヤ９５の回転方向と同じ方向である。一方、キャリア９３の自転方向は、サンギヤ９４の回転数とピッチ円直径の積と、インターナルギヤ９５の回転数とピッチ円直径の積との大小で決まる。インターナルギヤ９５の回転数とピッチ円直径の積がサンギヤ９４の回転数とピッチ円直径の積がよりも大きいと、キャリア９３の自転方向とキャリア９３の公転方向とは同じ方向になる。一方、インターナルギヤ９５の回転数とピッチ円直径の積がサンギヤ９４の回転数とピッチ円直径の積よりも小さいと、キャリア９３の自転方向とキャリア９３の公転方向とは逆方向になる。

上記の通り、ガラス部材１１０の研削は、砥粒が固定された研削パッドを用いて行う。研削パッドは、例えば下研削パッド９６と上研削パッド９７を含む。下研削パッド９６がガラス部材１１０の第１主面１１１と第２主面１１２の一方を研削し、上研削パッド９７がガラス部材１１０の第１主面１１１と第２主面１１２の他方を研削する。なお、下研削パッド９６が、第１主面１１１と第２主面１１２を順番に研削してもよい。

ガラス部材１１０の少なくとも第１主面１１１の所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向（Ｙ軸方向）の粗さ曲線において、算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下である。算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に準拠して測定する。算術平均粗さＲａは、凸の高さと凹の深さの平均値を表す。

所定領域の算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下であれば、所定領域が適度な表面粗さを有するので、所定領域の研削開始時にドレッシング効果が得られ、ガラス基板の生産時にドレッシング効果が得られる。よって、ドレッシングのためにガラス基板の生産を中断することを抑制でき、ガラス基板の生産性を向上できる。所定領域の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５μｍ以上であり、より好ましくは３．０μｍ以上である。また、所定領域の算術平均粗さＲａは、好ましくは４．０μｍ以下である。

前記所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向（Ｙ軸方向）の粗さ曲線において、スキューネスＲｓｋが０．０よりも大きいことが好ましい。スキューネスＲｓｋは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に準拠して測定する。スキューネスＲｓｋは、高さ分布の偏りの度合い（歪度）を表す。スキューネスＲｓｋが０．０よりも大きければ、凸が凹よりも多く、研削パッドを効率良く削ることができる。スキューネスＲｓｋは、より好ましくは０．１以上である。また、スキューネスＲｓｋは、より好ましくは１．０以下である。

前記所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向（Ｙ軸方向）の粗さ曲線において、クルトシスＲｋｕが３．０未満であることが好ましい。クルトシスＲｋｕは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に準拠して測定する。クルトシスＲｋｕは、高さ分布の鋭さ（尖度）を表す。高さ分布が正規分布である場合、クルトシスＲｋｕが３．０になる。クルトシスＲｋｕが３．０未満であれば、凸の先端が適度に丸まっており、凸の耐久性が高く、研磨パッドをしっかり削ることができる。クルトシスＲｋｕは、より好ましくは２．５以下である。クルトシスＲｋｕは、より好ましくは１．０以上である。

前記所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向（Ｙ軸方向）の粗さ曲線において、平均要素長ＲＳｍが２００μｍ～５００μｍであることが好ましい。平均要素長ＲＳｍは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：に準拠して測定する。平均要素長ＲＳｍは、凸の平均ピッチを表す。平均要素長ＲＳｍが２００μｍ～５００μｍであれば、凸の密度が適度に多く、研磨パッドを効率良く削ることができる。平均要素長ＲＳｍは、より好ましくは４００μｍ～５００μｍである。

前記所定領域は、第１主面１１１の外周部であることが好ましい。第１主面１１１の外周部とは、第１主面１１１の外周から１０ｍｍ以内の領域のことである。第１主面１１１の外周部は、第１主面１１１の中央部に比べて、研削パッドに強く当たりやすく、研削パッドのドレッシング効果を発現しやすい。

前記所定領域は、第１主面１１１の４辺のうち、Ｙ軸方向に平行な２辺から１０ｍｍ以内の領域Ｘ１、Ｘ２（図７参照）の少なくとも一方であることがより好ましい。領域Ｘ１、Ｘ２は、その中央の領域Ｘ３（図７参照）よりも算術平均粗さＲａが大きくなりやすく、研削パッドのドレッシング効果を発現しやすい。

次に、図９、図１０及び表１を参照して、ガラス板の表面粗さと研削レートの関係の一例について説明する。図９に、例１～例４に係るガラス板の表面プロファイルを示す。また、表１に、例１～例４に係るガラス板の表面粗さを示す。

表１に示す表面粗さは、図７に示す領域Ｘ１で測定したデータである。なお、図７に示す領域Ｘ２で測定した表面粗さのデータは、領域Ｘ１で測定した表面粗さのデータと同様であった。また、領域Ｘ３で測定した算術平均粗さＲａは、領域Ｘ１、Ｘ２で測定した算術平均粗さＲａよりも小さかった。

例１に係るガラス板は、ワイヤーソー２０でガラスブロック１０をスライスすることで得た。例２に係るガラス板は、ワイヤーソー２０によるスライス後に、研削機９０で１５秒間研削することで得た。例３に係るガラス板は、ワイヤーソー２０によるスライス後に、研削機９０で３０秒間研削することで得た。例４に係るガラス板は、ワイヤーソー２０によるスライス後に、研削機９０で９００秒間研削することで得た。

例４と同様の表面粗さを有するガラス板を研削する処理を繰り返し行う途中で、例１～例３に係るガラス板を研削したときの研削レートの変化を図１０に示す。図１０において、横軸はバッチ数を示し、縦軸は研削レートを示す。

例１及び例２に係るガラス板は、領域Ｘ１において１．５μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さＲａを有していたので、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように研削レートを回復できた。一方、例３に係るガラス板は、領域Ｘ１において１．５μｍ未満の算術平均粗さＲａを有していたので、図１０（Ｃ）に示すように研削レートを回復できなかった。

研削機９０は、バッチごとに毎回、所定領域の算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下であるガラス部材１１０を研削することが好ましい。毎回バッチ処理開始時に研削パッドを目直しでき、研削レートの低下を抑制できる。研削機９０は、１つのバッチで、所定領域の算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下であるガラス部材１１０と、所定領域の算術平均粗さＲａが１．５μｍ未満であるガラス部材とを同時に研削してもよい。

なお、図示しないが、ガラス基板の製造方法は、ガラス部材１１０の第１主面１１１を第１研削機で研削することと、第１研削機で研削した第１主面１１１を第２研削機で研削することと、を有してもよい。この場合、ガラス基板の製造方法は、所望のタイミングで、ガラス部材１１０の第１主面１１１を第１研削機で研削することなく第２研削機で研削することを有してもよい。

第１研削機と第２研削機は異なるものである。例えば、第１研削機は１次研削機であって第２研削機は２次研削機である。１次研削していないガラス部材１１０を２次研削機で研削することにより、第２研削機の研削パッドを目直しできる。なお、２次研削機は、１つのバッチで、１次研削済みのガラス部材１１０と、１次研削していないガラス部材１１０とを同時に研削してもよい。

ステップＳ１０３は、ガラス基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２を研磨することを含む。第１主面２１１及び第２主面２１２は、本実施形態では不図示の両面研磨機で同時に研磨されるが、不図示の片面研磨機で順番に研磨されてもよい。ステップＳ１０３では、研磨パッドとガラス基板２１０の間に研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板２１０を研磨する。

研磨パッドとしては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、又はスウェード系研磨パッドなどが用いられる。研磨スラリーは、研磨剤と分散媒とを含む。研磨剤は、例えば酸化セリウム粒子である。分散媒は、例えば水又は有機溶剤である。第１主面２１１及び第２主面２１２は、異なる材質又は粒度の研磨剤で、複数回研磨されてもよい。

なお、ステップＳ１０３で用いられる研磨剤は、酸化セリウム粒子には限定されず、例えば、酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化チタン粒子、ダイヤモンド粒子、又は炭化珪素粒子などであってもよい。

ステップＳ１０４は、ガラス基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２の表面形状を測定することを含む。表面形状の測定には、例えば、表面が傷付かないように、非接触式の測定機が用いられる。測定機は、第１主面２１１の中央領域２１１Ａ、及び第２主面２１２の中央領域の表面形状を測定する。

ステップＳ１０５は、ステップＳ１０４の測定結果を参照し、平坦度を向上すべく、ガラス基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２を局所加工することを含む。第１主面２１１と第２主面２１２は、順番に局所加工される。その順番は、どちらが先でもよく、特に限定されない。

局所加工には、例えば、ＧＣＩＢ（Ｇａｓ Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）法、ＰＣＶＭ（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）法、磁性流体による研磨法、及び回転研磨工具による研磨から選ばれる少なくとも１つが用いられる。

ステップＳ１０６は、ガラス基板２１０の第１主面２１１及び第２主面２１２の仕上げ研磨を行うことを含む。第１主面２１１及び第２主面２１２は、本実施形態では不図示の両面研磨機で同時に研磨されるが、不図示の片面研磨機で順番に研磨されてもよい。ステップＳ１０６では、研磨パッドとガラス基板２１０の間に研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板２１０を研磨する。研磨スラリーは、研磨剤を含む。研磨剤は、例えばコロイダルシリカ粒子である。

ステップＳ１０７は、ガラス基板２１０の第２主面２１２の中央領域に、図４に示す導電膜２４０を形成することを含む。導電膜２４０は、後述するＥＵＶマスク２０１（図５参照）を露光装置の静電チャックに吸着するのに用いられる。導電膜２４０は、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）などで形成される。導電膜２４０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

ステップＳ１０８は、ガラス基板２１０の第１主面２１１の中央領域２１１Ａに、図４に示す多層反射膜２２０を形成することを含む。多層反射膜２２０は、ＥＵＶを反射する。多層反射膜２２０は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層したものである。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）で形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）で形成される。多層反射膜２２０の成膜方法としては、例えばイオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法などのスパッタリング法が用いられる。

ステップＳ１０９は、ステップＳ１０８で形成された多層反射膜２２０の上に、図４に示す吸収膜２３０を形成することを含む。吸収膜２３０は、ＥＵＶを吸収する。吸収膜２３０は、位相シフト膜であってもよく、ＥＵＶの位相をシフトさせてもよい。吸収膜２３０は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などで形成される。吸収膜２３０の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

なお、ステップＳ１０８～Ｓ１０９は、本実施形態ではステップＳ１０７の後に実施されるが、ステップＳ１０７の前に実施されてもよい。

上記ステップＳ１０１～Ｓ１０９により、図４に示すＥＵＶマスクブランク２００が得られる。ＥＵＶマスクブランク２００は、導電膜２４０と、ガラス基板２１０と、多層反射膜２２０と、吸収膜２３０とをこの順番で有する。なお、ＥＵＶマスクブランク２００は、導電膜２４０と、ガラス基板２１０と、多層反射膜２２０と、吸収膜２３０とに加えて、別の膜を含んでもよい。

例えば、ＥＵＶマスクブランク２００は、更に、低反射膜を含んでもよい。低反射膜は、吸収膜２３０上に形成される。その後、低反射膜と吸収膜２３０の両方に、開口パターン２３１が形成される。低反射膜は、開口パターン２３１の検査に用いられ、検査光に対して吸収膜２３０よりも低反射特性を有する。低反射膜は、例えばＴａＯＮまたはＴａＯなどで形成される。低反射膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

また、ＥＵＶマスクブランク２００は、更に、保護膜を含んでもよい。保護膜は、多層反射膜２２０と吸収膜２３０との間に形成される。保護膜は、吸収膜２３０に開口パターン２３１を形成すべく吸収膜２３０をエッチングする際に、多層反射膜２２０がエッチングされないように、多層反射膜２２０を保護する。保護膜は、例えばＲｕ、Ｓｉ、またはＴｉＯ_２などで形成される。保護膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。

図５に示すＥＵＶマスク２０１は、吸収膜２３０に開口パターン２３１を形成することで得られる。開口パターン２３１の形成には、フォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられる。従って、開口パターン２３１の形成に用いられるレジスト膜が、ＥＵＶマスクブランク２００に含まれてもよい。

以上、本開示に係るＥＵＶマスクブランク用ガラス部材、その製造方法およびＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の製造方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１１０ ガラス部材
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面

Claims (8)

1. 第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面を有する、ＥＵＶマスクブランク用ガラス部材であって、
   少なくとも前記第１主面の所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向の粗さ曲線において、算術平均粗さＲａが１．５μｍ以上５．０μｍ以下である、ＥＵＶマスクブランク用ガラス部材。
2. 前記所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向の粗さ曲線において、スキューネスＲｓｋが０．０よりも大きい、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材。
3. 前記所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向の粗さ曲線において、クルトシスＲｋｕが３．０未満である、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材。
4. 前記所定領域は、算術平均粗さＲａが最大となる方向の粗さ曲線において、平均要素長ＲＳｍが２００μｍ～５００μｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材。
5. 前記所定領域は、前記第１主面の外周部である、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材。
6. ガラスブロックをワイヤーソーでスライスすることで、請求項１～５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材を得ることを有する、ＥＵＶマスクブランク用ガラス部材の製造方法。
7. 請求項１～５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材の前記第１主面を研削することで、ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を得ることを有する、ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
8. 請求項１～５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材の前記第１主面を第１研削機で研削することと、前記第１研削機で研削した前記第１主面を第２研削機で研削することと、を有し、
   さらに請求項１～５のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用ガラス部材の前記第１主面を前記第１研削機で研削することなく前記第２研削機で研削することを有する、ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の製造方法。

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