TW202232230A - Euvl用玻璃基板、及euvl用光罩基底 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm的技術。 本發明之EUVL用玻璃基板具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面。當以(x，y，z(x，y))表示上述第1主表面中除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標時，作為使用說明書中之式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差未達10.0 nm。

Description

EUVL用玻璃基板、及EUVL用光罩基底
本發明係關於一種EUVL(Extreme Ultra-Violet Lithography，極紫外微影術)用玻璃基板、及EUVL用光罩基底。
自先前以來，製造半導體元件時會用到光微影技術。於光微影技術中，藉由曝光裝置向光罩之電路圖案照射光，將該電路圖案縮小並轉印至光阻膜。
最近，為了能夠實現微細之電路圖案之轉印，正在研究使用短波長之曝光之光，例如ArF準分子雷射光、進而EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線)光等。
此處，所謂EUV(極紫外線)係指包含軟X射線及真空紫外線在內的具體而言波長為0.2 nm～100 nm左右之光。目前，主要研究的是13.5 nm左右之波長之EUV。
EUVL用光罩係藉由在EUVL用光罩基底上形成電路圖案而獲得。
EUVL用光罩基底具有玻璃基板、形成於玻璃基板之第1主表面之導電膜、以及形成於玻璃基板之第2主表面之EUV反射膜及EUV吸收膜。EUV反射膜及EUV吸收膜係依序形成。
EUV反射膜反射EUV。EUV吸收膜吸收EUV。作為電路圖案之開口圖案形成於EUV吸收膜。導電膜吸附於曝光裝置之靜電吸盤。
為了提高電路圖案之轉印精度，需要EUVL用光罩基底具有較高之平坦度。該平坦度主要由EUVL用玻璃基板之平坦度決定。因此，亦需要EUVL用玻璃基板具有較高之平坦度。
專利文獻1中所記載之EUVL用光罩基底於導電膜之與玻璃基板為相反側之主表面具有中央區域及外周區域。中央區域係除包圍該中央區域之矩形框狀之外周區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域。於中央區域中，勒讓德(Legendre)多項式之次數為3以上25以下之成分之平坦度為20 nm以下。
又，於專利文獻2中所記載之EUVL用光罩基底中，合成表面形狀與假想表面形狀之差分資料之計算區域內的最高高度與最低高度之差為25 nm以下。計算區域係直徑104 mm之圓之內側區域。合成表面形狀係藉由將多層反射膜之表面形狀與導電膜之表面形狀合成而獲得。假想表面形狀係由以極座標系統呈現之澤尼克(Zernike)多項式來定義。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6229807號公報 [專利文獻2]日本專利第6033987號公報
[發明所欲解決之問題]
如上所述，ELVL用玻璃基板被要求具有較高之平坦度。因此，於EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域，一般會依序實施研磨、局部加工、及精研磨。局部加工之方法例如為GCIB(Gas Cluster Ion Beam，氣體團簇離子束)法、或PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining，電漿化學蒸發加工)法等。
於精研磨中，一面使EUVL用玻璃基板及壓盤分別旋轉，一面將EUVL用玻璃基板壓抵於壓盤。EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域係大致以其中心為中心呈軸對稱地進行精研磨，並未實現完全軸對稱之精研磨，故在精研磨後包含軸對稱之成分、及其剩餘之變形成分。
變形成分包含鞍形狀之成分。該鞍形狀之成分係藉由精研磨而產生。相比於勒讓德多項式，以澤尼克多項式來呈現該鞍形狀之成分為佳。原因在於，澤尼克多項式不同於勒讓德多項式，其係以極座標來呈現，適合於排除掉軸對稱之成分。
然而，澤尼克多項式與勒讓德多項式不同，僅可呈現出圓形區域。EUVL用玻璃基板之主表面為矩形，其中央區域亦為矩形，而矩形之四角無法以澤尼克多項式呈現出來。因此，先前一直無法準確地掌握精研磨中所產生之變形成分。
結果，先前難以將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm。
本發明之一態樣提供一種技術，能將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之EUVL用玻璃基板具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面。當以(x，y，z(x，y))表示上述第1主表面中除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標時，作為使用下述式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差未達10.0 nm。
[數1]
Figure 02_image003
於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，能夠將EUVL用玻璃基板之主表面之中央區域之平坦度抑制為未達10.0 nm。
以下，參照附圖對用以實施本發明之形態進行說明。對於各附圖中相同或對應之構成，有時會標註相同之符號並省略說明。於說明書中，表示數值範圍之「～」之含義為，將其前後所記載之數值作為下限值及上限值包含在內。
如圖1所示，EUVL用光罩基底之製造方法具有步驟S1～S7。使用圖2及圖3所示之EUVL用玻璃基板2，製造圖4所示之EUVL用光罩基底1。以下，亦將EUVL用光罩基底1簡稱為光罩基底1。又，亦將EUVL用玻璃基板2簡稱為玻璃基板2。
如圖2及圖3所示，玻璃基板2包含第1主表面21、及與第1主表面21朝向相反之第2主表面22。第1主表面21為矩形狀。於本說明書中，所謂矩形狀，包括對角實施了倒角加工之形狀。又，矩形包括正方形。第2主表面22與第1主表面21為相反朝向。第2主表面22亦與第1主表面21同樣為矩形狀。
又，玻璃基板2包含4個端面23、4個第1倒角面24、及4個第2倒角面25。端面23相對於第1主表面21及第2主表面22垂直。第1倒角面24形成於第1主表面21與端面23之交界。第2倒角面25形成於第2主表面22與端面23之交界。第1倒角面24及第2倒角面25於本實施方式中係所謂之C倒角面，但亦可為R倒角面。
玻璃基板2之玻璃較佳為含有TiO 2之石英玻璃。石英玻璃與一般之鈉鈣玻璃相比，線膨脹係數較小，溫度變化所導致之尺寸變化較小。石英玻璃可包含80質量%～95質量%之SiO 2、4質量%～17質量%之TiO 2。當TiO 2含量為4質量%～17質量%時，室溫附近下之線膨脹係數大約為零，基本不會發生室溫附近下之尺寸變化。石英玻璃亦可包含除SiO 2及TiO 2以外之第三成分或雜質。
俯視下玻璃基板2之尺寸例如為縱152 mm、橫152 mm。縱尺寸及橫尺寸亦可為152 mm以上。
玻璃基板2於第1主表面21具有中央區域27及周緣區域28。中央區域27係除包圍該中央區域27之矩形框狀之周緣區域28以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域，且係藉由步驟S1～S4而被加工為所需平坦度之區域。中央區域27之4條邊與4個端面23平行。中央區域27之中心與第1主表面21之中心一致。
再者，雖未圖示，但玻璃基板2之第2主表面22亦與第1主表面21同樣具有中央區域及周緣區域。第2主表面22之中央區域與第1主表面21之中央區域同樣為縱142 mm、橫142 mm之正方形區域，且係藉由圖1之步驟S1～S4而被加工為所需平坦度之區域。
首先，於步驟S1中，對玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22進行研磨。第1主表面21及第2主表面22於本實施方式中係由下述之雙面研磨機9同時研磨，但亦可利用未圖示之單面研磨機依序研磨。於步驟S1中，一面對研磨墊與玻璃基板2之間供給研磨漿料，一面研磨玻璃基板2。
研磨墊例如可使用胺基甲酸酯系研磨墊、不織布系研磨墊、或麂皮系研磨墊等。研磨漿料包含研磨劑及分散介質。研磨劑例如為氧化鈰粒子。分散介質例如為水或有機溶劑。第1主表面21及第2主表面22亦可利用不同材質或粒度之研磨劑進行複數次研磨。
再者，於步驟S1中使用之研磨劑並不限定於氧化鈰粒子。例如，於步驟S1中使用之研磨劑亦可為氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鋯粒子、氧化鈦粒子、金剛石粒子、或碳化矽粒子等。
其次，於步驟S2中，測定玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22之表面形狀。表面形狀之測定時可使用例如雷射干擾式等非接觸式測定機，以避免表面受傷。測定機測定第1主表面21之中央區域27、及第2主表面22之中央區域之表面形狀。
其次，於步驟S3中，參照步驟S2之測定結果，對玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22進行局部加工以提高平坦度。第1主表面21及第2主表面22依序進行局部加工。該順序不分先後，不受特別限定。局部加工之方法例如為GCIB法或PCVM法。局部加工之方法亦可為利用磁性流體之研磨法或利用旋轉研磨工具之研磨法等。
其次，於步驟S4中，進行玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22之精研磨。第1主表面21及第2主表面22於本實施方式中由下述之雙面研磨機9同時研磨，但亦可利用未圖示之單面研磨機依序研磨。於步驟S4中，一面對研磨墊與玻璃基板2之間供給研磨漿料，一面研磨玻璃基板2。研磨漿料包含研磨劑。研磨劑例如為膠體氧化矽粒子。
其次，於步驟S5中，在玻璃基板2之第1主表面21之中央區域27形成圖4所示之導電膜5。導電膜5用於將EUVL用光罩吸附於曝光裝置之靜電吸盤。導電膜5例如由氮化鉻(CrN)等形成。導電膜5之成膜方法例如使用濺鍍法。
其次，於步驟S6中，在玻璃基板2之第2主表面22之中央區域形成圖4所示之EUV反射膜3。EUV反射膜3反射EUV。EUV反射膜3例如可為將高折射率層與低折射率層交替積層而成之多層反射膜。高折射率層例如由矽(Si)形成，低折射率層例如由鉬(Mo)形成。EUV反射膜3之成膜方法例如使用離子束濺鍍法、磁控濺鍍法等濺鍍法。
最後，於步驟S7中，在步驟S6中所形成之EUV反射膜3之上形成圖4所示之EUV吸收膜4。EUV吸收膜4吸收EUV。EUV吸收膜4例如由包含選自鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈀(Pd)中之至少1種元素之單金屬、合金、氮化物、氧化物、氮氧化物等形成。EUV吸收膜4之成膜方法例如使用濺鍍法。
再者，步驟S6～S7於本實施方式中係於步驟S5之後實施，但亦可於步驟S5之前實施。
藉由上述步驟S1～S7，獲得圖4所示之光罩基底1。光罩基底1具有第1主表面11、及與第1主表面11朝向相反之第2主表面12，從第1主表面11之側向第2主表面12之側，依序具有導電膜5、玻璃基板2、EUV反射膜3、及EUV吸收膜4。
雖未圖示，但光罩基底1係與玻璃基板2同樣於第1主表面11具有中央區域及周緣區域。中央區域係除包圍該中央區域之矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域。又，光罩基底1係與玻璃基板2同樣，於第2主表面12亦具有中央區域及周緣區域。中央區域係除包圍該中央區域之矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形區域。
再者，光罩基底1可在導電膜5、玻璃基板2、EUV反射膜3、及EUV吸收膜4之外，還包含其他膜。
例如，光罩基底1亦可進而包含低反射膜。低反射膜形成於EUV吸收膜4上。其後，於低反射膜與EUV吸收膜4之兩者形成電路圖案41。低反射膜用於電路圖案41之檢查，對於檢查光具有較EUV吸收膜4低之反射特性。低反射膜例如由TaON或TaO等形成。低反射膜之成膜方法例如使用濺鍍法。
又，光罩基底1亦可進而包含保護膜。保護膜形成於EUV反射膜3與EUV吸收膜4之間。當為了在EUV吸收膜4形成電路圖案41而對EUV吸收膜4進行蝕刻時，保護膜會對EUV反射膜3加以保護以免EUV反射膜3被蝕刻。保護膜例如由Ru、Si、或TiO 2等形成。保護膜之成膜方法例如使用濺鍍法。
如圖5所示，EUVL用光罩係在EUV吸收膜4形成電路圖案41而獲得。電路圖案41為開口圖案，於其形成時使用光微影法及蝕刻法。因此，用於形成電路圖案41之光阻膜可包含於光罩基底1中。
且說對於光罩基底1要求較高之平坦度，以提高電路圖案41之轉印精度。該平坦度主要由玻璃基板2之平坦度決定。因此，對玻璃基板2亦要求高度之之平坦度。
因此，對於玻璃基板2，如上所述依序實施研磨(步驟S1)、局部加工(步驟S3)、及精研磨(步驟S4)。於精研磨中，一面使玻璃基板2及壓盤分別旋轉，一面將玻璃基板2壓抵於壓盤。於精研磨中，例如使用圖6所示之雙面研磨機9。
雙面研磨機9具有下壓盤91、上壓盤92、載具93、太陽齒輪94、及內齒輪95。下壓盤91水平配置，於下壓盤91之上表面貼附有下研磨墊96。上壓盤92水平配置，於上壓盤92之下表面貼附有上研磨墊97。載具93將玻璃基板2水平保持於下壓盤91與上壓盤92之間。各載具93係一次保持一塊玻璃基板2，但亦可一次保持複數塊。載具93配置於太陽齒輪94之徑向外側，且配置於內齒輪95之徑向內側。載具93於太陽齒輪94之周圍隔開間隔地配置複數個。太陽齒輪94與內齒輪95呈同心圓狀配置，與載具93之外周齒輪93a嚙合。
雙面研磨機9例如為四向方式，下壓盤91、上壓盤92、太陽齒輪94、及內齒輪95以同一鉛直之旋轉中心線為中心進行旋轉。下壓盤91與上壓盤92向逆向旋轉，同時將下研磨墊96壓抵於玻璃基板2之下表面，且將上研磨墊97壓抵於玻璃基板2之上表面。又，下壓盤91及上壓盤92中之至少1者對玻璃基板2供給研磨漿料。研磨漿料被供給至玻璃基板2與下研磨墊96之間，對玻璃基板2之下表面進行研磨。又，研磨漿料被供給至玻璃基板2與上研磨墊97之間，對玻璃基板2之上表面進行研磨。
例如，下壓盤91、太陽齒輪94、及內齒輪95於俯視下向相同方向旋轉。其等之旋轉方向係與上壓盤92之旋轉方向相反之方向。載具93於公轉之同時自轉。載具93之公轉方向係與太陽齒輪94及內齒輪95之旋轉方向相同之方向。另一方面，載具93之自轉方向係由太陽齒輪94之轉數與節圓直徑之積、以及內齒輪95之轉數與節圓直徑之積的大小決定。當內齒輪95之轉數與節圓直徑之積大於太陽齒輪94之轉數與節圓直徑之積時，載具93之自轉方向與載具93之公轉方向成為相同方向。另一方面，當內齒輪95之轉數與節圓直徑之積小於太陽齒輪94之轉數與節圓直徑之積時，載具93之自轉方向與載具93之公轉方向成為逆向。
藉由雙面研磨機9，玻璃基板2之第1主表面21及第2主表面22大致以各自之中心為中心呈軸對稱地精研磨。第1主表面21與第2主表面22傾向於以玻璃基板2之板厚方向中心面為基準呈面對稱地研磨。第1主表面21與第2主表面22傾向於均被研磨成凸曲面或均被研磨成凹曲面。再者，於精研磨中，亦可如上所述，使用未圖示之單面研磨機。
於圖7示出精研磨後之第1主表面21之中央區域27的高度分佈之一例。此處，示出傾斜修正後之高度分佈。圖7所示之中央區域27係中心之高度高於四角之高度之凸曲面。圖7中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。再者，由於精研磨後之第2主表面22之中央區域之高度分佈為與圖7之高度分佈相同之分佈，因此省略圖示。
圖7所示之高度分佈係利用Corning Tropel公司製造之UltraFlat200Mask而測定。此處，為了排除重力之影響，將玻璃基板2大致垂直地豎起，以玻璃基板2之第1主表面21與第2主表面22之兩者不接觸載台等其他構件接觸之方式支持玻璃基板2，而測定高度分佈。
由圖7可知，精研磨後之第1主表面21之中央區域27並非完全之軸對稱，而包含軸對稱之成分及其剩餘之變形成分。變形成分如圖11所示包含鞍形狀之成分，詳情於下文敍述。該鞍形狀之成分係由精研磨所產生。
相較於勒讓德多項式，以澤尼克多項式來呈現該鞍形狀之成分為佳。其原因在於，澤尼克多項式與勒讓德多項式不同，其係以極座標來呈現，適合於排除掉軸對稱之成分。
然而，澤尼克多項式與勒讓德多項式不同，僅可呈現出圓形區域。中央區域27為矩形，而矩形之四角無法以澤尼克多項式呈現出來。因此，先前一直無法準確地掌握因精研磨產生之變形成分。
因此，於本實施方式中，將縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域27之點的座標以(x，y，z(x，y))表示，使用下述式(1)～(3)來掌握變形成分。
[數2]
Figure 02_image005
於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
圖8中表示設定於中央區域27之複數點之配置之一例。於圖8中，X軸方向為橫向，Y軸方向為縱向。作為X軸與Y軸之交點之原點為中央區域27之中心。
根據圖8明確可知，式(1)之z1(x，y)係以原點為中心呈二次對稱之2點之高度的平均值。將作為座標(x，y，z1(x，y))之集合的面之高度分佈示於圖9。圖9中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。圖9所示之高度分佈除了軸對稱之成分以外，還包含鞍形狀之成分、及以原點為中心旋轉之四次對稱之成分。例如，該四次對稱之成分如圖9中以虛線所示般，向逆時針方向旋轉。
根據圖8明確可知，式(2)之z2(x，y)係以原點為中心呈四次對稱之4點之高度的平均值。將作為座標(x，y，z2(x，y))之集合的面之高度分佈示於圖10。圖10中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。圖10所示之高度分佈除了軸對稱之成分以外，還包含以原點為中心旋轉之四次對稱之成分。該四次對稱之成分例如係如圖10中以虛線所示般，向逆時針方向旋轉。
式(3)之z3(x，y)係式(1)之z1(x，y)與式(2)之z2(x，y)之差分。將作為座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之高度分佈示於圖11。圖11中表示高度之數值之單位為nm，數值越大，則高度越高。圖11所示之高度分佈係圖9所示之高度分佈與圖10所示之高度分佈的差分，主要包含鞍形狀之成分。根據圖11明確可知，鞍形狀之成分係以原點為中心旋轉之二次對稱之成分。
本發明者藉由實驗等發現，只要作為座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差Δz3(Δz3≧0)未達10.0 nm，便能夠將中央區域27之平坦度PV(PV≧0)抑制為未達10.0 nm。
於本發明中，所謂中央區域27之平坦度PV，係指從中央區域27之高度分佈之所有成分中去除由二次函數表示之成分後的剩餘成分之最大高低差。二次函數係由下述式(4)表示。
[數3]
Figure 02_image007
於上述式(4)中，a、b、c、d、e、f係以z fit(x，y)與z(x，y)之差之平方之和變得最小之方式決定之常數，且係藉由最小平方法求出之常數。
二次函數之成分係於曝光裝置中能夠自動修正之成分。因此，二次函數之成分不會對電路圖案41之轉印精度造成影響。因此，二次函數之成分於求出中央區域27之平坦度PV時從中央區域27之高度分佈的所有成分中去除。
本發明者為了將Δz3抑制為未達10.0 nm，首先，預先對另一玻璃基板2實施步驟S1～S4之處理，並使用下述式(5)算出精研磨前後之中央區域27之各點的高度之差z dif(x，y)。繼而，使用下述式(6)算出z 2_dif(x，y)。
[數4]
Figure 02_image009
於上述式(5)中，z after(x，y)係精研磨後之座標(x，y)之高度，z before(x，y)係局部加工後且精研磨前之座標(x，y)之高度。z after(x，y)與z before(x，y)之差分為z dif(x，y)，因此z dif(x，y)表示精研磨之研磨量之分佈。
上述式(6)之z 2_dif(x，y)係以原點為中心呈二次對稱之2點之平均值。因此，上述式(6)之z 2_dif(x，y)係上述變形成分中之二次對稱之成分，相當於上述式(3)之z3(x，y)。
本發明者發現，只要使用預先算出之z 2_dif(x，y)來修正局部加工(步驟S3)下之中央區域27之各點之目標高度，便能夠將Δz3抑制為未達10.0 nm。其結果為，能夠得到PV未達10.0 nm之玻璃基板2。
此處，修正後之目標高度係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標高度與預先算出之z 2_dif(x，y)的差而求得。換言之，修正後之目標加工量係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標加工量與預先算出之z 2_dif(x，y)的和而求得。該等修正所使用之z 2_dif(x，y)較佳為複數塊玻璃基板2之平均值。z 2_dif(x，y)之平均值係在精研磨之各處理條件(例如研磨劑之種類、研磨墊之種類、研磨壓力、及轉數等)下求得。
要想在精研磨後減少如圖11所示之鞍形狀成分，有效的是使精研磨中之載具93之自轉之轉數相對於下壓盤91之轉數的比率變大。該比率較佳為20%～40%，更佳為25%～35%。藉由載具93之自轉之高速化，能夠將Δz3抑制為7.0 nm以下，能夠將PV抑制為未達8.0 nm。
再者，於藉由載具93之自轉之高速化來減少鞍形狀之成分之情形時，局部加工中之目標高度或目標加工量之修正中，代替上述式(6)之z 2_dif(x，y)而使用下述式(7)之z 4_dif(x，y)。
[數5]
Figure 02_image011
上述式(7)之z 4_dif(x，y)係四次對稱之4點之平均值。若代替作為二次對稱之2點之平均值之z 2_dif(x，y)而使用作為4點之平均值之z 4_dif(x，y)，則能夠增加採樣數，從而能夠降低誤差。
再者，作為四次對稱之4點之平均值之z 4_dif(x，y)不包含如圖11所示之鞍形狀之成分，但並不存在問題。其原因在於，只要使載具93之自轉高速化，則會減少如圖11所示之鞍形狀之成分。
於載具93之自轉之轉數較大之情形時，修正後之目標高度係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標高度與預先算出之z 4_dif(x，y)的差而求得。換言之，修正後之目標加工量係根據基於步驟S2之測定結果所設定之目標加工量與預先算出之z 4_dif(x，y)的和而求得。該等修正所使用之z 4_dif(x，y)較佳為複數塊玻璃基板2之平均值。z 4_dif(x，y)之平均值係在精研磨之各處理條件(例如研磨劑之種類、研磨墊之種類、研磨壓力、及轉數等)下求得。
以上，對玻璃基板2之第1主表面21之中央區域27進行了說明，但玻璃基板2之第2主表面22之中央區域亦同樣如此。第2主表面22之中央區域亦係只要將Δz3抑制為未達10.0 nm，便能夠將PV抑制為未達10.0 nm。
又，根據玻璃基板2之第1主表面21之平坦度，決定了光罩基底1之第1主表面11之平坦度。因此，第1主表面11之中央區域亦係只要將Δz3抑制為未達10.0 nm，便能夠將PV抑制為15.0 nm以下，較佳為未達10.0 nm。
進而，根據玻璃基板2之第2主表面22之平坦度，決定了光罩基底1之第2主表面12之平坦度。因此，第2主表面12之中央區域亦係只要將Δz3抑制為未達10.0 nm，便能夠將PV抑制為15.0 nm以下，較佳為未達10.0 nm。 [實施例]
例1～例7中，除下述條件以外，均在相同條件下實施圖1所示之步驟S1～S4，而製作玻璃基板2，對其第1主表面21之中央區域27測定Δz3及PV。再者，於例1～例3中，在精研磨中將載具93之自轉之轉數相對於下壓盤91之轉數的比率控制為30%，且使用預先求出之z 4_dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度。又，於例4中，在精研磨中將載具93之自轉之轉數相對於下壓盤91之轉數的比率控制為10%，且使用預先求出之z 2_dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度。另一方面，於例5～例7中，在精研磨中將載具93之自轉之轉數相對於下壓盤91之轉數的比率控制為10%，且不使用預先求出之z 2_dif(x，y)之平均值而使用步驟S2之測定結果來設定局部加工之目標高度。例1～例4為實施例，例5～例7為比較例。將結果示於表1。
[表1]
   例1 例2 例3 例4 例5 例6 例7
∆z3(nm) 3.3 5.1 6.5 8.6 10.0 12.4 15.5
PV(nm) 7.7 7.4 7.9 8.9 10.3 12.1 14.1
根據表1明確可知，例1～例3中係在精研磨中使載具高速自轉，且使用預先求出之z 4_dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度，因此能夠將Δz3抑制為7.0 nm以下，能夠將PV抑制為未達8.0 nm。又，例4中係在精研磨中使載具低速自轉，且使用預先求出之z 2_dif(x，y)之平均值來修正局部加工之目標高度，因此能夠將Δz3抑制為未達10.0 nm，能夠將PV抑制為未達10.0 nm。另一方面，例5～例7中係在精研磨中使載具低速自轉，且不使用預先求出之z 2_dif(x，y)之平均值而使用步驟S2之測定結果來設定局部加工之目標高度，因此Δz3變為10.0 nm以上，PV變為10.0 nm以上。
其次，使用除例5以外之例1～例4、例6及例7之玻璃基板2來製作EUVL用光罩基底1。首先，於玻璃基板2之第1主表面21(已測定過Δz3及PV之面)，利用離子束濺鍍法形成100 nm之CrN膜作為導電膜。其次，於玻璃基板2之第2主表面22，利用離子束濺鍍法形成多層反射膜(EUV反射膜)。多層反射膜係將約4 nm之Si膜與約3 nm之Mo膜交替積層40週期之後，最後積層約4 nm之Si膜而成者。繼而，作為保護膜係於多層反射膜之上利用濺鍍法成膜2.5 nm之Ru膜。繼而，作為作為吸收膜(EUV吸收膜)係於保護膜之上利用濺鍍法成膜75 nm之TaN膜及5 nm之TaON膜。如此，獲得依序具有導電膜5、玻璃基板2、EUV反射膜3、及EUV吸收膜4之EUVL用光罩基底1。
對使用例1～例4、例6及例7之玻璃基板2製作之EUVL用光罩基底1之第1主表面11(導電膜5側之面)之中央區域測定Δz3及PV。將結果示於表2。
[表2]
   例1 例2 例3 例4 例5 例6 例7
玻璃基板 第1主表面 ∆z3(nm) 3.3 5.1 6.5 8.6 10.0 12.4 15.5
PV(nm) 7.7 7.4 7.9 8.9 10.3 12.1 14.1
光罩基底 第1主表面 ∆z3(nm) 5.9 6.7 7.4 8.5 - 11.0 13.6
PV(nm) 14.3 14.1 14.3 14.8 - 16.3 17.3
如表2所示，於例1～例4中，關於EUVL用光罩基底1之第1主表面11之中央區域，能夠將Δz3抑制為未達10.0 nm，能夠將PV抑制為15.0 nm以下。於例6、例7中，關於EUVL用光罩基底1之第1主表面11之中央區域，Δz3變為10.0 nm以上，PV變得大於15.0 nm。
以上，對本發明之EUVL用玻璃基板及EUVL用光罩基底進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式等。於申請專利範圍中所記載之範疇內，可進行各種變更、修正、置換、添加、刪除、及組合。其等當然亦屬於本發明之技術範圍。
1:EUVL用光罩基底 2:玻璃基板 3:EUV反射膜 4:EUV吸收膜 5:導電膜 9:雙面研磨機 11:第1主表面 12:第2主表面 21:第1主表面 22:第2主表面 23:端面 24:第1倒角面 25:第2倒角面 27:中央區域 28:周緣區域 41:電路圖案 91:下壓盤 92:上壓盤 93:載具 93a:外周齒輪 94:太陽齒輪 95:內齒輪 96:下研磨墊 97:上研磨墊
圖1係表示一實施方式之EUVL用光罩基底之製造方法之流程圖。 圖2係表示一實施方式之EUVL用玻璃基板之剖視圖。 圖3係表示一實施方式之EUVL用玻璃基板之俯視圖。 圖4係表示一實施方式之EUVL用光罩基底之剖視圖。 圖5係表示EUVL用光罩之一例之剖視圖。 圖6係表示雙面研磨機之一例之立體圖，且係將雙面研磨機之一部分斷裂表示之立體圖。 圖7係表示精研磨後之第1主表面之中央區域之高度分佈之一例的圖。 圖8係表示設定於中央區域之複數個點之配置之一例的俯視圖。 圖9係表示從圖7之高度分佈中使用式(1)提取之成分之高度分佈的圖。 圖10係表示從圖7之高度分佈中使用式(2)提取之成分之高度分佈的圖。 圖11係表示從圖7之高度分佈中使用式(3)提取之成分之高度分佈的圖。
2:玻璃基板
21:第1主表面
23:端面
24:第1倒角面
27:中央區域
28:周緣區域

Claims (4)

  1. 一種EUVL用玻璃基板，其具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，且 當以(x，y，z(x，y))表示上述第1主表面中除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標時，作為使用下述式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差未達10.0 nm； [數1]
    Figure 03_image013
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
  2. 一種EUVL用玻璃基板，其具有供形成導電膜之矩形之第1主表面、及供依序形成EUV反射膜與EUV吸收膜且與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，且 當以(x，y，z(x，y))表示上述第2主表面中除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標時，作為使用下述式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差未達10.0 nm； [數2]
    Figure 03_image015
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
  3. 一種EUVL用光罩基底，其具有矩形之第1主表面、及與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，從上述第1主表面之側到上述第2主表面之側，依序具有導電膜、玻璃基板、EUV反射膜、及EUV吸收膜； 當以(x，y，z(x，y))表示上述第1主表面中除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標時，作為使用下述式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差未達10.0 nm； [數3]
    Figure 03_image017
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
  4. 一種EUVL用光罩基底，其具有矩形之第1主表面、及與上述第1主表面朝向相反之矩形之第2主表面，從上述第1主表面之側到上述第2主表面之側，依序具有導電膜、玻璃基板、EUV反射膜、及EUV吸收膜； 當以(x，y，z(x，y))表示上述第2主表面中除其矩形框狀之周緣區域以外的縱142 mm、橫142 mm之正方形之中央區域之點之座標時，作為使用下述式(1)～(3)算出之座標(x，y，z3(x，y))之集合的面之最大高低差未達10.0 nm； [數4]
    Figure 03_image019
    於上述座標(x，y，z(x，y))中，x表示橫向之座標，y表示縱向之座標，z表示高度方向之座標，橫向、縱向及高度方向相互垂直。
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