JP6613856B2

JP6613856B2 - Ｅｕｖ用マスクブランク用のガラス基板、ｅｕｖ用マスクブランクの製造方法、およびｅｕｖ用フォトマスクの製造方法

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Publication number: JP6613856B2
Application number: JP2015237984A
Authority: JP
Inventors: 佑介平林; 和章白茂
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2015-12-04
Filing date: 2015-12-04
Publication date: 2019-12-04
Anticipated expiration: 2035-12-04
Also published as: JP2017102411A

Description

本発明は、マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスクに関する。

マスクブランクは、ガラス基板と、ガラス基板の主面に形成される膜とを有する。膜の数は１つ以上であればよく、複数の膜が重ねて形成されてもよい。少なくとも１つの膜に開口パターンが形成されることで、フォトマスクが得られる。フォトマスクの開口パターンの歪みが許容範囲に収まるように、ガラス基板の主面には高い平坦度が求められている。

ガラス基板の主面の平坦度は、平坦度測定装置によって測定される。平坦度測定装置は、重力による主面の歪みを低減するため、主面を直立させた状態で、主面の平坦度を測定する。このとき、平坦度測定装置は、ガラス基板の互いに平行な２つの側面を保持する。

特許文献１には、２つの側面の平行度が０．０１ｍｍ／インチ以下であれば、当該２つの側面が平坦度測定装置によって保持された際にガラス基板の局所的な変形が防止でき、主面の平坦度が高い測定精度で測定できると記載されている。

特許第５６４０７４４号公報

マスクブランク用のガラス基板は、２つの略矩形状の主面と、４つの側面と、８つの傾斜面とを有する。各側面は、２つの主面に対し略垂直とされる。各傾斜面は、いずれか１つの主面といずれか１つの側面との境界部に形成され、面取などによって形成される。

平坦度測定装置は、主面を直立させた状態で主面の平坦度を測定する際に、傾斜面を保持することがある。傾斜面が平坦度測定装置に保持されることで、ガラス基板が歪み、主面の平坦度の測定精度が低下することがあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、平坦度測定装置によって傾斜面を保持する場合に、主面の平坦度の測定精度を向上できる、マスクブランク用のガラス基板の提供を主な目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
互いに略平行とされる２つの主面と、
互いに略平行とされ且つ２つの前記主面に対し略垂直とされる２つの側面と、
それぞれ、いずれか１つの前記主面に対し鈍角に交わり、いずれか１つの前記主面といずれか１つの前記側面とをつなぐ略平坦な４つの傾斜面とを有し、
各前記傾斜面は、それぞれの長手方向に平行な中心線を有し、
２つの前記側面に対し略垂直な方向から見たとき、片側の前記側面に隣接する任意の１つの前記傾斜面の中心線と、反対側の前記側面に隣接する任意の１つの前記傾斜面の中心線とのなす角が０ｒａｄ以上、０．００１ｒａｄ以下である、マスクブランク用のガラス基板が提供される。

本発明の一態様によれば、平坦度測定装置によって傾斜面を保持する場合に、主面の平坦度の測定精度を向上できる、マスクブランク用のガラス基板が提供される。

一実施形態によるガラス基板を片側から見た図である。図１のガラス基板を反対側から見た図である。図１のIII−III線に沿ったガラス基板の断面図である。図３のガラス基板の平坦度測定時の状態を示す断面図である。一実施形態による反射型のマスクブランクを示す図である。一実施形態による反射型のフォトマスクを示す図である。一実施形態による透過型のマスクブランクを示す図である。一実施形態による透過型のフォトマスクを示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。

本明細書において、ガラス基板の２つの面が略平行であるとは、当該２つの面の平行度が３．９４×１０^−４以下であることを意味する。２つの面の平行度は、一方の面の最小二乗平面と他方の面の最小二乗平面とのなす角度θ１（°）の正接ｔａｎ（θ１）の絶対値で表す。

また、本明細書において、ガラス基板の２つの面が略垂直であるとは、当該２つの面の直角度が３．９４×１０^−４以下であることを意味する。２つの面の直角度は、一方の面の最小二乗平面と他方の面の最小二乗平面とのなす角度θ２（°）から９０°を減じた角度（θ２-９０）の正接ｔａｎ（θ２-９０）の絶対値で表す。

ここで、最小二乗平面とは、対象の面のｎ（ｎは３以上の任意の自然数）個の点の空間座標の測定値を最小二乗法により近似した平面である。ｎ個の点は、下記の条件を満たす３点を含めばよい。３点を頂点とする三角形の面積が０．３×Ｓ以上である。ここで、Ｓは対象の面の面積を表す。

平行度や直角度は、市販の三次元座標測定機によって測定でき、例えば株式会社ミツトヨ製超高精度ＣＮＣ三次元測定機ＬＥＧＥＸ５７４によって測定できる。

図１は、一実施形態によるガラス基板を片側から見た図である。図２は、図１のガラス基板を反対側から見た図である。図３は、図１のIII−III線に沿ったガラス基板の断面図である。図１〜図３において、Ｚ軸方向はガラス基板１０の２つの主面１２ａ、１２ｂに対し略垂直な方向、Ｙ軸方向はガラス基板１０の２つの側面１４ａ、１４ｂに対し略垂直な方向、Ｘ軸方向はガラス基板１０の残りの２つの側面１４ｃ、１４ｄに対し略垂直な方向である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向は、互いに垂直な方向である。後述の図４において同様である。

ガラス基板１０は、マスクブランク用である。マスクブランクは、ガラス基板１０とガラス基板１０の主面に形成される膜とを有する。膜の数は１つ以上であればよく、複数の膜が重ねて形成されてもよい。少なくとも１つの膜に開口パターンが形成されることで、フォトマスクが得られる。

ガラス基板１０のガラスは、ＳｉＯ_２を９０質量％以上含む石英ガラスが好ましい。石英ガラスに占めるＳｉＯ_２含有量の上限値は、１００質量％である。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。

石英ガラスは、ＳｉＯ_２の他に、ＴｉＯ_２含んでよい。石英ガラスは、ＳｉＯ_２を９０〜９５質量％、ＴｉＯ_２を５〜１０質量％含んでよい。ＴｉＯ_２含有量が５〜１０質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。

石英ガラスは、ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２以外の微量成分を含んでもよいが、微量成分を含まないことが好ましい。

ガラス基板１０は、例えば図１〜図３に示すように、２つの主面１２ａ、１２ｂと、４つの側面１４ａ〜１４ｄと、８つの傾斜面１６ａ〜１６ｈとを有する。尚、ガラス基板１０は、８つの傾斜面１６ａ〜１６ｈのうち後述の平坦度測定装置２０によって保持される４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄを有していればよく、残り４つの傾斜面１６ｅ〜１６ｈを有していなくてもよい。

２つの主面１２ａ、１２ｂは、図３に示すように互いに略平行とされる。各主面１２ａ、１２ｂは、図１、図２に示すように略矩形状に形成される。各主面１２ａ、１２ｂの４隅は、図１、図２に示すように面取りされていてもよいが、面取りされていなくてもよい。

２つの側面１４ａ、１４ｂは、図３に示すように、互いに略平行とされ且つ２つの主面１２ａ、１２ｂに対し略垂直とされる。同様に、残り２つの側面１４ｃ、１４ｄは、互いに略平行とされ且つ２つの主面１２ａ、１２ｂに対し略垂直とされる。

８つの傾斜面１６ａ〜１６ｈは、それぞれ、２つの主面１２ａ、１２ｂのいずれか１つに対し鈍角に交わり、２つの主面１２ａ、１２ｂのいずれか１つと４つの側面１４ａ〜１４ｄのいずれか１つとをつなぐ。互いに交わる傾斜面と主面との傾斜角は、特に限定されないが、例えば２０°〜７０°である。傾斜角は、互いに交わる傾斜面と主面とが平行な場合を０°、互いに交わる傾斜面と主面とが垂直な場合を９０°とする。

各傾斜面１６ａ〜１６ｈは、例えば面取加工によって形成され、略平坦とされる。各傾斜面が略平坦であるということは、後述する傾斜面の中央部の平坦度が１０μｍ以下であればよい。各傾斜面１６ａ〜１６ｈは、略台形の形状を有する。

ここで、台形の中央部とは、台形のうち、長手方向に平行な２辺の夫々からその直交方向（以下、幅方向とも呼ぶ）に所定距離Ｌ以内の部分と、長手方向に斜めの２辺の夫々から長手方向に１０ｍｍ以内の部分とを除いた、残りの台形部分を意味する。台形の中央部の幅方向の寸法が０．２ｍｍになるように、上記所定距離Ｌ（ｍｍ）が決められる。具体的には、台形の幅をＷ（ｍｍ）とすると、Ｌは「Ｌ＝（Ｗ−０．２）／２」の式を用いて算出される。

平坦度とは、基準平面から最も高い位置と基準平面から最も低い位置との高低差の大きさのことである。基準平面には、平坦度を測定する傾斜面の中央部を最小二乗法により近似した平面を用いる。

尚、本実施形態の各傾斜面１６ａ〜１６ｈは、面取加工によって形成されるが、溶融ガラスを板状に成形する成形時に形成されてもよい。

図４は、図３のガラス基板の平坦度測定時の状態を示す断面図である。平坦度測定装置２０は、２つの主面１２ａ、１２ｂの少なくとも一方の平坦度を測定する。平坦度を測定する主面を、以下、単に「測定面」とも呼ぶ。

平坦度測定装置２０は、重力による測定面の歪みを低減するため、測定面を直立させた状態で、測定を行う。測定面は、２つの主面１２ａ、１２ｂのうち、開口パターンが形成される膜などを形成する主面である。

平坦度測定装置２０は、８つの傾斜面１６ａ〜１６ｈのうちの、４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄを保持する。保持される２つの傾斜面１６ａ、１６ｂは片側の側面１４ａを挟んで隣り合い、保持される残り２つの傾斜面１６ｃ、１６ｄは反対側の側面１４ｂを挟んで隣り合う。

平坦度測定装置２０は、片側の２つの傾斜面１６ａ、１６ｂを同時に保持する保持具２２ａと、反対側の２つの傾斜面１６ｃ、１６ｄを同時に保持する保持具２２ｂとを有する。各保持具２２ａ、２２ｂは、断面形状が略Ｖ字状の溝を有し、当該溝を形成する２つの側面によって２つの傾斜面を同時に保持する。

各保持具２２ａ、２２ｂは、図４では側面１４ａ、１４ｂを保持しないが、側面１４ａ、１４ｂを保持してもよい。各保持具２２ａ、２２ｂの数は、１つ以上であればよく、複数でもよい。例えば、片側の側面１４ａの長手方向に間隔をおいて複数の保持具２２ａが配列されてもよい。

平坦度測定装置２０によって保持される４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄは、それぞれ、図１、図２に示すようにそれぞれの長手方向に平行な中心線ＣＬａ〜ＣＬｄを有する。４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄに対応して４本の中心線ＣＬａ〜ＣＬｄが設定される。中心線（例えば中心線ＣＬａ）は、当該中心線を設定する傾斜面（例えば傾斜面１６ａ）の長手方向一端部における幅方向中点と、当該中心線を設定する傾斜面の長手方向他端部における幅方向中点とを結ぶ直線である。

所定方向から見たときの２本の中心線（例えば２本の中心線ＣＬａ、ＣＬｃ）のなす角は、一方の中心線を平行移動させ、両方の中心線の端点同士を重ね合せて測定する。２本の中心線のなす角は、２本の中心線が平行な場合を０ｒａｄ、２本の中心線が垂直な場合をπ／２ｒａｄとする。

本実施形態では、Ｙ軸方向から見たとき、片側の側面１４ａに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線と、反対側の側面１４ｂに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角が０．００１ｒａｄ以下である。つまり、Ｙ軸方向から見たとき、一方の保持具２２ａが保持する任意の１つの傾斜面の中心線と、他方の保持具２２ｂが保持する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角が０．００１ｒａｄ以下である。換言すれば、Ｙ軸方向から見たとき、（１）２本の中心線ＣＬａ、ＣＬｃのなす角α_ａｃ、（２）２本の中心線ＣＬａ、ＣＬｄのなす角α_ａｄ、（３）２本の中心線ＣＬｂ、ＣＬｃのなす角α_ｂｃ、および（４）２本の中心線ＣＬｂ、ＣＬｄのなす角α_ｂｄのうちの最大値をα_ｍａｘとすると、α_ｍａｘが０．００１ｒａｄ以下である。この場合、Ｙ軸周りの捩じれが低減できる。よって、ガラス基板１０を安定的に保持でき、主面１２ａの平坦度の測定精度を向上できる。α_ｍａｘは好ましくは０．０００５ｒａｄ以下である。

また、本実施形態では、Ｚ軸方向から見たとき、片側の側面１４ａに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線と、反対側の側面１４ｂに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角が０．００１ｒａｄ以下である。つまり、Ｚ軸方向から見たとき、一方の保持具２２ａが保持する任意の１つの傾斜面の中心線と、他方の保持具２２ｂが保持する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角が０．００１ｒａｄ以下である。換言すれば、Ｚ軸方向から見たとき、（１）２本の中心線ＣＬａ、ＣＬｃのなす角β_ａｃ、（２）２本の中心線ＣＬａ、ＣＬｄのなす角β_ａｄ、（３）２本の中心線ＣＬｂ、ＣＬｃのなす角β_ｂｃ、および（４）２本の中心線ＣＬｂ、ＣＬｄのなす角β_ｂｄのうちの最大値をβ_ｍａｘとすると、β_ｍａｘが０．００１ｒａｄ以下である。この場合、平坦度測定装置２０によって保持される４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄのそれぞれにおいて保持力がＸ軸方向に均等になり、ガラス基板１０の座屈が抑制できる。よって、ガラス基板１０を安定的に保持でき、主面１２ａの平坦度の測定精度を向上できる。β_ｍａｘは好ましくは０．０００５ｒａｄ以下である。

尚、本実施形態の平坦度測定装置２０は、８つの傾斜面１６ａ〜１６ｈのうちの、４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄを保持するが、残りの４つの傾斜面１６ｅ〜１６ｈを保持することも可能である。保持位置の変更が可能になるように、保持されない４つの傾斜面１６ｅ〜１６ｈも、保持される４つの傾斜面１６ａ〜１６ｄと同程度の中心線を有することが好ましい。

具体的には、Ｘ軸方向から見たとき、片側の側面１４ｃに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線と、反対側の側面１４ｄに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角は、好ましくは０．００１ｒａｄ以下、より好ましくは０．０００５ｒａｄ以下である。つまり、Ｘ軸方向から見たとき、一方の保持具２２ａが保持する任意の１つの傾斜面の中心線と、他方の保持具２２ｂが保持する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角は、好ましくは０．００１ｒａｄ以下、より好ましくは０．０００５ｒａｄ以下である。

また、Ｚ軸方向から見たとき、片側の側面１４ｃに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線と、反対側の側面１４ｄに隣接する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角は、好ましくは０．００１ｒａｄ以下、より好ましくは０．０００５ｒａｄ以下である。つまり、Ｚ軸方向から見たとき、一方の保持具２２ａが保持する任意の１つの傾斜面の中心線と、他方の保持具２２ｂが保持する任意の１つの傾斜面の中心線とのなす角は、好ましくは０．００１ｒａｄ以下、より好ましくは０．０００５ｒａｄ以下である。

図５は、一実施形態による反射型のマスクブランクを示す図である。反射型のマスクブランクは、図１などに示すガラス基板１０、反射膜３０、および吸収膜４０をこの順で有する。

ガラス基板１０は、反射膜３０および吸収膜４０を支持する。反射膜３０および吸収膜４０は、この順で、ガラス基板１０の２つの主面１２ａ、１２ｂの一方に形成される。

反射膜３０は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）などの光を反射する。反射膜３０は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜であってよい。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）により形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成される。

吸収膜４０は、光を吸収する。吸収膜４０は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などにより形成される。

吸収膜４０は、開口パターンが形成される膜である。開口パターンの形成には例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられ、その際に用いられるレジスト膜がマスクブランクに含まれてもよい。吸収膜４０に開口パターンを形成することにより、反射型のフォトマスクが得られる。

図６は、一実施形態による反射型のフォトマスクを示す図である。図６に示す反射型のフォトマスクは、図５に示す反射型のマスクブランクの吸収膜４０に開口パターン４０ａを形成することで得られる。得られた反射型のフォトマスクは、例えばＥＵＶ光源の露光機に搭載される。

尚、反射型のマスクブランクおよび反射型のフォトマスクは、反射膜３０、および吸収膜４０以外の膜をさらに有してもよい。例えば、反射膜３０と吸収膜４０との間に、吸収膜４０のエッチングから反射膜３０を保護する保護膜（例えばＲｕ、Ｓｉ、ＴｉＯ_２など）が形成されてもよい。また、吸収膜４０を基準として反射膜３０とは反対側に、吸収膜４０の開口パターン４０ａの検査光に対し低反射特性を有する低反射膜（例えばＴａＯＮやＴａＯなど）が形成されてもよい。また、ガラス基板１０を基準として反射膜３０とは反対側に、導電膜（例えばＣｒＮなど）が形成されてもよい。

本実施形態によれば、ガラス基板１０の主面の平坦度の測定精度を向上できるため、平坦度の高いガラス基板１０を確実に選定することができ、反射型のフォトマスクの開口パターンの歪みを抑制できる。

図７は、一実施形態による透過型のマスクブランクを示す図である。透過型のマスクブランクは、図１などに示す研磨後のガラス基板１０、および遮光膜５０を有する。

ガラス基板１０は、遮光膜５０を支持する。遮光膜５０は、ガラス基板１０の２つの主面の１２ａ、１２ｂの一方に形成される。

遮光膜５０は、光を遮光する。遮光膜５０は、例えばクロム（Ｃｒ）などにより形成される。

遮光膜５０は、開口パターンが形成される膜である。開口パターンの形成には例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられ、その際に用いられるレジスト膜がマスクブランクに含まれてもよい。遮光膜５０に開口パターンを形成することにより、透過型のフォトマスクが得られる。

図８は、一実施形態による透過型のフォトマスクを示す図である。図８に示す透過型のフォトマスクは、図７に示す透過型のマスクブランクの遮光膜５０に開口パターン５０ａを形成することで得られる。得られた透過型のフォトマスクは、例えばＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、または水銀ランプなどを光源とする露光機に搭載される。

尚、透過型のマスクブランクおよび透過型のフォトマスクは、遮光膜５０の代わりに、ハーフトーン型の位相シフト膜を有してもよい。位相シフト膜は、フォトマスクを透過する光に位相差を与えることにより、透過光同士の干渉を利用して解像度を向上させる。

本実施形態によれば、ガラス基板１０の主面の平坦度の測定精度を向上できるため、平坦度の高いガラス基板１０を確実に選定することができ、透過型のフォトマスクの開口パターンの歪みを抑制できる。

試験例１〜１０では、表１に示すα_ｍａｘ、β_ｍａｘを有するガラス基板を用意し、同じ測定条件で各ガラス基板の主表面の平坦度を１０回繰り返し測定し、１０回の測定値の標準偏差σ、および１０回の測定値に外れ値が存在するか否かをガラス基板ごとに調べた。用意した１０個のガラス基板は、縦寸法、横寸法、および板厚寸法が同じものであった。試験例１〜７が実施例、試験例８〜１０が比較例である。

平坦度は、フジノン社製の平坦度測定装置により測定した。この平坦度測定装置は、測定の度に、下記（１）〜（５）の動作をこの順で行った。（１）水平に寝かせたガラス基板を２つの保持具で挟んで保持した。（２）図４に示すようにガラス基板を鉛直に立てらせた。（３）ガラス基板の一方の主表面の平坦度を測定した。（４）ガラス基板を再度水平に寝かせた。（５）ガラス基板の保持を解除した。

外れ値が存在するか否かは、測定値の数が比較的少ないため、ロバスト推定の考え方に基づき、以下の手順で調べた。
手順１：１０個の測定値を昇順に並べ、４〜７番目の平均値を母集団の平均値の推定値μ_ｒとした。
手順２：１０個の測定値のそれぞれからμ_rを引き算した値の絶対値を昇順に並べ、４〜７番目の平均値を０．６７５で除した値を母集団の標準偏差の推定値σ_rとした。
手順３：１０個の測定値のうち、下限値（μ_ｒ−２．５×σ_ｒ）よりも小さい値、および上限値（μ_ｒ+２．５×σ_ｒ）よりも大きい値を外れ値とした。

試験の結果を表１に示す。１０回の測定値の中に外れ値がなく、１０回の測定値の標準偏差σが小さいほど、ガラス基板の保持が安定しており、１回の測定で信頼性の高いデータが得られることを表している。平坦度の測定は、工場でのガラス基板の製造時には、製造効率を高めるため、通常１回のみ行われる。そのため、１回の測定で信頼性の高いデータが得られることが重要である。

表１から明らかなように、試験例１〜７によれば、α_ｍａｘが０．００１ｒａｄ以下であるので、外れ値が発生せず、標準偏差σも小さく、１回の測定で信頼性の高いデータが得られることが分かる。１回の測定で信頼性の高いデータが得られる理由は、Ｙ軸周りの捩じれが抑制でき、ガラス基板の保持が安定しているためである。特に、試験例１〜５によれば、α_ｍａｘが０．００１ｒａｄ以下であって、且つ、β_ｍａｘが０．００１ｒａｄ以下であるので、標準偏差σが４ｎｍよりも小さく、１回の測定で特に信頼性の高いデータが得られることが分かる。一方、試験例８〜１０によれば、α_ｍａｘが０．００１ｒａｄを超えるので、外れ値が発生し、標準偏差σは大きくなり、１回の測定で信頼性の高いデータが得られないことが分かる。

以上、マスクブランク用のガラス基板の実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

１０ガラス基板
１２ａ、１２ｂ主面
１４ａ〜１４ｄ側面
１６ａ〜１６ｈ傾斜面
２０平坦度測定装置
２２ａ、２２ｂ保持具
３０反射膜
４０吸収膜
４０ａ開口パターン
５０遮光膜
５０ａ開口パターン

Claims

互いに略平行とされる２つの主面と、
互いに略平行とされ且つ２つの前記主面に対し略垂直とされる２つの側面と、
それぞれ、いずれか１つの前記主面に対し鈍角に交わり、いずれか１つの前記主面といずれか１つの前記側面とをつなぐ略平坦な４つの傾斜面とを有し、
各前記傾斜面は、それぞれの長手方向に平行な中心線を有し、
２つの前記側面に対し略垂直な方向から見たとき、片側の前記側面に隣接する任意の１つの前記傾斜面の中心線と、反対側の前記側面に隣接する任意の１つの前記傾斜面の中心線とのなす角が０ｒａｄ以上、０．００１ｒａｄ以下である、ＥＵＶ用マスクブランク用のガラス基板。
２つの前記主面に対し略垂直な方向から見たとき、片側の前記側面に隣接する任意の１つの前記傾斜面の中心線と、反対側の前記側面に隣接する任意の１つの前記傾斜面の中心線とのなす角が０ｒａｄ以上、０．００１ｒａｄ以下である、請求項１に記載のＥＵＶ用マスクブランク用のガラス基板。
請求項１または２に記載のガラス基板に、開口パターンが形成される膜を形成することを有する、ＥＵＶ用マスクブランクの製造方法。
前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を形成することを有する、請求項３に記載のＥＵＶ用マスクブランクの製造方法。
請求項１または２に記載のガラス基板に、開口パターンを有する膜を形成することを有する、ＥＵＶ用フォトマスクの製造方法。
前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記ガラス基板との間に、前記光を反射する反射膜を形成することを有する、請求項５に記載のＥＵＶ用フォトマスクの製造方法。