JP2016090873A

JP2016090873A - マスクブランクスの製造方法

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Publication number: JP2016090873A
Application number: JP2014226742A
Authority: JP
Inventors: 有造岡村; Yuzo OKAMURA; 佑介平林; Yusuke Hirabayashi
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2014-11-07
Filing date: 2014-11-07
Publication date: 2016-05-23

Abstract

【課題】マスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板と前記基板に成膜される膜とを有するマスクブランクスの製造方法において、前記膜の成膜前に前記基板の成膜面の面形状を測定する基板形状測定工程と、前記成膜面に前記膜を成膜する成膜工程と、前記膜における前記基板とは反対面の面形状を測定する膜形状測定工程と、前記基板形状測定工程により測定した前記基板の面形状の特徴と、前記膜形状測定工程により測定した前記膜の面形状の特徴とを比較する検査工程とを有する、マスクブランクスの製造方法。
【選択図】図３

Description

本発明は、マスクブランクスの製造方法に関する。

マスクブランクスは、基板と基板に成膜される膜とを有する（例えば特許文献１参照）。例えば反射型のマスクブランクスは、基板、反射膜、および吸収膜をこの順で有する。反射膜はＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）などの露光光を反射し、吸収膜は露光光を吸収する。一方、透過型のマスクブランクスは、基板、および遮光膜を有する。遮光膜は露光光を遮る。遮光膜の代わりに、ハーフトーン型の位相シフト膜が形成されることもある。

マスクブランクスの製造方法は、基板の成膜面を研磨する研磨工程、および基板の成膜面に膜を成膜する成膜工程を有する。成膜工程において成膜された膜をパターン加工することによりフォトマスクが得られる。フォトマスクは露光機に搭載され、フォトマスクのパターンがレジスト膜に転写される。

従来より、マスクブランクスの管理または識別を目的として、マスクブランクスにエリアコードや記号をマーキングする技術が知られていた。これらの例として、光学式読み取りタイプのエリアコードがガラス基板の端面や裏面に形成された金属膜に設けられているマスクブランクス（例えば、特許文献２参照）や、ガラス基板側面（端面）のつや消し部分に、所定の記号がマーキングされたマスクブランクスが知られている（例えば、特許文献３参照）。

特開２０１３−０７４１９４号公報特開２００２−１１６５３３号公報特開昭５９−１５９３８号公報

基板に識別情報（例えば文字や記号、図形）が付されない場合、マスクブランクスの製造工程の途中で基板の取り違えが生じることがあった。

また、基板に識別情報が付される場合、マスクブランクスの製造工程の途中で識別情報が読み取れなくなることがあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板が正確に識別できる、マスクブランクスの製造方法の提供を主な目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
基板と前記基板に成膜される膜とを有するマスクブランクスの製造方法において、
前記膜の成膜前に前記基板の成膜面の面形状を測定する基板形状測定工程と、
前記成膜面に前記膜を成膜する成膜工程と、
前記膜における前記基板とは反対面の面形状を測定する膜形状測定工程と、
前記基板形状測定工程により測定した前記基板の面形状の特徴と、前記膜形状測定工程により測定した前記膜の面形状の特徴とを比較する検査工程とを有する、マスクブランクスの製造方法が提供される。

本発明の一態様によれば、基板が正確に識別できる、マスクブランクスの製造方法が提供される。

本発明の一実施形態による反射型のマスクブランクスを示す図である。本発明の一実施形態による透過型のマスクブランクスを示す図である。本発明の一実施形態によるマスクブランクスの製造方法を示すフローチャートである。（ｋ，ｌ）の組合せが（０，０）、（１，０）、（２，０）、（４，０）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面を示す図である。（ｎ，ｍ）の組合せが（０，０）、（１，１）、（２，０）、（４，０）のゼルニケ多項式によって表される面を示す図である。第１変形例によるマスクブランクスの製造方法を示すフローチャートである。第２変形例によるマスクブランクスの製造方法を示すフローチャートである。試験例１によるガラス基板の成膜面のｚ（ｒ，θ）を示す図である。図８のｚ（ｒ，θ）から、所定のゼルニケ多項式とその係数Ａ_ｎｍとの積の総和（但し、（ｎ，ｍ）の組合せは（０，０）、（１，１）、（１，−１）、（２，０）、および（４，０））を引いた関数を示す図である。試験例１によるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるガラス基板とは反対面のｚ（ｒ，θ）を示す図である。図１０のｚ（ｒ，θ）から、所定のゼルニケ多項式とその係数Ａ_ｎｍとの積の総和（但し、（ｎ，ｍ）の組合せは（０，０）、（１，１）、（１，−１）、（２，０）、および（４，０））を引いた関数を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。本明細書において、数値範囲を表す「〜」はその前後の数値を含む範囲を意味する。

図１は、本発明の一実施形態による反射型のマスクブランクスを示す図である。反射型のマスクブランクス１０は、基板１１、反射膜１２、および吸収膜１３をこの順で有する。

基板１１は、反射膜１２および吸収膜１３を支持する。基板１１は、透明でも不透明でもよく、ガラス、金属、半導体などで形成される。基板１１は、熱膨張係数の小さい石英ガラスまたはチタンドープ石英ガラスで形成されることが好ましい。

反射膜１２は、ＥＵＶなどの露光光を反射する。反射膜１２は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜であってよい。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）により形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成される。

吸収膜１３は、露光光を吸収する。吸収膜１３は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などにより形成される。

吸収膜１３に開口パターンを形成することにより、反射型のフォトマスクが得られる。開口パターンの形成には例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられ、その際に用いられるレジスト膜がマスクブランクスに含まれてもよい。得られた反射型のフォトマスクは、例えばＥＵＶ光源の露光機に搭載される。

尚、反射型のマスクブランクス１０は、反射膜１２、および吸収膜１３以外の膜をさらに有してもよい。例えば、反射膜１２と吸収膜１３との間に、吸収膜１３のエッチングから反射膜１２を保護する保護膜（例えばＲｕ、Ｓｉ、ＴｉＯ_２など）が形成されてもよい。また、吸収膜１３を基準として反射膜１２とは反対側に、吸収膜１３の開口パターンの検査光に対し低反射特性を有する低反射膜（例えばＴａＯＮやＴａＯなど）が形成されてもよい。また、基板１１を基準として反射膜１２とは反対側に、導電膜（例えばＣｒＮなど）が形成されてもよい。

図２は、本発明の一実施形態による透過型のマスクブランクスを示す図である。透過型のマスクブランクス２０は、基板２１、および遮光膜２２を有する。

基板２１は、遮光膜２２を支持する。基板２１は、透明であり、例えばガラスで形成される。基板２１は、熱膨張係数が小さく、かつ露光光に対する透過率が高い石英ガラスで形成されることが好ましい。

遮光膜２２は、露光光を遮光する。遮光膜２２は、例えばクロム（Ｃｒ）などにより形成される。

遮光膜２２に開口パターンを形成することにより、透過型のフォトマスクが得られる。開口パターンの形成には例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられ、その際に用いられるレジスト膜がマスクブランクスに含まれてもよい。得られた透過型のフォトマスクは、例えばＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、または水銀ランプなどを光源とする露光機に搭載される。

尚、透過型のマスクブランクス２０は、遮光膜２２の代わりに、ハーフトーン型の位相シフト膜を有してもよい。位相シフト膜は、フォトマスクを透過する光に位相差を与えることにより、透過光同士の干渉を利用して解像度を向上させる。

図３は、本発明の一実施形態によるマスクブランクスの製造方法を示すフローチャートである。マスクブランクスの製造方法は、研磨工程Ｓ１１、基板形状測定工程Ｓ１３、成膜工程Ｓ１５、膜形状測定工程Ｓ１７、および検査工程Ｓ１９を有する。

研磨工程Ｓ１１では、基板１１、２１の成膜面１１ａ、２１ａを研磨する。研磨には、片面研磨機、両面研磨機のいずれを用いてもよいし、その双方を用いてもよい。

基板１１、２１の成膜面１１ａ、２１ａの面形状は、基板１１、２１毎に僅かに異なり、基板１１、２１毎に固有のものである。

基板形状測定工程Ｓ１３では、基板１１、２１の成膜面１１ａ、２１ａの面形状を測定する。面形状の測定には、レーザー干渉式の平坦度計（例えばＺｙｇｏ社製Ｖｅｒｉｆｉｒｅ、ＭａｒｋＩＶや、フジノン社製Ｇ３１０Ｓ、Ｔｒｏｐｅｌ社製ＦｌａｔＭａｓｔｅｒなど）やレーザー変位計、超音波変位計、接触式変位計などが用いられる。

成膜工程Ｓ１５では、基板１１、２１の成膜面１１ａ、２１ａに膜を成膜する。膜としては、例えば図１に示す反射膜１２や吸収膜１３、図２に示す遮光膜２２が挙げられる。膜の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリングやイオンビームスパッタリングなどが挙げられる。

膜形状測定工程Ｓ１７では、反射膜１２や吸収膜１３、遮光膜２２における基板とは反対面１２ａ、１３ａ、２２ａの面形状を測定する。面形状の測定には、レーザー干渉式の平坦度計（例えばＺｙｇｏ社製Ｖｅｒｉｆｉｒｅ、ＭａｒｋＩＶや、フジノン社製Ｇ３１０Ｓ、Ｔｒｏｐｅｌ社製ＦｌａｔＭａｓｔｅｒなど）やレーザー変位計、超音波変位計、接触式変位計などが用いられる。尚、反射膜１２の面形状を測定する場合は、吸収膜１３の成膜前に行われる。

検査工程Ｓ１９では、基板形状測定工程Ｓ１３により測定した基板の面形状の特徴と、膜形状測定工程Ｓ１７により測定した膜の面形状の特徴とを比較する。膜の面形状の特徴は、当該膜が成膜される基板の面形状の特徴と対応する。そのため、これらの特徴を比較することにより、基板の識別が可能である。よって、例えば下記（Ａ）、（Ｂ）の効果が得られる。

（Ａ）基板に識別情報（例えば文字や記号、図形）が付されない場合、複数の基板がまとめて一のカセットに収容されることなどにより生じうる基板の取り違えが検知できる。尚、識別情報が付されない場合、識別情報を付す加工工程がない分、コストや手間が削減できる。また、識別情報が付されない場合、識別情報が付される場合に生じうる発塵が防止できる。

（Ｂ）基板に識別情報が付される場合、基板の成膜面の面形状と識別情報とが対応付けて記録媒体（例えば電子媒体、紙など）に記録されていれば、識別情報の読み取りが困難になったとき、検査工程Ｓ１９の結果に基づいて識別情報が再交付できる。尚、識別情報としての図形は、バーコード、ＱＲコード（登録商標）などを含む。

ところで、膜における基板とは反対面の面形状は、成膜面の面形状を反映したものであるが、膜の内部応力による歪みの成分を有することがある。この歪みの成分は、基板の中心を頂点とする凸曲面または凹曲面になりやすい。

そこで、検査工程Ｓ１９では、膜の内部応力による歪みの影響を低減するため、膜形状測定工程Ｓ１７により測定した膜の面形状をルジャンドル多項式およびゼルニケ多項式の少なくとも一方により表し、膜の面形状の特徴を抽出する。

ルジャンドル多項式は、下記式（１）〜（２）で表される。ルジャンドル多項式を用いる場合、膜の面形状ｚ（ｘ，ｙ）は下記式（３）で表される。

式（１）〜（３）において、（ｘ，ｙ）は直交座標を表す。ｋは０以上の自然数、ｌは０以上の自然数である。また、Ｎ_１、Ｎ_２は２以上の自然数である。Ｎ_１、Ｎ_２が大きいほど、複雑な面形状が表せるが、計算が煩雑になる。膜の面形状を成分分解する際には、Ｎ_１、Ｎ_２は５〜９とすれば十分である。ａ_ｋｌは、ルジャンドル多項式の係数である。ルジャンドル多項式は直交多項式であるため、ａ_ｋｌは周知の式により簡単に算出できる。

図４は、（ｋ，ｌ）の組合せが（０，０）、（１，０）、（２，０）、（４，０）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面を示す図である。図４において、実線は（ｋ，ｌ）の組合せが（０，０）の場合を、破線は（ｋ，ｌ）の組合せが（１，０）の場合を、１点鎖線は（ｋ，ｌ）の組合せが（２，０）の場合を、２点鎖線は（ｋ，ｌ）の組合せが（４，０）の場合をそれぞれ示す。

図４に実線で示すように、（ｋ，ｌ）の組合せが（０，０）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面は、直交座標を設定した平面に対して平行なオフセット面である。

図４に破線で示すように、（ｋ，ｌ）の組合せが（１，０）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面は、直交座標を設定した平面に対して傾斜した平面である。尚、（ｋ，ｌ）の組合せが（０，１）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面も同様に直交座標を設定した平面に対して傾斜した平面である。

図４に１点鎖線で示すように、（ｋ，ｌ）の組合せが（２，０）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面は、断面形状が２次曲線の柱面である。尚、（ｋ，ｌ）の組合せが（０，２）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面も同様に断面形状が２次曲線の柱面である。

図４に２点鎖線で示すように、（ｋ，ｌ）の組合せが（４，０）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面は、断面形状が４次曲線の柱面である。尚、（ｋ，ｌ）の組合せが（０，４）のＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）によって表される面も同様に断面形状が４次曲線の柱面である。

検査工程Ｓ１９では、ｚ（ｘ，ｙ）から所定のａ_ｋｌＰ_ｋ（ｘ）Ｐ_ｌ（ｙ）を引いたものから特徴を抽出する。これにより、膜の内部応力による歪みの影響が低減でき、基板の識別精度が向上できる。ここで、ｚ（ｘ，ｙ）から除かれる（ｋ，ｌ）の組合せは、少なくとも（０，０）、（０，１）、（１，０）、（０，２）、および（２，０）を含み、（４，０）や（０，４）をさらに含んでもよい。（ｋ，ｌ）の組合せのうち、ｋおよびｌの一方がゼロであり他方が偶数である全ての組合せのルジャンドル多項式は、ｚ（ｘ，ｙ）から除かれることが好ましい。

ゼルニケ多項式は、下記式（４）〜（５）で表される。ゼルニケ多項式を用いる場合、膜の面形状ｚ（ｒ，θ）は下記式（６）で表される。

式（４）〜（６）において、（ｒ，θ）は極座標を表す。ｎは０以上の自然数であり、ｎが偶数の場合にはｍは−ｎから＋ｎまでの範囲の偶数のみであり、ｎが奇数の場合にはｍは−ｎから＋ｎまでの範囲の奇数のみである。また、Ｎ_３は２以上の自然数である。Ｎ_３が大きいほど、複雑な面形状が表せるが、計算が煩雑になる。そこで、Ｎ_３は６とすることが好ましい。Ａ_ｎｍは、ゼルニケ多項式の係数である。ゼルニケ多項式は直交多項式であるため、Ａ_ｎｍは周知の式により求めることができる。

図５は、（ｎ，ｍ）の組合せが（０，０）、（１，１）、（２，０）、（４，０）のゼルニケ多項式によって表される面を示す図である。図５において、実線は（ｎ，ｍ）の組合せが（０，０）の場合を、破線は（ｎ，ｍ）の組合せが（１，１）の場合を、１点鎖線は（ｎ，ｍ）の組合せが（２，０）の場合を、２点鎖線は（ｎ，ｍ）の組合せが（４，０）の場合をそれぞれ示す。

図５に実線で示すように、（ｎ，ｍ）の組合せが（０，０）のゼルニケ多項式によって表される面は、極座標を設定した平面に対して平行なオフセット面である。

図５に破線で示すように、（ｎ，ｍ）の組合せが（１，１）のゼルニケ多項式によって表される面は、極座標を設定した平面に対して傾斜した平面である。尚、（ｎ，ｍ）の組合せが（１，−１）のゼルニケ多項式によって表される面も同様に極座標を設定した平面に対して傾斜した平面である。

図５に１点鎖線で示すように、（ｎ，ｍ）の組合せが（２，０）のゼルニケ多項式によって表される面は曲面であり、その曲面はｚ軸に対して線対称な２次曲線をｚ軸を中心に回転させることにより得られる。

図５に２点鎖線で示すように、（ｎ，ｍ）の組合せが（４，０）のゼルニケ多項式によって表される面は曲面であり、その曲面はｚ軸に対して線対称な４次曲線をｚ軸を中心に回転させることにより得られる。

図５に実線、１点鎖線および２点鎖線で示すように、（ｎ，ｍ）の組合せのうち、ｍがゼロである組合せのゼルニケ多項式によって表される面は、ｚ軸に対して線対称な曲線をｚ軸を中心に回転させることにより得られ、ｒのみの関数で表される。

検査工程Ｓ１９では、ｚ（ｒ，θ）から、所定のゼルニケ多項式とその係数Ａ_ｎｍとの積を引いたものから特徴を抽出する。これにより、膜の内部応力による歪みの影響が低減でき、基板の識別精度が向上できる。ここで、ｚ（ｒ，θ）から除かれる（ｎ，ｍ）の組合せは、少なくとも（０，０）、（１，１）、（１，−１）、および（２，０）を含み、（４，０）や（６，０）をさらに含んでもよい。（ｎ，ｍ）の組合せのうち、ｍがゼロである全ての組合せのゼルニケ多項式は、ｚ（ｒ，θ）から除かれることが好ましい。

ところで、研磨工程Ｓ１１では研磨パッドおよび基板の少なくとも一方を回転させるため、基板の成膜面は基板の中心を頂点とする凸曲面または凹曲面となることがある。

そこで、検査工程Ｓ１９では、基板の識別精度をさらに向上させるため、基板形状測定工程Ｓ１３により測定した基板の面形状をルジャンドル多項式およびゼルニケ多項式の少なくとも一方により表し、基板の面形状の特徴を抽出してもよい。その抽出方法は、膜の面形状の特徴の抽出方法と同様であるので、説明を省略する。

検査工程Ｓ１９において比較する特徴としては、例えば基板の四隅の高低差、基板に設定されるゾーン同士の高低差などが挙げられる。ゾーンの数は特に限定されないが例えば９〜１６である。ゾーン毎に、代表的な高さまたは平均の高さが算出される。これらの特徴は、記録媒体に記録しておく。

図６は、第１変形例によるマスクブランクスの製造方法を示すフローチャートである。本変形例のマスクブランクスの製造方法は、研磨工程Ｓ１１と成膜工程Ｓ１５との間に、基板データ測定工程Ｓ１４をさらに有する。

基板データ測定工程Ｓ１４では、基板１１、２１に関するデータを測定する。ここで測定するデータとしては、例えば基板１１、２１の欠陥情報（欠陥の有無、位置、種類）などが挙げられる。

基板データ測定工程Ｓ１４は、図６では基板形状測定工程Ｓ１３の後に行われるが、その順序は逆でもよい。つまり、基板データ測定工程Ｓ１４は、基板形状測定工程Ｓ１３の前に行われてもよい。

基板データ測定工程Ｓ１４により測定した基板１１、２１のデータは、基板形状測定工程Ｓ１３により測定した基板１１、２１の面形状と対応付けて記録媒体に記録される。

また、本変形例のマスクブランクスの製造方法は、成膜工程Ｓ１５と検査工程Ｓ１９との間に、膜データ測定工程Ｓ１６をさらに有する。

膜データ測定工程Ｓ１６では、基板１１、２１に成膜される膜に関するデータを測定する。ここで測定するデータとしては、例えば膜の欠陥情報（欠陥の有無、位置、種類）、膜の光学特性などが挙げられる。

膜データ測定工程Ｓ１６は、図６では膜形状測定工程Ｓ１７の前に行われるが、その順序は逆でもよい。つまり、膜データ測定工程Ｓ１６は、膜形状測定工程Ｓ１７の後に行われてもよい。

膜データ測定工程Ｓ１６により測定した膜のデータは、膜形状測定工程Ｓ１７により測定した膜の面形状と対応付けて記録媒体に記録される。

本変形例によれば、基板の面形状と、基板のその他のデータとが対応付けて記録媒体に記録される。且つ、膜の面形状と、膜のその他のデータとが対応付けて記録媒体に記録される。よって、例えば下記（Ｃ）〜（Ｄ）の効果が得られる。

（Ｃ）基板に識別情報（例えば文字や記号、図形）が付されない場合、検査工程Ｓ１９において基板の取り違えが検知されたときに、基板の各種データと、膜の各種データとの対応付けの修正が可能である。

（Ｄ）基板に識別情報が付される場合、識別情報の読み取りが困難になったときに、検査工程Ｓ１９の結果に基づいて基板の各種データと、膜の各種データとの対応付けが可能である。

図７は、第２変形例によるマスクブランクスの製造方法を示すフローチャートである。本変形例のマスクブランクスの製造方法は、研磨工程Ｓ１１と基板形状測定工程Ｓ１３との間に、加工工程Ｓ１２をさらに有する。

加工工程Ｓ１２では、基板１１、２１の成膜面１１ａ、２１ａの面形状を局所的に修正する。これにより、成膜面１１ａ、２１ａの面形状による識別性が向上できる。

加工方法としては、イオンビームエッチング法、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）エッチング法、プラズマエッチング法、湿式エッチング法、磁性流体による研磨法、回転研磨ツールによる研磨法などが挙げられる。

イオンビームエッチング法、およびガスクラスターイオンビームエッチング法は、ビームの照射位置を変更でき、面形状の局所的な修正に適している。特に、ガスクラスターイオンビームエッチング法が好適である。ガスクラスターイオンビームエッチング法は、ガス状の原子や分子の塊（ガスクラスター）をイオン化、加速して用いる方法である。ガスクラスターのソースガスとしては、ＳＦ_６、Ａｒ、Ｏ_２、Ｎ_２、ＮＦ_３、Ｎ_２Ｏ、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_６、ＳｉＦ_４、ＣＯＦ_２などのガスを単独で、または混合して使用できる。これらの中でもＳＦ_６およびＮＦ_３が好ましい。

磁性流体による研磨法は、研磨粒子を含む磁性流体を用いる方法である。磁性流体は、例えば担体中に非コロイド磁気物質が分散された流体であり、磁界下におかれると、レオロジー特性（粘性、弾性、及び可塑性）が変化する。研磨粒子は、例えばシリカ、酸化セリウム、またはダイヤモンドからなる。

回転研磨ツールによる研磨法は、回転研磨ツールを回転させながら基板に接触させる方法である。回転研磨ツールには、研磨砥粒を含むスラリーが供給される。研磨砥粒は、例えばシリカ、酸化セリウム、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、ダイヤモンド、チタニア、またはゲルマニアなどからなる。

試験例１では、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍのガラス基板の片面全体に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を成膜した。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜は、厚さ４．５ｎｍ±０．１ｎｍのＳｉ層と、厚さ２．３ｎｍ±０．１ｎｍのＭｏ層とを交互に積層することで形成した。Ｓｉ層とＭｏ層とのペア数は４０ペアとした。ガラス基板の成膜面の面形状、およびＭｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるガラス基板とは反対面の表面品質領域（中央１４２ｍｍ角）の面形状は、それぞれ、レーザー干渉計（富士フイルム（旧フジノン）社製、Ｇ３１０Ｓ）により測定した。

図８は、試験例１によるガラス基板の成膜面のｚ（ｒ，θ）を示す図である。図９は、図８のｚ（ｒ，θ）から、所定のゼルニケ多項式とその係数Ａ_ｎｍとの積の総和（但し、（ｎ，ｍ）の組合せは（０，０）、（１，１）、（１，−１）、（２，０）、および（４，０））を引いた関数を示す図である。図１０は、試験例１によるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるガラス基板とは反対面のｚ（ｒ，θ）を示す図である。図１１は、図１０のｚ（ｒ，θ）から、所定のゼルニケ多項式とその係数Ａ_ｎｍとの積の総和（但し、（ｎ，ｍ）の組合せは（０，０）、（１，１）、（１，−１）、（２，０）、および（４，０））を引いた関数を示す図である。

図８〜図１１から明らかなように、ゼルニケ多項式を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の面形状の特徴を抽出することにより、基板の識別性が向上できることがわかる。

以上、マスクブランクスの製造方法の実施形態などについて説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

１０反射型のマスクブランクス
１１基板
１１ａ基板の成膜面
１２反射膜
１２ａ反射膜における基板とは反対面
１３吸収膜
１３ａ吸収膜における基板とは反対面
２０透過型のマスクブランクス
２１基板
２１ａ基板の成膜面
２２遮光膜
２２ａ遮光膜における基板とは反対面

Claims

基板と前記基板に成膜される膜とを有するマスクブランクスの製造方法において、
前記膜の成膜前に前記基板の成膜面の面形状を測定する基板形状測定工程と、
前記成膜面に前記膜を成膜する成膜工程と、
前記膜における前記基板とは反対面の面形状を測定する膜形状測定工程と、
前記基板形状測定工程により測定した前記基板の面形状の特徴と、前記膜形状測定工程により測定した前記膜の面形状の特徴とを比較する検査工程とを有する、マスクブランクスの製造方法。
前記検査工程では、前記膜形状測定工程により測定した前記膜の面形状をルジャンドル多項式およびゼルニケ多項式の少なくとも一方により表し、前記膜の面形状の特徴を抽出する、請求項１に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記検査工程では、前記基板形状測定工程により測定した前記基板の面形状をルジャンドル多項式およびゼルニケ多項式の少なくとも一方により表し、前記基板の面形状の特徴を抽出する、請求項１または２に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記成膜工程の前に、前記基板に関するデータを測定する基板データ測定工程と、
前記成膜工程の後に、前記膜に関するデータを測定する膜データ測定工程とを有し、
前記基板データ測定工程により測定した前記基板に関するデータは、前記基板形状測定工程により測定した前記基板の面形状と対応付けて記録媒体に記録され、
前記膜データ測定工程により測定した前記膜に関するデータは、前記膜形状測定工程により測定した前記膜の面形状と対応付けて記録媒体に記録される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記基板には識別情報が付されており、
前記基板形状測定工程により測定した前記基板の面形状は、前記識別情報と対応付けて記録媒体に記録される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記基板形状測定工程の前に、前記基板の前記成膜面の面形状を局所的に修正する加工工程をさらに有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のマスクブランクスの製造方法。