JP6586080B2 - 太陽電池モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、太陽電池モジュールおよびその製造方法に関する。
エネルギー問題や地球環境問題が深刻化する中、化石燃料にかわる代替エネルギーとして、太陽電池が注目されている。太陽電池では、半導体接合等からなる光電変換部への光照射により発生したキャリア(電子および正孔)を外部回路に取り出すことにより、発電がおこなわれる。光電変換部で発生したキャリアを効率的に外部回路へ取り出すために、太陽電池の光電変換部上に集電極が設けられたものが用いられている。
太陽電池は、ガラス基板や導電性基板上に光電変換層を堆積させた薄膜系太陽電池、および、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を用いた結晶系太陽電池に大別される。
一般に、複数の太陽電池が直列または並列に接続されてモジュール化され、実用に供される。太陽電池のモジュール化は適宜の方法により行われ、例えば、太陽電池の集電極が配線部材と電気的に接続され、隣接する太陽電池同士は、互いに接触しないように間隙部を設けて接続される。しかし、このような太陽電池モジュールでは、間隙部が発電に寄与しない領域となるため、モジュール発電効率が低下する。
特許文献1〜3では、発電に寄与しない領域の面積を小さくするために、隣接する太陽電池の周縁同士が重なるように、導電性部材を介して複数の太陽電池を積層する太陽電池モジュールの製造方法が提案されている。
特許文献1には、太陽電池の周縁同士を重ね合わせた後、割断することにより、小面積の太陽電池が複数個接続された太陽電池モジュールの製造方法が記載されている。
特許文献2には、導電性基板を有する太陽電池が、特定の導電性接着剤を用いて複数個接続された太陽電池モジュールが記載されている。特許文献2においては、ステンレス基板のようなフレキシブルな導電性基板上に、光電変換層として非晶質シリコン薄膜等が製膜された薄膜系太陽電池が用いられている。上記の方法で作製された太陽電池は、所定の大きさに割断された後、太陽電池の周縁同士が重ね合わせられる。特許文献2には、表面電極層および裏面電極層の短絡を防ぐため、太陽電池の切断部端面が絶縁材で被覆されることが記載されている。
特許文献3には、金属箔上に太陽電池素子が形成された複数の太陽電池が、端部同士が重なるように積層された太陽電池モジュールが記載されている。特許文献3においては、太陽電池の端部同士が、絶縁性部材で覆われた半田によって接合されており、これにより、接合部への応力集中を緩和し、接合部の破損等を防止できることが記載されている。特許文献3には、金属箔上に、非晶質シリコン薄膜等を製膜して太陽電池シートを作製し、所定の大きさに切断した後、太陽電池の端部同士を重ね合わせることが記載されている。
特開昭59−003980号公報 特開平6−140651号公報 特開2009−130193号公報
特許文献1〜3に記載されているように、導電性部材を介して太陽電池の周縁同士を重ね合わせることで、発電に寄与しない領域の面積を小さくでき、太陽電池モジュールの出力を向上させることが可能である。
これまでは、特許文献2および特許文献3に記載されているように、薄膜系太陽電池、特にフレキシブルな基板を有する薄膜系太陽電池を積層してモジュール化することについて検討されてきた。薄膜系太陽電池においては、できる限り大きいサイズの基板上に光電変換層を形成した後に所定のサイズに割断し、割断した太陽電池同士を積層する方法が製造効率の点から好ましく、当該方法により製造された太陽電池モジュールを改善するための方法が検討されている。
一方、結晶シリコン基板を有する結晶系太陽電池では、太陽電池の周縁同士を重ね合わせることで太陽電池モジュールを作製することは検討されてこなかった。
図18は、従来の結晶シリコン系太陽電池に使用される集電極の一例を模式的に示す平面図である。図18に示す集電極270は、発電された電流を収集するためのフィンガー電極271と、フィンガー電極271に略直交し、複数の太陽電池を電気的に接続するためのバスバー電極272とから構成されている。モジュール化の際には、バスバー電極272上に配線材を配置することで複数の太陽電池を電気的に接続し、複数の太陽電池を直列または並列に接続する。
このような集電極を有する太陽電池を用いてモジュール化する場合、フィンガー電極およびバスバー電極は遮光部となる。特に、バスバー電極はフィンガー電極に比べて幅が広いため、遮光面積が大きい。そのため、結晶系太陽電池においても、遮光面積を小さくするため、太陽電池の周縁同士が重なるように太陽電池を積層することは有効である。
そこで、本発明者らは、結晶シリコン基板を有する太陽電池を所定のサイズに割断し、割断した太陽電池同士を、導電性部材を介して積層することを試みた。しかし、上記の方法により複数の太陽電池が積層された太陽電池モジュールは、配線材を用いて複数の太陽電池が接続された従来の太陽電池モジュールと比べて、変換効率および信頼性が低いことがわかった。
本発明は、上記現状に鑑み、結晶シリコン基板を有する太陽電池を用いた太陽電池モジュールであって、所定のサイズに割断された複数の太陽電池を積層することで作製することができ、かつ、変換効率および信頼性の高い太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
本発明者らは、太陽電池を割断することで側面に割断面が形成されると、その割断面において変換効率および信頼性が低下することを突き止めた。モジュール性能低下の理由としては、結晶シリコン基板に一般的に形成されているテクスチャ構造や、当該基板を含めた光電変換部(例えば、ヘテロ接合太陽電池における半導体層等)の構造が、基板の割断によって乱れることが考えられる。本発明者らは、割断面に起因するモジュール特性の低下を抑制するため、まず、下層の太陽電池の割断面が遮光部となるように太陽電池同士を積層することを考えた。
しかし、割断面は非割断面よりも機械的強度が劣るため、下層の太陽電池の割断面が上層の太陽電池で覆われていると、太陽電池同士を積層する際やモジュール化の際に下層の太陽電池が割断面から破損してしまい、破損によって変換効率および信頼性が低下することが判明した。そのため、本発明者らは、太陽電池の割断面側の周縁上に絶縁性部材を緩衝材として設けることを考えた。
すなわち、本発明は、第一太陽電池と、第二太陽電池と、導電性部材と、絶縁性部材とを備える太陽電池モジュールに関する。第一太陽電池および第二太陽電池は、それぞれ、一導電型結晶シリコン基板を備える光電変換部と、前記光電変換部の受光面上に設けられた集電極と、前記光電変換部の裏面上に設けられた裏面電極とを備える。第一太陽電池の一導電型結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面と、裏面側の第二主面と、第一主面から第二主面に達する割断面とを有する。第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁が、第二太陽電池の裏面の周縁に重なるように、第一太陽電池と第二太陽電池とが、導電性部材を介して積層されている。第一太陽電池と第二太陽電池との積層部では、第一太陽電池の集電極と第二太陽電池の裏面電極とが導電性部材に接することで電気的に接続されている。第一太陽電池の光電変換部の受光面の割断面側の周縁のうち、集電極が設けられていない周縁上に絶縁性部材が設けられている。
第二太陽電池の一導電型結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面と、裏面側の第二主面と、第一主面から第二主面に達する非割断面とを有することが好ましい。この場合、第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁が、第二太陽電池の裏面の非割断面側の周縁に重なるように、第一太陽電池と第二太陽電池とが、導電性部材を介して積層されていることが好ましい。
一実施形態において、第一太陽電池および第二太陽電池の平面形状は、いずれも短辺および長辺を有する略長方形である。この場合、第一太陽電池の長辺が第二太陽電池の長辺に重なるように、第一太陽電池と第二太陽電池とが積層されており、第一太陽電池の集電極は、短辺方向に延在する複数のフィンガー電極を有することが好ましい。
第一太陽電池および第二太陽電池の平面形状が、いずれも短辺および長辺を有する略長方形である場合、第一太陽電池の集電極は、さらに、長辺方向に延在する1本のバスバー電極を有してもよい。第一太陽電池のバスバー電極は、第一太陽電池と第二太陽電池との積層部に設けられていることが好ましい。
一実施形態において、割断面は、一導電型結晶シリコン基板にレーザーを照射することで形成されるレーザー痕を有する。
絶縁性部材は、第一太陽電池の光電変換部の割断面側の端部より外側にも設けられていてもよい。
絶縁性部材は、第一太陽電池の集電極上にも設けられていてもよい。
絶縁性部材は、第二太陽電池の裏面電極に接してもよい。
絶縁性部材は、第一太陽電池の光電変換部の割断面側の側面上にも設けられていてもよい。この場合、絶縁性部材は、第一太陽電池の裏面上にも設けられていてもよい。
一実施形態において、第一太陽電池の光電変換部および第二太陽電池の光電変換部は、いずれも、一導電型結晶シリコン基板の一方の主面上に逆導電型シリコン系薄膜を備える。第一太陽電池の光電変換部および第二太陽電池の光電変換部は、いずれも、逆導電型シリコン系薄膜上に透明電極層を備えることが好ましい。
一実施形態において、第一太陽電池の光電変換部は、逆導電型シリコン系薄膜上に透明電極層が形成されている透明電極層形成領域と、逆導電型シリコン系薄膜上に透明電極層が形成されていない透明電極層非形成領域とを有する。絶縁性部材は、透明電極層非形成領域に設けられていることが好ましい。
絶縁性部材の厚みは、1μm以上500μm以下であることが好ましい。
本発明は、上記太陽電池モジュールの製造方法に関する。本発明の製造方法は、第一太陽電池および第二太陽電池を準備する工程、第一太陽電池の受光面に絶縁性部材を形成する工程、および、第一太陽電池と第二太陽電池とを、導電性部材を介して積層する工程を有する。絶縁性部材は、第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁のうち、集電極が設けられていない周縁上に形成される。第一太陽電池と第二太陽電池とは、第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁が、第二太陽電池の裏面の周縁に重なるように積層される。
一実施形態においては、一導電型結晶シリコン基板を備える光電変換部と、光電変換部の受光面上に設けられた集電極と、光電変換部の裏面上に設けられた裏面電極とを備える太陽電池を割断することで、第一太陽電池および第二太陽電池を作製する。
本発明によれば、結晶シリコン基板を有する太陽電池を所定のサイズに割断し、割断後の太陽電池を複数個積層することで、遮光面積の小さい太陽電池モジュールを容易に作製することができる。本発明では、下層の太陽電池の割断面が遮光部となるように太陽電池同士を積層することで、割断面に起因するモジュール特性の低下を抑制することができる。さらに、太陽電池の割断面側の周縁上に絶縁性部材を設けて太陽電池同士を積層することで、絶縁性部材が緩衝材として働き、割断面に起因する太陽電池の破損を防止することができる。その結果、モジュール変換効率および信頼性の低下を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの模式的断面図である。 一実施形態に係るヘテロ接合太陽電池の模式的断面図である。 一実施形態に係る太陽電池の受光面側の模式的平面図である。 他の実施形態に係る太陽電池の受光面側の模式的平面図である。 図1に示す太陽電池モジュールを構成する第一太陽電池および第二太陽電池を模式的に示す斜視図である。 太陽電池の周縁を説明するための模式図である。 実施形態1に係る太陽電池モジュールの製造方法の一例を示す模式図である。 実施形態1に係る太陽電池モジュールの製造方法の一例を示す模式図である。 実施形態1の模式図である。 実施形態2の模式図である。 実施形態3の模式図である。 実施形態4の模式図である。 実施形態5の模式図である。 実施形態6の模式図である。 他の実施形態に係る絶縁性部材の模式図である。 他の実施形態に係る導電性部材の模式図である。 他の実施形態に係る集電極の模式図である。 従来の結晶シリコン系太陽電池に使用される集電極の一例を模式的に示す平面図である。
[太陽電池モジュールの基本的構成および作製方法]
図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの模式的断面図である。図1に示す太陽電池モジュール200は、第一太陽電池110a、第二太陽電池110bおよび第三太陽電池110cを備える。第一太陽電池110aは、導電性部材80によって第二太陽電池110bと電気的に接続されており、第三太陽電池110cは、他の導電性部材180によって第二太陽電池110bと電気的に接続されている。これにより、複数の太陽電池が直列または並列に接続されている。第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bの周縁上には、それぞれ絶縁性部材90,190が設けられている。
太陽電池110a〜110cの受光面側には保護材201が配置されており、裏面側には保護材202が配置されている。受光面側保護材201と裏面側保護材202との間には封止材203が設けられており、封止材203により、太陽電池110a〜110cが封止されている。
太陽電池モジュールの作製においては、まず、第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bにそれぞれ絶縁性部材90,190が形成される。そして、導電性部材80を介して第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとが積層され、導電性部材180を介して第二太陽電池110bと第三太陽電池110cとが積層される。
このように積層された太陽電池110a〜110cが、封止材203を介して、受光面側保護材201および裏面側保護材202に挟持され、太陽電池モジュールが形成される。この際、図1に示すように、受光面側保護材201上に、封止材203、太陽電池110a〜110c、封止材203および裏面側保護材202を順次積層して積層体とすることが好ましい。その後、上記積層体を所定条件で加熱することにより、封止材203を硬化させることが好ましい。そして、アルミニウムフレーム(不図示)等を取り付けることで太陽電池モジュール200を作製することができる。積層体を加熱する際の条件は、温度140℃〜160℃、時間3分〜18分、圧力90kPa〜120kPaが好ましい。
受光面側保護材201は、太陽電池110a〜110cのそれぞれの受光面側に配置され、太陽電池モジュールの表面を保護することが好ましい。受光面側保護材としては、透光性および遮水性を有するガラス、透光性プラスチック等を用いることができる。裏面側保護材202は、太陽電池110a〜110cのそれぞれの裏面側に配置され、太陽電池モジュールの裏面を保護することが好ましい。裏面側保護材としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂フィルム、アルミニウム箔を樹脂フィルムでサンドイッチした構造を有する積層フィルム等を用いることができる。
封止材203は、受光面側保護材201と裏面側保護材202との間で太陽電池110a〜110cを封止する。封止材としては、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂(EVA)、エチレン−エチルアクリレート共重合樹脂(EEA)、ポリビニルブチラール樹脂(PVB)、シリコン、ウレタン、アクリル、エポキシ等の透光性の樹脂を用いることができる。
封止材203としては、オレフィン系封止材を用いることもできる。オレフィン系封止材は、EVA等からなる封止材に比べて水蒸気透過率が低いため、モジュール内への水の侵入を抑制することができる。したがって、絶縁性部材等の劣化を防止することができ、モジュールの信頼性を向上できる。
オレフィン系封止材の材料としては、非架橋オレフィンおよび架橋オレフィンのいずれも用いることができる。非架橋オレフィンは、架橋オレフィンに比べて柔らかい。そのため、太陽電池モジュールを曲面形状に屈曲させて使用する場合には、オレフィン系封止材の材料を使い分けることが可能である。例えば、モジュール化後に太陽電池モジュールを屈曲させる場合には、非架橋オレフィンを好適に用いることができ、一方、屈曲させた状態でモジュールを作製する場合には、架橋オレフィンを好適に用いることができる。
以上のようにして太陽電池モジュール200を作製することができるが、太陽電池モジュールの基本的構成および作製方法は、上記に限定されるものではない。
[太陽電池の構成]
本発明において、太陽電池としては、光電変換部が結晶シリコン基板を備えるものであれば、任意の結晶シリコン系太陽電池を用いることができる。中でも、ヘテロ接合結晶シリコン太陽電池(以下、ヘテロ接合太陽電池ともいう)を用いることが好ましい、ヘテロ接合太陽電池は、一導電型単結晶シリコン基板の表面に、単結晶シリコンとはバンドギャップの異なるシリコン系薄膜を有することで、拡散電位が形成された結晶シリコン系太陽電池である。シリコン系薄膜としては、非晶質のものが好ましい。中でも、拡散電位を形成するための導電型非晶質シリコン系薄膜と単結晶シリコン基板の間に、薄い真性の非晶質シリコン層を介在させたものは、変換効率の最も高い結晶シリコン太陽電池の形態の一つとして知られている。
以下、ヘテロ接合太陽電池を例として、太陽電池の構成をより詳細に説明する。
(光電変換部)
図2は、一実施形態に係るヘテロ接合太陽電池の模式的断面図である。図2に示す太陽電池111は、光電変換部50として、基板1の一方の面(光入射側の面、受光面)上に、導電型シリコン系薄膜3aおよび透明電極層6aをこの順に有する。基板1の他方の面(光反射側の面、裏面)上に、導電型シリコン系薄膜3bおよび透明電極層6bをこの順に有する。光電変換部50表面の透明電極層6a上には、集電極7が設けられており、透明電極層6b上には、裏面電極8が積層されている。太陽電池111は、基板1と導電型シリコン系薄膜3a,3bとの間に、真性シリコン系薄膜2a,2bを有することが好ましい。
基板1は、一導電型単結晶シリコン基板によって形成されている。一般的に単結晶シリコン基板には、シリコン原子に電子を導入するための原子(例えばリン)を含有させたn型と、シリコン原子に正孔を導入する原子(例えばホウ素)を含有させたp型がある。すなわち、「一導電型」とは、n型またはp型のどちらか一方であることをいう。つまり、基板1は、n型またはp型のどちらか一方であることを意味する。本実施形態において、基板1は、n型単結晶シリコン基板であることが好ましい。
基板1は、受光面および裏面にテクスチャ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板1を基体として形成される光電変換部50もテクスチャ構造を備えることが好ましい。この場合、太陽電池111は、入射した光を光電変換部50に閉じ込めることができ、発電効率が向上する。
基板1の厚みは特に限定されないが、50μm以上200μm以下であることが好ましく、100μm以上150μm以下であることがより好ましい。本発明では、5インチ角や6インチ角等のシリコンウェハを用いた太陽電池を割断し、シリコンウェハより小さなサイズの太陽電池から構成される太陽電池モジュールを作製できるため、薄くてたわみやすい基板を用いる場合であっても、太陽電池の破損を抑制することができる。
シリコン系薄膜2a,3a,2b,3bの製膜方法としては、プラズマCVD法が好ましい。導電型シリコン系薄膜3a,3bは、一導電型または逆導電型のシリコン系薄膜である。「逆導電型」とは、「一導電型」と異なる導電型であることをいう。例えば、「一導電型」がn型である場合には、「逆導電型」はp型である。本実施形態では、導電型シリコン系薄膜3aは、逆導電型シリコン系薄膜であり、導電型シリコン系薄膜3bは、一導電型シリコン系薄膜であることが好ましい。シリコン系薄膜は、非晶質シリコン薄膜、微結晶シリコン薄膜(非晶質シリコンと結晶質シリコンとを含む薄膜)等が挙げられる。中でも、非晶質シリコン系薄膜を用いることが好ましい。本実施形態では、導電型シリコン系薄膜3aがp型非晶質シリコン系薄膜であり、導電型シリコン系薄膜3bがn型非晶質シリコン系薄膜であることが好ましい。
真性シリコン系薄膜2a,2bとしては、シリコンと水素で構成されるi型水素化非晶質シリコン薄膜が好ましい。
太陽電池111の光電変換部50は、導電型シリコン系薄膜3a,3b上に、透明電極層6a,6bを備えることが好ましい。透明電極層6a,6bの製膜方法は、特に限定されないが、例えばスパッタ法等が挙げられる。
透明電極層6a,6bは、導電性酸化物を主成分とすることが好ましい。導電性酸化物としては、例えば、酸化亜鉛や酸化インジウム、酸化錫を単独または混合して用いることができる。導電性、光学特性および長期信頼性の観点から、酸化インジウムを含んだインジウム系酸化物が好ましく、酸化インジウム錫(ITO)を主成分とするものがより好ましい。ここで「主成分とする」とは、含有量が50重量%よりも多いことを意味し、70重量%以上が好ましく、85重量%以上がより好ましい。透明電極層は、単層でもよく、複数の層からなる積層構造でもよい。
透明電極層には、Sn,W,As,Zn,Ge,Ca,Si,C等のドーピング剤を添加することができる。
受光面側の透明電極層6aの膜厚は、透明性、導電性、および光反射低減の観点から、10nm以上140nm以下であることが好ましい。透明電極層6aの役割は、集電極7へのキャリアの輸送であり、そのために必要な導電性があればよく、膜厚は10nm以上であることが好ましい。膜厚を140nm以下にすることにより、透明電極層6aでの吸収ロスが小さく、透過率の低下に伴う光電変換効率の低下を抑制することができる。また、透明電極層6aの膜厚が上記範囲内であれば、透明電極層6a内のキャリア濃度上昇も防ぐことができるため、赤外域の透過率低下に伴う光電変換効率の低下も抑制される。
(集電極)
受光面側の透明電極層6a上には、集電極7が形成される。ヘテロ接合太陽電池においては、透明電極層が集電極としての機能を果たし得るため、原理的には別途の集電極を設けることは不要である。しかし、透明電極層を構成するITOや酸化亜鉛等の導電性酸化物は、金属に比べて抵抗率が高いため、太陽電池の内部抵抗が高くなる問題がある。そのため、受光面側の透明電極層の表面に、集電極(補助電極としての金属電極)を設けることで、電流の取り出し効率を高めることができる。
上述のように、受光面側の集電極の面積が大きいと、遮光損が大きくなるため、電流の取り出し効率が低下する。したがって、受光面側の集電極は、櫛形状等のパターン状に形成されていることが好ましい。
図3は、一実施形態に係る太陽電池の受光面側の模式的平面図である。図3では、集電極が、一定間隔を隔てて互いに平行に延びるように形成された複数のフィンガー電極71によって構成されている。
図4は、他の実施形態に係る太陽電池の受光面側の模式的平面図である。図4に示すように、集電極は、複数のフィンガー電極71と、フィンガー電極71により収集された電流を集めるバスバー電極72とによって構成されてもよい。一般的に、バスバー電極72は、フィンガー電極71に略直交するように形成される。「略直交」とは、フィンガー電極とバスバー電極とのなす角が85度以上95度以下であることを意味する。中でも、フィンガー電極とバスバー電極とのなす角が90度、すなわち、フィンガー電極に直交するようにバスバー電極が形成されることが好ましい。
図3および図4に示すように、太陽電池の平面形状は、略矩形であることが好ましく、短辺および長辺を有する略長方形であることがより好ましい。本明細書において、「略矩形」には、完全な矩形(正方形を含む長方形)だけでなく、少なくとも一方の角に丸みを有する等、少なくとも一方の角が欠けている形状等も含まれる。同様に、「略長方形」には、完全な長方形だけでなく、少なくとも一方の角に丸みを有する等、少なくとも一方の角が欠けている形状等も含まれる。
太陽電池の平面形状が略矩形である場合、集電極は、対向する1組の辺方向に延在する複数のフィンガー電極を有することが好ましい。特に、太陽電池の平面形状が短辺および長辺を有する略長方形である場合、集電極は、短辺方向に延在する複数のフィンガー電極を有することが好ましい。この場合、フィンガー電極を短くできるため、バスバー電極を設けなくても電流を効率よく収集することができる。図3に示すように、短辺の長さをx、長辺の長さをyとすると、x/yの値は、0.8未満が好ましく、0.6未満がより好ましい。平面形状が略矩形の基板を割断して太陽電池を作製する場合、基板に形成される割断面は少ない方が好ましいため、x/yの値は0.5以上であることが好ましいが、0.5未満であってもよい。例えば、基板を割断した後に光電変換部および集電極を形成するような場合には、割断による光電変換部の破損が生じないため、割断面が多くてもモジュール特性の低下が抑えられる。この場合、x/yの値を0.5未満(好ましくは0.3未満)とすることで、電流の収集効率をより向上させることができる。
本発明においては、太陽電池同士を接続する導電性部材が、フィンガー電極と良好な電気的接続を得られる場合、導電性部材が配線材およびバスバー電極の役割を兼ねるため、バスバー電極を設ける必要はない。しかし、太陽電池同士の電気的接続を向上させるために、集電極は、上記フィンガー電極に加えて、長辺方向に延在するバスバー電極を有してもよい。この場合、太陽電池同士を積層した際に遮光面積を低減できるように、集電極は、長辺近傍に延在する1本のバスバー電極を有することが好ましい。
上記のとおり、本発明においては、導電性部材が配線材およびバスバー電極の役割を兼ねる。そのため、フィンガー電極により収集された電流を集めるための電極は、上記バスバー電極のような連続した形状の電極でなくてもよく、不連続の形状の電極であってもよい。
フィンガー電極間の距離、フィンガー電極の幅およびバスバー電極の幅等は、光電変換部の受光面側に形成される透明電極層の抵抗に応じて適宜選択することができる。
集電極7の形成材料としては、バインダー樹脂等を含有するペースト等を用いることができる。スクリーン印刷法により形成された集電極の導電性を十分向上させるためには、熱処理により集電極を硬化させることが望ましい。したがって、ペーストに含まれるバインダー樹脂としては、乾燥温度にて硬化させることができる材料を用いることが好ましく、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂等が適用可能である。
集電極7は、インクジェット法、スクリーン印刷法、導線接着法、スプレー法、真空蒸着法、スパッタ法、めっき法等の公知の方法によって形成できる。例えば、パターン形状に対応したマスクを用いて、真空蒸着法やスパッタ法により集電極を形成できる。中でも、細線化が可能であることから、めっき法により集電極を形成することが好ましい。
(裏面電極)
裏面側の透明電極層6b上には、裏面電極8が形成される。受光面側の集電極と同様、裏面側の透明電極層の表面に、裏面電極(補助電極としての金属電極)を設けることで、電流の取り出し効率を高めることができる。
裏面電極8としては、近赤外から赤外域の反射率が高く、かつ導電性や化学的安定性が高い材料を用いることが望ましい。このような特性を満たす材料としては、銀やアルミニウム等が挙げられる。裏面電極8の製膜方法は、特に限定されず、スパッタ法や真空蒸着法等の物理気相堆積法、スクリーン印刷等の印刷法、めっき法等が適用可能である。
裏面電極8は、受光面とは反対側の電極として用いられるため、光電変換部の全面を覆うように形成されていてもよい。また、受光面側の集電極と同様に、パターン状に裏面電極が形成されていてもよい。
以上、ヘテロ接合太陽電池を例に挙げて説明したが、本発明の太陽電池モジュールを構成する太陽電池は、結晶シリコン基板を有するものであれば特に限定されず、ヘテロ接合太陽電池以外の結晶シリコン系太陽電池等も使用できる。結晶シリコン系太陽電池の一形態では、一導電型(p型)の結晶シリコン基板の受光面側に、リン原子等の導電性不純物を拡散させ、逆導電型(n型)のシリコン層を形成することにより、半導体接合からなる光電変換部が形成される。このような拡散型の結晶シリコン太陽電池においては、透明電極層が形成されないため、半導体接合からなる光電変換部上に集電極が形成される。
図5は、図1に示す太陽電池モジュールを構成する第一太陽電池および第二太陽電池を模式的に示す斜視図である。図5に示すように、第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bは、周縁同士が重なるように積層されている。
図6は太陽電池の周縁を説明するための模式図である。太陽電池の周縁とは、主面の端部Eを含み、端部Eから所定の距離Lまでの領域(図6中、Pで表される領域)を意味する。距離Lは、好ましくは0mm<L≦1.5mmであり、より好ましくは0mm<L≦0.50mmであり、特に好ましくは0.02mm<L≦0.15mmである。
太陽電池の平面形状が図3および図4に示すような略長方形である場合、第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bの長辺同士が重なるように積層されることが好ましい。また、図4に示すように太陽電池がバスバー電極を有する場合、バスバー電極が上部の太陽電池によって覆われることが好ましい。具体的には、第一太陽電池110aのバスバー電極が第二太陽電池110bによって覆われることが好ましい。
以下、本発明の太陽電池モジュールを構成する第一太陽電池および第二太陽電池に着目し、本発明の太陽電池モジュールの好ましい実施形態について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
[実施形態1]
まず、実施形態1に係る太陽電池モジュールの製造方法の一例について、図7A、図7B、図8Aおよび図8Bを参照しながら説明する。
図7Aに示すように、一導電型単結晶シリコン基板を備える光電変換部150と、光電変換部150の受光面上に設けられた集電極17,27と、光電変換部150の裏面上に設けられた裏面電極(不図示)とを備える太陽電池100を準備し、これを2つに割断する。集電極17は、フィンガー電極171とバスバー電極172とから構成されており、集電極27は、フィンガー電極271とバスバー電極272とから構成されている。
単結晶シリコン基板は、例えばチョクラルスキー法等によって作製されたシリコンインゴットを、ワイヤーソー等を用いて所定の厚みにスライスすることにより作製される。基板のサイズは、通常、5インチ角または6インチ角である。基板の形状としては、セミスクエア型とよばれる四方の角に丸みを有する形状や、フルスクエアとよばれる略正方形状等が挙げられる。
図7Aでは、割断によって2つの太陽電池に分離できるように、集電極および裏面電極が、光電変換部150上の2つの領域に形成されている。
図7Bは、太陽電池100を割断した後の状態を示している。太陽電池100を割断することで、いずれも平面形状が長方形である第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bが作製される。
太陽電池を割断する方法としては、レーザー照射により基板に至る溝を形成後、手や機械等で折り割る方法、レーザー照射により基板を含めて太陽電池を完全に分断する方法、ダイヤモンドブレードを用いたメカニカルダイシング法により基板に至る溝を形成後、手や機械等で折り割る方法、メカニカルダイシング法により太陽電池を完全に分断する方法等が挙げられる。
割断によって、図7Bに示すように、第一太陽電池110aの一導電型単結晶シリコン基板の側面には割断面10aが形成され、第二太陽電池110bの一導電型単結晶シリコン基板の側面には割断面10bが形成される。例えば、レーザー照射による割断では、割断面にレーザー痕が形成され、メカニカルダイシング法による割断では、割断面にダイシング痕が形成される。
一方、割断面10aと反対側の側面は非割断面20aであり、割断面10bと反対側の側面は非割断面20bである。
本明細書においては、基板(または太陽電池)の側面のうち、太陽電池を割断する際に形成される切断面を「割断面」、割断が行われていない側面を「非割断面」という。なお、割断面が形成されている目的は特に限定されず、太陽電池を任意のサイズに分割するために形成された割断面であってもよいし、受光面側の電極と裏面側の電極との短絡が生じないように絶縁するために形成された割断面であってもよい。
割断後、図8Aに示すように、第一太陽電池110aの光電変換部150aの受光面に絶縁性部材90を形成する。図8Aは、割断面10a側の周縁上に集電極17が設けられていない例を示しており、絶縁性部材90は、その割断面10a側の周縁上に形成される。したがって、絶縁性部材90は、第一太陽電池110aの集電極17よりも割断面10a側に配置される。
絶縁性部材90を形成した後、図8Bに示すように、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとを、導電性部材80を介して積層する。本実施形態では、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとは、第一太陽電池110aの受光面の割断面10a側の周縁が、第二太陽電池110bの裏面の非割断面20b側の周縁に重なるように積層される。
その後、第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bを圧着する。圧着する際の条件は、使用する導電性部材の材料等により適宜調整すればよいが、温度130℃〜160℃、時間3分〜5分、圧力70kPa〜100kPaが好ましい。これにより、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとの積層部において、第一太陽電池110aの集電極17と第二太陽電池110bの裏面電極28とが導電性部材80に接し、電気的に接続される。
以上により、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとの積層体を製造することができる。その後、図1に示すように、封止材を用いて積層体を封止することで、太陽電池モジュールを作製することができる。
なお、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとの積層体の製造方法は、上記の方法に限定されるものではない。例えば、基板を割断した後に光電変換部および集電極を形成してもよいし、光電変換部が形成された基板を割断した後に集電極を形成してもよい。裏面電極は割断前に形成してもよく、割断後に形成してもよい。製造工程を低減できる観点からは、光電変換部、集電極および裏面電極が形成された太陽電池を作製した後、所定のサイズに割断することが好ましい。
図9(a)〜図9(c)は、上記の方法により製造された第一太陽電池と第二太陽電池との積層体の模式図であり、実施形態1を模式的に示している。図9(a)は、導電性部材および絶縁性部材が設けられた第一太陽電池の平面図(図8Aに対応)、図9(b)は、第一太陽電池と第二太陽電池との積層体の平面図(図8Bに対応)、図9(c)は、第一太陽電池と第二太陽電池との積層体の断面図(図8Bに対応)である。便宜上、図9(b)では、導電性部材および絶縁性部材が省略されている。
上記のとおり、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとは、周縁同士が重なるように積層されている。具体的には、第一太陽電池110aおよび第二太陽電池110bは、平面形状がいずれも長方形であり、長辺同士が重なるように積層されている。
図9(c)に示す第一太陽電池110aにおいては、一導電型単結晶シリコン基板を備える光電変換部150aの受光面に集電極17が形成され、光電変換部150aの裏面に裏面電極18が形成されている。第一太陽電池110aは、例えば、太陽電池を割断することで作製されている。そのため、第一太陽電池110aの一導電型単結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面から裏面側の第二主面に達する割断面10aおよび非割断面20aを有している。
同様に、第二太陽電池110bにおいては、一導電型単結晶シリコン基板を備える光電変換部150bの受光面に集電極27が形成され、光電変換部150bの裏面に裏面電極28が形成されている。第二太陽電池110bの一導電型単結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面から裏面側の第二主面に達する割断面20aおよび非割断面20bを有している。
実施形態1では、第一太陽電池110aの光電変換部150aの受光面の全体に透明電極層16aが形成されており、絶縁性部材90は透明電極層16a上に設けられている。
図9(a)〜図9(c)に示すように、第一太陽電池110aの集電極17は、フィンガー電極171およびバスバー電極172を有することが好ましい。バスバー電極172は、フィンガー電極171に略直交するように形成されていることが好ましい。特に、第一太陽電池110aの平面形状が短辺および長辺を有する略長方形である場合、フィンガー電極171は短辺方向に延在するように形成されており、バスバー電極172は長辺方向に延在するように形成されていることが好ましい。中でも、1本のバスバー電極172が、光電変換部150aの割断面10a側の長辺近傍に延在するように形成されていることが好ましい。遮光損を抑制する観点から、図9(b)および図9(c)に示すように、バスバー電極172が第二太陽電池110bによって覆われるように、第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとが積層されることが好ましい。なお、バスバー電極172の全面が第二太陽電池110bに覆われることが好ましく、さらにフィンガー電極171の一部が第二太陽電池110bに覆われていてもよい。一方、バスバー電極172の一部が第二太陽電池110bに覆われていてもよい。
第二太陽電池110bの集電極27の構成は特に限定されないが、第一太陽電池110aの集電極17と同様の構成であることが好ましい。
第一太陽電池110aと第二太陽電池110bとの積層部(以下、単に積層部ともいう)の幅(図9(b)中、Wで表される長さ)は、遮光損を抑制する観点から、0.5mm〜4mmが好ましく、0.5mm〜2mmがより好ましい。
積層部における集電極17の幅(図9(b)中、Wで表される長さ)は、0.35mm〜2.5mmが好ましい。図9(b)に示すように、集電極17がフィンガー電極171およびバスバー電極172を有する場合、積層部における集電極17の幅は、フィンガー電極171の幅とバスバー電極172の幅の合計を意味する。また、バスバー電極172の幅(図9(b)中、Wで表される長さ)は、0.35mm〜4mmが好ましく、0.35mm〜2mmがより好ましい。
導電性部材80の形成材料としては、例えば、導電性微粒子を樹脂ペーストに添加した導電性ペーストを用いることができる。樹脂ペーストとしては、例えば、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂等が用いられる。導電性粒子としては、例えば、Ni、Au、Ag、Cu、Zn、In等の金属粉や、炭素粉等の導電性の紛体等が用いられる。さらに、導電性粒子は、金属粉の表面を金属膜で被覆したものや、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等からなる粒子の表面を金属膜で被覆したものを用いることもできる。中でも、コストや信頼性の観点から、NiまたはAg膜を被覆したCu粒子が好ましい。導電性粒子の平均粒径は、コストや加工のしやすさの観点から、1μm〜30μm、好ましくは5μm〜15μm、より好ましくは8μm〜12μmである。導電性ペーストの中では、Ag含有導電性ペーストが好ましい。
また、導電性部材80の形成材料として、コンダクティブフィルムを用いることもできる。
絶縁性部材90の材料としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、テフロン(登録商標)、セロファン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等が用いられる。
絶縁性部材90は、上記材料を含む粘着テープ等、粘着性を有する形態で用いることが好ましい。中でも、ポリイミド製テープを用いることが好ましい。この場合、第一太陽電池110a上に容易に貼り付けられる観点から、絶縁性部材90は、第一太陽電池110a側の表面に粘着性を有することが好ましい。
絶縁性部材90の厚みは、集電極17の厚みと同等以上であることが好ましい。具体的には、1μm以上500μm以下が好ましく、30μm以上100μm以下がより好ましい。上記範囲とすることで、セル側面の保護および積層化の際の緩衝効果が期待できる。
絶縁性部材90は、図9(a)および図9(c)に示すように、第一太陽電池110aの光電変換部150aの割断面10a側の端部より外側にも設けられていてもよい。
絶縁性部材90は、導電性部材80が第一太陽電池110aの側面に付着しないように設けられることが好ましい。例えば、図9(a)および図9(c)に示すように、第一太陽電池110aの割断面10a側の端部よりも外側に絶縁性部材90を設けることで、圧着時に導電性部材80が割断面10a側にはみ出すことがあっても、絶縁性部材90が障壁となって、導電性部材80が第一太陽電池110aの側面に付着することを防止できる。その結果、短絡を防ぐことができ、モジュール性能の低下を抑制することができる。
本実施形態の太陽電池モジュールにおいては、まず、太陽電池同士を積層することで、バスバー電極等の遮光部の面積を低減できるため、モジュール変換効率を向上させることができる。
このような積層構造を構成する太陽電池は、例えば、予め作製した太陽電池を所定のサイズに割断することで容易に作製できる。その一方、割断によって太陽電池の側面に形成された割断面は、モジュール変換効率および信頼性といった特性を低下させるものである。そのため、下層の太陽電池の割断面が遮光部となるように太陽電池同士を積層することで、割断面に起因するモジュール特性の低下を抑制することができる。
また、レーザー痕等を有する割断面は非割断面に比べて機械的強度が劣るため、下層の太陽電池の割断面が上層の太陽電池で覆われていると、太陽電池同士を積層する際や封止材を用いて封止する際に、下層の太陽電池の割断面から破損が生じやすくなる。本実施形態においては、太陽電池の割断面側の周縁上に絶縁性部材を設けて太陽電池同士を積層することで、絶縁性部材が緩衝材として働く。そのため、割断面に起因する太陽電池の破損を防止することができる。さらに、絶縁性部材を設けることで、圧着時にかかる応力を導電性部材および絶縁性部材に分散させることができるため、接着部分の破損を抑制することもできる。その結果、モジュール変換効率および信頼性の低下を抑制することができる。
さらに、絶縁性部材を設けることで、導電性部材が第一太陽電池の側面に回り込むことを防止できるため、導電性部材の金属成分がシリコン層に拡散することを防止することができる。
本実施形態の太陽電池モジュールは、曲面形状に屈曲させることも可能である。一般に用いられる結晶シリコン基板は、大きさが5インチ角または6インチ角、厚みが100〜150μm程度であり、このような基板を用いたモジュールを屈曲させると、太陽電池が直ちに破損してしまう。これに対し、本実施形態では、基板を小さなサイズに割断し、周縁同士(例えば長辺同士)を重ね合わせて太陽電池モジュールを作製できるため、モジュールを屈曲させた場合であっても太陽電池の破損を防止することができる。
[実施形態2]
図10は、実施形態2を模式的に示している。図10では、絶縁性部材91が、第一太陽電池110aの集電極17上にも設けられている。
実施形態2では、積層部における絶縁性部材の面積を大きくすることができるため、より高い緩衝効果が期待できる。
[実施形態3]
図11は、実施形態3を模式的に示している。図11では、絶縁性部材92が、第二太陽電池110bの裏面電極28に接している。絶縁性部材92としては、ポリイミド製等の両面テープを用いることが好ましい。
実施形態3においては、実施形態1で説明した効果に加え、太陽電池同士を重ね合わせる際のずれを抑制することができる。その結果、太陽電池のずれにより生じうる外観不良や、それに伴うモジュール性能の低下を抑制することができる。
第二太陽電池110bの裏面電極28に接する絶縁性部材92の幅(図11中、Wで表される長さ)は特に制限されないが、絶縁性部材92が両面テープである場合、接着性の観点から、0.5mm以上が好ましい。また、材料コストの観点から、絶縁性部材92の幅は5mm以下が好ましい。
[実施形態4]
図12は、実施形態4を模式的に示している。図12では、絶縁性部材93が、第一太陽電池110aの光電変換部150aの割断面10a側の側面上にも設けられている。
実施形態4においては、実施形態1で説明した効果に加え、第一太陽電池の側面からの破損をより抑制することができる。また、第一太陽電池の側面からの金属拡散を抑制することもできる。さらに、モジュール化の際に、太陽電池の端部からの湿分の侵入を防止することもできる。
[実施形態5]
図13は、実施形態5を模式的に示している。図13では、絶縁性部材94が、第一太陽電池110aの光電変換部150aの割断面10a側の側面上に加えて、第一太陽電池110aの裏面上にも設けられている。
実施形態5では、絶縁性部材が設けられる領域が広いため、圧着時に、導電性部材80が第一太陽電池110aの裏面電極18に回り込むことを防止できる。その結果、第一太陽電池110aの裏面電極18と第二太陽電池110bの裏面電極28との短絡を防止することができる。
[実施形態6]
図14は、実施形態6を模式的に示している。図9(a)に示す実施形態1等では、第一太陽電池110aの光電変換部150aの受光面の全体に透明電極層16aが形成されている。これに対し、図14に示す実施形態6では、第一太陽電池110aの光電変換部150aは、割断面10a側の周縁上に、透明電極層26aが形成されていない透明電極層非形成領域を有する。そして、この透明電極層非形成領域に、絶縁性部材95が設けられている。
透明電極層非形成領域は、絶縁処理の1つとして形成されるものであり、透明電極層をエッチングによって除去する方法等によって形成することができる。
実施形態6においては、透明電極層が形成されていないシリコン層を絶縁性部材で保護できるため、導電性部材等の金属成分が基板へ拡散することを抑制できる。
[その他の実施形態]
実施形態1〜6に示したように、絶縁性部材90〜95は、太陽電池の破損を抑制する観点から、光電変換部150aの割断面10a側の周縁のほぼ全面に設けられていることが好ましい。しかし、図15に示す絶縁性部材96のように、光電変換部150aの割断面10a側の周縁の一部に絶縁性部材が設けられていてもよい。
また、実施形態1〜6においては、絶縁性部材90〜95が連続して設けられているが、絶縁性部材は不連続に設けられていてもよい。
実施形態1〜6に示したように、導電性部材80は、抵抗損を抑制する観点から、積層部において、第一太陽電池110aの集電極17上のほぼ全面に設けられていることが好ましい。しかし、図16に示す導電性部材81のように、第一太陽電池110aの集電極17上の一部に導電性部材が設けられていてもよい。
第一太陽電池を平面視した際、導電性部材は、積層部における集電極の面積の30%以上に設けられていることが好ましく、50%以上に設けられていることがより好ましい。
実施形態1〜6に示したように、第一太陽電池110aの集電極17は、短絡防止の観点から、割断面10a側の周縁の全領域に設けられていないことが好ましい。しかし、図17に示す集電極37のように、割断面10a側の周縁の一部に集電極が設けられていてもよい。第二太陽電池110bの集電極47は、第一太陽電池110aの集電極37と同様の形状であってもよいし、異なる形状であってもよい。
なお、割断面10a側以外の周縁については、集電極17が形成されていてもよいが、集電極の金属成分の拡散を抑制する観点、および、短絡を防止する観点から、受光面の周縁の全領域に集電極17が形成されていないことが好ましい。光電変換部の周縁から集電極までの距離は、割断面側の周縁と他の周縁で同じであってもよく、それぞれ異なっていてもよい。
本発明の太陽電池モジュールは、上記の積層構造を有する第一太陽電池および第二太陽電池を備えていればよく、その製造方法は、図7A、図7B、図8Aおよび図8Bに示す方法に限定されない。モジュール変換効率および信頼性の低下を抑制する観点からは、第一太陽電池と積層されている側の第二太陽電池の側面は、これまでの実施形態で示したように非割断面であることが好ましいが、割断面であってもよい。また、第二太陽電池と積層されていない側の第一太陽電池の側面は、割断面でも非割断面でもよく、同様に、第一太陽電池と積層されていない側の第二太陽電池の側面は、割断面でも非割断面でもよい。
本発明の太陽電池モジュールは、上記の積層構造を有する第一太陽電池および第二太陽電池を備える限り、他の太陽電池を備えてもよい。例えば、2枚の太陽電池をそれぞれ2つに割断し、第一太陽電池の割断面側の周縁と第二太陽電池の非割断面側の周縁とが積層された積層体、および、第三太陽電池の割断面側の周縁と第四太陽電池の非割断面側の周縁とが積層された積層体を準備し、これらを積層することで太陽電池モジュールを作製してもよい。この場合、第四太陽電池の割断面側の周縁が、第一太陽電池の非割断面側の周縁と重なるように積層するか、第二太陽電池の割断面側の周縁が、第三太陽電池の非割断面側の周縁と重なるように積層することが好ましい。第一太陽電池および第二太陽電池以外の太陽電池を備える場合、太陽電池同士が積層される部分(例えば、第三太陽電池と第四太陽電池との積層部)に、これまでに説明した絶縁性部材が設けられることが好ましい。
1 一導電型単結晶シリコン基板
2a,2b 真性シリコン系薄膜
3a,3b 導電型シリコン系薄膜
6a,6b,16a,26a 透明電極層
7,17,27,37,47 集電極
8,18,28 裏面電極
10a,10b 割断面
20a,20b 非割断面
50,150,150a,150b 光電変換部
71,171,271 フィンガー電極
72,172,272 バスバー電極
80,81,180 導電性部材
90,91,92,93,94,95,96,190 絶縁性部材
100,110a,110b,110c 太陽電池
111 ヘテロ接合太陽電池
200 太陽電池モジュール
201 受光面側保護材
202 裏面側保護材
203 封止材



Claims (15)

  1. 第一太陽電池と、第二太陽電池と、導電性部材と、絶縁性部材とを備える太陽電池モジュールであって、
    前記第一太陽電池および前記第二太陽電池は、それぞれ、一導電型結晶シリコン基板を備える光電変換部と、前記光電変換部の受光面上に設けられた集電極と、前記光電変換部の裏面上に設けられた裏面電極とを備え、
    前記第一太陽電池の一導電型結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面と、裏面側の第二主面と、前記第一主面から前記第二主面に達する割断面とを有し、
    前記第二太陽電池の一導電型結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面と、裏面側の第二主面と、前記第一主面から前記第二主面に達する非割断面とを有し、
    前記第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁が、前記第二太陽電池の裏面の非割断面側の周縁に重なるように、前記第一太陽電池と前記第二太陽電池とが、前記導電性部材を介して積層されており、
    前記第一太陽電池と前記第二太陽電池との積層部では、
    前記第一太陽電池の集電極と前記第二太陽電池の裏面電極とが、前記導電性部材に接することで電気的に接続されており、
    前記第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁のうち、集電極が設けられていない周縁上に、前記絶縁性部材が設けられている、太陽電池モジュール。
  2. 前記第一太陽電池および前記第二太陽電池の平面形状は、いずれも短辺および長辺を有する略長方形であり、
    前記第一太陽電池の割断面側の長辺が前記第二太陽電池の非割断面側の長辺に重なるように、前記第一太陽電池と前記第二太陽電池とが積層されており、
    前記第一太陽電池の集電極は、短辺方向に延在する複数のフィンガー電極を有する、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記第一太陽電池の集電極は、さらに、長辺方向に延在する1本のバスバー電極を有する、請求項に記載の太陽電池モジュール。
  4. 前記第一太陽電池のバスバー電極は、前記第一太陽電池と前記第二太陽電池との積層部に設けられている、請求項に記載の太陽電池モジュール。
  5. 前記割断面は、前記一導電型結晶シリコン基板にレーザーを照射することで形成されるレーザー痕を有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  6. 前記絶縁性部材は、前記第一太陽電池の光電変換部の割断面側の端部より外側にも設けられている、請求項1〜のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  7. 前記絶縁性部材は、前記第一太陽電池の集電極上にも設けられている、請求項1〜のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  8. 前記絶縁性部材は、前記第二太陽電池の裏面電極に接する、請求項1〜のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  9. 前記絶縁性部材は、前記第一太陽電池の光電変換部の割断面側の側面上にも設けられている、請求項1〜のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  10. 前記絶縁性部材は、第一太陽電池の裏面上にも設けられている、請求項に記載の太陽電池モジュール。
  11. 前記第一太陽電池の光電変換部および前記第二太陽電池の光電変換部は、いずれも、前記一導電型結晶シリコン基板の一方の主面上に逆導電型シリコン系薄膜を備え、前記逆導電型シリコン系薄膜上に透明電極層を備える、請求項1〜10のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  12. 前記第一太陽電池の光電変換部は、前記逆導電型シリコン系薄膜上に透明電極層が形成されている透明電極層形成領域と、前記逆導電型シリコン系薄膜上に透明電極層が形成されていない透明電極層非形成領域とを有し、
    前記絶縁性部材は、前記透明電極層非形成領域に設けられている、請求項11に記載の太陽電池モジュール。
  13. 前記絶縁性部材の厚みは、1μm以上500μm以下である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
  14. 請求項1〜13のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールの製造方法であって、
    第一太陽電池および第二太陽電池を準備する工程、
    前記第一太陽電池の受光面に絶縁性部材を形成する工程、および、
    前記第一太陽電池と前記第二太陽電池とを、導電性部材を介して積層する工程を有し、
    前記第一太陽電池および前記第二太陽電池は、それぞれ、一導電型結晶シリコン基板を備える光電変換部と、前記光電変換部の受光面上に設けられた集電極と、前記光電変換部の裏面上に設けられた裏面電極とを備え、
    前記第一太陽電池の一導電型結晶シリコン基板は、受光面側の第一主面と、裏面側の第二主面と、前記第一主面から前記第二主面に達する割断面とを有し、
    前記絶縁性部材は、前記第一太陽電池の受光面の割断面側の周縁のうち、集電極が設けられていない周縁上に形成され、
    前記第一太陽電池と前記第二太陽電池とは、前記第一太陽電池の受光面の前記割断面側の周縁が、前記第二太陽電池の裏面の周縁に重なるように積層され、
    前記第一太陽電池と前記第二太陽電池との積層部では、前記第一太陽電池の集電極と前記第二太陽電池の裏面電極とが、前記導電性部材に接することで電気的に接続される、太陽電池モジュールの製造方法。
  15. 前記第一太陽電池および前記第二太陽電池を準備する工程では、一導電型結晶シリコン基板を備える光電変換部と、前記光電変換部の受光面上に設けられた集電極と、前記光電変換部の裏面上に設けられた裏面電極とを備える太陽電池を割断することで、前記第一太陽電池および前記第二太陽電池を作製する、請求項14に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10770610B2 (en) * 2015-12-08 2020-09-08 Sunpower Corporation Photovoltaic module interconnect joints
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
JPWO2018055847A1 (ja) * 2016-09-20 2019-07-11 株式会社カネカ 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール
US10115856B2 (en) * 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating
CN106531829B (zh) * 2016-12-23 2018-11-30 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能叠片电池片间互连结构与太阳能叠片电池
KR102016519B1 (ko) * 2017-03-09 2019-08-30 플렉스 엘티디 슁글드 어레이 태양 전지 및 이를 포함하는 태양광 모듈을 제조하는 방법
CN106876503B (zh) * 2017-03-30 2018-04-24 隆基乐叶光伏科技有限公司 采用中心汇聚栅线电极的太阳能叠片组件
KR102459719B1 (ko) * 2017-06-14 2022-10-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지, 태양전지 모듈과 그 제조 방법
KR101929442B1 (ko) * 2017-07-03 2019-03-14 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈
KR101874016B1 (ko) * 2017-08-14 2018-07-04 한국생산기술연구원 슁글드 어레이 구조를 갖는 고효율 perc 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101852606B1 (ko) * 2017-08-28 2018-04-30 주식회사 탑선 분할 태양전지 모듈
CN107799615B (zh) * 2017-10-20 2021-04-13 杭州瞩日能源科技有限公司 太阳能电池片单元、光伏电池模组及其制备工艺
WO2019087590A1 (ja) * 2017-10-30 2019-05-09 株式会社カネカ 両面電極型太陽電池および太陽電池モジュール
KR102020347B1 (ko) * 2017-11-21 2019-09-11 한국생산기술연구원 슁글드 어레이유닛, 슁글드 어레이유닛을 갖는 태양광모듈 및 슁글드 어레이유닛의 제조방법
WO2019130859A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 株式会社カネカ 光電変換素子の製造方法及びめっき用治具、めっき装置
AU2018402719A1 (en) * 2018-01-18 2020-07-30 The Solaria Corporation Busbar-less shingled array solar cells and methods of manufacturing solar modules
US20200381577A1 (en) * 2018-01-18 2020-12-03 The Solaria Corporation Method of manufacturing shingled solar modules
JPWO2019146366A1 (ja) * 2018-01-25 2021-01-07 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
US11637212B2 (en) * 2018-03-08 2023-04-25 Applied Materials Italia S.R.L. Apparatus and method for manufacturing a solar cell arrangement, and solar cell arrangement
KR102448204B1 (ko) * 2018-03-20 2022-09-28 가부시키가이샤 가네카 태양 전지 모듈, 유리 건재 및 태양 전지 모듈의 제조 방법
WO2019202958A1 (ja) * 2018-04-19 2019-10-24 株式会社カネカ 太陽電池デバイスおよび太陽電池デバイスの製造方法
JP6467549B1 (ja) * 2018-06-01 2019-02-13 株式会社カネカ 太陽電池セル
JP2022002230A (ja) * 2018-09-21 2022-01-06 株式会社カネカ 太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール
KR20200048864A (ko) 2018-10-31 2020-05-08 한국생산기술연구원 고출력 슁글드 어레이 구조의 태양전지 모듈 및 그 제조방법
FR3088141A1 (fr) * 2018-11-07 2020-05-08 S'tile Dispositif photovoltaique
TWI686053B (zh) * 2018-11-26 2020-02-21 財團法人工業技術研究院 太陽能板與太陽能電池模組
JPWO2020158379A1 (ja) * 2019-01-29 2021-11-25 株式会社カネカ 太陽電池ストリング
WO2020184301A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 株式会社カネカ 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール、並びに太陽電池デバイスの製造方法
WO2020184261A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、太陽電池の検査方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2020189240A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社カネカ 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2020155684A (ja) * 2019-03-22 2020-09-24 株式会社カネカ 太陽電池ストリング、太陽電池モジュール、太陽電池セルの製造方法
JP2020167243A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 パナソニック株式会社 太陽電池セル集合体、及び、太陽電池セルの製造方法
EP3764406A1 (en) * 2019-07-11 2021-01-13 Oxford Photovoltaics Limited Multi-junction photovoltaic device
CN110379891B (zh) * 2019-08-02 2021-03-30 浙江晶科能源有限公司 一种光伏组件的制备方法
CN110459625A (zh) * 2019-08-26 2019-11-15 绵阳金能移动能源有限公司 新型柔性太阳能电池组件及其制作方法
CN110556437A (zh) * 2019-09-05 2019-12-10 成都晔凡科技有限公司 叠瓦组件、太阳能电池片和叠瓦组件的制造方法
US20210143290A1 (en) * 2019-11-13 2021-05-13 Sunpower Corporation Hybrid dense solar cells and interconnects for solar modules and related methods of manufacture
CN112825337B (zh) * 2019-11-21 2023-07-21 江苏宜兴德融科技有限公司 柔性太阳能电池阵
JP7483382B2 (ja) * 2020-01-15 2024-05-15 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
DE102020101264A1 (de) 2020-01-21 2021-07-22 Meyer Burger (Germany) Gmbh Wafer-Tray
JP7442377B2 (ja) * 2020-04-08 2024-03-04 株式会社カネカ 太陽電池ストリング及び太陽電池ストリングの製造方法
WO2021217786A1 (zh) * 2020-04-30 2021-11-04 浙江晶科能源有限公司 一种叠瓦组件网版结构
JP2021177511A (ja) * 2020-05-07 2021-11-11 株式会社カネカ 太陽電池セル、太陽電池モジュール及び太陽電池セル製造方法
JP2021002659A (ja) * 2020-07-10 2021-01-07 アプライド マテリアルズ イタリア エス. アール. エル. 2つ以上の重なり合う太陽電池ピースを有する太陽電池構成の製造装置、太陽電池構成の製造システム、及び太陽電池構成の組立方法
CN113594302B (zh) * 2021-08-02 2023-08-11 浙江晶科能源有限公司 光伏组件加工方法、光伏组件及滴胶装置
WO2023054651A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 出光興産株式会社 光電変換モジュール、パドル及び光電変換モジュールの製造方法
JPWO2023054652A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06
JP7064646B1 (ja) 2021-10-26 2022-05-10 株式会社東芝 太陽電池モジュール
WO2023145370A1 (ja) * 2022-01-28 2023-08-03 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
CN114937709B (zh) * 2022-07-22 2022-10-25 一道新能源科技(衢州)有限公司 一种p型perc双面太阳能电池组件
WO2024080261A1 (ja) * 2022-10-11 2024-04-18 出光興産株式会社 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51122574U (ja) * 1975-03-28 1976-10-04
JPS593980A (ja) 1982-06-29 1984-01-10 Nec Corp 複合太陽電池素子の製造方法
JPS63229766A (ja) * 1987-03-18 1988-09-26 Sharp Corp 太陽電池モジユ−ルの製造方法
JPH06140651A (ja) 1992-10-27 1994-05-20 Canon Inc 太陽電池モジュール
JPH10270735A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
JPH11307797A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Sharp Corp 結晶太陽電池並びに太陽電池モジュールおよびその製造方法
US20090111206A1 (en) * 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US20030121228A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-03 Stoehr Robert P. System and method for dendritic web solar cell shingling
JP4189190B2 (ja) * 2002-09-26 2008-12-03 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
JP2005123445A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Canon Inc 光起電力素子および光起電力素子の製造方法
US7825329B2 (en) * 2007-01-03 2010-11-02 Solopower, Inc. Thin film solar cell manufacturing and integration
JP5156482B2 (ja) * 2007-05-29 2013-03-06 東レエンジニアリング株式会社 太陽電池モジュール
JP2009130193A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Toyota Motor Corp 太陽電池モジュール
CN102017176A (zh) 2008-03-25 2011-04-13 应用材料股份有限公司 结晶太阳能电池的表面清洁与纹理化工艺
JP2010067858A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子およびその製造方法
JP5430326B2 (ja) * 2009-09-29 2014-02-26 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
US8084280B2 (en) 2009-10-05 2011-12-27 Akrion Systems, Llc Method of manufacturing a solar cell using a pre-cleaning step that contributes to homogeneous texture morphology
WO2012033657A2 (en) * 2010-09-07 2012-03-15 Dow Global Technologies Llc Improved photovoltaic cell assembly
US20120125391A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Solopower, Inc. Methods for interconnecting photovoltaic cells
JP5385890B2 (ja) * 2010-12-22 2014-01-08 東レエンジニアリング株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2012195461A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Nitto Denko Corp 太陽電池セルの製法および製造装置と太陽電池モジュールの製法
US20120325282A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Solopower, Inc. Solar cells with grid wire interconnections
JP5863391B2 (ja) * 2011-10-28 2016-02-16 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池の製造方法
JP2013105850A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セルの製造方法
JP5866224B2 (ja) * 2012-02-20 2016-02-17 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびインターコネクタ付き太陽電池セル
EP2765615B1 (en) * 2012-04-25 2018-05-23 Kaneka Corporation Solar cell, solar cell manufacturing method, and solar cell module

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