JP6575531B2 - マグネシウム含有電解液 - Google Patents

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Description

本発明は、マグネシウムイオンを含有する電解液及び該電解液を含む電気化学デバイスに関する。
マグネシウムは、そのイオンが多価イオンであるため、単位体積あたりの電気容量が大きい。また、マグネシウムはリチウムと比較して融点が高く、安全であることに加え、地球上での資源分布の偏りが小さく、資源量が豊富で安価であるというメリットもある。そのため、金属マグネシウムを負極としたマグネシウムイオン電池は、リチウムイオン電池に代わる次世代の電池として注目されている。
しかしながら、金属マグネシウムを負極としたマグネシウムイオン電池においては、マグネシウムがその高い還元性に起因して電解液と反応することで、電極表面に不動態皮膜が形成される。その結果、マグネシウムの可逆的な溶解、析出を阻害し、負極反応が困難となる。
このような不動態皮膜を形成しない電解液としては、グリニャール試薬RMgX（Rはアルキル基又はアリール基であり、Xは塩素又は臭素である。）をテトラヒドロフランに溶解した電解液が知られており、マグネシウムの可逆的な溶解、析出が確認されている。
一方、AurbachらはジブチルマグネシウムBu2MgとエチルアルミニウムジクロリドEtAlCl2を用いて、Mg(AlCl2BuEt)2のTHF溶液を調製し、マグネシウムに対して2.4V程度の電位まで使用可能であることを報告している（非特許文献１）。
しかし、これらのグリニャール試薬やアルキルマグネシウムを使用した電解液は求核的性質を有するため、正極に使用される化学的に活性の高い活物質や硫黄と直接反応する懸念があり、実用電池での使用において制限があった。
これに対し、Wangらは、非求核的なフェノキシド系マグネシウム塩と塩化アルミニウムを混合することにより、マグネシウムに対して2.6V 程度まで使用可能な電解液を報告している（非特許文献２）。
また、Liaoらは、非求核的なアルコキシド系マグネシウム塩と塩化アルミニウムを混合することにより、マグネシウムに対して2.5V程度の酸化耐性を有する電解液を報告している。（非特許文献３）。
Nature, 407, p724-727 (2000) Chem.Commun,2012,48,10763-10765 J.Mater.Chem.A, 2014,2,581-584
非特許文献２や非特許文献３に記載の電解液は、上記のように非求核的なマグネシウム塩を使用した上で広い電位窓を有する電解液を報告しているが、より高電位で作動可能な電解液が現在求められている。
即ち、本発明は、非求核的なアルコキシド系マグネシウム塩を用いて、酸化分解電位が高く、マグネシウムの溶解析出が繰り返し安定して進行する電解液の提供を目的とする。
本発明は、「下記一般式（Ｉ）で示される化合物とルイス酸と溶媒を混合してなる、マグネシウム電池用電解液：

（式中、Ｙは炭素原子又はケイ素原子を表し、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、Ｒ１は、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、；マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；マグネシウムブロミドオキシ基（−OMgBr）；炭素数１〜６のアルケニル基；ハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。）」、「上記電解液、正極及び負極を含む電気化学デバイス」及び「下記一般式（Ｉ’）で示される化合物：

（式中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、Ｒ’１は、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ’２及びＲ’３は、それぞれ独立して、水素原子；−OMgCl；−OMgBr；炭素数１〜６のアルケニル基；ハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。）」に関する。
本発明の電解液は、従来の電解液と比較して酸化分解電位が高いため、高電圧のマグネシウム電池の電解液として用いることができる。また、本発明の電解液は、マグネシウム二次電池の電解液として用いた場合、マグネシウムの溶解析出が繰り返し安定して進行するという効果を奏する。更に、本発明の電解液は、優れた保存安定性も有する。
実施例７における、電解液１［トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/テトラヒドロフラン(THF)溶液］を用いたＣＶ測定で１０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。 実施例７における、電解液２［トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/トリグライム溶液］を用いたＣＶ測定で１０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。 実施例７における、電解液２［トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/トリグライム溶液］を用いたＣＶ測定で４０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。 比較例３における、比較電解液１［(tert-BuOMgCl)6-AlCl3/THF溶液］を用いたＣＶ測定で１０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。 比較例３における、比較電解液２［MgCl2-Me2AlCl-Bu4NCl/THF溶液］を用いたＣＶ測定で１０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。 実施例１６における、電解液７［トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を用いたＣＶ測定で１０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。 比較例５における、比較電解液３［(Me3SiOMgCl)6-AlCl3/THF溶液］を用いたＣＶ測定で１０サイクルさせた結果を示したグラフを表す。
［一般式（Ｉ）で示される化合物］
一般式（Ｉ）で示される化合物のＹは、炭素原子又はケイ素原子を表し、ケイ素原子が好ましい。Ｙがケイ素原子である一般式（Ｉ）で示される化合物は、Ｙが炭素原子の場合よりも更に優れた保存安定性を示す。
一般式（Ｉ）で示される化合物のＸは、塩素原子又は臭素原子を表し、塩素原子が好ましい。
一般式（Ｉ）で示される化合物のＲ１〜Ｒ３における炭素数６〜１０のアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が挙げられ、フェニル基が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３における炭素数６〜１０のアリール基の置換基としてのハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられ、フルオロ基が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３における炭素数６〜１０のアリール基の置換基としてのアルキル基としては、通常炭素数１〜６のアルキル基であり、炭素数１〜４が好ましく、直鎖状でも分枝状でも環状でもよい。具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ-ペンチル基、ｔｅｒｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ-ヘキシル基、ｔｅｒｔ-ヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３における炭素数６〜１０のアリール基の置換基としてのハロゲノアルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも環状でもよいが直鎖状が好ましく、炭素数は通常1〜６、好ましくは１〜３である。具体的には、フルオロアルキル基、クロロアルキル基、ブロモアルキル基等が挙げられ、フルオロアルキル基が好ましく、中でもパーフルオロアルキル基が特に好ましい。より具体的には、例えばフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、フルオロエチル基、パーフルオロエチル基、フルオロ-ｎ-プロピル基、パーフルオロ-ｎ-プロピル基、フルオロ-ｎ-ブチル基、パーフルオロ-ｎ-ブチル基、フルオロ-ｎ-ペンチル基、パーフルオロ-ｎ-ペンチル基、フルオロ-ｎ-ヘキシル基、パーフルオロ-ｎ-ヘキシル基、クロロメチル基、パークロロメチル基、クロロエチル基、パークロロエチル基、クロロ-ｎ-プロピル基、パークロロ-ｎ-プロピル基、クロロ-ｎ-ブチル基、パークロロ-ｎ-ブチル基、クロロ-ｎ-ペンチル基、パークロロ-ｎ-ペンチル基、クロロ-ｎ-ヘキシル基、パークロロ-ｎ-ヘキシル基、ブロモメチル基、パーブロモメチル基、ブロモエチル基、パーブロモエチル基、ブロモ-ｎ-プロピル基、パーブロモ-ｎ-プロピル基、ブロモ-ｎ-ブチル基、パーブロモ-ｎ-ブチル基、ブロモ-ｎ-ペンチル基、パーブロモ-ｎ-ペンチル基、ブロモ-ｎ-ヘキシル基、パーブロモ-ｎ-ヘキシル基等が挙げられ、中でもパーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロ-ｎ-プロピル基、パーフルオロ-ｎ-ブチル基、パーフルオロ-ｎ-ペンチル基、パーフルオロ-ｎ-ヘキシル基が好ましく、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロ-ｎ-プロピル基がより好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３における炭素数６〜１０のアリール基の置換基としてのアルコキシ基としては、通常炭素数１〜６であり、炭素数１〜４が好ましく、具体的には例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ-ブトキシ基、ｔｅｒｔ-ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ等が挙げられ、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基等が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３におけるハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基としては、ハロゲノ基を置換基として有するアリール基、アルキル基を置換基として有するアリール基、アルコキシ基を置換基として有するアリール基、無置換のアリール基等が好ましい。また、Ｒ１〜Ｒ３におけるハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有する炭素数６〜１０のアリール基の置換基の数は、通常１〜７個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜２個である。
Ｒ１〜Ｒ３におけるハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基は、具体的には例えば、フェニル基、ナフチル基；フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、パーフルオロフェニル基、パークロロフェニル基、パーブロモフェニル基、パーヨードフェニル基；メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ-ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓｅｃ-ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ-ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、イソペンチルフェニル基、ｓｅｃ-ペンチルフェニル基、ｔｅｒｔ-ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ-ヘキシルフェニル基、イソヘキシルフェニル基、ｓｅｃ-ヘキシルフェニル基、ｔｅｒｔ-ヘキシルフェニル基、3-メチルペンチルフェニル基、2-メチルペンチルフェニル基、1,2-ジメチルブチルフェニル基、シクロプロピルフェニル基、シクロペンチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基；フルオロメチルフェニル基、パーフルオロメチルフェニル基、フルオロエチルフェニル基、パーフルオロエチルフェニル基、フルオロ-ｎ-プロピルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-プロピルフェニル基、フルオロイソプロピルフェニル基、パーフルオロイソプロピルフェニル基、フルオロ-ｎ-ブチルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-ブチルフェニル基、フルオロイソブチルフェニル基、パーフルオロイソブチルフェニル基、フルオロ-sec-ブチルフェニル基、パーフルオロ-sec-ブチルフェニル基、フルオロ-tert-ブチルフェニル基、パーフルオロ-tert-ブチルフェニル基、フルオロ-ｎ-ペンチルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-ペンチルフェニル基、フルオロイソペンチルフェニル基、パーフルオロイソペンチルフェニル基、フルオロ-sec-ペンチルフェニル基、パーフルオロ-sec-ペンチルフェニル基、フルオロ-tert-ペンチルフェニル基、パーフルオロ-tert-ブチルフェニル基、フルオロネオペンチルフェニル基、パーフルオロネオペンチルフェニル基、フルオロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、フルオロイソヘキシルフェニル基、パーフルオロイソヘキシルフェニル基、フルオロ-sec-ヘキシルフェニル基、パーフルオロ-sec-ヘキシルフェニル基、フルオロ-tert-ヘキシルフェニル基、パーフルオロ-tert-ヘキシルフェニル基、フルオロ-3-メチルペンチルフェニル基、パーフルオロ-3-メチルペンチルフェニル基、フルオロ-2-メチルペンチルフェニル基、パーフルオロ-2-メチルペンチルフェニル基、フルオロ-1,2-ジメチルブチルフェニル基、パーフルオロ-1,2-ジメチルブチルフェニル基、フルオロシクロプロピルフェニル基、パーフルオロシクロプロピルフェニル基、フルオロシクロブチルフェニル基、パーフルオロシクロブチルフェニル基、フルオロシクロペンチルフェニル基、パーフルオロシクロペンチルフェニル基、フルオロシクロヘキシルフェニル基、パーフルオロシクロヘキシルフェニル基、クロロメチルフェニル基、パークロロメチルフェニル基、クロロエチルフェニル基、パークロロエチルフェニル基、クロロ-ｎ-プロピルフェニル基、パークロロ-ｎ-プロピルフェニル基、クロロイソプロピルフェニル基、パークロロイソプロピルフェニル基、クロロ-ｎ-ブチルフェニル基、パークロロ-ｎ-ブチルフェニル基、クロロイソブチルフェニル基、パークロロイソブチルフェニル基、クロロ-sec-ブチルフェニル基、パークロロ-sec-ブチルフェニル基、クロロ-tert-ブチルフェニル基、パークロロ-tert-ブチルフェニル基、クロロ-ｎ-ペンチルフェニル基、パークロロ-ｎ-ペンチルフェニル基、クロロイソペンチルフェニル基、パークロロイソペンチルフェニル基、クロロ-sec-ペンチルフェニル基、パークロロ-sec-ペンチルフェニル基、クロロ-tert-ペンチルフェニル基、パークロロ-tert-ブチルフェニル基、クロロネオペンチルフェニル基、パークロロネオペンチルフェニル基、クロロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、パークロロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、クロロイソヘキシルフェニル基、パークロロイソヘキシルフェニル基、クロロ-sec-ヘキシルフェニル基、パークロロ-sec-ヘキシルフェニル基、クロロ-tert-ヘキシルフェニル基、パークロロ-tert-ヘキシルフェニル基、クロロ-3-メチルペンチルフェニル基、パークロロ-3-メチルペンチルフェニル基、クロロ-2-メチルペンチルフェニル基、パークロロ-2-メチルペンチルフェニル基、クロロ-1,2-ジメチルブチルフェニル基、パークロロ-1,2-ジメチルブチルフェニル基、クロロシクロプロピルフェニル基、パークロロシクロプロピルフェニル基、クロロシクロブチルフェニル基、パークロロシクロブチルフェニル基、クロロシクロペンチルフェニル基、パークロロシクロペンチルフェニル基、クロロシクロヘキシルフェニル基、パークロロシクロヘキシルフェニル基、ブロモメチルフェニル基、パーブロモメチルフェニル基、ブロモエチルフェニル基、パーブロモエチルフェニル基、ブロモ-ｎ-プロピルフェニル基、パーブロモ-ｎ-プロピルフェニル基、ブロモイソプロピルフェニル基、パーブロモイソプロピルフェニル基、ブロモ-ｎ-ブチルフェニル基、パーブロモ-ｎ-ブチルフェニル基、ブロモイソブチルフェニル基、パーブロモイソブチルフェニル基、ブロモ-sec-ブチルフェニル基、パーブロモ-sec-ブチルフェニル基、ブロモ-tert-ブチルフェニル基、パーブロモ-tert-ブチルフェニル基、ブロモ-ｎ-ペンチルフェニル基、パーブロモ-ｎ-ペンチルフェニル基、ブロモイソペンチルフェニル基、パーブロモイソペンチルフェニル基、ブロモ-sec-ペンチルフェニル基、パーブロモ-sec-ペンチルフェニル基、ブロモ-tert-ペンチルフェニル基、パーブロモ-tert-ブチルフェニル基、ブロモネオペンチルフェニル基、パーブロモネオペンチルフェニル基、ブロモ-ｎ-ヘキシルフェニル基、パーブロモ-ｎ-ヘキシルフェニル基、ブロモイソヘキシルフェニル基、パーブロモイソヘキシルフェニル基、ブロモ-sec-ヘキシルフェニル基、パーブロモ-sec-ヘキシルフェニル基、ブロモ-tert-ヘキシルフェニル基、パーブロモ-tert-ヘキシルフェニル基、ブロモ-3-メチルペンチルフェニル基、パーブロモ-3-メチルペンチルフェニル基、ブロモ-2-メチルペンチルフェニル基、パーブロモ-2-メチルペンチルフェニル基、ブロモ-1,2-ジメチルブチルフェニル基、パーブロモ-1,2-ジメチルブチルフェニル基、ブロモシクロプロピルフェニル基、パーブロモシクロプロピルフェニル基、ブロモシクロブチルフェニル基、パーブロモシクロブチルフェニル基、ブロモシクロペンチルフェニル基、パーブロモシクロペンチルフェニル基、ブロモシクロヘキシルフェニル基、パーブロモシクロヘキシルフェニル基；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｎ-プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、ｎ-ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓｅｃ-ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ-ブトキシフェニル基、ｎ−ペンチルオキシフェニル基、イソペンチルオキシフェニル基、sec-ペンチルオキシフェニル基、tert-ペンチルオキシフェニル基、ネオペンチルオキシフェニル基、ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、イソヘキシルオキシフェニル基、sec-ヘキシルオキシフェニル基、tert-ヘキシルオキシフェニル基、3-メチルペンチルオキシフェニル基、2-メチルペンチルオキシフェニル基、1,2-ジメチルブトキシフェニル基、シクロプロピルオキシフェニル基、シクロブチルオキシフェニル基、シクロペンチルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基等が挙げられる。
上記具体例の中でも、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ-ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓｅｃ-ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ-ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、イソペンチルフェニル基、ｓｅｃ-ペンチルフェニル基、ｔｅｒｔ-ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ-ヘキシルフェニル基、イソヘキシルフェニル基、ｓｅｃ-ヘキシルフェニル基、ｔｅｒｔ-ヘキシルフェニル基、3-メチルペンチルフェニル基、2-メチルペンチルフェニル基、1,2-ジメチルブチルフェニル基、シクロプロピルフェニル基、シクロペンチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基；フルオロメチルフェニル基、パーフルオロメチルフェニル基、フルオロエチルフェニル基、パーフルオロエチルフェニル基、フルオロ-ｎ-プロピルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-プロピルフェニル基、フルオロ-ｎ-ブチルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-ブチルフェニル基、フルオロ-ｎ-ペンチルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-ペンチルフェニル基、フルオロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、パーフルオロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、クロロメチルフェニル基、パークロロメチルフェニル基、クロロエチルフェニル基、パークロロエチルフェニル基、クロロ-ｎ-プロピルフェニル基、パークロロ-ｎ-プロピルフェニル基、クロロ-ｎ-ブチルフェニル基、パークロロ-ｎ-ブチルフェニル基、クロロ-ｎ-ペンチルフェニル基、パークロロ-ｎ-ペンチルフェニル基、クロロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、パークロロ-ｎ-ヘキシルフェニル基、ブロモメチルフェニル基、パーブロモメチルフェニル基、ブロモエチルフェニル基、パーブロモエチルフェニル基、ブロモ-ｎ-プロピルフェニル基、パーブロモ-ｎ-プロピルフェニル基、ブロモ-ｎ-ブチルフェニル基、パーブロモ-ｎ-ブチルフェニル基、ブロモ-ｎ-ペンチルフェニル基、パーブロモ-ｎ-ペンチルフェニル基、ブロモ-ｎ-ヘキシルフェニル基、パーブロモ-ｎ-ヘキシルフェニル基；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｎ-プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、ｎ-ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓｅｃ-ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ-ブトキシフェニル基、ｎ−ペンチルオキシフェニル基、ｎ−ヘキシルオキシフェニル基等が好ましく、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基；フルオロメチルフェニル基、クロロメチルフェニル基、ブロモメチルフェニル基、ヨードメチルフェニル基、；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｎ-プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基等がより好ましい。
一般式（Ｉ）で示される化合物のＲ２及びＲ３における炭素数１〜６のアルケニル基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、炭素数１〜３のものが好ましい。具体的には、例えばビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基、3-ブテニル基、2-ブテニル基、1-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、4-ペンテニル基、3-ペンテニル基、2-ペンテニル基、1-ペンテニル基、1-メチル-1-ブテニル基、5-ヘキセニル基、4-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、1-ヘキセニル基等が挙げられ、中でもビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基が好ましく、アリル基がより好ましい。
一般式（Ｉ）で示される化合物のＲ２及びＲ３における炭素数１〜６のアルキル基としては、炭素数１〜４が好ましく、直鎖状でも分枝状でも環状でもよい。具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ-ペンチル基、ｔｅｒｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ-ヘキシル基、ｔｅｒｔ-ヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチル基が好ましい。
Ｒ２及びＲ３における炭素数１〜６のアルキル基の置換基としてのハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられ、フルオロ基が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３における炭素数１〜６のアルキル基の置換基としてのアルコキシ基としては、通常炭素数１〜６であり、炭素数１〜３が好ましく、具体的には例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ-ブトキシ基、ｔｅｒｔ-ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ等が挙げられ、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基等が好ましい。
Ｒ１〜Ｒ３におけるハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、具体的には例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ-ペンチル基、ｔｅｒｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ-ヘキシル基、ｔｅｒｔ-ヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基；パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロ-n-ブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ-sec-ブチル基、パーフルオロ-tert-ブチル基、パーフルオロ-ｎ-ペンチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロ-ｓｅｃ-ペンチル基、パーフルオロ-ｔｅｒｔ-ペンチル基、パーフルオロネオペンチル基、パーフルオロ-ｎ-ヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロ-ｓｅｃ-ヘキシル基、パーフルオロ-ｔｅｒｔ-ヘキシル基、パーフルオロ-3-メチルペンチル基、パーフルオロ-2-メチルペンチル基、パーフルオロ-1,2-ジメチルブチル基、パーフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロ-n-プロピル基、フルオロイソプロピル基、フルオロ-n-ブチル基、フルオロイソブチル基、フルオロ-sec-ブチル基、フルオロ-tert-ブチル基、フルオロ-ｎ-ペンチル基、フルオロイソペンチル基、フルオロ-ｓｅｃ-ペンチル基、フルオロ-ｔｅｒｔ-ペンチル基、フルオロネオペンチル基、フルオロ-ｎ-ヘキシル基、フルオロイソヘキシル基、フルオロ-ｓｅｃ-ヘキシル基、フルオロ-ｔｅｒｔ-ヘキシル基、フルオロ-3-メチルペンチル基、フルオロ-2-メチルペンチル基、フルオロ-1,2-ジメチルブチル基、フルオロシクロペンチル基、フルオロシクロヘキシル基；パークロロメチル基、パークロロエチル基、パークロロ-n-プロピル基、パークロロイソプロピル基、パークロロ-n-ブチル基、パークロロ-sec-ブチル基、パークロロ-tert-ブチル基、パークロロ-ｎ-ペンチル基、パークロロイソペンチル基、パークロロ-ｓｅｃ-ペンチル基、パークロロ-ｔｅｒｔ-ペンチル基、パークロロネオペンチル基、パークロロ-ｎ-ヘキシル基、パークロロイソヘキシル基、パークロロ-ｓｅｃ-ヘキシル基、パークロロ-ｔｅｒｔ-ヘキシル基、パークロロ-3-メチルペンチル基、パークロロ-2-メチルペンチル基、パークロロ-1,2-ジメチルブチル基、パークロロシクロペンチル基、パークロロシクロヘキシル基、クロロメチル基、クロロエチル基、クロロ-n-プロピル基、クロロイソプロピル基、クロロ-n-ブチル基、クロロイソブチル基、クロロ-sec-ブチル基、クロロ-tert-ブチル基、クロロ-n-ペンチル基、クロロイソペンチル基、クロロ-sec-ペンチル基、クロロ-tert-ペンチル基、クロロネオペンチル基、クロロ-n-ヘキシル基、クロロイソヘキシル基、クロロ-sec-ヘキシル基、クロロ-tert-ヘキシル基、クロロ-3-メチルペンチル基、クロロ-2-メチルペンチル基、クロロ-1,2-ジメチルブチル基、クロロシクロペンチル基、クロロシクロヘキシル基；パーブロモメチル基、パーブロモエチル基、パーブロモ-n-プロピル基、パーブロモイソプロピル基、パーブロモ-n-ブチル基、パーブロモ-sec-ブチル基、パーブロモ-tert-ブチル基、パーブロモ-ｎ-ペンチル基、パーブロモイソペンチル基、パーブロモ-ｓｅｃ-ペンチル基、パーブロモ-ｔｅｒｔ-ペンチル基、パーブロモネオペンチル基、パーブロモ-ｎ-ヘキシル基、パーブロモイソヘキシル基、パーブロモ-ｓｅｃ-ヘキシル基、パーブロモ-ｔｅｒｔ-ヘキシル基、パーブロモ-3-メチルペンチル基、パーブロモ-2-メチルペンチル基、パーブロモ-1,2-ジメチルブチル基、パーブロモシクロペンチル基、パーブロモシクロヘキシル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモ-n-プロピル基、ブロモイソプロピル基、ブロモ-n-ブチル基、ブロモイソブチル基、ブロモ-sec-ブチル基、ブロモ-tert-ブチル基、ブロモ-n-ペンチル基、ブロモイソペンチル基、ブロモ-sec-ペンチル基、ブロモ-tert-ペンチル基、ブロモネオペンチル基、ブロモ-n-ヘキシル基、ブロモイソヘキシル基、ブロモ-sec-ヘキシル基、ブロモ-tert-ヘキシル基、ブロモ-3-メチルペンチル基、ブロモ-2-メチルペンチル基、ブロモ-1,2-ジメチルブチル基、ブロモシクロペンチル基、ブロモシクロヘキシル基；パーヨードメチル基、パーヨードエチル基、パーヨード-n-プロピル基、パーヨードイソプロピル基、パーヨード-n-ブチル基、パーヨード-sec-ブチル基、パーヨード-tert-ブチル基、パーヨード-ｎ-ペンチル基、パーヨードイソペンチル基、パーヨード-ｓｅｃ-ペンチル基、パーヨード-ｔｅｒｔ-ペンチル基、パーヨードネオペンチル基、パーヨード-ｎ-ヘキシル基、パーヨードイソヘキシル基、パーヨード-ｓｅｃ-ヘキシル基、パーヨード-ｔｅｒｔ-ヘキシル基、パーヨード-3-メチルペンチル基、パーヨード-2-メチルペンチル基、パーヨード-1,2-ジメチルブチル基、パーヨードシクロペンチル基、パーヨードシクロヘキシル基、ヨードメチル基、ヨードエチル基、ヨード-n-プロピル基、ヨードイソプロピル基、ヨード-n-ブチル基、ヨードイソブチル基、ヨード-sec-ブチル基、ヨード-tert-ブチル基、ヨード-n-ペンチル基、ヨードイソペンチル基、ヨード-sec-ペンチル基、ヨード-tert-ペンチル基、ヨードネオペンチル基、ヨード-n-ヘキシル基、ヨードイソヘキシル基、ヨード-sec-ヘキシル基、ヨード-tert-ヘキシル基、ヨード-3-メチルペンチル基、ヨード-2-メチルペンチル基、ヨード-1,2-ジメチルブチル基、ヨードシクロペンチル基、ヨードシクロヘキシル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ-ブトキシメチル基、イソブトキシメチル基、ｓｅｃ-ブトキシメチル基、ｔｅｒｔ-ブトキシメチル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、ネオペンチルオキシメチル基、ｎ−ヘキシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ-プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、ｎ-ブトキシエチル基、イソブトキシエチル基、ｓｅｃ-ブトキシエチル基、ｔｅｒｔ-ブトキシエチル基、ｎ−ペンチルオキシエチル基、ネオペンチルオキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、メトキシ-ｎ-プロピル基、エトキシ-ｎ-プロピル基、ｎ-プロポキシ-ｎ-プロピル基、イソプロポキシ-ｎ-プロピル基、ｎ-ブトキシ-ｎ-プロピル基、イソブトキシ-ｎ-プロピル基、ｓｅｃ-ブトキシ-ｎ-プロピル基、ｔｅｒｔ-ブトキシ-ｎ-プロピル基、ｎ−ペンチルオキシ-ｎ-プロピル基、ネオペンチルオキシ-ｎ-プロピル基、ｎ−ヘキシルオキシ-ｎ-プロピル基、メトキシ-ｎ-ブチル基、エトキシ-ｎ-ブチル基、ｎ-プロポキシ-ｎ-ブチル基、イソプロポキシ-ｎ-ブチル基、ｎ-ブトキシ-ｎ-ブチル基、イソブトキシ-ｎ-ブチル基、ｓｅｃ-ブトキシ-ｎ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブトキシ-ｎ-ブチル基、ｎ−ペンチルオキシ-ｎ-ブチル基、ネオペンチルオキシ-ｎ-ブチル基、ｎ−ヘキシルオキシ-ｎ-ブチル基等挙げられる。
中でも、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロ-n-ブチル基、パーフルオロ-sec-ブチル基、パーフルオロ-tert-ブチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等が好ましい。
一般式（Ｉ）で示される化合物におけるＲ２及びＲ３は、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；炭素数１〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のアルキル基；或いはハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；炭素数１〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のアルキル基；或いはアルキル基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより好ましい。これらの好ましい具体例は、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）、ビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチル基、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基；フルオロメチルフェニル基、クロロメチルフェニル基、ブロモメチルフェニル基、ヨードメチルフェニル基；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｎ-プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基等が挙げられ、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）、ビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチル基、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基等がより好ましい。
一般式（Ｉ）で示される化合物の好ましい具体例としては、下記一般式（Ｉ−Ｉ）、（Ｉ−ＩＩ）又は（Ｉ−ＩＩＩ）で示される化合物が挙げられる。
（式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を表し、ｎ４、ｎ５、及びｎ６は、それぞれ独立して０〜５の整数を表す。Ｘ、Ｙは上記と同じ。）
（式中、Ｒ７は、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；炭素数１〜６のアルケニル基又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ４、Ｒ６、ｎ４、ｎ６及びＸ、Ｙは上記と同じ。）

（式中、２つのＲ８は、それぞれ独立して、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；炭素数１〜６のアルケニル基又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ４、ｎ４、Ｘ及びＹは上記と同じ。）
（Ｉ−Ｉ）、（Ｉ−ＩＩ）又は（Ｉ−ＩＩＩ）で示される化合物において、Ｙはケイ素原子が好ましい。また、Ｘは塩素原子が好ましい。
上記Ｒ４、Ｒ５及びＲ６における、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基としては、ハロゲノ基、アルキル基、又はアルコキシ基が好ましい。その具体例は、上記Ｒ１〜Ｒ３における炭素数６〜１０のアリール基の置換基として記載したものと同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。
上記ｎ４、ｎ５、及びｎ６は、０〜２が好ましい。
上記Ｒ７及びＲ８における炭素数１〜６のアルケニル基及び炭素数１〜６のアルキル基の具体例は、それぞれ、Ｒ２及びＲ３における炭素数１〜６のアルケニル基及び炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。
Ｒ７は、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）又は炭素数１〜６のアルケニル基が好ましい。Ｒ８は、炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。
［ルイス酸］
本発明に係るルイス酸は、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ケイ素（Si）、スズ(Sn)、チタン(Ti)、クロム（Cr）、鉄(Fe)、コバルト(Co)を元素として含むものである。具体的には、フッ化ベリリウム（II）、塩化ベリリウム（II）、臭化ベリリウム（II）等のベリリウム化合物；塩化ホウ素（III）、フッ化ホウ素（III）、臭化ホウ素（III）、トリフェノキシボラン、フェニルジクロロボラン、トリフェニルボラン等のホウ素化合物；塩化アルミニウム（III）、臭化アルミニウム（III）、ヨウ化アルミニウム（III）、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム等のアルミニウム化合物；トリメチルシリルトリフラート、トリメチルシリルヨード、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルトリフラートまたはトリイソプロピルシリルトリフラート等のシリル化合物；塩化スズ（IV）、臭化スズ（IV）、塩化スズ（II）、スズ（II）トリフラート等のスズ化合物；塩化チタン（IV）、フッ化チタン（IV）、臭化チタン（IV）、ヨウ化チタン（IV）等のチタン化合物；フッ化クロム（II）、フッ化クロム（III）、塩化クロム（II）、塩化クロム（III）、臭化クロム（II）、臭化クロム（III）、ヨウ化クロム（II）、ヨウ化クロム（III）等のクロム化合物；フッ化鉄（II）、塩化鉄（II）、塩化鉄（III）、臭化鉄鉄（II）、ヨウ化鉄（II）等の鉄化合物；又は、フッ化コバルト（II）、塩化コバルト（II）、臭化コバルト（II）、ヨウ化コバルト（II）等のコバルト化合物が挙げられる。
中でも、ホウ素化合物又はアルミニウム化合物が好ましく、アルミニウム化合物がより好ましい。具体的には、塩化アルミニウム（III）、メチルアルミニウムジクロリド、ジメチルアルミニウムクロリド、塩化ホウ素（III）等が好ましく、塩化アルミニウム（III）が特に好ましい。
［溶媒］
本発明に係る溶媒としては、上記本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物を溶解し得るものが好ましい。このような溶媒としては例えばエーテル系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、カーボネート系溶媒、ニトリル系溶媒、スルホン系溶媒等が挙げられる。
上記エーテル系溶媒としては例えば、ジエチルエーテル、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、t-ブチルメチルエーテル、1,4-ジオキサン等が挙げられ；ハロゲン化炭化水素系溶媒としては例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等が挙げられ；カーボネート系溶媒としては例えば、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチルメチル、炭酸プロピレン等が挙げられ；ニトリル系溶媒としては例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、スクシノニトリル、ピメロニトリル、メトキシプロピオニトリル等が挙げられ、；スルホン系溶媒としては例えば、スルホラン、ジメチルスルホン、エチルメチルスルホン、メチル-n-プロピルスルホン、メチルイソプロピルスルホン、n-ブチル-メチルスルホン、イソブチルメチルスルホン、sec-ブチルメチルスルホン、tert-ブチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル-n-プロピルスルホン、エチルイソプロピルスルホン、n-ブチルエチルスルホン、イソブチルエチルスルホン、sec-ブチルエチルスルホン、tert-ブチルエチルスルホン、ジ-n-プロピルスルホン、ジイソプロピルスルホン、n-ブチル-n-プロピルスルホン、ジ-n-ブチルスルホン等が挙げられる。
上記具体例の中でも、エーテル系溶媒、スルホン系溶媒等が好ましく、具体的には、1,2-ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、テトラヒドロフラン、スルホランが特に好ましく、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、テトラヒドロフランが特に好ましい。
本発明にかかる溶媒は、上記溶媒２種以上を混合したものであってもよい。
［電解液］
本発明の電解液は、本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物と本発明に係るルイス酸とを本発明にかかる溶媒に混合してなるものである。
該電解液中の一般式（I）で示される化合物の濃度は、通常０.１〜５mol/mL、好ましくは０.１〜３mol/mL、より好ましくは０.２〜２mol/mLである。
本発明の電解液で用いられるルイス酸の量は、本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物の通常０.１〜５mol倍、好ましくは０.１〜３mol倍である。
本発明の電解液は、通常この分野で用いられる皮膜形成剤、過充電防止剤、脱酸素剤、脱水剤、難燃剤等の添加剤及びクラウンエーテル等の配位性の添加剤を含んでいてもよい。
このような本発明の電解液は、マグネシウム電池に用いることができ、マグネシウム二次電池の場合、高い酸化分解電位を示し、安定に繰り返し用いることができる。
本発明の電解液は、上記本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物と本発明に係るルイス酸を本発明に係る溶媒に溶解（混合）することにより製造される。より具体的には、上記本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物１molに対して本発明に係るルイス酸を０.１〜５mol用いて、これらを上記濃度となるように本発明に係る溶媒に添加して混合することにより製造される。尚、混合時に必要に応じて-78〜300℃の範囲で加熱又は冷却しても良く、好ましくは0〜70℃である。
［電気化学デバイス］
本発明の電気化学デバイスは、正極と負極と本発明の電解液を有するものである。具体的には、一次電池、二次電池、電気二重層キャパシタ等が挙げられ、中でも二次電池が好ましい。
本発明の電気化学デバイスにおける正極は、マグネシウム又はマグネシウムイオンをその内部、又は表面及びその近傍に含有し得るものであれば特に限定されない。具体的には例えば、コバルト、マンガン、バナジウム、アルミニウム、鉄、ケイ素、リン、ニッケル、モリブデン、チタン等を含む酸化物、又は硫化物を活物質として含む電極などが挙げられる。
また、該正極には、硫黄等のマグネシウム又はマグネシウムイオンを吸着貯蔵可能な活物質、酸化力の高い有機化学物質、多孔質炭素や活性炭等の電気二重層を形成する材料が含まれていてもよく、マグネシウムが酸化された形態で含まれていてもよい。
本発明の電気化学デバイスにおける負極は、マグネシウム又はマグネシウムイオンをその内部、又は表面及びその近傍に含有し得るものであれば特に限定されない。具体的には例えば、マグネシウムの溶解析出が可能な金属マグネシウム、マグネシウム合金や、マグネシウムと合金化され得る金属、マグネシウム又はマグネシウムイオンのインターカレーションが可能なカーボン材料等が挙げられる。
また、本発明の電気化学デバイスは、正極、負極及び本発明の電解液以外に、更にセパレータを有していてもよい。該セパレータとしては、正極と負極とを電気的に絶縁し、且つマグネシウムイオンが透過可能なものであればよく、例えば多孔性ポリオレフィンフィルム等の微多孔性高分子フィルムが挙げられる。多孔性ポリオレフィンフィルムの具体例としては、例えば多孔性ポリエチレンフィルム単独、又は多孔性ポリエチレンフィルムと多孔性ポリプロピレンフィルムとを重ね合わせて複層フィルムとしたもの等が挙げられる。
［一般式（Ｉ’）で示される化合物］
一般式（Ｉ’）で示される化合物のＸは、塩素原子又は臭素原子を表し、塩素原子が好ましい。
一般式（Ｉ’）で示される化合物のＲ’１は、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表し、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基の具体例及び好ましいものは、一般式（Ｉ）で示される化合物のＲ１と同じものが挙げられる。
一般式（Ｉ’）で示される化合物のＲ’２及びＲ’３は、それぞれ独立して、；マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；炭素数１〜６のアルケニル基；ハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。炭素数１〜６のアルケニル基；ハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基；並びに、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基の具体例及び好ましいものは、一般式（Ｉ）で示される化合物のＲ２及びＲ３と同じものが挙げられる。
Ｒ’２及びＲ’３の好ましい具体例は、一般式（Ｉ）で示される化合物のＲ２及びＲ３と同じものが挙げられる。
一般式（Ｉ’）で示される化合物の具体例としては、例えばマグネシウムブロミド化合物が挙げられ、具体的には、トリフェニルシロキシマグネシウムブロミド；トリス（2-メチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3-メチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（4-メチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,2-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3,3-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,4-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3,4-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,4,6-トリメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,5-テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,6-テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,5,6-テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,5,6-ペンタメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド；トリス（2-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（4-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,2-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3,3-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,4-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3,4-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,4,6-トリフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,5-テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,6-テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,5,6-テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,5,6-ペンタフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド；トリス（2-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（4-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,2-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3,3-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,4-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（3,4-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,4,6-トリメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,5-テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,6-テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,5,6-テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、トリス（2,3,4,5,6-ペンタメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド；ジメチルフェニルシロキシマグネシウムブロミド、メチルジフェニルシロキシマグネシウムブロミド、ジエチルフェニルシロキシマグネシウムブロミド、エチルジフェニルシロキシマグネシウムブロミド、ジ(tert-ブチル)フェニルシロキシマグネシウムブロミド、tert-ブチルジフェニルシロキシマグネシウムブロミド；ジメチル（メチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（メチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（トリメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ペンタメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ペンタメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド；ジメチル（フルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（フルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（トリフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ペンタフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ペンタフルオロフェニル）シロキシマグネシウムブロミド；ジメチル（メトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（メトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（トリメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ペンタメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ペンタメトキシフェニル）シロキシマグネシウムブロミド；ジメチル（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリ、メチルジ（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジ（tert-ブチル）（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、ジメチル（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド、メチルジ（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムブロミド；ジフェニルシランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（メチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ジメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（トリメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（テトラメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ペンタメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）；ジ（フルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ジフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（トリフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（テトラフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ペンタフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）；ジ（メトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ジメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（トリメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（テトラメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ペンタメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）；ジ（トリフルオロメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）、ジ（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムブロミド）等が挙げられる。
また、一般式（Ｉ’）で示される化合物の具体例としては、例えばマグネシウムクロリド化合物が挙げられ、具体的には、トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド；トリス（2-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（4-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,2-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3,3-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,4-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3,4-ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,4,6-トリメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,5-テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,6-テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,5,6-テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,5,6-ペンタメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド；トリス（2-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（4-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,2-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3,3-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,4-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3,4-ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,4,6-トリフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,5-テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,6-テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,5,6-テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,5,6-ペンタフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド；トリス（2-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（4-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,2-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3,3-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,4-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3,4-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,4,6-トリメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,5-テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,6-テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,5,6-テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2,3,4,5,6-ペンタメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド；ジメチルフェニルシロキシマグネシウムクロリド、メチルジフェニルシロキシマグネシウムクロリド、ジエチルフェニルシロキシマグネシウムクロリド、エチルジフェニルシロキシマグネシウムクロリド、ジ(tert-ブチル)フェニルシロキシマグネシウムクロリド、tert-ブチルジフェニルシロキシマグネシウムクロリド；ジメチル（メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ジメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（トリメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（テトラメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ペンタメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ペンタメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド；ジメチル（フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ジフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（トリフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（テトラフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ペンタフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ペンタフルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド；ジメチル（メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（トリメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（テトラメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ペンタメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ペンタメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド；ジメチル（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリ、メチルジ（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジ（tert-ブチル）（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリフルオロメチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチル（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド、メチルジ（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シロキシマグネシウムクロリド；ジフェニルシランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（メチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ジメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（トリメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（テトラメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ペンタメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）；ジ（フルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ジフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（トリフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（テトラフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ペンタフルオロフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）；ジ（メトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ジメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（トリメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（テトラメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ペンタメトキシフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）；ジ（トリフルオロメチルフェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（トリ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（テトラ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）、ジ（ペンタ（トリフルオロメチル）フェニル）シランジオキシビス（マグネシウムクロリド）等が挙げられる。
一般式（Ｉ’）で示される化合物は、上記マグネシウムクロリド化合物が好ましく、その中でも、トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド、トリス（2-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（4-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（4-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（2-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（3-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、トリス（4-メトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド、ジメチルフェニルシロキシマグネシウムクロリド、ジフェニルシランジオキシビス（マグネシウムクロリド）等が好ましい。
上記一般式（Ｉ’）で示される化合物は、配位体であってもよく、例えば上記本発明に係る溶媒と形成する配位体であってもよい。例えば、THFと配位体を形成する場合、下記のような二量体の配位体を形成すると推定される。
（式中、Ｘ、Ｒ’１、Ｒ’２及びＲ’３は、上記と同じ。）
［一般式（Ｉ’）で示される化合物の製造方法］
一般式（Ｉ’）で示される化合物は、例えば下記一般式（ＩＩ’）で示されるシラノール化合物とグリニャール試薬とを適当な溶媒中で反応させることにより得ることができる。
（式中、Ｒ’１〜Ｒ’３は上記と同じ）
一般式（ＩＩ’）で示される化合物の具体例は、上記一般式（Ｉ’）で示される化合物の具体例に準じたものが挙げられ、好ましいものも一般式（Ｉ’）で示される化合物の好ましいものに準じたものが挙げられる。
一般式（ＩＩ’）で示される化合物は、市販品を用いても、自体公知の方法により製造したものを用いても構わない。自体公知の方法としては、例えばPaul D. Price et al, Dalton Tarnsactions, (2), 271-282, 2008に記載の方法に準じて、下記一般式（ＩＩＩ’）で示される化合物を製造した後、該化合物を自体公知の酸化方法に付すことによりなされる。
（式中、Ｒ’１〜Ｒ’３は上記と同じ）
一般式（ＩＩＩ’）で示される化合物の具体例は、上記一般式（Ｉ’）で示される化合物の具体例に準じたものが挙げられ、好ましいものも一般式（Ｉ’）で示される化合物の好ましいものに準じたものが挙げられる。
上記グリニャール試薬としては、例えばＲＭｇＸで示される化合物（Ｒは、置換基を有する炭素数１〜６のアルキル基又は置換基を有するフェニル基を表し、Ｘは上記と同じ。）が挙げられる。
Ｒにおける炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ２及びＲ３におけるにおける炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。Ｒにおけるアルキル基とフェニル基の置換基としては、例えば、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基等が挙げられ、その具体例としては、Ｒ１におけるアリール基の置換基の項で説明した者と同じものが挙げられる。

一般式（ＩＩ’）で示されるシラノール化合物とグリニャール試薬の反応で用いられるグリニャール試薬の使用量は、一般式（ＩＩ’）で示される化合物１モルに対して、通常０．５〜２モル、好ましくは０．５〜１モルである。
一般式（ＩＩ’）で示されるシラノール化合物とグリニャール試薬との反応温度は、通常−７８〜８０℃であり、その反応時間は、通常５秒〜５時間である。また、該反応は、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましく、アルゴン雰囲気下で行うのがより好ましい。この際に用いられる溶媒としては、一般式（ＩＩ’）で示されるシラノール化合物、又はグリニャール試薬の少なくとも一方が溶解するものであればよく、両者を溶解するものが好ましい。具体的には、例えば上記本発明に係る溶媒と同じものが挙げられ、中でも、ジエチルエーテル、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、t-ブチルメチルエーテル、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒が挙げられ、好ましくはテトラヒドロフランである。
尚、得られた反応物は、濃縮乾燥後、必要に応じてジイソプロピルエーテル等の溶媒で洗浄しても構わない。
一般式（Ｉ’）で示される化合物は、具体的には例えば以下の如く製造される。
即ち、アルゴンガス雰囲気下、上記一般式（ＩＩ’）で示されるシラノール化合物をテトラヒドロフラン等の溶媒に溶解する。更に、シラノール化合物１モルに対して０．１〜２モルのフェニルマグネシウムクロリドを溶解したテトラヒドロフラン溶液等を滴下して、５秒〜５時間反応させる。必要に応じて、反応溶液を濃縮乾燥等の固体を得る操作を行い、得られた固体をジイソプロピルエーテル等の溶媒で洗浄し、乾燥することにより、一般式（Ｉ’）で示される化合物は製造される。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらにより何等限定されるものではない。
実施例１ 電解液１の調製
（１）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、ベンゾフェノン（和光純薬工業(株)製）7.29g(40mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）20mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 20ml(40mmol)を滴下した。４時間攪拌した後、結晶をろ取乾燥し、トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド(Ph3COMgCl)を得た。
（２）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、上記トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド(Ph3COMgCl) 1.60g(5mmol)をTHF 20mlに混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) 0.67g(5mmol)を添加した。50℃で5分間維持した後、冷却ろ過して電解液１［トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例２ 電解液２の調液
アルゴンガス雰囲気下、実施例１の（１）で得たトリフェニルメトキシマグネシウムクロリド(Ph3COMgCl) 1.60g(5mmol)をトリグライム20mlに混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) 0.17g(1.25mmol)を添加した。50℃で5分間維持した後、冷却ろ過して電解液２［トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/トリグライム溶液］を得た。
実施例３ 電解液３の調液
アルゴンガス雰囲気下、実施例１の（１）で得たトリフェニルメトキシマグネシウムクロリド(Ph3COMgCl) 1.60g(5mmol)をTHF 20mlに混合し、35℃に加熱した後、ジメチルアルミニウムクロリド（Me2AlCl） (関東化学(株)製ヘキサン溶液を濃縮) 0.48g(5mmol)を添加した。50℃で5分間維持した後、冷却して電解液３［トリフェニルメトキシマグネシウムクロリド−ジメチルアルミニウムクロリド/THF溶液］を得た。
実施例４ 電解液４の調液
（１）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 10ml(20mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）30mlを加え、アセトン（和光純薬工業(株)製）1.28g(22mmol)を滴下した。２時間攪拌した後、結晶をろ取乾燥し、ジメチルフェニルメトキシマグネシウムクロリド(Me2PhCOMgCl)を得た。
（２）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、ジメチルフェニルメトキシマグネシウムクロリド(Me2PhCOMgCl)0.97g(5mmol)にTHFを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3)0.17g(1.25mmol)を添加した。50℃で5分間維持した後、冷却して電解液４［ジメチルフェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例５ 電解液５の調液
アルゴンガス雰囲気下、ベンゾフェノン（和光純薬工業(株)製）7.29g(40mmol)をTHF（和光純薬工業(株)製）20mlに溶解した後、濃度1Mのアリルマグネシウムクロリド((C3H5)MgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 40ml(40mmol)を滴下して４時間攪拌した。得られた溶液12ml(8mmol)に対し、室温で塩化アルミニウム(AlCl3)0.17g(2mmol)を添加して１時間攪拌し、電解液５［1,1-ジフェニル-1-（2-プロペニル）メトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例６ 電解液６の調液
アルゴンガス雰囲気下、4,4-ジフルオロベンゾフェノン（和光純薬工業(株)製）4.36g(20mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）15mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 10ml(20mmol)を滴下して４時間攪拌した。得られた溶液6.8ml(5mmol)を40℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3)0.67g(5mmol)を添加して冷却し、電解液６［1,1-ジ（４−フルオロフェニル）-1-フェニルメトキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
比較例１ 比較電解液１の調液
アルゴンガス雰囲気下、濃度2Mのエチルマグネシウムクロリド(EtMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 10ml(20mmol)とTHF（和光純薬工業(株)製）10mlを混合し、tert-ブタノール（和光純薬工業(株)製）1.48g(20mmol)を滴下した。その後、塩化アルミニウム(和光純薬工業(株)製)0.44g(3.3mmol)を添加攪拌し、比較例電解液１［(tert-BuOMgCl)6-AlCl3/THF溶液］を得た。
比較例２ 比較電解液２の調液
アルゴンガス雰囲気下、塩化マグネシウム（和光純薬工業(株)製）0.5g(5.3mmol)をTHF（和光純薬工業(株)製）21mlに溶解し、ジメチルアルミニウムクロリド（Me2AlCl） (関東化学(株)製ヘキサン溶液を濃縮) 0.97g(10.5mmol)を滴下した後、テトラブチルアンモニウムクロリド（Bu4NCl）(東京化成工業(株)製)1.46g(5.3mmol)を加えた。60℃で２日間攪拌した後、冷却して比較電解液２［MgCl2-Me2AlCl-Bu4NCl/THF溶液］を得た。
実施例７／比較例３ 各種電解液のサイクリックボルタンメトリー（CV）測定
電解液１〜６を用いて、サイクリックボルタンメトリー（CV）測定を行った（実施例７）。また、同様に、比較電解液１及び２を用いてCV測定を行った（比較例３）。
CV測定は、具体的には以下の如く行った。即ち、３極式のビーカーセルを用い、作用極に白金電極（直径3mm ；BAS社製）、対極にMgロッド(直径1.6mm；ニラコ社製）、参照極にMgロッド(直径1.6mm；ニラコ社製）を使用した。ビーカーには電解液2mlを加え、室温下（25℃）、5mV/sの掃引速度で-1.5〜3.5Vの範囲の測定を行った。該測定には、電気化学測定システム（BioLogic社製）を使用した。
各電解液の酸化分解電位(10サイクル目)の結果を下記表に示す。
また、電解液１の１０サイクル目の結果を図１に、電解液２の１０サイクル目と40サイクル目の結果をそれぞれ図２及び図３に、比較電解液１及び２の１０サイクル目の結果を図４及び５に示す。なお、図中の横軸は、参照極の電位を基準とした作用極の電位を表し、縦軸(mA/cm2)は各電位において観測された電流値を作用極の表面積で割った電流密度を表す。
表１の結果より、本願発明の電解液は、酸化分解電位が+2.8V〜+3.4Vであり、従来法と同等又はそれ以上の高電圧で使用できることが分かった。さらに、図３の結果より、電解液２は、マグネシウムの溶解析出を４０回繰り返しても劣化することなく安定して使用できることが分かった。
一方、比較電解液２［(t-BuOMgCl)6-AlCl3のTHF溶液］は、J.Mater.Chem.A, 2014,2,581-584（非特許文献３）に記載されている電解液である。該電解液を用いてCV測定を行った結果、その酸化分解電位は、ほぼ文献値どおりの+2.4Vであることを確認した。
実験例１ 走査電子顕微鏡（SEM）による銅板表面の確認
電解液１のサイクリックボルタンメトリー（CV）測定における電流がMgの溶解析出に伴う結果なのかをSEM（日立ハイテクノロジーズ社製）で確認した。
具体的には、３極式のビーカーセルを用い、作用極に銅板（厚さ0.1mm ；ニラコ社製）、対極にMgロッド(直径1.6mm；ニラコ社製）、参照極にMgロッド(直径1.6mm；ニラコ社製）を使用した。ビーカーには実施例１の電解液2mlを加え、室温下（25℃）、電流値0.1mAで５時間、銅板上へマグネシウムを析出させた。該実験には、電気化学測定システム（BioLogic社製）を使用した。
析出させた後、銅板表面をSEMで確認した結果、マグネシウムの析出を確認した。また、マグネシウム、アルミニウム、銅、塩素、炭素、酸素の元素分析をEDS（エネルギー分散型X線分析）で行い、析出物がマグネシウムであることも確認した。
実施例８ 電解液７の調製
（１）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、トリフェニルシラノール（東京化成工業(株)製）11.1g(40mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）20mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 20ml(40mmol)を滴下して１時間攪拌した。その後、溶液を濃縮乾燥させて生じた粉体をジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）70mlで洗浄した。粉体をろ取乾燥し、トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド(Ph3SiOMgCl)を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm)：7.25-7.80(m, 15H)
（２）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド(Ph3SiOMgCl)3.35g(10mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）40mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）1.33g(10mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後、冷却し、１週間後にろ過して電解液７［トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例９ 電解液８の調製
アルゴンガス雰囲気下、実施例８（１）で得たトリフェニルシロキシマグネシウムクロリド(Ph3SiOMgCl)0.84g(2.5mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）10mlを混合し、室温で濃度1Mのトリクロロボラン(BCl3)のジクロロメタン(CH2Cl2)溶液（和光純薬工業製）0.5ml(0.5mmol)を滴下した。加熱して50℃で10分維持した後に濃縮し、テトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）10mlを加えた。得られた溶液8ml(2mmol)を50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.21g(1.6mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後、冷却して電解液８［トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム-トリクロロボラン/THF溶液］を得た。
実施例１０ 電解液９の調製
アルゴンガス雰囲気下、実施例８（１）で得たトリフェニルシロキシマグネシウムクロリド(Ph3SiOMgCl)0.84g(2.5mmol)にトリグライム（和光純薬工業(株)製）10mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.33g(2.5mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後、冷却し、１週間後にろ過して電解液９［トリフェニルシロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/トリグライム溶液］を得た。
実施例１１ 電解液１０の調製
（１）トリス（4−メチルフェニル）シラノール
窒素雰囲気下、1000 mLフラスコに4−メチルフェニルマグネシウムブロミドのTHF溶液（1.0 M, 東京化成工業(株)製）を288 mL (288 mmol) 加えた。その後、トリクロロシラン(東京化成工業(株)製)12.2 g (90 mmol)をTHF 302 mLに溶解した溶液を、フラスコ内の溶液の温度を35℃以下に保ちながら1時間掛けて滴下した。滴下終了後、さらに室温で2時間撹拌し、反応させた。反応終了後、塩酸(1.0 M）45 mLを滴下し中和した。次いで、ジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）を450 mL加えて分液した。さらに有機層を塩酸(1.0 M）45 mLで洗浄し、分液した。有機層を硫酸マグネシウム 30 g (和光純薬工業(株)製)を加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過後、濾液を減圧濃縮し、トリス（4−メチルフェニル）シランの粗体を得た。さらに粗体をジイソプロピルエーテル 50 mLとエタノール 50 ml に溶解した後、減圧濃縮して晶析した。析出した白色固体を濾過後、エタノール(60 mL)で洗浄した。得られた固体を減圧乾燥することで、トリス（4−メチルフェニル）シラン 20.44 g (67.6 mmol, 収率75 %, 白色固体)を得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) 2.36 (s, 9H, Me), 5.41 (s, 1H, SiH), 7.18 (d, 6H, J=8.2 Hz, Ar), 7.46 (d, 6H, J=8.2 Hz, Ar)
次いで、窒素雰囲気下、得られたトリス（4−メチルフェニル）シラン6.05 g (20 mmol)とTHF 375 mLを1000 mLフラスコに加えた。さらに、過マンガン酸カリウム（和光純薬工業(株)製） 3.32 g (21 mmol)とイオン交換水 (3.8 ml)を加えた。超音波洗浄機（US-2, アズワン社製）を用いてフラスコに超音波を掛けながら、60℃で13時間撹拌し反応させた。反応終了後、混合液をシリカゲルC−200（和光純薬工業(株)製）60 gを通し、副生成物の酸化マンガンを濾過した。濾液を減圧濃縮し、トリス（4−メチルフェニル）シラノールの粗体を得た。得られた粗体をジクロロメタン（和光純薬工業(株)製）30 mLとn−ヘキサン（和光純薬工業社）60 mLに溶解後、減圧濃縮して晶析した。析出した白色固体を濾過後、n−ヘキサン(10 mL)で洗浄した。得られた固体を減圧乾燥することで、トリス（4−メチルフェニル）シラノール3.1 g (9.58 mmol, 収率 48 %, 白色固体)を得た。
1H-NMR (400 MHz, C6D6) (ppm) : 1.89 (s, 1H, SiOH), 2.10 (s, 9H, Me), 7.06 (d, 6H, J=8.2 Hz, Ar), 7.68 (d, 6H, J=8.2 Hz, Ar)
（２）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、得られたトリス（4-メチルフェニル）シラノール 2.55g(8mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）12mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 3.8ml(7.6mmol)を滴下して１時間攪拌した。その後、溶液を濃縮乾燥させて生じた粉体をジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）30mlで洗浄した。粉体をろ取乾燥し、トリス（4-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド((4-Me-C6H4)3SiOMgCl) を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 2.33(s,9H) 7.14-7.17 (d,6H,J=7.0Hz) 7.58-7.61 (d,6H,J=7.0Hz)
（３）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、トリス（4-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド((4-Me-C6H4)3SiOMgCl)0.94g(2.5mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）10mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3)（和光純薬工業(株)製）0.33g(2.5mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後に冷却し、電解液１０［トリス（4-メチルフェニル）シロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例１２ 電解液１１の調製
（１）トリス（4−フルオロ）シラノールの合成
窒素雰囲気下、1000 mLフラスコに4−フルオロフェニルマグネシウムブロミドのTHF溶液(1.0 M, 東京化成工業(株)製)を288 mL (288 mmol) 加えた。その後、トリクロロシラン(東京化成工業(株)製)12.2 g (90 mmol)をTHF 302 mLに溶解した溶液を、フラスコ内の溶液の温度を35℃以下に保ちながら1時間掛けて滴下した。滴下終了後、さらに室温で2時間撹拌し、反応させた。反応終了後、塩酸(1.0 M）45 mLを滴下し中和した。次いで、ジイソプロピルエーテルを450 mL加えて分液した。さらに有機層を塩酸(1.0 M）45 mLで洗浄し、分液した。得られた有機層に硫酸マグネシウム 30 g (和光純薬工業(株)製)を加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過後、濾液を減圧濃縮し、トリス（4−フルオロフェニル）シランの粗体を得た。さらに粗体にn−ペンタン(和光純薬工業(株)製) 30 mLを加え、オイルアウトした着色成分のみスポイトで除去した。残った溶液を減圧濃縮した。析出した固体を濾過し、エタノール30 mLで洗浄した。得られた白色固体を減圧乾燥し、トリス（4−フルオロフェニル）シラン 22.68 g (72.1 mmol, 収率 80 %, 白色固体)を得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) 5.44 (s, 1H, SiH), 7.05-7.11 (m, 6H, Ar), 7.47-7.52 (m, 6H, Ar)
次いで、窒素雰囲気下、得られたトリス（4−フルオロフェニル）シラン 6.29 g (20 mmol)とTHF 375 mLを1000 mLフラスコに加えた。さらに、過マンガン酸カリウム（和光純薬工業(株)製） 3.32 g (21 mmol)とイオン交換水 (3.8 ml)を加えた。超音波洗浄機（US-2, アズワン社製）を用いてフラスコに超音波を掛けながら、室温以下の温度を保ちつつ4時間撹拌し反応させた。反応終了後、混合液をシリカゲルC−200（和光純薬工業(株)製）60 gを通し、副生成物の酸化マンガンを濾過した。濾液を減圧濃縮し、トリス（4−フルオロフェニル）シラノールの粗体を得た。シリカゲルカラム（展開溶媒: 酢酸エチル/n-ヘキサン=1/9、（酢酸エチル、n−ヘキサン共に和光純薬工業(株)製））で精製後、減圧乾燥し、トリス（4−フルオロフェニル）シラノール 2.55 g (7.72 mmol, 収率39 %, 白色固体)を得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) δ：2.50 (s, 1H, SiOH), 7.07-7.14 (m, 6H, Ar), 7.54-7.60 (m, 6H, Ar)
（２）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、得られたトリス（4-フルオロフェニル）シラノール 2.15g(6.5mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）19.5mlに溶解し、-78度で濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 3.1ml(6.2mmol)を滴下して１時間攪拌した。溶液を濃縮乾燥させて生じたオイルにヘキサン（和光純薬工業(株)製）50ml、ジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）30mlを加え、粉体を生成させた。粉体をろ取乾燥し、トリス（4-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド((4-F-C6H4)3SiOMgCl) を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) δ(ppm) : 7.06-7.11 (t,6H,J=8.8Hz) 7.64-7.68 (t,6H,J=7.0Hz)
（３）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、トリス（4-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド((4-F-C6H4)3SiOMgCl)0.86g(2.2mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）8.8mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.29g(2.2mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後に冷却し、電解液１１［トリス（4-フルオロフェニル）シロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例１３ 電解液１２の調製
（１）トリス（3,5−ジメトキシフェニル）シラノールの合成
2000 mLフラスコに、Mg削り状（和光純薬工業社製）6.36 g (0.262 mol)とヨウ素（和光純薬工業社製）10 mgを加えて1時間減圧乾燥した。さらに、窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン（和光純薬工業社製）222 mLを加えた。次いで、1−ブロモ−3, 5−ジメトキシベンゼン（東京化成工業社製）52.1 ｇ(0.240 mol)をテトラヒドロフラン（和光純薬工業社製）274 mLに溶解した溶液を、1.5時間掛けて滴下した。滴下終了後、室温で1時間撹拌した。さらにトリクロロシラン（東京化成工業社製）10.2 g (0.075 mol)をテトラヒドロフラン（和光純薬工業社製） 252 mLに溶解した溶液を、フラスコ内の温度を35℃以下に保ちながら1時間掛けて滴下した。滴下終了後、室温で1時間反応させた。反応終了後、塩酸(1.0 M, 和光純薬工業社製）45 mLを滴下し中和し、ジイソプロピルエーテル（和光純薬工業社製）を450 mL加えて分液した。さらに有機層を塩酸(1.0 M, 和光純薬工業社製）45 mLで洗浄し、分液した。有機層を硫酸マグネシウム 30 g (和光純薬工業社製)を加えて乾燥した。その後、硫酸マグネシウムをろ過後、濾液を減圧濃縮し、トリス（3, 5−ジメトキシフェニル）シランの粗体を得た。得られた粗体をジイソプロピルエーテル（和光純薬工業社製）50 mLとエタノール（和光純薬工業社製）30 ml に溶解し、減圧濃縮して晶析した。析出した白色固体を濾過後、エタノール(30 mL)で洗浄した。得られた固体を減圧乾燥することで、トリス（3, 5−ジメトキシフェニル）シラン 28.7 g (65.0 mmol, 収率87 %, 白色固体)を得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) δ(ppm) : 3.75 (s,18H, OMe), 5.34 (s, 1H, SiH), 6.50 (t, 3H, J=2.4 Hz, Ar), 6.71 (d, 6H, J=2.4 Hz, Ar)
次いで、窒素雰囲気下、得られたトリス（3, 5−ジメトキシフェニル）シラン 8.81 g (20 mmol)とTHF 375 mLを1000 mLフラスコに加えた。さらに、過マンガン酸カリウム（和光純薬工業(株)製） 3.32 g (21 mmol)とイオン交換水 (3.8 ml)を加えた。超音波洗浄機（US-2, アズワン社製）を用いてフラスコに超音波を掛けながら、室温以下の温度を保ちつつ1時間撹拌し反応させた。反応終了後、混合液をシリカゲルC−200（和光純薬工業(株)製）60 gを通し、副生成物の酸化マンガンを濾過した。濾液を減圧濃縮し、トリス（3, 5−ジメトキシフェニル）シラノールの粗体を得た。得られた粗体をジクロロメタン（和光純薬工業社製）20 mLとn−ヘキサン（和光純薬工業社）30 mLに溶解後、濃縮して晶析した。析出した白色固体を濾過後、n−ヘキサン(30 mL)で洗浄した。得られた固体を減圧乾燥することで、トリス（3,5−ジメトキシフェニル）シラノール7.68 g (16.8 mmol, 収率84 %, 白色固体)を得た。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) δ(ppm) : 2.46 (s, 1H, SiOH), 3.75 (s, 18H, OMe), 6.52 (t, 3H, J=2.4 Hz, Ar), 6.76 (d, 6H, J=2.4 Hz, Ar)
（２）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、得られたトリス（3,5-ジメトキシフェニル）シラノール3.65g(8mmol)をTHF 30mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製)3.8ml(7.6mmol)を滴下して１時間攪拌した。その後、溶液を濃縮乾燥させて生じた粉体をジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）36.5mlで洗浄した。粉体をろ取乾燥し、トリス（3,5-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド((3,5-(MeO)2-C6H3)3SiOMgCl) を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 3.75 (s,18H) 6.44-6.48 (t,3H,J=2.4Hz) 6.80-6.91 (d,6H,J=2.4Hz)
（３）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、トリス（3,5-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド((3,5-(MeO)2-C6H3)3SiOMgCl) 1.29g(2.5mmol)にTHF 10mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.33g(2.5mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後に冷却し、電解液１２［トリス（3,5-ジメトキシフェニル）シロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例１４ 電解１３の調製
（１）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、ジメチルフェニルシラノール（和光純薬工業(株)製）4.57g(30mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）15mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製)15ml(30mmol)を滴下して１時間攪拌した。溶液を濃縮乾燥させて生じたオイルにヘキサン（和光純薬工業(株)製）30ml、t-ブチルメチルエーテル（和光純薬工業(株)製）85mlを加え、粉体を生成させた。粉体をろ取乾燥し、ジメチルフェニルシロキシマグネシウムクロリド(Me2PhSiOMgCl) を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) δ(ppm) : 0.20-0.60 (m,6H) 7.20-7.40 (m,3H) 7.50-7.70 (m,2H)
（２）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、ジメチルフェニルシロキシマグネシウムクロリド(Me2PhSiOMgCl)1.06g(5mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）20mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.67g(5mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後に冷却し、電解液１３［ジメチルフェニルシロキシマグネシウムクロリド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例１５ 電解液１４の調製
（１）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、ジフェニルシランジオール（東京化成工業(株)製）8.65g(40mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）20mlに溶解し、濃度2Mのフェニルマグネシウムクロリド(PhMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製)40ml(80mmol)を滴下して１時間攪拌した。その後、溶液を濃縮乾燥させて生じた粉体をジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）50mlで洗浄した。粉体をろ取乾燥し、ジフェニルシランジオキシビス（マグネシウムクロリド）(Ph2Si(OMgCl)2) を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR(400 MHz, CDCl3) δ(ppm) : 6.90-8.00 (m,10H)
（２）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、ジフェニルシランジオキシビス（マグネシウムクロリド）(Ph2Si(OMgCl)2)0.83g(2.5mmol)にTHF（和光純薬工業(株)製）20mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.67g(5mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後に冷却し、電解液１４［ジフェニルシランジオキシビス（マグネシウムクロリド）−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
比較例４ 比較電解液３の調製
アルゴンガス雰囲気下、濃度2Mのエチルマグネシウムクロリド(EtMgCl)のTHF溶液(東京化成工業(株)製)5ml(10mmol)に対し、トリメチルシラノール（Me3SiOH）（アルドリッチ社製）0.90g(10mmol)を滴下して空冷した。室温下、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.22g(1.67mmol)を添加して１時間攪拌し、比較電解液３［(Me3SiOMgCl)6-AlCl3/THF溶液］を得た。
実施例１６ 電解液１５の調製
（１）マグネシウム塩の合成
アルゴンガス雰囲気下、トリフェニルシラノール（東京化成工業(株)製）5.53g(20mmol)をテトラヒドロフラン(THF)（和光純薬工業(株)製）20mlに溶解し、濃度1Mのフェニルマグネシウムブロミド(PhMgBr)のTHF溶液(東京化成工業(株)製) 10ml(10mmol)を滴下して１時間反応させた。その後、溶液を濃縮乾燥させて生じたオイルをジイソプロピルエーテル（和光純薬工業(株)製）40mlで粉末化させた。粉体をろ取乾燥し、トリフェニルシロキシマグネシウムブロミド(Ph3SiOMgBr)を得た。
以下に1H-NMRの測定結果を示す。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 6.95-7.90(m,15H)
（２）電解液の調製
アルゴンガス雰囲気下、トリフェニルシロキシマグネシウムブロミド(Ph3SiOMgBr)) 0.95gにTHF（和光純薬工業(株)製）10mlを混合し、50℃に加熱した後、塩化アルミニウム(AlCl3) （和光純薬工業(株)製）0.33g(2.5mmol)を添加した。50℃で10分間維持した後、冷却、ろ過して電解液１５［トリフェニルシロキシマグネシウムブロミド−塩化アルミニウム/THF溶液］を得た。
実施例１７／比較例５ 各種電解液のサイクリックボルタンメトリー（CV）測定
電解液７〜１５を用いて、実施例７と同様にして、サイクリックボルタンメトリー（CV）測定を行った（実施例１７）。また、同様に、比較電解液３を用いて実施例７と同様にしてCV測定を行った（比較例５）。
各電解液の酸化分解電位の結果を下記表２に示す。
また、電解液７の10サイクル目の結果を図６に、比較電解液３の10サイクル目の結果を図７に示す。なお、図中の横軸は、参照極の電位を基準とした作用極の電位を表し、縦軸(mA/cm2)は各電位において観測された電流値を作用極の表面積で割った電流密度を表す。
表２の結果より、シリコン系化合物を用いた本願発明の電解液は、酸化分解電位が+2.8V〜+3.2Vであり、従来法よりも高い値を示しており、高い電圧での使用が可能であることが分かった。
また、電解液７については、１ヶ月保存後のものを用いてCV測定を行い、+3.2Vの酸化分解電位を示すことも確認した。よって、本願の電解液は、保存安定性に優れることも分かった。

Claims (12)

  1. 下記一般式（Ｉ）で示される化合物とルイス酸と溶媒を混合してなる、マグネシウム電池用電解液：
    （式中、Ｙは炭素原子又はケイ素原子を表し、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、
    Ｒ１は、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表し、
    Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；マグネシウムブロミドオキシ基（−OMgBr）；炭素数１〜６のアルケニル基；ハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。）。
  2. ルイス酸が、ベリリウム、ホウ素、アルミニウム、ケイ素、スズ、チタン、クロム、鉄、又はコバルトを元素として含むものである、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  3. ルイス酸が、アルミニウムを元素として含むものである、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  4. ルイス酸が塩化アルミニウムである、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  5. マグネシウム化合物中のＲ１が、ハロゲノ基、アルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基であり、
    Ｒ２及びＲ３が、それぞれ独立して、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；炭素数１〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のアルキル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基である、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  6. マグネシウム化合物中のＲ１が、ハロゲノ基、アルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよいフェニル基であり、
    Ｒ２及びＲ３が、それぞれ独立して、−OMgCl；炭素数１〜６のアルケニル基；炭素数１〜６のアルキル基；或いは、アルキル基を置換基として有していてもよいフェニル基である、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  7. マグネシウム化合物中のＸが塩素原子である、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  8. 溶媒が、エーテル系、ハロゲン化炭化水素系、カーボネート系、二トリル系である、請求項１記載のマグネシウム電池用電解液。
  9. 請求項１〜８の何れかに記載の電解液、正極及び負極を含む電気化学デバイス。
  10. 下記一般式（Ｉ’）で示されるマグネシウム電池用電解質：
    （式中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、Ｒ’１は、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表し、
    Ｒ’２及びＲ’３は、それぞれ独立して、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；マグネシウムブロミドオキシ基（−OMgBr）；炭素数１〜６のアルケニル基；ハロゲノ基又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基を表す。）。
  11. 前記一般式（Ｉ’）で示される化合物におけるXが塩素原子である、請求項１０記載のマグネシウム電池用電解質。
  12. 前記一般式（Ｉ’）で示される化合物におけるＲ’ ２ が、マグネシウムクロリドオキシ基（−OMgCl）；マグネシウムブロミドオキシ基（−OMgBr）；炭素数１〜６のアルケニル基；或いは、ハロゲノ基、アルキル基、ハロゲノアルキル基、又はアルコキシ基を置換基として有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基である、請求項１０記載のマグネシウム電池用電解質。
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