JP6556620B2 - 圧力センサ - Google Patents

圧力センサ Download PDF

Info

Publication number
JP6556620B2
JP6556620B2 JP2015253627A JP2015253627A JP6556620B2 JP 6556620 B2 JP6556620 B2 JP 6556620B2 JP 2015253627 A JP2015253627 A JP 2015253627A JP 2015253627 A JP2015253627 A JP 2015253627A JP 6556620 B2 JP6556620 B2 JP 6556620B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
sensor
holding member
diaphragm
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015253627A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017116456A (ja
Inventor
鮎美 津嶋
鮎美 津嶋
石倉 義之
義之 石倉
智久 徳田
智久 徳田
のぞみ 木田
のぞみ 木田
祐希 瀬戸
祐希 瀬戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Azbil Corp
Original Assignee
Azbil Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Azbil Corp filed Critical Azbil Corp
Priority to JP2015253627A priority Critical patent/JP6556620B2/ja
Priority to US16/065,550 priority patent/US11137307B2/en
Priority to PCT/JP2016/085872 priority patent/WO2017110422A1/ja
Priority to CN201680076144.2A priority patent/CN108431570A/zh
Publication of JP2017116456A publication Critical patent/JP2017116456A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6556620B2 publication Critical patent/JP6556620B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L13/00Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
    • G01L13/02Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
    • G01L13/025Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/0046Fluidic connecting means using isolation membranes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627Protection against aggressive medium in general
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

本発明は、一方の面および他方の面に受ける圧力差に応じた信号を出力するセンサダイアフラムを用いた圧力センサに関する。
従来より、工業用の圧力センサとして、一方の面および他方の面に受ける圧力差に応じた信号を出力するセンサダイアフラムを用いた圧力センサが用いられている(例えば、特許文献1参照)。
この圧力センサは、受圧ダイアフラムに加えられる被測定流体の圧力をシリコーンオイル等の圧力伝達媒体(封入液)によってセンサダイアフラムの一方の面に導き、他方の面との圧力差により生じるセンサダイアフラムの歪みを例えば歪抵抗ゲージの抵抗値変化として検出し、この抵抗値変化を電気信号に変換して取り出すように構成されている。
図7に従来の圧力センサの要部を示す。同図において、1は金属製のボディ、2は受圧ダイアフラム、3はボディ1の内部に形成された封入室、4は封入室3に設けられたセンサチップ、5(5−1,5−2)は電極ピンである。
この圧力センサ100において、ボディ1はベースボディ1−1とカバーボディ1−2とから構成され、封入室3は受圧室3−1と導圧路3−2とセンサ室3−3とから構成されている。受圧ダイアフラム2は、ベースボディ1−1の上面にその外周縁面を溶接して固定されており、この受圧ダイアフラム2の背面に受圧室3−1が形成され、この受圧室3−1が導圧路3−2を通してセンサ室3−3と連通している。この受圧室3−1と導圧路3−2とセンサ室3−3とから構成される封入室3には封入液6が封入されている。
センサチップ4は、センサダイアフラム4−1と、このセンサダイアフラム4−1を挾んで接合された第1の保持部材4−2および第2の保持部材4−3とから構成されている。センサダイアフラム4−1は、シリコンやガラス等からなり、薄板状に形成されたダイアフラムの表面に歪抵抗ゲージが形成されている。図7ではセンサダイアフラム4−1における歪抵抗ゲージの形成面を斜線で示している。
保持部材4−2,4−3もシリコンやガラス等からなり、第1の保持部材4−2には凹部4−2aとこの凹部4−2aに連通する圧力導入孔(導圧孔)4−2bとが形成され、第2の保持部材4−3には凹部4−3aとこの凹部4−3aに連通する圧力導入孔(導圧孔)4−3bとが形成されている。第1の保持部材4−2の凹部4−2aはその底部が平坦面とされているが、第2の保持部材4−3の凹部4−3aはその底部がセンサダイアフラム4−1の変位に沿った曲面(非球面)とされている。
第1の保持部材4−2は、凹部4−2aの周縁部4−2cをセンサダイアフラム4−1の一方の面4−1aに対面させて、センサダイアフラム4−1の一方の面4−1aに接合されている。第2の保持部材4−3は、凹部4−3aの周縁部4−3cをセンサダイアフラム4−1の他方の面4−1bに対面させて、センサダイアフラム4−1の他方の面4−1bに接合されている。
この圧力センサ100において、センサチップ4はセンサ室3−3内に設けられ、このセンサチップ4の底面(第2の保持部材4−3の下面)4aがエポキシ系接着剤を塗布してセンサ室3−3の底面(カバーボディ1−2の内壁面)3aに接合されている。すなわち、センサチップ4の底面4aとセンサ室3−3の底面3aとが接着材の層(接着層)7を介して接合されている。カバーボディ1−2には、センサチップ4の第2の保持部材4−3の導圧孔4−3bに対応する位置に、この導圧孔4−3bへの大気圧の導入路(導圧路)1−2aが形成されている。
また、この圧力センサ100において、第1の保持部材4−2と第2の保持部材4−3とはセンサダイアフラム4−1を挟んで対向する面の面積が異なり、この例では第2の保持部材(下側の保持部材)4−3の面積よりも第1の保持部材(上側の保持部材)4−2の面積が小さい凸構造とされている。このセンサチップ4の凸構造において、第1の保持部材4−2および第2の保持部材4−3のうち外側にはみ出た保持部材(第2の保持部材4−3)の周縁部に位置するセンサダイアフラム4−1の歪み抵抗ゲージが形成されている面からワイヤ8(8−1,8−2)が導出され、このセンサダイアフラム4−1から導出されたワイヤ8(8−1,8−2)が電極ピン5(5−1,5−2)に接続されている。
電極ピン5は、その一方側の端部がセンサ室3−3の内部に位置し、その他方側の端部がカバーボディ1−2を貫いてセンサ室3−3の外側に位置している。電極ピン5が貫通するカバーボディ1−2の挿通孔1−2bは、カバーボディ1−2と電極ピン5との間の電気的絶縁および封入液6の漏洩を防止するために、シール材9によってハーメチックシールされている。
この圧力センサ100では、被測定流体(流体、ガス)からの圧力P1を受圧ダイアフラム2が受け、この受圧ダイアフラム2が受けた被測定流体の圧力P1が封入室3内の封入液6に伝わり、受圧室3−1,導圧路3−2およびセンサ室3−3を経て第1の保持部材4−2の導圧孔4−2bに入り、センサダイアフラム4−1の一方の面4−1aに導かれる。センサダイアフラム4−1の他方の面4−1bは、第2の保持部材4−3の導圧孔4−3bを通して大気に解放されている。
これにより、センサダイアフラム4−1に歪みが生じ、このセンサダイアフラム4−1の歪みが歪抵抗ゲージの抵抗値変化として検出され、この抵抗値変化が電気信号(圧力差に応じた信号)に変換され、ワイヤ8(8−1,8−2)を通して、電極ピン5(5−1,5−2)より取り出される。
なお、センサダイアフラム4−1の一方の面4−1aに過大圧が印加されてセンサダイアフラム4−1が変位したとき、その変位面の全体が第2の保持部材4−3の凹部4−3aの曲面によって受け止められる。これにより、センサダイアフラム4−1に過大圧が印加された時の過度な変位が阻止され、センサダイアフラム4−1の周縁部に応力集中が生じないようにして、過大圧の印加によるセンサダイアフラム4−1の破壊が防がれ、耐圧が高められる。
特開平10−300612号公報
しかしながら、この圧力センサ100では、測定媒体など外部腐食環境からセンサチップ4を保護するために、センサチップ4をボディ1の内部に形成された封入室3に収容し、この封入室3をシリコーンオイル等の封入液(圧力伝達媒体)6で満たしている。
この場合、センサダイアフラム4−1から電気信号を取り出すためのワイヤ8と封入液6とが同じ封入室3内にあるために、ワイヤ8に接続される電極ピン5を外側に引き出す際にカバーボディ1−2にハーメチックシールを施さなければならない。このため、構造が複雑となり、小型化への制約となったり、コストが高くなってしまう。
また、センサチップ4全体を封入室3に入れる構造としているために、封入室3の容積(オイル容積)が大きくなり、すなわち封入液6の使用量が大きくなり、圧力センサ100の温度特性に影響を与える。また、封入液6の使用量を減らすために、封入室3内にオイルスペーサを設けることが考えられるが、オイルスペーサの追加によってコストが高くなってしまう。
そこで、本出願人は、図8に示すように、センサチップ4の被測定流体の圧力を導入する側の面(第1の保持部材4−2の下面)4aを接合面とし、この接合面4aにエポキシ系接着剤を塗布してセンサチップ4をベースボディ1−1に接合し、センサチップ4が収容されたベースボディ1−1とカバーボディ1−2とで囲まれた空間(センサ室)11を大気開放することを考えている。なお、この例では、センサチップ4の構造を、第の保持部材(下側の保持部材)4−2の面積よりも第2の保持部材(上側の保持部材)4−3の面積が小さい凸構造としている。また、電極ピン5(5−1,5−2)を中継端子10に設け、この中継端子10をセンサ室11の底面11aに接着接合している。
このような構造とすることにより、ベースボディ1−1内の受圧室3−1と導圧路3−2とで構成される封入室3が第1の保持部材4−2の導圧孔4−2bと連通し、受圧ダイアフラム2が受けた被測定流体からの圧力が封入室3に封入されている封入液6により、第1の保持部材4−2の導圧孔4−2bを通してセンサダイアフラム4−1の一方の面4−1aに導かれるものとなる。
これにより、センサチップ4の内部の空間(センサ部S1)だけが封入液6に触れ、センサチップ4全体は封入室3の外側に位置するものとなり、電極ピン5(5−1,5−2)が貫通するカバーボディ1−2の貫通孔1a,1bにハーメチックシールを施す必要がなくなる。また、封入室3の容積を小さくし、封入液6の使用量を極小化することが可能となる。
しかしながら、図8に示した構造では、第1の保持部材4−2の導圧孔4−2bを通る封入液6が接着層7を引きはがす方向(センサチップ4とベースボディ1−1との接合を剥離させる方向)に作用するために、接着層7としてエポキシ系接着剤のような硬い接着剤を使用し、センサチップ4をベースボディ1−1に強固に接合しなければならない。
このため、周囲温度が変化したような場合、線膨張係数の違いによるセンサチップ4の底面(接合面)へのせん断方向の熱応力の発生により、センサチップ4とベースボディ1−1との接合部の剥離を引き起こし、破壊に至る場合がある。
この問題の解決策として、図9に示すように、センサチップ4の底面(第1の保持部材4−2の下面)4aとセンサ室11の底面(ベースボディ1−1の内壁面)11aとの間に、高耐圧かつ低線膨張係数の材料(コバール、樹脂など)を台座(熱応力緩和台座)12として接着接合し、熱応力を緩和する構造とすることが考えられる。しかし、高耐圧かつ低線膨張係数の材料は高価であり、コストがアップする。また、熱応力緩和台座12の厚さ方向の寸法として、十分な高さを確保する必要があり、小型化の制約ともなる。
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、耐圧性能の向上と熱応力緩和とを同時に実現することが可能な圧力センサを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、一方の面および他方の面に受ける圧力差に応じた信号を出力するセンサダイアフラムと、センサダイアフラムの一方の面にその周縁部を対面させて接合され当該センサダイアフラムの一方の面へ被測定流体の圧力を導く第1の導圧孔を有する第1の保持部材と、センサダイアフラムの他方の面にその周縁部を対面させて接合され当該センサダイアフラムの他方の面を大気に解放させる第2の導圧孔を有する第2の保持部材とを備えたセンサチップと、センサチップが被測定流体の圧力を導入する側の面を接合面として接合されたボディと、第1の保持部材の第1の導圧孔の内径より細い内径を有する細管とを備え、ボディは、第1の保持部材の第1の導圧孔に被測定流体を導く導圧路を備え、細管は、ボディの導圧路を貫いて第1の保持部材の第1の導圧孔に挿入固定され、被測定流体は、細管を通してセンサダイアフラムの一方の面に導かれることを特徴とする。
この発明において、センサチップは、被測定流体の圧力を導入する側の面を接合面としてボディに接合される。ボディは、第1の保持部材の第1の導圧孔に被測定流体を導く導圧路を備えており、このボディの導圧路を貫いて、第1の保持部材の第1の導圧孔に、細管が挿入固定される。細管は、第1の保持部材の第1の導圧孔の内径より細い内径を有しており、この細管を通して、センサダイアフラムの一方の面へ被測定流体が導かれる。すなわち、本発明では、第1の保持部材の第1の導圧孔の内径より細い内径を有する細管の管内の通路が、センサダイアフラムの一方の面へ被測定流体を導く実際の導圧路とされる。
これにより、センサダイアフラムの一方の面へ被測定流体の圧力を導く導圧路の受圧面積が小さくなり、センサチップとボディとの接合を剥離する方向への力を抑え、より高圧に耐えられる構造とすることが可能となる。また、センサチップをボディに接合する際、軟接着剤(低ヤング率の接着剤)を用いることが可能となり、この軟接着剤の層によってせん断方向の熱応力を緩和することが可能となる。これにより、高圧時だけではなく、周囲温度が変化したような場合でも、センサチップとボディとの接合部の剥離を避けることが可能となる。
本発明によれば、センサチップを被測定流体の圧力を導入する側の面を接合面としてボディに接合し、第1の保持部材の第1の導圧孔の内径より細い内径を有する細管をボディの導圧路を貫いて第1の保持部材の第1の導圧孔に挿入固定し、この挿入固定した細管を通してセンサダイアフラムの一方の面へ被測定流体の圧力を導くようにしたので、センサダイアフラムの一方の面への被測定流体の導圧路の受圧面積を小さくし、センサチップとボディとの接合を剥離する方向への力を抑え、センサチップとボディとの接合に軟接着剤を使用すようにして、耐圧性能の向上と熱応力緩和とを同時に実現することが可能となる。
図1は、本発明の実施の形態に係る圧力センサの要部の構成を示す断面図である。 図2は、この圧力センサにおける電極ピンが設けられた中継端子(センサダイアフラムから導出されたワイヤとの接続部)の平面図である。 図3は、センサダイアフラムから導出されたワイヤとの接続部を回路が形成された基板とした例を示す平面図である。 図4は、センサチップを第2の保持部材(上側の保持部材)の面積よりも第1の保持部材(下側の保持部材)の面積の方が小さい凸構造とした例を示す図である。 図5は、カバーボディを取り除いた例を示す図である。 図6は、センサダイアフラムを挾む両側の導圧路に細管を設けた例を示す図である。 図7は、従来の圧力センサの要部の構成を示す断面図である。 図8は、出願人が考えている本発明に至る前の圧力センサの要部の構成を示す断面図である。 図9は、センサチップの底面とセンサ室の底面との間に熱応力緩和台座を設けた例を示す図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る圧力センサの要部の構成を示す図である。
図1において、21は金属製のボディ、22は受圧ダイアフラム、23はボディ21内の封入室、24はセンサチップ、25(25−1,25−2)は電極ピン、26は電極ピン25(25−1,25−2)が設けられた中継端子である。
この圧力センサ200(200A)において、ボディ21はベースボディ21−1とカバーボディ21−2とから構成され、ベースボディ21−1に受圧室23−1と導圧路23−2とから構成される封入室23が設けられている。センサチップ24は、ベースボディ21−1とカバーボディ21−2とで囲まれたセンサ室20に収容されており、センサ室20はカバーボディ21−2に形成された貫通孔21a,21b,21cを通して大気に解放されている。
受圧ダイアフラム22は、ベースボディ21−1の下面にその外周縁面を溶接して固定されており、この受圧ダイアフラム22の背面に受圧室23−1が形成され、この受圧室23−1の中央部に導圧路23−2が形成されている。
センサチップ24は、センサダイアフラム24−1と、このセンサダイアフラム24−1を挾んで接合された第1の保持部材24−2および第2の保持部材24−3とから構成されている。センサダイアフラム24−1は、シリコンやガラス等からなり、薄板状に形成されたダイアフラムの表面に歪抵抗ゲージが形成されている。図1ではセンサダイアフラム24−1における歪み抵抗ゲージの形成面を斜線で示している。
保持部材24−2,24−3もシリコンやガラス等からなり、第1の保持部材24−2には凹部24−2aとこの凹部24−2aに連通する圧力導入孔(導圧孔)24−2bとが形成され、第2の保持部材24−3には凹部24−3aとこの凹部24−3aに連通する圧力導入孔(導圧孔)24−3bとが形成されている。第1の保持部材24−2の凹部24−2aはその底部が平坦面とされているが、第2の保持部材24−3の凹部24−3aはその底部がセンサダイアフラム24−1の変位に沿った曲面(非球面)とされている。
第1の保持部材24−2は、凹部24−2aの周縁部24−2cをセンサダイアフラム24−1の一方の面24−1aに対面させて、センサダイアフラム24−1の一方の面24−1aに接合されている。第2の保持部材24−3は、凹部24−3aの周縁部24−3cをセンサダイアフラム24−1の他方の面24−1bに対面させて、センサダイアフラム24−1の他方の面24−1bに接合されている。
この圧力センサ200Aにおいて、センサチップ24は、第1の保持部材24−2を下にして、センサ室20の底面(ベースボディ21−1の内壁面)20aに接合されている。すなわち、第1の保持部材24−2の下面24aをセンサチップ24の底面とし、このセンサチップ24の底面24aとセンサ室20の底面20aとが接着材の層(接着層)28を介して接合されている。
本実施の形態において、接着層28は、センサダイアフラム24−1を構成する材料のヤング率に対して1/1000以下のヤング率を有する軟接着剤(低ヤング率の接着剤)の層とされている。この例では、センサダイアフラム24−1を構成する材料をシリコンとし、接着層28をフッ素系接着剤を硬化させた層としている。
シリコンのヤング率は190GPa、フッ素樹脂を硬化させた時のヤング率は10MPaであり、フッ素樹脂を硬化させた時のヤング率はシリコンのヤング率のほゞ1/19000となる。なお、フッ素系(シリコン系)の接着剤は、エポキシ系の接着剤に比べ、線膨張率で数倍、硬化時ヤング率は100〜1000分の1という物性を持つ。換言すれば、エポキシ系の接着剤は、フッ素系(シリコン系)の接着剤に比べ、線膨張率で数分の1、硬化時ヤング率は100〜1000倍という物性を持つ。以下、接着層28を軟接着層と呼ぶ。
このセンサチップ24の底面24aのセンサ室20の底面20aへの接合は、ベースボディ21−1に形成された導圧路23−2とセンサチップ24の第1の保持部材24−2の導圧孔24−2bとの位置を合わせた状態で行われている。これにより、受圧室23−1と導圧路23−2とで構成されるベースボディ21−1内の封入室23と、センサチップ24内の凹部24−2aと導圧孔24−2bとで構成される空間(センサ部)S1との連通が図られている。
そして、このセンサチップ24の底面24aをセンサ室20の底面20aに接合した状態で、ベースボディ21−1の導圧路23−2を貫いて、第1の保持部材24−2の導圧孔24−2bに、ステンレス製の細管(超小径パイプ)31を挿入固定している。
細管31は、第1の保持部材24−2の導圧孔24−2bの内径より細い内径を有し、第1の保持部材24−2の導圧孔24−2b内に位置する一方の側がセンサチップ24とベースボディ21−1との間の軟接着層28のヤング率よりも大きいヤング率を有する接着剤(この例では、エポキシ系接着剤)で導圧孔24−2bの内壁面に接合され、ベースボディ24−1の導圧路23−2を貫く他方の側が一方の側と同等のヤング率を有する接着剤(この例では、エポキシ系接着剤)あるいは溶接によりベースボディ21−1の導圧路23−2の入口に接合されている。
これにより、受圧ダイアフラム22の背面の受圧室23−1が細管31を通して、センサチップ24の第1の保持部材24−2の凹部24−2aと連通し、この受圧室23−1と細管31が挿入された導圧路23−2とから構成される封入室23とセンサチップ24内のセンサ部S1とに封入液27が封入されている。
なお、本実施の形態において、細管31の外径は0.3mm、内径は0.15mmとされ、長さは15mmとされている。この細管31のサイズは、あくまでも一例であり、これに限られるものでないことは言うまでもない。
一方、センサチップ24の上面(第2の保持部材24−3の上面)24bは、解放状態とされている。すなわち、センサチップ24の第2の保持部材24−3の導圧孔24−3bは、カバーボディ21−2に設けられている貫通孔21a,21b,21cを通して大気に解放されている。
また、この圧力センサ200Aにおいて、第1の保持部材24−2と第2の保持部材24−3とはセンサダイアフラム24−1を挟んで対向する面の面積が異なり、この例では第1の保持部材(下側の保持部材)24−2の面積よりも第2の保持部材(上側の保持部材)24−3の面積の方が小さい凸構造とされている。
このセンサチップ24の凸構造において、第1の保持部材24−2および第2の保持部材24−3のうち外側にはみ出た保持部材(第1の保持部材24−2)の周縁部に位置するセンサダイアフラム24−1の歪み抵抗ゲージが形成されている面からワイヤ29(29−1,29−2)が導出され、このセンサダイアフラム24−1から導出されたワイヤ29(29−1,29−2)が中継端子26に設けられた電極ピン25(25−1,25−2)に接続されている。
図2に中継端子26の平面図を示す。中継端子26は、絶縁材よりなるU字状の端子台26aと、この端子台26aに貫通して設けられた電極ピン25(25−1,25−2)とを備えている。この中継端子26はセンサ室20の底面20aに接着固定されている。電極ピン25−1,25−2は、カバーボディ21−2に設けられている貫通孔21a,21bを通して、センサ室20の外側に導出されている。センサ室20は、大気に解放され、封入液は封入されていない。
この圧力センサ200Aでは、被測定流体(流体、ガス)からの圧力P1を受圧ダイアフラム22が受け、この受圧ダイアフラム22が受けた被測定流体の圧力P1が封入室23内の封入液27に伝わり、導圧路23−2を貫いて設けられた細管31を通して、センサダイアフラム24−1の一方の面24−1aに導かれる。センサダイアフラム24−1の他方の面24−1bは、第2の保持部材24−3の導圧孔24−3bを通して大気に解放されている。
これにより、センサダイアフラム24−1に歪みが生じ、このセンサダイアフラム24−1の歪みが歪抵抗ゲージの抵抗値変化として検出され、この抵抗値変化が電気信号(圧力差に応じた信号)に変換され、ワイヤ29(29−1,29−2)を通して、中継端子26に設けられた電極ピン25(25−1,25−2)より取り出される。
なお、センサダイアフラム24−1の一方の面24−1aに過大圧が印加されてセンサダイアフラム24−1が変位したとき、その変位面の全体が第2の保持部材24−3の凹部24−3aの曲面によって受け止められる。これにより、センサダイアフラム24−1に過大圧が印加された時の過度な変位が阻止され、センサダイアフラム24−1の周縁部に応力集中が生じないようにして、過大圧の印加によるセンサダイアフラム24−1の破壊が防がれ、耐圧が高められる。
この圧力センサ200Aにおいて、センサチップ24は、被測定流体の圧力を導入する側の面(第1の保持部材24−2の下面)24aを接合面としてベースボディ21−1に接合されている。また、ベースボディ21−1には、センサチップ24の接合面24aと受圧ダイアフラム22との間に封入室23が形成されており、この封入室23に封入された封入液27により、受圧ダイアフラム22が受けた被測定流体からの圧力P1が細管31を通してセンサダイアフラム24−1の一方の面24−1aに導かれる。
すなわち、この圧力センサ200Aでは、第1の保持部材24−2の導圧孔24−2bの内径より細い内径を有する細管31の管内の通路が、センサダイアフラム24−1の一方の面24−1aへ被測定流体を導く実際の導圧路とされる。これにより、センサダイアフラム24−1の一方の面24−1aへ被測定流体の圧力P1を導く導圧路の受圧面積が小さくなり、センサチップ24とベースボディ21−1との接合を剥離する方向への力が抑えられる。この例において、被測定流体の圧力P1を導く導圧路の受圧面積は、細管31を設けない図8に示した構造のものと比較し、1/10以下となっている。これにより、センサチップ24とベースボディ21−1との接合を剥離する方向への力が大きく抑えられ、より高圧に耐えられる構造となる。
また、この細管31を設けた構造では、センサチップ24とベースボディ21−1との接合を剥離する方向への力が抑えられることから、センサチップ24とベースボディ24−1とを低ヤング率の接着剤で接合することができており、この低ヤング率の接着剤の層である軟接着層28によってせん断方向の熱応力が緩和されるものとなる。これにより、高圧時だけではなく、周囲温度が変化したような場合でも、センサチップ24とベースボディ24−1との接合部の剥離を避けることが可能となる。
また、細管31の固定にはエポキシ系接着剤を用い、センサチップ24の固定にはフッ素系接着剤を用いるというように、2種類の接着剤を効果的に使用することで、要耐圧部は強度を維持する構造でありながら、センサチップ24の固定により発生する熱影響を極小化することが可能となる。
また、この圧力センサ200Aでは、センサチップ24内のセンサ部S1だけが封入液27に触れるようにし、センサチップ24全体を封入室23の外側に位置させていることから、封入液27の使用量の極小化が図られているが、細管31を設けることにより、封入液27の使用量はさらに削減されるものとなる。また、細管31の内部に細線を挿入するようにすれば、更なる封入液27の削減効果が見込まれる。
なお、上述した実施の形態では、センサダイアフラム24−1から導出されたワイヤ29との接続部として電極ピン25が設けられた中継端子26を設けるようにしたが、例えば図3に示すように、ワイヤ29と接続される回路が形成された基板30を設けるようにしてもよい。
また、上述した実施の形態では、センサチップ24を第1の保持部材(下側の保持部材)24−2の面積よりも第2の保持部材(上側の保持部材)24−3の面積の方が小さい凸構造としたが、例えば図4に示す圧力センサ200(200B)のように、第2の保持部材(上側の保持部材)24−3の面積よりも第1の保持部材(下側の保持部材)24−2の面積の方が小さい凸構造とするようにしてもよい。
この場合、第1の保持部材24−2および第2の保持部材24−3のうち外側にはみ出た保持部材(第2の保持部材24−3)の周縁部に位置するセンサダイアフラム24−1の歪み抵抗ゲージが形成されている面からワイヤ29(29−1,29−2)を導出し、このセンサダイアフラム24−1から導出したワイヤ29(29−1,29−2)を中継端子26に設けられた電極ピン25(25−1,25−2)に接続するようにする。
図1に示した構造の圧力センサ200Aとした場合、すなわちセンサチップ24を第1の保持部材(下側の保持部材)24−2の面積よりも第2の保持部材(上側の保持部材)24−3の面積の方が小さい凸構造とした場合、センサダイアフラム24−1の歪み抵抗ゲージが形成されている面(センサ抵抗パターンの配置面、電極パッド)が上向きの配置となる。この場合、センサチップ24を接着してからワイヤーボンディングを行うことが可能となり、組み立てが容易となる。しかし、センサダイアフラム24−1のセンサ抵抗パターンが配置されている面が大気に解放されるので、すなわち封入液27で保護されていないので、大気解放側がクリーンでない場合、特性に影響が出る。すなわち、使用環境が制限され、設置環境がクリーンである必要がある。
図4に示した構造の圧力センサ200Bとした場合、すなわちセンサチップ24を第2の保持部材(上側の保持部材)24−3の面積よりも第1の保持部材(下側の保持部材)24−2の面積の方が小さい凸構造とした場合、センサダイアフラム24−1の歪み抵抗ゲージが形成されている面(センサ抵抗パターンの配置面、電極パッド)が下向きの配置となる。この場合、ワイヤーボンディングをしてからセンサチップ24を接着する必要があり、組み立てが難しくなる。しかし、センサダイアフラム24−1のセンサ抵抗パターンが配置されている面が封入液27で充填されているため、使用環境(大気)に晒されない。このため、使用環境を選ばず、設置環境の自由度がある。
また、上述した実施の形態では、第1の保持部材24−2の下面を接合面24aとし、センサ室20の底面20aにセンサチップ24を接合するようにしたが、第1の保持部材24−2の下面に台座を設け、この台座の下面を接合面として、センサチップ24をセンサ室20の底面20aに接合するなどしてもよい。
また、上述した実施の形態では、ベースボディ21−1とカバーボディ21−2とを設け、このベースボディ21−1とカバーボディ21−2とでボディ21を構成するものとしたが、図5に圧力センサ200(200C)として示すように、カバーボディ21−2を取り除いた構造としてもよい。すなわち、センサチップ24全体が封入室23の外側に位置しているので、カバーボディ21−2は必ずしも必要ではなく、カバーボディ21−2を取り除くことにより、さらなる小型化および低コスト化を図ることが可能となる。
また、上述した実施の形態では、せん断方向の熱応力を緩和するために、センサチップ24とベースボディ21−1との間の接着層28を軟接着層(フッ素系接着剤の層)としたが、必ずしも接着層28は軟接着層としなくてもよく、エポキシ系接着剤の層であってもよい。すなわち、細管31を設けることにより、センサチップ24とベースボディ21−1との接合を剥離する方向への力を抑えることができるので、せん断方向の熱応力の緩和は期待できないかもしれないが、耐圧性は向上する。
また、上述した実施の形態では、センサダイアフラム24−1の他方の面24−1bを大気に解放させるようにしたが、例えば図6に圧力センサ200(200D)として示すように、第1の保持部材24−2の下面をセンサ室20の底面(ベースボディ21−1の内壁面)20aに軟接着層28−1を介して接合し、第2の保持部材24−3の上面をセンサ室20の上面(カバーボディ21−2の内壁面)20bに軟接着層28−2を介して接合し、センサダイアフラム24−1を挾む両側の導圧路に細管31−1,31−2を設けるようにしてもよい。
なお、図6において、細管31−2側は省略しているが、細管31−1側と同様に、細管31−2側の受圧ダイアフラムが受けた被測定流体(第2の被測定流体)からの圧力P2が封入液27−2に伝わり、細管31−2を通してセンサダイアフラム24−1の他方の面24−1bに導かれる。これにより、センサダイアフラム24−1の一方の面24−1aに加わる被測定流体(第1の被測定流体)の圧力P1とセンサダイアフラム24−1の他方の面24−1bに加わる被測定流体(第2の被測定流体)の圧力P2との差圧が検出されるものとなる。
また、図6に示した構成において、軟接着層28−1および28−2は、気密性保持というよりはセンサチップ24の固定という機能がある。このため、センサチップ24の固定を確実に行うことができれば、軟接着層28−1および28−2はその何れか一方を省略するようにしてもよい。
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
本発明は、工業用の圧力センサとして利用することができる。
20…センサ室、20a…底面、20b…正面、21…ボディ、21−1…ベースボディ、21−2…カバーボディ、22…受圧ダイアフラム、23…封入室、23−1…受圧室、23−2…導圧路、24…センサチップ、24a…底面(接合面)、24−1…センサダイアフラム、24−1a…一方の面、24−1b…他方の面、24−2…第1の保持部材、24−2a…凹部、24−2b…圧力導入孔(導圧孔)、24−2c…周縁部、24−3…第2の保持部材、24−3a…凹部、24−3b…圧力導入孔(導圧孔)、24−3c…周縁部、25(25−1,25−2)…電極ピン、26…中堅端子、27(27−1,27−2)…封入液、28(28−1,28−2)…接着層(軟接着層)、29(29−1,29−2)…ワイヤ、30…基板、31(31−1,31−2)…細管、200(200A〜200D)…圧力センサ。

Claims (3)

  1. 一方の面および他方の面に受ける圧力差に応じた信号を出力するセンサダイアフラムと、前記センサダイアフラムの一方の面にその周縁部を対面させて接合され当該センサダイアフラムの一方の面へ被測定流体の圧力を導く第1の導圧孔を有する第1の保持部材と、前記センサダイアフラムの他方の面にその周縁部を対面させて接合され当該センサダイアフラムの他方の面を大気に解放させる第2の導圧孔を有する第2の保持部材とを備えたセンサチップと、
    前記センサチップが前記被測定流体の圧力を導入する側の面を接合面として接合されたボディと、
    前記第1の保持部材の第1の導圧孔の内径より細い内径を有する細管とを備え、
    前記ボディは、
    前記第1の保持部材の第1の導圧孔に前記被測定流体を導く導圧路を備え、
    前記細管は、
    前記ボディの導圧路を貫いて前記第1の保持部材の第1の導圧孔に挿入固定され、
    前記第1の保持部材の第1の導圧孔内に位置する一方の側が前記センサチップと前記ボディとの間の接着剤の層のヤング率よりも大きいヤング率を有する接着剤で前記第1の導圧孔の内壁面に接合され、前記ボディの導圧路を貫く他方の側が前記一方の側と同等のヤング率を有する接着剤あるいは溶接により前記ボディの導圧路の入口に接合されており、
    前記被測定流体は、
    前記細管を通して前記センサダイアフラムの一方の面に導かれる
    ことを特徴とする圧力センサ。
  2. 請求項1に記載された圧力センサにおいて、
    前記センサチップは、
    前記ボディに接着剤の層を介して接合され、
    前記接着剤の層は、
    前記センサダイアフラムを構成する材料のヤング率よりも小さいヤング率を有する接着剤の層とされている
    ことを特徴とする圧力センサ。
  3. 一方の面および他方の面に受ける圧力差に応じた信号を出力するセンサダイアフラムと、前記センサダイアフラムの一方の面にその周縁部を対面させて接合され当該センサダイアフラムの一方の面へ第1の被測定流体の圧力を導く第1の導圧孔を有する第1の保持部材と、前記センサダイアフラムの他方の面にその周縁部を対面させて接合され当該センサダイアフラムの他方の面に第2の被測定流体の圧力を導く第2の導圧孔を有する第2の保持部材とを備えたセンサチップと、
    前記センサチップが前記第1の被測定流体の圧力を導入する側の面および前記第2の被測定流体の圧力を導入する側の面の少なくとも一方を接合面として接合されたボディと、
    前記第1の保持部材の第1の導圧孔の内径より細い内径を有する第1の細管と、
    前記第2の保持部材の第2の導圧孔の内径より細い内径を有する第2の細管とを備え、
    前記ボディは、
    前記第1の保持部材の第1の導圧孔に前記第1の被測定流体を導く第1の導圧路と、前記第2の保持部材の第2の導圧孔に前記第2の被測定流体を導く第2の導圧路とを備え、
    前記第1の細管は、
    前記ボディの第1の導圧路を貫いて前記第1の保持部材の第1の導圧孔に挿入固定され、
    前記第1の保持部材の第1の導圧孔内に位置する一方の側が前記センサチップと前記ボディとの間の接着剤の層のヤング率よりも大きいヤング率を有する接着剤で前記第1の導圧孔の内壁面に接合され、前記ボディの第1の導圧路を貫く他方の側が前記一方の側と同等のヤング率を有する接着剤あるいは溶接により前記ボディの第1の導圧路の入口に接合されており、
    前記第2の細管は、
    前記ボディの第2の導圧路を貫いて前記第2の保持部材の第2の導圧孔に挿入固定され、
    前記第2の保持部材の第2の導圧孔内に位置する一方の側が前記センサチップと前記ボディとの間の接着剤の層のヤング率よりも大きいヤング率を有する接着剤で前記第2の導圧孔の内壁面に接合され、前記ボディの第2の導圧路を貫く他方の側が前記一方の側と同等のヤング率を有する接着剤あるいは溶接により前記ボディの第2の導圧路の入口に接合されており、
    前記第1の被測定流体は、
    前記第1の細管を通して前記センサダイアフラムの一方の面に導かれ、
    前記第2の被測定流体は、
    前記第2の細管を通して前記センサダイアフラムの他方の面に導かれる
    ことを特徴とする圧力センサ。
JP2015253627A 2015-12-25 2015-12-25 圧力センサ Active JP6556620B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015253627A JP6556620B2 (ja) 2015-12-25 2015-12-25 圧力センサ
US16/065,550 US11137307B2 (en) 2015-12-25 2016-12-02 Pressure sensor
PCT/JP2016/085872 WO2017110422A1 (ja) 2015-12-25 2016-12-02 圧力センサ
CN201680076144.2A CN108431570A (zh) 2015-12-25 2016-12-02 压力传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015253627A JP6556620B2 (ja) 2015-12-25 2015-12-25 圧力センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017116456A JP2017116456A (ja) 2017-06-29
JP6556620B2 true JP6556620B2 (ja) 2019-08-07

Family

ID=59090009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015253627A Active JP6556620B2 (ja) 2015-12-25 2015-12-25 圧力センサ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11137307B2 (ja)
JP (1) JP6556620B2 (ja)
CN (1) CN108431570A (ja)
WO (1) WO2017110422A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6922651B2 (ja) * 2017-10-26 2021-08-18 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス、及び超音波測定装置
JP6964063B2 (ja) * 2018-11-28 2021-11-10 長野計器株式会社 センサアッシーおよび物理量測定装置
JP7252055B2 (ja) * 2019-05-16 2023-04-04 アズビル株式会社 圧力センサ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5563228A (en) 1978-11-07 1980-05-13 Mitsui Toatsu Chem Inc Polyolefin self-viscous film
JPS5663228A (en) 1979-10-30 1981-05-29 Toshiba Corp Pressure detecting device
US4407296A (en) 1980-09-12 1983-10-04 Medtronic, Inc. Integral hermetic impantable pressure transducer
JP3158354B2 (ja) 1997-04-28 2001-04-23 株式会社山武 圧力検出装置
JPH11153500A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Yamatake Corp 圧力検出装置
US6901803B2 (en) * 2003-10-02 2005-06-07 Rosemount Inc. Pressure module
DE102008043175A1 (de) 2008-10-24 2010-04-29 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Relativdrucksensor
DE102009028488A1 (de) * 2009-08-12 2011-02-17 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Relativdrucksensor
JP5319624B2 (ja) * 2010-08-06 2013-10-16 日本電信電話株式会社 光部品
JP5720419B2 (ja) * 2011-05-24 2015-05-20 横河電機株式会社 差圧・圧力測定装置
JP6018486B2 (ja) 2012-11-19 2016-11-02 アズビル株式会社 差圧センサ
JP6058986B2 (ja) * 2012-11-29 2017-01-11 アズビル株式会社 差圧センサ
JP6286278B2 (ja) * 2014-05-16 2018-02-28 アズビル株式会社 差圧センサおよび差圧センサの製造方法
JP7252055B2 (ja) * 2019-05-16 2023-04-04 アズビル株式会社 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017116456A (ja) 2017-06-29
CN108431570A (zh) 2018-08-21
US11137307B2 (en) 2021-10-05
WO2017110422A1 (ja) 2017-06-29
US20210123826A1 (en) 2021-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6351996B1 (en) Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
KR101364363B1 (ko) 압력 센서 장치
JP2002071491A (ja) 圧力センサ
JP2013224937A (ja) 応力隔離mems構造および製造方法
JP6556620B2 (ja) 圧力センサ
JP6588321B2 (ja) 圧力センサ
CN104101456A (zh) 压力传感器介质隔离封装结构
CN102472680B (zh) 相对压力传感器
US20080099861A1 (en) Sensor device package having thermally compliant die pad
US10132705B2 (en) Low-stress floating-chip pressure sensors
JP3410257B2 (ja) 圧力センサ
JP3145274B2 (ja) 圧力センサ
JP2020187046A (ja) 圧力センサ
JP5804445B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP6580079B2 (ja) 圧力センサ、および、圧力センサの製造方法
CN110945645B (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP5720419B2 (ja) 差圧・圧力測定装置
US10908041B2 (en) Device for measuring characteristics of a fluid
JP2017142169A (ja) 圧力センサ及びその製造方法
JP6725852B2 (ja) 半導体センサ装置
JP2023009938A (ja) 圧力センサ
JP2016102763A (ja) 半導体センサ装置
JP6428205B2 (ja) 半導体センサ装置
JP2016200467A (ja) 複合センサデバイス
JP2003042883A (ja) 液封型圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190423

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190618

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190710

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6556620

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150