JP6526734B2 - インプリントリソグラフィ - Google Patents
インプリントリソグラフィ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6526734B2 JP6526734B2 JP2017079364A JP2017079364A JP6526734B2 JP 6526734 B2 JP6526734 B2 JP 6526734B2 JP 2017079364 A JP2017079364 A JP 2017079364A JP 2017079364 A JP2017079364 A JP 2017079364A JP 6526734 B2 JP6526734 B2 JP 6526734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imprint lithography
- lithography template
- substrate
- imprint
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 1034
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 669
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 138
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 104
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 143
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 76
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 51
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 36
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 36
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 33
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 33
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 33
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 28
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 12
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 12
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 6
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 ZerodurTM or InvarTM Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- WTYGAUXICFETTC-UHFFFAOYSA-N cyclobarbital Chemical compound C=1CCCCC=1C1(CC)C(=O)NC(=O)NC1=O WTYGAUXICFETTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004138 cyclobarbital Drugs 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229920005593 poly(benzyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/14—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles in several steps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/14—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles in several steps
- B29C2043/141—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles in several steps for making single layer articles
- B29C2043/142—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles in several steps for making single layer articles by moving a single mould or the article progressively, i.e. portionwise
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/04—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles using movable moulds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
[0001] 本発明は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする2010年8月5日出願の米国仮出願第61/370,940号の利益を主張する。また、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする2010年9月13日出願の米国仮出願第61/382,151号の利益を主張する。また、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする2010年11月30日出願の米国仮出願第61/418,214号の利益を主張する。また、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする2010年12月22日出願の米国仮出願第61/426,275号の利益を主張する。
[000175] 図2は、インプリントリソグラフィ装置の構成を概略的に示す。インプリントリソグラフィ装置は、ベースフレームとも呼ばれる第1のフレーム20を備える。第1のフレーム20は、1つ以上のガス(例えば、空気)マウント24を介して床22に装着されている。ガスマウント24を用いて床22から第1のフレーム20に伝わる振動が阻止又は低減される。
1)基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った、また平面に垂直な軸(z軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる。基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)を実行できる。インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行でき、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントはその平面に垂直な軸に沿った回転運動(z軸周りの回転)を実行できる。
2)基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った、また平面に垂直な軸(z軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる。基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)と、その平面に垂直な軸周りの回転運動(z軸周りの回転)とを実行でき、基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行できる。基板ステージは、5自由度のショートストローク基板ステージである。例えば、基板ステージは、5自由度の隔離された(例えば、空間的に隔離されたか又は分離された)ショートストローク基板ステージである。基板ステージはさらに、3自由度のロングストローク基板ステージを備えるか又はそれであってもよい。
3)基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる。基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)を実行できる。インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、基板の平面に垂直な軸(z軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる。インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行でき、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントはその平面に垂直な軸周りの回転運動(z軸周りの回転)を実行できる。
4)基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる。基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)と、その平面に垂直な軸周りの回転運動(z軸周りの回転)とを実行でき、基板ステージは、基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行できる。基板ステージは、5自由度のショートストローク基板ステージである。例えば、基板ステージは、5自由度の隔離された(例えば、空間的に隔離されたか又は分離された)ショートストローク基板ステージである。インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、基板の平面に垂直な軸(z軸)に沿ったロングストローク運動を実行できる。基板ステージはさらに、3自由度のロングストローク基板ステージを備えるか又はそれであってもよい。
[000212] リリース補償アクチュエータ(すなわち、基板からのインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントのリリース中に対抗又は補償力を提供するアクチュエータ)については、図4を参照しながらすでに説明した。図4では、リリース補償アクチュエータは第1の(ベース)フレームに接続され、第2の(メトロロジー)フレームを通して延在していた。より一般的な態様では、ベースフレームとメトロロジーフレームとを備えたインプリントリソグラフィ装置が提供される。インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、1つ以上のキネマティックカップリングと1つ以上のリリース補償アクチュエータとを介してベースフレーム又はメトロロジーフレームに接続している。特に、このより一般的な態様は、メトロロジーフレームを通してベースフレームへ延在する1つ以上のリリース補償アクチュエータに限定されない。
[000224] インプリントリソグラフィ装置及び方法では、多くの場合、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを所定位置に圧着(言い換えれば保持)できることが望まれる。圧着構成は、圧着又は保持が永続的でないリリース可能な圧着構成であってもよい。圧着は、例えば、インプリントリソグラフィテンプレートを保持するように構成されたインプリントリソグラフィテンプレートホルダを所定位置に保持するため、又はインプリントリソグラフィテンプレートを所定位置に隔離して保持するために必要である。永続的な接続とは異なって、クランプは異なるインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの交換が可能である点で有利である。
[000242] インプリントリソグラフィテンプレートがインプリント可能な媒体の層内にインプリントされた後で、インプリント可能な媒体の層内に提供されたパターンは、例えば、熱又は化学線の印加によって凝固する。パターンが凝固すると、インプリントリソグラフィテンプレートは、少なくともある程度、インプリント可能な媒体が提供された基板に固定される。基板からインプリントリソグラフィテンプレートをリリースする(これは基板上に提供された材料からインプリントリソグラフィテンプレートをリリースするステップを含む)ために、インプリントリソグラフィテンプレートと基板との一方又は両方に引張力が印加される。しかし、場合によっては、そのような引張力の提供によって1つ以上の問題が発生することがある。図12及び図13は、そのような問題が発生する様子及び理由を概略的に示す。
F<M/b
と定義され、ここで、Fはインプリントリソグラフィテンプレートの中央部を通って作用する引張力又はその成分、Mは回転によって引き起こされるモーメント、bはインプリントリソグラフィテンプレートの中央部(又は、より具体的には、インプリントリソグラフィテンプレートと基板との間の界面の中央部)から界面の半径方向末端までの半径方向距離である。
[000258] 図18は、インプリントリソグラフィテンプレート180の下面図を概略的に示す。インプリントリソグラフィテンプレート180は、メサ領域184がそこから延在するベース領域182を備える。メサ領域184は、インプリント可能な媒体の層内にインプリントしてその媒体内に対応するパターンを形成できる1つ以上のパターンフィーチャを備える。
[000272] インプリントリソグラフィテンプレートは、普通、インプリント可能な媒体の層が実質的に液状の、及び/又は流動可能な状態のときにインプリント可能な媒体の層内にインプリントされる。そのようなインプリントは、そのインプリント可能な媒体の層内にパターンを提供する。次に、パターンは、例えば、化学線、又は熱などの適当な使用によって凝固する(言い換えれば、固まる)。パターンの凝固によって、インプリント可能な媒体は凝固した、実質的に固体の状態になる。インプリント可能な媒体は、凝固プロセスの最後に、例えば、化学線による照射プロセスの最後に、又は加熱プロセスの最後などに、凝固した、実質的に固体の状態になる。インプリント可能な媒体がその間又はそれにわたって実質的に液状の、流動可能な状態又は凝固した、実質的に固体の状態のいずれでもない期間がある。逆に、この中間的な期間にわたって、又はその間、インプリント可能な媒体はその剛性(例えば、ヤング率Eで表される)が時間と共に増加する中間状態にある。
i)インプリント可能な媒体が非凝固の、実質的に液状の、及び/又は流動可能な状態206にあるときに第1のレベルで比較的高い帯域幅の制御を実行するステップと、それに続けて、
ii)インプリント可能な媒体が非凝固の、実質的に液状の、及び/又は流動可能な状態206と凝固の、実質的に固体状態210の間の中間状態208にあるときに、第1のレベルよりも高い第2のレベルでより高い帯域幅の制御を実行するステップと、それに続けて、
iii)インプリント可能な媒体が凝固の、実質的に固体状態210にあるときに比較的低い帯域幅の制御実行するステップ。
[000288] 図25は、インプリントリソグラフィテンプレート220の下面図を概略的に示す。インプリントリソグラフィテンプレート220は、メサ領域224がそこから延在するベース領域222を備える。メサ領域224は、インプリント可能な媒体の層内に対応するパターンをインプリントする際に使用する1つ以上のパターンを備える。インプリントリソグラフィテンプレート220をアクチュエータ226が取り囲む。アクチュエータ226は、インプリントリソグラフィテンプレート220を位置決めし及び/又は変形させる好適な力を提供できる。代替的に、位置支持体とも呼ばれる固定当接点228も提供される。固定当接点228は、インプリントリソグラフィテンプレート220の3自由度を固定するために提供される。3自由度は、インプリントリソグラフィテンプレート220の平面に平行な第1の軸に沿った(すなわち、x軸に沿った)平行移動と、第1の軸に垂直でインプリントリソグラフィテンプレート220の平面に平行な第2の軸に沿った(すなわち、y軸に沿った)平行移動と、第1及び第2の軸に垂直な第3の軸周りの(すなわち、z軸周りの)回転と、である。
[000302] 図27は、インプリントリソグラフィ装置の側面図を概略的に示す。この装置は、アライメントセンサ240を備える。インプリントリソグラフィテンプレート242の位置決め及び/又は変形で使用する1つ以上のアクチュエータ244と組み合わせて、インプリントリソグラフィテンプレート242も提供される。インプリント可能な媒体246の層が基板248上に提供される。基板248は、基板ステージ250上に保持されている。
[000319] インプリントリソグラフィ方法では、インプリントリソグラフィテンプレートはインプリント可能な媒体に接触する。このインプリント可能な媒体は、複数の液滴の形で提供できる。液滴が基板上に提供されると、液滴は広がって連続的な層が形成される。第1相では、液滴は、液滴同士が接触するまで表面張力と粘性の抵抗力との平衡によって駆動されて自由に広がる。液滴が互いに接触し始めると、インプリントリソグラフィ方法が実行されるガス雰囲気内の、又はそれを形成するガス(例えば、空気)が液滴、基板、及びインプリントリソグラフィテンプレートの間に捕捉される。ガスのこれらの捕捉されたポケットは、介在物又はガス介在物と呼ばれることがある。第2相では、これらのガス介在物は溶解する。ガス介在物は、介在物内のガスのインプリント可能な媒体それ自体、基板及び/又はインプリントリソグラフィテンプレートの1つ以上を通した、及び/又はその内部への拡散によって溶解する。理想的には、ガス介在物のすべてはできる限り迅速に溶解するはずであり、したがって、インプリントリソグラフィプロセスの次のステップは、できる限り早く実行される。ガス介在物が全く溶解しないと、介在物は印加されたパターンないに欠陥を形成することがある。
[000331] リソグラフィ装置(光又はインプリントベースの)内で生成された汚染の量を制限して、そのようなあらゆる汚染が基板へのパターンの塗布に与える影響を制限することが望ましい。汚染は、例えば、装置内に侵入する埃又は微粒子などの形態で外部で生成される。しかし、汚染がリソグラフィ装置の内部で生成されることもある。汚染は、例えば、アクチュエータ又はアクチュエータが制御する装置の部分、例えば、クランプ、ポジショナ、ホルダ、カメラなどの移動などによって内部で生成されることがある。
[000347] インプリントリソグラフィ装置は、1つ以上の印字ヘッドを備えてもよい。印字ヘッドは、基板上にインプリント可能な媒体を提供する。インプリント可能な媒体はインプリントが実行される直前に基板上(又はその一定のターゲット部分上)に提供しなければならないため、印字ヘッドはインプリントリソグラフィ装置内に配置され、又は配置できる。
[000362] インプリントリソグラフィ装置及び方法では、基板が保持され、インプリントリソグラフィ装置の周囲を移動する(すなわち、基板が取り扱われる)。さらに、例えば、光リソグラフィとは異なり、パターニングデバイス自体(例えば、インプリントリソグラフィテンプレート)をインプリントが実行されるインプリントチャンバの周囲で(例えば、出し入れして)移動させることができる。そのような移動は、異なるインプリントリソグラフィテンプレート、例えば、異なるパターンを有するテンプレートを提供するために必要である。基板を取り扱う基板ハンドリングシステムと、インプリントリソグラフィテンプレートを取り扱うインプリントリソグラフィテンプレートハンドリングシステムとを備えるインプリントリソグラフィ装置を提供することが現在提案されている。それぞれ基板とインプリントリソグラフィテンプレートのための独立した別個のハンドリングシステムを提供することで、インプリントリソグラフィ装置の設置面積及び/又はインプリントリソグラフィ装置のコストが増加する。
1.床に装着する第1のフレームと、
キネマティックカップリングを介して前記第1のフレーム上に装着された第2のフレームと、
インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを基板のターゲット位置に整列させる、前記第2のフレーム上に装着されたアライメントセンサと、
前記第2のフレームに対する前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメント及び/又は基板ステージの位置を測定する位置センサと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
2.前記第1のフレームは、防振システムによって床に装着される、条項1に記載の装置。
3.前記第2のフレームの一部は、前記第1のフレームの外側から前記第1のフレーム内に位置する領域内に延在し、したがって、位置の測定は、前記第2のフレームのその部分に対して、又はそれを用いて実行できる、条項1又は2に記載の装置。
4.床に装着する第1のフレームと、
防振システムを介して前記第1のフレーム上に装着された第2のフレームと、
少なくとも使用時に、キネマティックカップリングを介して前記第2のフレーム上に装着されるように構成されたインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを基板のターゲット部分に整列させる前記第2のフレーム上に装着されたアライメントセンサと、
前記第2のフレームに対する基板ステージの位置を測定する位置センサと
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
5.前記第2のフレームは、実質的に前記第1のフレーム内に位置する、条項4に記載の装置。
6.前記第1のフレームと前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントとの間に接続されたリリース補償アクチュエータをさらに備える、条項4又は5に記載の装置。
7.前記リリース補償アクチュエータの接続点は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記第2のフレームに装着するための前記キネマティックカップリングの接続点にリンクされている、条項6に記載の装置。
8.前記リリース補償アクチュエータの接続点は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記第2のフレームに装着するための前記キネマティックカップリングの前記接続点とは前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの逆の側にある、条項7に記載の装置。
9.前記リリース補償アクチュエータは、前記第2のフレームを通して延在する、条項6〜8のいずれかに記載の装置。
10.前記基板ステージは、5自由度のショートストローク基板ステージである、条項1〜9のいずれかに記載の装置。
11.前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った、また前記平面に垂直な軸(z軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる、条項1〜10のいずれかに記載の装置。
12.前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)を実行できる、条項11に記載の装置。
13.前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)、及び前記平面に垂直な軸周りの回転運動(z軸周りの回転)を実行でき、前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行できる、条項11に記載の装置。
14.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行でき、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、前記平面に垂直な前記軸周りの回転運動(z軸周りの回転)を実行できる、条項12に記載の装置。
15.前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のロングストローク運動を実行できる、条項1〜10のいずれかに記載の装置。
16.前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)を実行できる、条項15に記載の装置。
17.前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸周りの回転運動(x軸及びy軸周りの回転)、及び前記平面に垂直な前記軸周りの回転運動(z軸周りの回転)を実行でき、前記基板ステージは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行できる、条項15に記載の装置。
18.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、前記基板の平面に垂直な軸(z軸)に沿ったロングストローク運動を実行できる、条項16又は17に記載の装置。
19.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、前記基板の平面に平行な前記2つの軸(x軸及びy軸)に沿った平行移動のショートストローク運動を実行でき、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、前記平面に垂直な前記軸周りの回転運動(z軸周りの回転)を実行できる、条項18に記載の装置。
20.前記第2のフレームを遮蔽する熱シールドをさらに備える、条項1〜19のいずれかに記載の装置。
21.前記第2のフレームは、低い熱膨張係数及び/又は高い熱伝導率を有する材料から形成される、条項1〜20のいずれかに記載の装置。
22.前記第2のフレームを冷却又は熱調節する冷却又は熱調節システムをさらに備える、条項1〜21のいずれかに記載の装置。
23.前記第2のフレームは、高周波数の内部動的モードを有するように形成され、及び/又は構成される、条項1〜22のいずれかに記載の装置。
24.前記基板ステージは、前記第1のフレームに結合される、条項1〜23のいずれかに記載の装置。
25.前記基板ステージは、
基板ホルダと、
前記基板のポジショナと、
基板ホルダのポジショナ
から選択される1つ以上であるか、又はそれを備えるか、又はその一部を形成する、条項1〜24のいずれかに記載の装置。
26.前記第1のフレームはベースフレームであり、及び/又は、前記第2のフレームはメトロロジーフレームである、条項1〜25のいずれかに記載の装置。
27.ベースフレームと、
メトロロジーフレームと、
キネマティックカップリング及びリリース補償アクチュエータを介して前記ベースフレーム又は前記メトロロジーフレームに接続するインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
28.前記キネマティックカップリングは、前記リリース補償アクチュエータと直列に配置される、条項27に記載の装置。
29.前記リリース補償アクチュエータの接続点は、前記キネマティッ クカップリングの接続点とは前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの逆の側にある、条項27に記載の装置。
30.インプリントリソグラフィ装置を使用するインプリントリソグラフィ方法であって、前記装置は、ベースフレームと、メトロロジーフレームと、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、を備え、前記方法は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントが前記メトロロジーフレームに接続されているときに、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを用いて基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントするステップと、
前記インプリント可能な媒体内に提供された前記パターンを凝固させるステップと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを移動させて前記メトロロジーフレームから前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを切り離し、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記ベースフレームに接続するステップと、
前記基板から前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントをリリースするステップと、
を含む方法。
31.前記基板を保持する基板ステージの移動によって前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを移動させるステップを含む、条項30に記載の方法。
32.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントのリリースステップは、前記ベースフレームに接続されたアクチュエータを用いて前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを保持するステップと、前記基板を保持する前記基板ステージの移動を介して前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントから前記基板を引き離すステップと、を含む、条項30又は31に記載の方法。
33.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、前記メトロロジーフレームとの接続の方へ付勢され、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントのこの移動は付勢に打ち勝つ、条項30〜32のいずれかに記載の方法。
34.前記アクチュエータは、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記メトロロジーフレームとの接続の方へ付勢できる、条項32及び33に記載の方法
35.ベースフレームと、
ベースフレームに接続されたメトロロジーフレームと、
インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントであって、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントが第1の構成と第2の構成との間で可動であり、前記第1の構成が、前記メトロロジーフレームに接続された前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントによって定義され、前記第2の構成が、前記メトロロジーフレームから切断され前記ベースフレームに接続される前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントによって定義される、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
36.インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメント圧着構成であって、前記圧着構成はクランプを含み、前記クランプは、
ベース領域と、
ベース領域から延在して、使用時に前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに接触するように構成されたバールであって、前記バールが前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの平面の平行な方向に少なくとも部分的に柔軟であって、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに対して前記バールが滑ることなく、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの移動、膨張又は圧縮が可能である、バールと、
前記バールを取り囲む空間と、
前記ベース領域から延在し前記バールを取り囲む前記空間を取り囲むシール壁であって、前記バールが前記ベース領域から前記シール壁よりも先へ延在し、使用時に、前記空間が周囲圧力よりも低い圧力のときに前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに少なくとも部分的な封止を提供するように構成されたシール壁と、
を備える、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメント圧着構成。
37.前記バールは、
少なくとも全長1mm、少なくとも全長5mm、少なくとも全長5〜10mm、少なくとも全長10mm、及び/又は、全長100mm未満である、条項36に記載の圧着構成。
38.前記バールは、
前記ベース領域から前記シール壁よりも1〜10μm先へ、又は
前記ベース領域から前記シール壁よりも3〜5μm先へ延在する、条項36又は37に記載の圧着構成。
39.前記クランプは、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの周縁部の周囲に分散可能なように構築され配置された複数のバールを備える、条項36〜38のいずれかに記載の圧着構成。
40.前記シール壁は、
前記1つ以上のバールを含む領域の外縁部の周囲に延在する外側シール壁と、
前記1つ以上のバールを含む前記領域の内縁部の周囲に延在する内側シール壁と、
を備える、条項36〜39のいずれかに記載の圧着構成。
41.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの周縁部の周囲に配置可能なように構築され配置された複数のクランプを備える、条項36〜40のいずれかに記載の圧着構成。
42.前記クランプ又は圧着構成は、別のインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントであるか、又はその一部を形成する、条項36〜41のいずれかに記載の圧着構成。
43.基板ステージ上に保持された基板からインプリントリソグラフィテンプレートをリリースする方法であって、
前記基板と前記インプリントリソグラフィテンプレートとを互いに引き離すステップと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板の他方に向けて、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板の一方又は両方に回転モーメントを加えて、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との間の界面の半径方向末端で前記基板を前記基板ステージに保持する基板上に作用する累積力を得るステップと、
を含む、方法。
44.前記インプリントリソグラフィテンプレートの中央部を通って作用する引張力又はその成分と回転に関連付けられたモーメントとの関係は、
F<M/b
と定義され、ここで、Fは前記インプリントリソグラフィテンプレートの中央部を通って作用する引張力又はその成分、Mは前記回転によって引き起こされるモーメント、bは前記インプリントリソグラフィテンプレートの中央部から前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との間の前記界面の半径方向末端までの半径方向距離である、条項43に記載の方法。
45.前記方法は、前記基板の周縁領域で実行される、条項43又は44に記載の方法。
46.インプリントリソグラフィテンプレートを保持するインプリントリソグラフィテンプレートホルダと、
基板を保持する基板ステージと、を備え、
基板からのインプリントリソグラフィテンプレートのリリース中に、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダと前記基板ステージの一方又は両方は、
前記基板と前記インプリントリソグラフィテンプレートとを互いに引き離し、
前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板の他方に向けて、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板の一方又は両方に回転モーメントを加えて、前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との間の界面の半径方向末端で前記基板を前記基板ステージに保持する前記基板上に作用する累積力を得るように可動式に構築され配置される、インプリントリソグラフィ装置。
47.インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを位置決めし及び/又は変形させる作動装置であって、
使用時に、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの第1の側に配置可能な第1のアクチュエータと、
使用時に、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの第2の反対の側に配置可能な第2のアクチュエータと、
前記第1のアクチュエータと前記第2のアクチュエータの両方に印加可能な制御信号を増幅する信号増幅器と、
を備える、作動装置。
48.前記第1のアクチュエータは、前記第2のアクチュエータと直接対向する位置に配置できる、条項47に記載の作動装置。
49.前記作動装置は、
使用時に、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの第1の側に配置可能な複数の第1のアクチュエータと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの第2の反対の側に配置可能な複数の第2のアクチュエータと、
前記複数のアクチュエータのうち直接対向するアクチュエータに印加可能な制御信号を増幅するか、又は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの反対側に配置可能なアクチュエータのグループに印加可能な制御信号を増幅する信号増幅器と、
を備える、条項47に記載の作動装置。
50.各アクチュエータは、圧電アクチュエータ又はローレンツアクチュエータである、条項47〜49のいずれかに記載の作動装置。
51.インプリントリソグラフィテンプレートホルダの一部を形成する、条項47〜50のいずれかに記載の作動装置。
52.基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にインプリントリソグラフィテンプレートをインプリントしてそのインプリント可能な媒体の層内にパターンを形成するステップと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートが前記インプリント可能な媒体内にインプリントされるときに前記基板に対する前記インプリントリソグラフィテンプレートの位置又は変形を制御するステップと、
インプリント可能な媒体の層内に提供されたパターンを凝固させるステップと、を含み、
前記基板に対する前記インプリントリソグラフィテンプレートの位置又は変形を制御するステップは,
前記インプリント可能な媒体が、非凝固の状態、実質的に液状、及び/又は、流動可能な状態、にあるときに第1のレベルで比較的高い帯域幅の制御を実行することと、
前記インプリント可能な媒体が、非凝固の状態、実質的に液状、及び/又は、流動可能な状態と凝固の実質的に固体状態の間の中間状態、にあるときに、前記第1のレベルよりも高い第2のレベルでより高い帯域幅の制御を実行することと、
前記インプリント可能な媒体が凝固の実質的に固体状態にあるときに比較的低い帯域幅の制御を実行することと、
を含む、インプリントリソグラフィ方法。
53.前記基板に対する前記インプリントリソグラフィテンプレートの位置又は変形を制御するステップは、サーボ機構の制御を含む、条項52に記載の方法。
54.前記インプリントリソグラフィテンプレートが前記インプリント可能な媒体内にインプリントされるときに前記基板に対する前記インプリントリソグラフィテンプレートの位置を制御するステップは、前記基板のターゲット部分に対する前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの整列ステップ又はアライメントの維持ステップを含む、条項52又は53に記載の方法。
55.インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを位置決めし及び/又は変形させる作動装置であって、
使用時に、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの周囲に配置可能なアクチュエータと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの3自由度を固定する固定当接点であって、前記3自由度が、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの平面に平行な第1の軸に沿った平行移動と、前記第1の軸に垂直でインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの平面に平行な第2の軸に沿った平行移動と、前記第1及び第2の軸に垂直な第3の軸を中心とする回転と、である、固定当接点と、
前記アクチュエータによって前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに提供される力を制御するコントローラであって、前記提供される力が、前記第1の軸、第2の軸に沿ってまた前記第3の軸周りに作用する累積力が最小限になるような力であることを確実にするように構成されたコントローラと、
を備える、作動装置。
56.使用時に、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを付勢して前記固定当接点に接触させるように構成された付勢部材をさらに備える、条項55に記載の作動装置。
57.前記累積力は、1つ以上の、又はすべての固定当接点に印加される力が、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の5%未満であるか、又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の4%未満であるか、又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の3%未満であるか、又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の2%未満であるか、又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の1%未満であるか、又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の実質的に1%であるか、又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力の総計の実質的に0%である
という点で最小限である、条項55又は56に記載の作動装置。
58.前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントは、実質的に矩形であり、前記作動装置は、
2つの固定当接点が前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの一辺に沿って配置可能であり、
1つの固定当接点が前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの隣接する辺に沿って配置可能である
ように配置される3つの固定当接点を備える、条項55〜57のいずれかに記載の作動装置。
59.前記コントローラは、前記提供される力が、前記第1の軸、第2の軸に沿ってまた前記第3の軸周りに作用する前記累積力が変形制御モードで最小限になるような力であることを確実にするように構成された、条項55〜58のいずれかに記載の作動装置。
60.前記作動装置は、インプリントリソグラフィテンプレートホルダの一部を形成する、条項55〜59のいずれかに記載の作動装置。
61.インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの位置及び/又は変形を制御する方法であって、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの3自由度を固定するステップであって、前記3自由度が、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの平面に平行な第1の軸に沿った平行移動と、前記第1の軸に垂直で前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの平面に平行な第2の軸に沿った平行移動と、前記第1及び第2の軸に垂直な第3の軸を中心とする回転と、である、ステップと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに提供される力を制御して前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの位置又は変形を制御し、前記提供される力が、前記第1の軸、第2の軸に沿ってまた前記第3の軸周りに作用する累積力が最小限になるような力であることを確実にするステップと、
を含む、方法。
62.基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントする際に使用するインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを位置決めし及び/又は変形させるアクチュエータと、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記基板のターゲット部分に整列させる第1の検出帯域幅を有するアライメントセンサと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと前記基板との相対位置を測定する相対位置センサであって、前記アライメントセンサの前記第1の検出帯域幅よりも大きい第2の検出帯域幅を有する、相対位置センサと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
63.前記アライメントセンサは、
10Hz未満又は5Hz未満の検出帯域幅を有する、条項62に記載の装置。
64.前記相対位置センサは、
100Hzを超える又は200Hzを超える検出帯域幅を有する、条項62又は63に記載の装置。
65.前記アクチュエータは、前記アクチュエータによって印加される力を直接的又は間接的に測定する力センサを備えるか又はそれに接続される、条項62〜64のいずれかに記載の装置。
66.前記力センサは、前記アライメントセンサの前記第1の検出帯域幅よりも大きい第3の検出帯域幅を有する、条項65に記載の装置。
67.前記力センサは、位置センサ又は電流センサである、条項65又は66に記載の装置。
68.前記基板に対する前記インプリントリソグラフィテンプレートの位置及び変形を制御して実質的に意図した通りに位置及び変形を達成するステップと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートが実質的に意図した通りに位置決めされ変形すると、前記インプリントリソグラフィテンプレートの変形に関連する制御帯域幅を低減するステップと、
を含む、インプリントリソグラフィ方法。
69.前記制御帯域幅は、前記インプリントリソグラフィテンプレートの変形の実施に関連する実施帯域幅である、条項68に記載の方法。
70.前記帯域幅は、
100Hz未満、50Hz未満、10Hz未満、5Hz未満、数Hz、まで低減される、及び/又は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと前記基板のターゲット部分との整列に使用されるアライメントセンサの検出帯域幅内の帯域幅まで低減される、
条項68又は69に記載の方法。
71.前記インプリントリソグラフィテンプレートを基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にインプリントしてそのインプリント可能な媒体の層内にパターンを形成するステップをさらに含み、位置及び変形の制御ステップは、
前記インプリントの前に、又は
前記インプリント中、前記パターンが実質的に固形状態に凝固される前に、又は、
前記インプリントの前とインプリント中、前記パターンが実質的に固形状態に凝固される前に、
実行される、条項68〜70のいずれかに記載の方法。
72.基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントする際に使用するインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを位置決めし及び/又は変形させるアクチュエータであって、前記アクチュエータによって印加される力を直接的又は間接的に測定する第1の検出帯域幅を有する力センサを備えるか又はそれに接続された、アクチュエータと、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記基板のターゲット部分に整列させる、前記第1の検出帯域幅よりも大きい第2の検出帯域幅を有するアライメントセンサと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
73.前記力センサからの出力を受信するように構成され、この出力を前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの位置に変換するように構成された制御機構をさらに備える、条項72に記載の装置。
74.第2の検出帯域幅は、
10Hz未満又は5Hz未満である、条項72又は73に記載の装置。
75.前記第1の検出帯域幅は、
50Hzを超える又は100Hzを超える又は200Hzを超える、条項72〜74のいずれかに記載の装置。
76.複数のアクチュエータの各々は、力センサを備えるか又はそれに接続される、条項72〜75のいずれかに記載の装置。
77.前記又は各力センサは、位置センサ又は電流センサである、条項72〜76のいずれかに記載の装置。
78.インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを基板のターゲット部分に整列させる方法であって、
第1の検出帯域幅を有するアライメントセンサを用いて前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを前記基板のターゲット部分に整列させるステップと、
前記アライメントセンサの前記第1の検出帯域幅よりも大きい第2の検出帯域幅を有する、アクチュエータの一部を構成するか又はそれに接続された力センサを用いて、前記アクチュエータによって前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントに印加される力を決定するステップと、
前記力の決定から前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの位置又は位置の変化を決定し、その位置又は位置の変化を前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントのアライメントに使用するステップと、
を含む、方法。
79.基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントする際に使用するインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
前記基板を保持する基板ステージと、
パターンのインプリントが実行されるガス雰囲気を提供するガス分配装置であって、前記ガス雰囲気の提供の際に非対称的な方法でガスを分配するように構成されたガス分配装置と、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
80.前記ガス分配装置は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと前記基板ホルダ及び/又は基板との間に位置する領域内で、又は領域内へ非対称的な方法でガスを分配するように構成される、条項79に記載の装置。
81.前記ガス分配装置は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの周囲に非対称的に分散した、又は非対照的に分散可能な複数の出口を有する、条項79又は80に記載の装置。
82.前記ガス分配装置は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの周囲に非対称的に分散した、又は非対照的に分散可能な複数の出口を有し、前記ガス分配装置は、異なる出口で異なる圧力でガスを分配して、ガス雰囲気の提供の際に非対称的な方法でガスを分配するように構成された、条項79〜81のいずれかに記載の装置。
83.前記ガス分配装置は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの周囲に非対称的に分散した、又は非対照的に分散可能な複数の出口を有し、前記ガス分配装置は、異なる出口で異なる時間にガスを分配して、ガス雰囲気の提供の際に非対称的な方法でガスを分配するように構成される、条項79〜82のいずれかに記載の装置。
84.前記ガス分配装置は、ヘリウムを分配するように構成される、条項79〜83のいずれかに記載の装置。
85.基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内へのパターンのインプリントが実行されるガス雰囲気を提供するステップを含み、
前記ガス雰囲気を構成するガスは、非対称的な方法で分配される、インプリントリソグラフィ方法。
86.インプリントリソグラフィ装置であって、
基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントする際に使用するインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントであって、少なくとも使用時にパターンを提供するパターン付領域を有するインプリントリソグラフィテンプレートを備える、インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記装置を少なくとも以下の2つの領域、すなわち、
i)可動要素が位置する第1の比較的清潔でない領域と、
ii)基板ステージが位置し、前記基板を保持している場合、前記基板それ自体と、前記インプリントリソグラフィテンプレートのパターン付領域と、が位置する第2の比較的清潔な領域と、に分割する汚染バリアと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
87.前記第1の領域は、一般に前記装置の上側の領域であり、前記第2の領域は、一般に前記装置の下側の領域である、条項86に記載の装置。
88.前記パターン付領域が提供された側と反対の前記インプリントリソグラフィテンプレートの逆の側の少なくとも一部は、前記第2の領域内に配置される、又は配置可能である、条項86又は87に記載の装置。
89.前記インプリントリソグラフィテンプレートの裏側の少なくとも一部の付近に、前記汚染バリアが化学線を実質的に透過する材料から形成される、条項88に記載の装置。
90.前記汚染バリアは、前記インプリントリソグラフィ装置の固定部分の間に位置して汚染を捕捉するトレイ又は容器を備える、条項86〜89のいずれかに記載の装置。
91.前記汚染バリアは、前記インプリントリソグラフィ装置の可動部分の間、及び/又は前記インプリントリソグラフィ装置の固定部分と可動部分との間に位置する柔軟な部材を有する、条項86〜90のいずれかに記載の装置。
92.前記汚染バリアの少なくとも一部は、前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントを実質的に取り囲む、条項86〜91のいずれかに記載の装置。
93.前記汚染バリアは、前記インプリントリソグラフィ装置の全体にわたって延在する、条項86〜92のいずれかに記載の装置。
94.前記可動要素は、前記インプリント可能な媒体の層内にパターンを提供する際に前記インプリントリソグラフィテンプレートと併用するように構成される、条項86〜93のいずれかに記載の装置。
95.前記可動要素は、
インプリントリソグラフィホルダ及び/又はインプリントリソグラフィテンプレートポジショナなどの前記インプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントの部品、
インプリントリソグラフィテンプレートホルダ、
インプリントリソグラフィテンプレートポジショナ、
カメラ、
センサ、及び/又は、
放射源
から選択される1つ以上、又は1つ以上のためのアクチュエータを備える、条項86〜94のいずれかに記載の装置。
96.インプリントリソグラフィ装置であって、
インプリントコンパートメントであって、その内部に、基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントする際に使用するインプリントリソグラフィテンプレートアレンジメントと、前記基板を保持する基板ステージと、が位置する、インプリントコンパートメントと、
封止された又は封止可能なアクセスポートを介して前記インプリントコンパートメントに接続する印字ヘッドコンパートメントであって、前記印字ヘッドコンパートメントが、前記インプリントコンパートメントから前記印字ヘッドコンパートメント内へ印字ヘッドを移動させ、及び/又は前記印字ヘッドコンパートメントから前記インプリントコンパートメント内へ印字ヘッドを移動させるアクチュエータを有する、印字ヘッドコンパートメントと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。
97.前記アクチュエータは、印字ヘッドを保持するように構成されたアームを移動させるように配置される、条項96に記載の装置。
98.前記アクチュエータは、前記アームの下に位置する、条項97に記載の装置。
99.前記アームは、前記印字ヘッドコンパートメント内に完全に配置可能である、条項97又は98に記載の装置。
100.前記印字ヘッドコンパートメントは、前記アクセスポートに隣接した位置にあるガスシャワーを備える、条項96〜99のいずれかに記載の装置。
101.前記印字ヘッドコンパートメントは、前記印字ヘッドコンパートメント内に配置された、又は配置可能な印字ヘッドへのアクセスを提供する封止可能なアクセスポートをさらに備える、条項96〜100のいずれかに記載の装置。
102.少なくとも使用時に、前記インプリントコンパートメントは、前記印字ヘッドコンパートメントのガス圧よりも高いガス圧に維持される、条項96〜102のいずれかに記載の装置。
103.インプリントリソグラフィ装置であって、
その上にインプリント可能な媒体の層を提供する基板を保持し及び/又は移動させる基板ハンドリングシステムを備え、
前記基板ハンドリングシステムは、インプリントリソグラフィテンプレートハンドリングシステムとしても機能するように構成される、インプリントリソグラフィ装置。
104.前記基板ハンドリングシステムは、基板ステージ上に基板を搭載する基板ハンドラ及び/又は基板ステージを備える、条項103に記載の装置。
105.前記基板ハンドリングシステムは、使用時に、ダミー基板を取り扱い、前記ダミー基板は、標準基板と、前記標準基板に関連して使用時に前記標準基板の上面に位置する、インプリントリソグラフィテンプレートを収容する装置と、を含む、条項103又は104に記載の装置。
106.インプリントリソグラフィテンプレートを取り扱う際に使用するダミー基板であって、
標準基板と、
前記標準基板に関連して、使用時に前記標準基板の上面に位置する、インプリントリソグラフィテンプレートを収容する装置と、
を有する、ダミー基板。
107.インプリントリソグラフィテンプレートを収容する装置は、当接面と、前記インプリントリソグラフィテンプレートを前記当接面に接触させるよう付勢する付勢要素とを備える、条項106に記載のダミー基板。
108.前記当接面及び/又は前記付勢要素は、前記インプリントリソグラフィテンプレートのベース領域に接触するように構成される、条項107に記載のダミー基板。
109.インプリントリソグラフィ装置内で、基板ハンドリングシステムを用いて直接的又は間接的にインプリントリソグラフィテンプレートを取り扱うステップを含む、インプリントリソグラフィ方法。
110.前記基板ハンドリングシステムは、前記インプリントリソグラフィテンプレートを収容するように構成されたダミー基板を取り扱うことで前記インプリントリソグラフィテンプレートを取り扱う、条項109に記載の方法。
111.前記インプリントリソグラフィテンプレートは、前記インプリントリソグラフィテンプレートのパターン付領域が前記ダミー基板の方を向いた状態で前記ダミー基板上に搭載される、条項110に記載の方法。
Claims (10)
- インプリントリソグラフィ装置を使用するインプリントリソグラフィ方法であって、前記装置は、ベースフレームと、メトロロジーフレームと、インプリントリソグラフィテンプレートホルダと、を備え、前記方法は、
前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダが前記メトロロジーフレームに接続されているときに、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダを用いて基板上に提供されたインプリント可能な媒体の層内にパターンをインプリントする第一のステップと、
前記インプリント可能な媒体内に提供された前記パターンを凝固させる第二のステップと、
前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダを移動させて、前記メトロロジーフレームから前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダを切り離し、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダを前記ベースフレームに接続する第三のステップと、
前記基板から前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダをリリースする第四のステップと、
を含む、方法。 - 前記第一のステップにおいて、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、前記メトロロジーフレームに接続された1つ以上のばねによって前記メトロロジーフレームとの接続の方へ付勢される、請求項1に記載の方法。
- 前記第一のステップにおいて、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、アクチュエータによって前記メトロロジーフレームとの接続の方へ付勢される、請求項1に記載の方法。
- 前記第三のステップにおいて、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダを、前記基板を保持する基板ステージの移動によって前記ベースフレームの方へ移動させる、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
- 前記第三のステップにおいて、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダを、アクチュエータを用いて前記ベースフレームに接続する、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
- ベースフレームと、
前記ベースフレームに接続されたメトロロジーフレームと、
インプリントリソグラフィテンプレートホルダであって、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダが第1の構成と第2の構成との間で可動であり、前記第1の構成が、前記メトロロジーフレームに接続された前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダによって定義され、前記第2の構成が、前記メトロロジーフレームから切断され前記ベースフレームに接続される前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダによって定義される、インプリントリソグラフィテンプレートホルダと、
を備える、インプリントリソグラフィ装置。 - 前記第1の構成において、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、前記メトロロジーフレームに接続された1つ以上のばねによって前記メトロロジーフレームとの接続の方へ付勢される、請求項6に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記第1の構成において、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、アクチュエータによって前記メトロロジーフレームとの接続の方へ付勢される、請求項6に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記第2の構成において、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、基板を保持する基板ステージの移動によって前記ベースフレームの方へ移動させられる、請求項6から8の何れか一項に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記第2の構成において、前記インプリントリソグラフィテンプレートホルダは、アクチュエータを用いて前記ベースフレームに接続される、請求項6から9の何れか一項に記載のインプリントリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37094010P | 2010-08-05 | 2010-08-05 | |
US61/370,940 | 2010-08-05 | ||
US38215110P | 2010-09-13 | 2010-09-13 | |
US61/382,151 | 2010-09-13 | ||
US41821410P | 2010-11-30 | 2010-11-30 | |
US61/418,214 | 2010-11-30 | ||
US201061426275P | 2010-12-22 | 2010-12-22 | |
US61/426,275 | 2010-12-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015172297A Division JP6158877B2 (ja) | 2010-08-05 | 2015-09-01 | インプリントリソグラフィ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019088253A Division JP7231475B2 (ja) | 2010-08-05 | 2019-05-08 | インプリントリソグラフィ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017143295A JP2017143295A (ja) | 2017-08-17 |
JP6526734B2 true JP6526734B2 (ja) | 2019-06-05 |
Family
ID=44226005
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013522153A Pending JP2013538447A (ja) | 2010-08-05 | 2011-06-14 | インプリントリソグラフィ |
JP2014257622A Active JP5891291B2 (ja) | 2010-08-05 | 2014-12-19 | インプリントリソグラフィ |
JP2015172297A Active JP6158877B2 (ja) | 2010-08-05 | 2015-09-01 | インプリントリソグラフィ |
JP2017079364A Active JP6526734B2 (ja) | 2010-08-05 | 2017-04-13 | インプリントリソグラフィ |
JP2019088253A Active JP7231475B2 (ja) | 2010-08-05 | 2019-05-08 | インプリントリソグラフィ |
JP2021175266A Pending JP2022019730A (ja) | 2010-08-05 | 2021-10-27 | インプリントリソグラフィ |
JP2023132384A Pending JP2023153252A (ja) | 2010-08-05 | 2023-08-15 | インプリントリソグラフィ |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013522153A Pending JP2013538447A (ja) | 2010-08-05 | 2011-06-14 | インプリントリソグラフィ |
JP2014257622A Active JP5891291B2 (ja) | 2010-08-05 | 2014-12-19 | インプリントリソグラフィ |
JP2015172297A Active JP6158877B2 (ja) | 2010-08-05 | 2015-09-01 | インプリントリソグラフィ |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019088253A Active JP7231475B2 (ja) | 2010-08-05 | 2019-05-08 | インプリントリソグラフィ |
JP2021175266A Pending JP2022019730A (ja) | 2010-08-05 | 2021-10-27 | インプリントリソグラフィ |
JP2023132384A Pending JP2023153252A (ja) | 2010-08-05 | 2023-08-15 | インプリントリソグラフィ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9864279B2 (ja) |
JP (7) | JP2013538447A (ja) |
NL (1) | NL2006929A (ja) |
TW (1) | TWI448832B (ja) |
WO (1) | WO2012016744A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012016744A1 (en) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP5864929B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP6060796B2 (ja) * | 2013-04-22 | 2017-01-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及びダミーパターン設計方法 |
CN103529661B (zh) * | 2013-10-30 | 2015-09-09 | 苏州光舵微纳科技有限公司 | 纳米压印对准装置 |
WO2015069279A1 (en) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | Empire Technology Development Llc | Apparatus and methods for detecting substrate alignment during a printing process |
SG11201603475RA (en) * | 2013-11-08 | 2016-05-30 | Canon Nanotechnologies Inc | Low contact imprint lithography template chuck system for improved overlay correction |
JP6313591B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-04-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法 |
JP6465577B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
DE102015201249A1 (de) * | 2015-01-26 | 2016-07-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beweglich gelagertes Bauteil einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bewegungsbegrenzung hierfür |
JP6562795B2 (ja) * | 2015-02-12 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP6609158B2 (ja) * | 2015-10-19 | 2019-11-20 | キヤノン株式会社 | 調整装置、インプリント装置および物品製造方法 |
JP6677495B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2020-04-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び物品の製造方法 |
JP6726987B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
EP3535781B1 (en) | 2016-11-03 | 2022-01-05 | Molecular Imprints, Inc. | Substrate loading system |
US10303049B2 (en) * | 2017-03-22 | 2019-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Reducing electric charge in imprint lithography |
US10534259B2 (en) * | 2017-03-28 | 2020-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and system for imprint force control |
US11415880B2 (en) * | 2018-05-09 | 2022-08-16 | Facebook Technologies, Llc | Nanoimprint lithography material with switchable mechanical properties |
JP6808684B2 (ja) * | 2018-06-14 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法 |
US11054739B2 (en) * | 2018-07-26 | 2021-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, control method, imprint method and manufacturing method |
US11073758B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus control, control method and manufacturing method |
JP7401396B2 (ja) * | 2020-06-04 | 2023-12-19 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品の製造方法、及びインプリント装置のための測定方法 |
WO2024061736A1 (en) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | Asml Netherlands B.V. | Positioning system for an optical element of a metrology apparatus |
Family Cites Families (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4360266A (en) * | 1979-08-24 | 1982-11-23 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Contact printing method and apparatus |
JPS5891291A (ja) | 1981-11-27 | 1983-05-31 | 川崎重工業株式会社 | マンガン団塊集鉱装置 |
US4731155A (en) | 1987-04-15 | 1988-03-15 | General Electric Company | Process for forming a lithographic mask |
JPH0356965A (ja) | 1989-07-26 | 1991-03-12 | Mitsumura Genshiyokuban Insatsujiyo:Kk | 露光装置 |
JP2958914B2 (ja) | 1990-10-19 | 1999-10-06 | キヤノン株式会社 | X線マスク構造体およびその位置決め保持方法 |
JP3254704B2 (ja) | 1991-12-18 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 露光装置および露光方法 |
JPH0876102A (ja) | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Nikon Corp | 基板保持装置 |
US6134981A (en) | 1999-12-03 | 2000-10-24 | Nikon Research Corporation Of America | Precision scanning apparatus and method with fixed and movable guide members |
US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
JP3689949B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2005-08-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法 |
JPH09289155A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH10291251A (ja) | 1997-02-24 | 1998-11-04 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱可塑性樹脂のシート加工装置、シート加工方法、およびそのシート |
JP3890136B2 (ja) | 1997-03-25 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法、ならびにステージ装置 |
JPH1197327A (ja) | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Rohm Co Ltd | 露光装置のマスク取付機構 |
US6459088B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive stage and scanning probe microscope and information recording/reproducing apparatus using the same |
US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
JP2001023896A (ja) | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2001044264A (ja) | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP3678079B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの間隔設定手段を備えたコンタクト露光装置 |
TWI238292B (en) * | 2000-02-10 | 2005-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus having a temperature controlled heat shield |
JP2001260218A (ja) | 2000-03-14 | 2001-09-25 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロエンボス版 |
WO2002017383A2 (en) | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based translation stage |
EP1352295B1 (en) | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
US6847433B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-01-25 | Agere Systems, Inc. | Holder, system, and process for improving overlay in lithography |
JP3679767B2 (ja) | 2002-02-26 | 2005-08-03 | キヤノン株式会社 | ステージ位置決め装置及びその制御方法、露光装置、半導体デバイスの製造方法 |
KR100522885B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-10-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6900881B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
JP3862639B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2004235354A (ja) | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Canon Inc | 露光装置 |
TW570290U (en) * | 2003-05-02 | 2004-01-01 | Ind Tech Res Inst | Uniform pressing device for nanometer transfer-print |
EP1510867A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005101201A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
JP2005167166A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Bussan Nanotech Research Institute Inc | 位置制御可能なパターン形成装置及び位置制御方法 |
JP2005228978A (ja) | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Canon Inc | 露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US7730834B2 (en) | 2004-03-04 | 2010-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Printing apparatus and device manufacturing method |
EP1594001B1 (en) | 2004-05-07 | 2015-12-30 | Obducat AB | Device and method for imprint lithography |
EP1769102A2 (en) | 2004-05-28 | 2007-04-04 | Board of Regents, The University Of Texas System | Substrate support system and method |
US7768624B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-08-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for obtaining force combinations for template deformation using nullspace and methods optimization techniques |
JP4574240B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 加工装置、加工方法、デバイス製造方法 |
JP2006013402A (ja) | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2006027081A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Towa Corp | 樹脂封止方法及びシート状部材 |
TWI340875B (en) | 2004-08-10 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7333179B2 (en) | 2004-08-13 | 2008-02-19 | Nikon Corporation | Moving mechanism with high bandwidth response and low force transmissibility |
JP2006140366A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 投影光学系及び露光装置 |
US7180571B2 (en) | 2004-12-08 | 2007-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and actuator |
US7331283B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-02-19 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for imprint pattern replication |
US7676088B2 (en) | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7922474B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4773729B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | 転写装置およびデバイス製造方法 |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7611348B2 (en) | 2005-04-19 | 2009-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4787993B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2011-10-05 | 株式会社日立製作所 | インプリント方式の転写印刷方法、および転写印刷版 |
US7442029B2 (en) | 2005-05-16 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US20060267231A1 (en) | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP2006339347A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Canon Inc | レチクルチャック |
JP2007122544A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Omron Corp | 基板の回転機構及び基板処理装置 |
US8011915B2 (en) | 2005-11-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4923924B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-04-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
CN101573659A (zh) | 2005-12-08 | 2009-11-04 | 分子制模股份有限公司 | 排除位于基板和模具之间的气体的方法 |
JP4856941B2 (ja) | 2005-12-09 | 2012-01-18 | 東芝機械株式会社 | ジンバル機構を備えた転写装置及び同装置を用いる転写方法 |
US20070138699A1 (en) | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7517211B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7943080B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Alignment for imprint lithography |
JP5169221B2 (ja) | 2005-12-28 | 2013-03-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法 |
US20070200276A1 (en) | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Micron Technology, Inc. | Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features |
US8001924B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4795300B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、インプリント方法、位置合わせ装置、インプリント装置、及び位置計測方法 |
US8215946B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography system and method |
JP2008034766A (ja) | 2006-08-01 | 2008-02-14 | Allied Material Corp | 吸着部材 |
JP2008110610A (ja) | 2006-09-13 | 2008-05-15 | Seikoh Giken Co Ltd | 微細加工方法および微細加工基板 |
US7946837B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
EP2118706B1 (en) | 2007-02-06 | 2019-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and process |
JP5043468B2 (ja) | 2007-02-23 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 保持装置 |
US7641467B2 (en) | 2007-05-02 | 2010-01-05 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
NL1036034A1 (nl) | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL1036618A1 (nl) | 2008-03-24 | 2009-09-25 | Asml Netherlands Bv | Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system. |
JP5235506B2 (ja) | 2008-06-02 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | パターン転写装置及びデバイス製造方法 |
JP5279397B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、およびデバイス製造方法 |
US8043085B2 (en) | 2008-08-19 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP5517423B2 (ja) | 2008-08-26 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
JP5371349B2 (ja) | 2008-09-19 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP2010080631A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | 押印装置および物品の製造方法 |
JP2010080630A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | 押印装置および物品の製造方法 |
JP2010080713A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Canon Inc | 押印装置および物品の製造方法 |
NL2003470A (en) | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8284815B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-10-09 | Cymer, Inc. | Very high power laser chamber optical improvements |
US8529778B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-09-10 | Molecular Imprints, Inc. | Large area patterning of nano-sized shapes |
NL2003772A (en) | 2008-12-11 | 2010-06-14 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus. |
NL2003871A (en) | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL2004409A (en) | 2009-05-19 | 2010-11-22 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus. |
NL2004680A (en) * | 2009-07-06 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus. |
NL2004681A (en) | 2009-07-06 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus. |
NL2004735A (en) | 2009-07-06 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
WO2011064020A1 (en) | 2009-11-24 | 2011-06-03 | Asml Netherlands B.V. | Alignment and imprint lithography |
NL2005735A (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-27 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithographic apparatus and imprint lithographic method. |
NL2005975A (en) | 2010-03-03 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
EP2564272A2 (en) | 2010-04-27 | 2013-03-06 | Nanoink, Inc. | Ball-spacer method for planar object leveling |
WO2012016744A1 (en) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
-
2011
- 2011-06-14 WO PCT/EP2011/059831 patent/WO2012016744A1/en active Application Filing
- 2011-06-14 US US13/812,844 patent/US9864279B2/en active Active
- 2011-06-14 JP JP2013522153A patent/JP2013538447A/ja active Pending
- 2011-06-14 NL NL2006929A patent/NL2006929A/en not_active Application Discontinuation
- 2011-06-27 TW TW100122510A patent/TWI448832B/zh active
-
2014
- 2014-12-19 JP JP2014257622A patent/JP5891291B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-01 JP JP2015172297A patent/JP6158877B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-13 JP JP2017079364A patent/JP6526734B2/ja active Active
- 2017-12-01 US US15/828,523 patent/US10890851B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-08 JP JP2019088253A patent/JP7231475B2/ja active Active
- 2019-08-26 US US16/550,451 patent/US10908510B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-14 US US17/120,506 patent/US11635696B2/en active Active
-
2021
- 2021-10-27 JP JP2021175266A patent/JP2022019730A/ja active Pending
-
2023
- 2023-03-21 US US18/124,350 patent/US20230221651A1/en active Pending
- 2023-08-15 JP JP2023132384A patent/JP2023153252A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5891291B2 (ja) | 2016-03-22 |
US20130182236A1 (en) | 2013-07-18 |
JP2013538447A (ja) | 2013-10-10 |
US20180088468A1 (en) | 2018-03-29 |
US11635696B2 (en) | 2023-04-25 |
WO2012016744A1 (en) | 2012-02-09 |
NL2006929A (en) | 2012-02-13 |
JP2019135791A (ja) | 2019-08-15 |
JP2015228520A (ja) | 2015-12-17 |
TWI448832B (zh) | 2014-08-11 |
US9864279B2 (en) | 2018-01-09 |
JP2017143295A (ja) | 2017-08-17 |
JP6158877B2 (ja) | 2017-07-05 |
JP2023153252A (ja) | 2023-10-17 |
US10908510B2 (en) | 2021-02-02 |
TW201211702A (en) | 2012-03-16 |
US20230221651A1 (en) | 2023-07-13 |
JP2015065475A (ja) | 2015-04-09 |
JP2022019730A (ja) | 2022-01-27 |
US20210096468A1 (en) | 2021-04-01 |
US10890851B2 (en) | 2021-01-12 |
US20190377265A1 (en) | 2019-12-12 |
JP7231475B2 (ja) | 2023-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6526734B2 (ja) | インプリントリソグラフィ | |
KR101669389B1 (ko) | 임프린트 방법 | |
JP4574240B2 (ja) | 加工装置、加工方法、デバイス製造方法 | |
JP4185941B2 (ja) | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 | |
NL1035609A1 (nl) | Method of loading, apparatus, device manufacturing method, computer program and data carrier. | |
US20100297282A1 (en) | Imprint lithography apparatus | |
US9715171B2 (en) | Imprint lithographic apparatus and imprint lithographic method | |
JP2017188556A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、および型 | |
JP6317620B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
US20220342322A1 (en) | Substrate handling system of a lithography apparatus and method thereof | |
US20220155675A1 (en) | Apparatus for assembly of a reticle assembly | |
KR102059758B1 (ko) | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP2010283108A (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP5153017B2 (ja) | サポート構造およびリソグラフィ装置 | |
JP2012109432A (ja) | インプリント装置、および、物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170413 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6526734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |