JP6492063B2 - 化合物、これを含む有機発光素子および前記有機発光素子を含む表示装置 - Google Patents

化合物、これを含む有機発光素子および前記有機発光素子を含む表示装置 Download PDF

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Description

本発明は、化合物、これを含む有機発光素子および前記有機発光素子を含む表示装置に関する。
有機光電子素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）とは、正孔または電子を用いた電極と有機物との間での電荷交流を必要とする素子を意味する。
有機光電子素子は、動作原理に応じて次のように大きく２種類に分けることができる。第一は、外部の光源から素子に流入した光子により有機物層でエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが電子と正孔に分離され、この電子と正孔がそれぞれ異なる電極に伝達されて電流源（電圧源）として用いられる形態の電子素子である。
第二は、二つ以上の電極に電圧または電流を加えて電極と界面をなす有機物半導体に正孔または電子を注入し、注入された電子と正孔により動作する形態の電子素子である。
有機光電子素子の例としては、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、有機感光体ドラム（ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｒｕｍ）、有機トランジスターなどがあり、これらの全ては素子の駆動のために正孔の注入または輸送物質、電子の注入または輸送物質、または発光物質を必要とする。
特に、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、最近、平板ディスプレイ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）の需要が増加することに伴って注目されている。一般に有機発光とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに変換させる現象をいう。
このような有機発光素子は、有機発光材料に電流を加えて電気エネルギーを光に変換させる素子であって、通常、陽極（ａｎｏｄｅ）と陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）との間に機能性有機物層が挿入された構造からなる。ここで有機物層は、有機発光素子の効率と安全性を高めるために、それぞれ異なる物質で形成された多層の構造を有する場合が多く、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを有することができる。
このような有機発光素子の構造で二つの電極の間に電圧をかけると、陽極では正孔（ｈｏｌｅ）、陰極では電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が会って再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）によりエネルギーが高い励起子を形成するようになる。この時に形成された励起子が再び基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に移動しながら特定の波長を有する光が発生するようになる。
最近は、蛍光発光物質だけでなく、燐光発光物質も有機発光素子の発光物質として使用可能であることが知られており、このような燐光発光は、基底状態から励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）に電子が遷移した後、項間交差（ｉｎｔｅｒｓｙｓｔｅｍ ｃｒｏｓｓｉｎｇ）を通じて一重項励起子が三重項励起子に非発光遷移した後、三重項励起子が基底状態に遷移しながら発光するメカニズムからなる。
前述したように有機発光素子で有機物層として用いられる材料は、機能に応じて、発光材料と電荷輸送材料、例えば正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料などに分類され得る。
また、発光材料は、発光色に応じて、青色、緑色、赤色発光材料と、さらに改善された天然色を具現するために必要な黄色および樺色発光材料に分類され得る。
一方、発光材料として一つの物質だけ用いる場合、分子間相互作用により最大発光波長が長波長に移動し、色純度が低下したり、発光減衰効果により素子の効率が減少する問題が発生するため、色純度の増加とエネルギー遷移を通じた発光効率と安定性を増加させるために発光材料としてホスト／ドーパント系を用いることができる。
有機発光素子が前述の優れた特徴を十分に発揮するためには、素子内有機物層を構成する物質、例えば正孔注入物質、正孔輸送物質、発光物質、電子輸送物質、電子注入物質、発光材料中のホストおよび／またはドーパントなどが安定的且つ効率的な材料により裏付けられるのが先行されなければならないが、まだ安定的且つ効率的な有機発光素子用有機物層材料の開発が十分ではない状態であり、したがって新たな材料の開発が継続的に要求されている。このような材料開発の必要性は前述した他の有機光電子素子でも同様である。
また、低分子有機発光素子は、真空蒸着法により薄膜の形態で素子を製造するため効率および寿命性能がよく、高分子有機発光素子は、インクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）またはスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）法を用いて初期投資費が少なく、大面積化に有利な長所がある。
低分子有機発光素子および高分子有機発光素子は、共に自発光、高速応答、広視野角、超薄型、高画質、耐久性、広い駆動温度範囲などの長所を有しているため、次世代ディスプレイとして注目されている。特に既存のＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）と比較して自発光型であることから、暗い場所や外部の光が入っても視認性がよく、バックライトが不要であることから、ＬＣＤの１／３水準に厚さおよび重量を減らすことができる。
また、応答速度がＬＣＤに比べて１０００倍以上速いマイクロ秒単位であるため、残像がない完璧な動画を実現することができる。したがって、最近の本格的なマルチメディア時代に合わせて最適のディスプレイとして脚光を浴びると期待され、このような長所を土台に１９８０年代後半の最初の開発以降、効率８０倍、寿命１００倍以上に至る急激な技術発展を成し遂げてきており、最近は４０インチの有機発光素子パネルが発表されるなど大型化が急速に進められている。
大型化のためには、発光効率の増大および素子の寿命向上が伴わなければならない。そのために、安定的且つ効率的な有機発光素子用有機物層材料の開発が必要である。
本発明の目的は、高効率、長寿命などの特性を有する有機光電子素子を提供することができる化合物を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記化合物を含む有機発光素子、および前記有機発光素子を含む表示装置を提供することにある。
本発明の一実施形態では、下記の化学式１で表される化合物を提供する。
前記化学式１中、Ｌ１〜Ｌ６は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であるが、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でなく、ｎ１〜ｎ６は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であり、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基または置換もしくは非置換のシリル基であり、前記Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも一つは、下記の化学式２で表される置換基である。
前記化学式２中、Ｘは、ＯまたはＳであり、Ｒ７またはＲ８は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、および置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基からなる群より選択され、＊は、炭素原子または炭素以外の原子と連結される部分を意味する。
前記化学式１中、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して存在するか、または互いに縮合して縮合環を形成し、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して存在するか、または互いに縮合して縮合環を形成し、Ｒ５およびＲ６は、互いに独立して存在するか、または互いに縮合して縮合環を形成するが、Ｒ１〜Ｒ６のうちのいずれか一つが置換もしくは非置換のフルオレニル基である場合、前記置換もしくは非置換のフルオレニル基は前記化学式１の「Ｎ」に直接結合されない。
前記化学式１は、下記の化学式３〜化学式２９のうちのいずれか一つで表され得る。
前記化学式３〜化学式２９中、Ｌ１〜Ｌ６は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であってもよいが、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でなく、ｎ１〜ｎ６は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であってもよく、ｎ７は、１〜３のうちのいずれか一つの整数であってもよく、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、および置換もしくは非置換のシリル基からなる群より選択されてもよく、Ｒ１〜Ｒ６のうちのいずれか一つが置換もしくは非置換のフルオレニル基である場合、前記置換もしくは非置換のフルオレニル基は前記化学式１の「Ｎ」に直接結合されず、Ｘは、ＯまたはＳであってもよく、Ｒ７〜Ｒ２４は、互いに独立して、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、および置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基からなる群より選択されてもよい。
前記化学式３のＬ３、前記化学式８のＬ１およびＬ２、前記化学式９のＬ１およびＬ３、前記化学式１０のＬ２、前記化学式１１のＬ３、前記化学式１２のＬ１、Ｌ３およびＬ５、前記化学式１３のＬ５、前記化学式１４のＬ１およびＬ３、前記化学式１５のＬ３、前記化学式１８のＬ１およびＬ３、前記化学式１９のＬ３、前記化学式２０のＬ３およびＬ４、前記化学式２１のＬ３、前記化学式２２のＬ３、前記化学式２４のＬ１およびＬ３、前記化学式２５のＬ３およびＬ４、前記化学式２７のＬ３、および、前記化学式２８のＬ３およびＬ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換または非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であってもよく、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でない。
前記Ｌ１〜Ｌ６は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基であってもよく、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でない。
本発明の他の一実施形態では、陽極および陰極と、前記陽極と陰極との間に配置される一層以上の有機薄膜層と、を含み、前記有機薄膜層のうちの少なくともある一層は、前述した本発明の一実施形態に係る化合物を含む有機発光素子を提供する。
前記有機薄膜層は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、補助正孔輸送層、または発光層であってもよい。
前記有機薄膜層は、正孔注入層または正孔輸送層であってもよい。
前記有機薄膜層は、補助正孔輸送層であってもよい。
前記有機薄膜層は、発光層であってもよい。
前記化合物は、発光層内ホストとして用いられてもよい。
本発明のまた他の一実施形態では、前述した本発明の一実施形態である有機発光素子を含む表示装置を提供する。
本発明の一実施形態に係る化合物を含む有機光電子素子は、優れた電気化学的および熱的安定性を有して寿命特性に優れ、低い駆動電圧でも高い発光効率を有することができる。また、前記化合物は、溶液工程に適している。
本発明の一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。 実施例１による化合物であるＡ−３４に対する１Ｈ−ＮＭＲ結果である。 実施例１による化合物であるＡ−３４に対するＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）波長測定結果である。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。ただし、これは例示として提示されるものに過ぎず、本発明は、これによって制限されず、特許請求の範囲の範疇のみによって定義される。
本明細書で「置換」とは、別途の定義がない限り、置換基または化合物のうちの少なくとも一つの水素が重水素、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４０シリル基、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０トリフルオロアルキル基またはシアノ基で置換されたものを意味する。
また、前記置換されたハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０トリフルオロアルキル基またはシアノ基のうちの隣接した二つの置換基が融合して環を形成することもできる。具体的に、前記置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基は、隣接した他の置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基と融合して置換もしくは非置換のフルオレン環を形成することができる。
本明細書で「ヘテロ」とは、別途の定義がない限り、一つの作用基内にＮ、Ｏ、ＳおよびＰからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。
本明細書で「アルキル（ａｌｋｙｌ）基」とは、別途の定義がない限り、脂肪族炭化水素基を意味する。アルキル基は、いかなる二重結合や三重結合を含んでいない「飽和アルキル（ｓａｔｕｒａｔｅｄ ａｌｋｙｌ）基」であってもよい。
前記アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基であってもよい。より具体的にアルキル基は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であってもよい。例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は、アルキル鎖に１〜４個の炭素原子が含まれるものを意味し、メチル、エチル、プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｔ−ブチルからなる群より選択されるものを示す。
前記アルキル基は、具体的な例を挙げると、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを意味する。
本明細書で「アリール（ａｒｙｌ）基」とは、環状の置換基のすべての元素がｐ−オービタルを有しており、これらのｐ−オービタルが共役（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）を形成している置換基を意味し、モノサイクリックまたは融合環ポリサイクリック（つまり、炭素原子の隣接した対を共有する環）作用基を含む。
本明細書で「ヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）基」とは、アリール基内にＮ、Ｏ、ＳおよびＰからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。前記ヘテロアリール基が融合環である場合、それぞれの環ごとに前記ヘテロ原子を１〜３個含むことができる。
より具体的に、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基および／または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のナフタセニル基、置換もしくは非置換のピレニル基、置換もしくは非置換のビフェニリル基、置換もしくは非置換のｐ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のｍ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のクリセニル基、置換もしくは非置換のトリフェニレニル基、置換もしくは非置換のペリレニル基、置換もしくは非置換のインデニル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のピロリル基、置換もしくは非置換のピラゾリル基、置換もしくは非置換のイミダゾリル基、置換もしくは非置換のトリアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサゾリル基、置換もしくは非置換のチアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサジアゾリル基、置換もしくは非置換のチアジアゾリル基、置換もしくは非置換のピリジル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のピラジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは非置換のインドリル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、置換もしくは非置換のキナゾリニル基、置換もしくは非置換のキノキサリニル基、置換もしくは非置換のナフチリジニル基、置換もしくは非置換のベンズオキサジニル基、置換もしくは非置換のベンズチアジニル基、置換もしくは非置換のアクリジニル基、置換もしくは非置換のフェナジニル基、置換もしくは非置換のフェノチアジニル基、置換もしくは非置換のフェノキサジニル基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のカルバゾリル基、置換または 非置換されたジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、またはこれらの組み合わせであってもよいが、これに制限されない。
より具体的な例を挙げると、前記置換されたＣ６〜Ｃ３０アリール基に含まれる置換もしくは非置換のフルオレニル基は、下記の化学式３０または化学式３１であってもよい。
前記化学式３０および化学式３１中、Ｒ２５〜Ｒ２８は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４０シリル基、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０トリフルオロアルキル基またはシアノ基であり、＊は、炭素原子または炭素以外の原子と連結される部分を意味する。
本明細書で、正孔特性とは、ＨＯＭＯ準位に応じて伝導特性を有して陽極で形成された正孔の発光層への注入および発光層での移動を容易にする特性を意味する。より具体的に、電子を押し出す特性とも類似している。
また電子特性とは、ＬＵＭＯ準位に応じて伝導特性を有して陰極で形成された電子の発光層への注入および発光層での移動を容易にする特性を意味する。より具体的に、電子を引き寄せる特性とも類似している。
本発明の一実施形態では、下記の化学式１で表される化合物を提供することができる。
前記化学式１中、Ｌ１〜Ｌ６は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であるが、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でなく、
ｎ１〜ｎ６は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であり、
Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、または置換もしくは非置換のシリル基であり、前記Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも一つは、下記の化学式２で表される置換基である。
前記化学式２中、Ｘは、ＯまたはＳであり、Ｒ７またはＲ８は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、＊は、炭素原子または炭素以外の原子と連結される部分を意味する。
前記化学式１中、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して存在するか、または互いに縮合して縮合環を形成し、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して存在するか、または互いに縮合して縮合環を形成し、Ｒ５およびＲ６は、互いに独立して存在するか、または互いに縮合して縮合環を形成する。但し、Ｒ１〜Ｒ６のうちのいずれか一つが置換もしくは非置換のフルオレニル基である場合、前記置換もしくは非置換のフルオレニル基は前記化学式１の「Ｎ」に直接結合されない。
前記本発明の一実施形態に係る化合物は、Ｒ１〜Ｒ６のうちの少なくとも一つが前記化学式２で表される置換基を有することによって、材料のガラス転移温度が上昇して熱安定性が向上することができ、正孔輸送能力が向上して有機発光素子の正孔注入および輸送層として用いる場合、駆動電圧、効率および寿命を向上させることができる。
また、前記化学式１で表される化合物は、多様な置換基を導入することによって多様なエネルギーバンドギャップを有する化合物になることができる。
より具体的に、前記化学式１は、下記の化学式３〜化学式２９のうちのいずれか一つで表され得る。
前記化学式３〜化学式２９中、Ｌ１〜Ｌ６は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であってもよく、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でなく、ｎ１〜ｎ６は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であってもよく、ｎ７は、１〜３のうちのいずれか一つの整数であってもよく、Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、および置換もしくは非置換のシリル基からなる群より選択されてもよく、Ｒ１〜Ｒ６のうちのいずれか一つが置換もしくは非置換のフルオレニル基である場合、前記置換もしくは非置換のフルオレニル基は前記化学式１の「Ｎ」に直接結合されない。
Ｘは、ＯまたはＳであってもよく、Ｒ７〜Ｒ２４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、および置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基からなる群より選択されてもよい。
前記化学式３〜化学式２９の場合、前記化学式２で表される置換基を少なくとも一つ有することによって材料のガラス転移温度が上昇して熱安定性が向上することができ、正孔輸送能力が向上して有機発光素子の正孔注入および輸送層として用いる場合、効率および寿命を向上させることができる。
また、前記化学式１５〜化学式２１の場合、前記化学式２で表される置換基以外にカルバゾールでないアミン化合物を追加的に含むことによって、ＨＯＭＯエネルギー準位の上昇で正孔注入の障壁が低くなって正孔注入特性が向上し、正孔注入層として用いる場合、駆動電圧を低めることができる。
また、前記化学式２２〜化学式２９の場合、前記化学式２で表される置換基以外にアミン化合物および／またはカルバゾリル基を追加的に含むことによって、耐熱安定性が向上して寿命特性を向上させることができ、高い三重項エネルギー準位（Ｔ１）を有しているため、燐光発光層ホストまたは燐光有機発光素子用正孔輸送材料として適した特性を有することができる。
前記化学式３のＬ３、前記化学式８のＬ１およびＬ２、前記化学式９のＬ１およびＬ３、前記化学式１０のＬ２、前記化学式１１のＬ３、前記化学式１２のＬ１、Ｌ３およびＬ５、前記化学式１３のＬ５、前記化学式１４のＬ１およびＬ３、前記化学式１５のＬ３、前記化学式１８のＬ１およびＬ３、前記化学式１９のＬ３、前記化学式２０のＬ３およびＬ４、前記化学式２１のＬ３、前記化学式２２のＬ３、前記化学式２４のＬ１およびＬ３、前記化学式２５のＬ３およびＬ４、前記化学式２７のＬ３、および、前記化学式２８のＬ３およびＬ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、または置換または非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基であってもよく、置換もしくは非置換のフルオレニレン基でない。より具体的に、前記Ｌ１〜Ｌ６は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基であり、置換もしくは非置換のフルオレニレン基は除かれる。このような場合、前記化合物は適切な正孔輸送特性を有することができ、分子量の増加および材料のパッキング（ｐａｃｋｉｎｇ）特性の向上により一層安定した薄膜を形成することができる。
また、前記Ｌ１〜Ｌ６を選択的に調節して化合物全体の共役（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）の長さを決定することができ、これから三重項（ｔｒｉｐｌｅｔ）エネルギーバンドギャップを調節することができる。これによって、有機光電子素子で必要とする材料の特性を実現することができる。また、オルト（ｏｒｔｈｏ）、パラ（ｐａｒａ）、メタ（ｍｅｔａ）の結合位置の変更を通じても三重項エネルギーバンドギャップを調節することができる。
前記Ｌ１〜Ｌ６の具体的な例としては、置換もしくは非置換のフェニレン基、置換もしくは非置換のビフェニレン基、置換もしくは非置換のｐ−ターフェニレン基、置換もしくは非置換のｍ−ターフェニレン基、置換もしくは非置換のｏ−ターフェニレン基、置換もしくは非置換のナフチレン基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントリレン基、置換もしくは非置換のピレニレン基などがあるが、これに制限されない。
前記Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基であってもよい。このような場合、化合物の正孔および／または電子特性を適切に調節することができ、バンドギャップおよび発光波長を調節して正孔輸送材料だけでなく、発光層材料として用いることができる。
前記Ｒ１〜Ｒ６の具体的な例としては、水素、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントレニル基、置換もしくは非置換のトリフェニル基、または置換もしくは非置換のフルオレニル基などがあるが、前記Ｒ１〜Ｒ６が置換もしくは非置換のフルオレニル基である場合、前記化学式１、および化学式３〜化学式２９で置換もしくは非置換のフルオレニル基は「Ｎ」に直接結合されない。
本発明の一実施形態に係る化合物の具体的な例は次のとおりであるが、これに制限されない。
本発明の他の一実施形態では、陽極および陰極と、前記陽極と陰極との間に配置される一層以上の有機薄膜層と、を含み、前記有機薄膜層のうちの少なくともある一層は、前記本発明の一実施形態に係る化合物を含む有機光電子素子を提供する。
前記有機光電子素子用化合物は、有機薄膜層に用いられて有機光電子素子の寿命特性、効率特性、電気化学的安定性および熱的安定性を向上させ、駆動電圧を低めることができる。
前記有機薄膜層は、具体的に、正孔注入層、正孔輸送層、補助正孔輸送層、または発光層であってもよい。
前記有機光電子素子は、有機発光素子、有機光電素子、有機太陽電池、有機トランジスター、有機感光体ドラムまたは有機メモリ素子であってもよい。
より具体的に、前記有機光電子素子は、有機発光素子であってもよい。図１または図２は、本発明の一実施形態に係る化合物を含む有機発光素子の断面図である。
図１または図２を参照すれば、本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００および２００は、陽極１２０と、陰極１１０と、この陽極と陰極との間に配置された少なくとも一層の有機薄膜層１０５とを含む構造を有する。
前記陽極１２０は、陽極物質を含み、この陽極物質としては、通常、有機薄膜層として正孔注入が円滑に行われるように仕事関数が大きい物質が好ましい。前記陽極物質の具体的な例としては、ニッケル、白金、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金が挙げられ、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物が挙げられ、ＺｎＯとＡｌまたはＳｎＯ２とＳｂのような金属と酸化物の組み合わせが挙げられ、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン）（ｐｏｌｙｅｈｔｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：ＰＥＤＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような伝導性高分子などが挙げられるが、これに限定されない。好ましくは、前記陽極としてＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を含む透明電極を用いることができる。
前記陰極１１０は、陰極物質を含み、この陰極物質としては、通常、有機薄膜層に電子注入が容易に行われるように仕事関数が小さい物質が好ましい。陰極物質の具体的な例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、錫、鉛、セシウム、バリウムなどのような金属またはこれらの合金が挙げられ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＯ２／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／ＡｌおよびＢａＦ２／Ｃａのような多層構造物質などが挙げられるが、これに限定されない。好ましくは、前記陰極としてアルミニウムなどのような金属電極を用いることができる。
まず、図１を参照すれば、図１は、有機薄膜層１０５として発光層１３０だけが存在する有機発光素子１００を示しており、前記有機薄膜層１０５は発光層１３０だけで存在してもよい。
図２を参照すれば、図２は、有機薄膜層１０５として電子輸送層を含む発光層２３０と正孔輸送層１４０が存在する２層型の有機発光素子２００を示しており、図２に示されているように、有機薄膜層１０５は、発光層２３０および正孔輸送層１４０を含む２層型であってもよい。この場合、発光層１３０は電子輸送層の機能を果たし、正孔輸送層１４０はＩＴＯのような透明電極との接合性および正孔輸送性を向上させる機能を果たす。また、図１または図２で有機薄膜層１０５は図示されていないが、電子注入層、電子輸送層、補助電子輸送層、補助正孔輸送層、または正孔注入層などを追加的に含むことができる。前記図１または図２で前記有機薄膜層１０５をなす発光層１３０、２３０、正孔輸送層１４０、図示していないが、追加可能な補助正孔輸送層、電子輸送層、補助電子輸送層、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるいずれか一つは、前記化合物を含む。
特に前記化合物は、前記正孔輸送層１４０、補助正孔輸送層、または発光層１３０、２３０に用いることができ、発光層１３０、２３０に用いられる場合、発光層内でホスト材料として用いることができる。
上記で説明した有機発光素子は、基板に陽極を形成した後、真空蒸着法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマメッキおよびイオンメッキのような乾式成膜法、またはスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、浸漬法（ｄｉｐｐｉｎｇ）、流動コーティング法（ｆｌｏｗ ｃｏａｔｉｎｇ）のような湿式成膜法などで有機薄膜層を形成した後、その上に陰極を形成して製造することができる。
本発明のまた他の一実施形態では、前記有機発光素子を含む表示装置を提供する。
以下、本発明の具体的な実施例を提示する。ただし、下記に記載された実施例は、本発明を具体的に例示したり説明するためのものに過ぎず、これによって本発明が制限されてはならない。
（有機光電子素子用化合物の製造）
（中間体の合成）
（合成例１：中間体Ｍ−１の合成）
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解した後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１を白色固体として２７ｇ（収率８９％）を得た。
（計算値：３２２．００ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２２．０９ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝３２４．０４ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例２：中間体Ｍ−２の合成）
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解した後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２を白色固体として２９ｇ（収率９１％）を得た。
（計算値：３３７．９８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３８．０４ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝３４０．１１ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例３：中間体Ｍ−３の合成）
丸底フラスコに４−クロロフェニルボロン酸１４．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾフラン２３．３ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解した後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３を白色固体として２３．９ｇ（収率９１％）を得た。
（計算値：２７８．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２７８．１２ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝２８０．１３ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例４：中間体Ｍ−４の合成）
丸底フラスコに４−クロロフェニルボロン酸１４．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾチオフェン２４．８ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解した後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−４を白色固体として２５．６ｇ（収率９２％）を得た。
（計算値：２９４．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２９４．１６ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝２９６．１３ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例５：中間体Ｍ−５の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−１ １０ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル６．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−５を白色固体として９．９２ｇ（収率７８％）を得た。
（計算値：４１１．１６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４１１．２１ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例６：中間体Ｍ−６の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−４ ９．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル６．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−６を白色固体として１０．６ｇ（収率８０％）を得た。
（計算値：４２７．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４２７．１９ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例７：中間体Ｍ−７の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−４ ９．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と１−アミノナフタレン５．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−７を白色固体として１０ｇ（収率８１％）を得た。
（計算値：４０１．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４０１．１５ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例８：中間体Ｍ−８の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ ３１．９ｇ（６４．７ｍｍｏｌ）とアセトアミド１．７４ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１７．３ｇ（１１７．６ｍｍｏｌ）を入れてキシレン１３０ｍｌを加えて溶解させた。ここにヨウ化銅（Ｉ）１．１２ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン１．０４ｇ（１１．８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４８時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−８を１４ｇ（収率９３％）を得た。
（計算値：５７５．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５７５．３１ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例９：中間体Ｍ−９の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−８ １３ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）と水酸化カリウム４．２ｇ（７５．６ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン８０ｍｌとエタノール８０ｍＬを加えて溶解させた。窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、反応液を減圧濃縮した後、ジクロロメタンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−９を１２．１ｇ（収率９０％）を得た。
（計算値：５３３．１３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５３３．２６ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１０：中間体Ｍ−１０の合成）
丸底フラスコに１，３−ジブロモ−５−クロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とジフェニルアミン３１．３ｇ（１８４．９ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２６．７ｇ（２７７．４１ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．２６６ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１８７ｇ（０．９２４ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１０を白色固体として３４．７ｇ（収率８４％）を得た。
（計算値：４４６．１５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４４６．２３ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１１：中間体Ｍ−１１の合成）
丸底フラスコに１，３−ジブロモ−５−クロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）と３−メチルジフェニルアミン３３．９ｇ（１８４．９ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２６．７ｇ（２７７．４１ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．２６６ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１８７ｇ（０．９２４ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１１を白色固体として３７．３ｇ（収率８５％）を得た。
（計算値：４７４．１９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４７４．２８ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１２：中間体Ｍ−１２の合成）
丸底フラスコに１，３−ジブロモ−５−クロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−フェニルアミン４５．４ｇ（１８４．９ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２６．７ｇ（２７７．４１ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．２６６ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１８７ｇ（０．９２４ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１２を白色固体として４４．９ｇ（収率８１％）を得た。
（計算値：５９８．２２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５９８．３７ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１３：中間体Ｍ−１３の合成）
丸底フラスコに１，３−ジブロモ−５−クロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とフェノキサジン３３．９ｇ（１８４．９ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２６．７ｇ（２７７．４１ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．２６６ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１８７ｇ（０．９２４ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１３を白色固体として３６．９ｇ（収率８４％）を得た。
（計算値：４７４．１１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４７４．２６ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１４：中間体Ｍ−１４の合成）
丸底フラスコに１，３−ジブロモ−５−クロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とカルバゾール３０．９ｇ（１８４．９ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２６．７ｇ（２７７．４１ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．２６６ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１８７ｇ（０．９２４ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１４を白色固体として３３．２ｇ（収率８１％）を得た。
（計算値：４４２．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４４２．３６ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１５：中間体Ｍ−１５の合成）
丸底フラスコに１−ブロモ−３，５−ジクロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とカルバゾール１５．５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１３．４ｇ（１３８．７ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１３３ｇ（０．２３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９４ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１５を白色固体として２４．０ｇ（収率８３％）を得た。
（計算値：３１１．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３１１．１７ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１６：中間体Ｍ−１６の合成）
丸底フラスコに１−ブロモ−３，５−ジクロロベンゼン２５ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とフェノキサジン１６．９ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１３．４ｇ（１３８．７ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１３３ｇ（０．２３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９４ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１６を白色固体として２５．７ｇ（収率８５％）を得た。
（計算値：３２７．０２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２７．２７ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１７：中間体Ｍ−１７の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ １０．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル６．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１７を白色固体として９．９１ｇ（収率７５％）を得た。
（計算値：４２７．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４２７．２９ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１８：中間体Ｍ−１８の合成）
丸底フラスコに中間体２−ブロモジベンゾフラン７．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル６．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１８を白色固体として８．１ｇ（収率７８％）を得た。
（計算値：３３５．１３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３５．４２ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例１９：中間体Ｍ−１９の合成）
丸底フラスコに中間体２−ブロモジベンゾチオフェン８．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と２−アミノナフタレン５．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１９を白色固体として７．９ｇ（収率７９％）を得た。
（計算値：３２５．０９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２５．３３ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例２０：中間体Ｍ−２０の合成）
丸底フラスコに中間体Ｍ−３ ８．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と１−アミノナフタレン５．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２０を白色固体として９．５ｇ（収率８０％）を得た。
（計算値：３８５．１５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３８５．２７ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例２１：中間体Ｍ−２１の合成）
丸底フラスコにＭ−１５ ２８．９ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とフェノキサジン１６．９ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１３．４ｇ（１３８．７ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１３３ｇ（０．２３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９４ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２１を白色固体として３５．６ｇ（収率８１％）を得た。
（計算値：４７４．１０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４７４．３８ｇ／ｍｏｌ）。
（合成例２２：中間体Ｍ−２２の合成）
丸底フラスコにＭ−１５ ２８．９ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−フェニルアミン２２．７ｇ（９２．４７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１３．４ｇ（１３８．７ｍｍｏｌ）を入れてトルエン４６３ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１３３ｇ（０．２３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９４ｇ（０．４６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２２を白色固体として３８．１ｇ（収率７９％）を得た。
（計算値：５２０．１７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５２０．３６ｇ／ｍｏｌ）。
（有機光電素子用化合物の合成）
前記に記載された化学式Ａ−１〜Ａ−３００、Ｂ−１〜Ｂ−２０、Ｃ−１〜Ｃ−１２、Ｄ−１〜Ｄ−８、Ｅ−１〜Ｅ−２８、およびＦ−１〜Ｆ−２０は、下記の一般式１〜６の合成方法により製造することができる。本発明の一実施形態に係る具体的な化合物を下記の表１に示した。
［一般式１］Ａ−１〜Ａ−２９１、およびＡ−３００化合物の合成
［一般式２］Ｂ−１〜Ｂ−２０化合物の合成
［一般式３］Ｃ−１〜Ｃ−１２化合物の合成
［一般式４］Ｄ−１〜Ｄ−８化合物の合成
［一般式５］Ｅ−１〜Ｅ−２８化合物の合成
［一般式６］Ｆ−１〜Ｆ−２０化合物の合成
（実施例１：化合物Ａ−３４の合成）
前記化合物Ａ−３４を下記の反応式１のような経路を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１０ １０ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−５ ９．２ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−３４を白色固体として１６．９ｇ（収率９２％）を得た。
（計算値：８２１．３４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８２１．４６ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例２：化合物Ａ−１０４の合成）
前記化合物Ａ−１０４を下記の反応式２を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１２ １３．４ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−６ ９．６ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−１０４を白色固体として２０．６ｇ（収率９３％）を得た。
（計算値：９８９．３８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝９８９．４５ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例３：化合物Ａ−２０１の合成）
前記化合物Ａ−２０１を下記の反応式３を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１１ １０．６ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−９ １１．９ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−２０１を白色固体として１９．８ｇ（収率９１％）を得た。
（計算値：９７１．３４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝９７１．５１ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例４：化合物Ａ−８８の合成）
前記化合物Ａ−８８を下記の反応式４を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１０ １０ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−７ ９．０ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−８８を白色固体として１６．５ｇ（収率９１％）を得た。
（計算値：８１１．３０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８１１．６１ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例５：化合物Ｂ−１７の合成）
前記化合物Ｂ−１７を下記の反応式５を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１６ ７．３ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−１９ １４．６ｇ（４４．７４ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド６．４ｇ（６７．１１ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．２５８ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１８２ｇ（０．８９６ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＢ−１７を淡黄色固体として１９．１ｇ（収率９４％）を得た。
（計算値：９０５．２５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝９０５．４９ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例６：化合物Ｃ−８の合成）
前記化合物Ｃ−８を下記の反応式６を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１３ １０．６ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−２０ ８．６ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−８を白色固体として１７ｇ（収率９２％）を得た。
（計算値：８２３．２８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８２３．４１ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例７：化合物Ｄ−６の合成）
前記化合物Ｄ−６を下記の反応式７を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−２１ １０．６ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−１８ ７．５ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＤ−６を淡黄色固体として１６．１ｇ（収率９３％）を得た。
（計算値：７７３．２５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７７３．５１ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例８：化合物Ｅ−２５の合成）
前記化合物Ｅ−２５を下記の反応式８を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−２２ １１．７ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−５ ９．２ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−２５を白色固体として１８ｇ（収率９０％）を得た。
（計算値：８９５．３６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８９５．４８ｇ／ｍｏｌ）。
（実施例９：化合物Ｆ−２の合成）
前記化合物Ｆ−２を下記の反応式９を通じて合成した。
丸底フラスコに中間体Ｍ−１４ ９．９ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−１７ ９．６ｇ（２２．３７ｍｍｏｌ）、ソジウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド３．２ｇ（３３．５６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン２５０ｍｌを加えて溶解した。ここにＰｄ（ｄｂａ）２０．１２９ｇ（０．２２４ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．０９１ｇ（０．４４８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸溜水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥、濾過して濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＦ−２を白色固体として１７．５ｇ（収率９４％）を得た。
（計算値：８３３．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８３３．４２ｇ／ｍｏｌ）。
（製造された化合物の分析および特性の測定）
１）分子量の測定
化合物の構造分析のためにＬＣ−ＭＳを用いて分子量を測定した。
２）１Ｈ−ＮＭＲ結果の分析
化合物の構造分析のために前記実施例１による化合物をＣＤ２Ｃｌ２溶媒に溶かした後、３００ＭＨｚのＮＭＲ装備を用いて１Ｈ−ＮＭＲを測定した。その結果を図３に示した。
３）蛍光特性の分析
蛍光特性を測定するために前記実施例１による化合物をＴＨＦに溶かした後、ＨＩＴＡＣＨＩ Ｆ−４５００を用いてＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）波長を測定した。その結果を図４に示した。
（有機発光素子の製造）
（緑色有機発光素子の製造）
（実施例１０）
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸溜水超音波で洗浄した。蒸溜水洗浄が終わるとイソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄して乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機で基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いてＩＴＯ基板上部にＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を真空蒸着して７００Å厚さの正孔注入および輸送層を形成した。次に、実施例１で製造されたＡ−３４化合物を用いて真空蒸着により１００Å厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層上部に（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ビフェニル［ＣＢＰ］をホストとして用い、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］を５重量％にドーピングして真空蒸着により３００Å厚さの発光層を形成した。
その後、前記発光層上部にビフェノキシ−ビス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ｂａｌｑ］を真空蒸着して５０Å厚さの正孔阻止層を形成した。前記正孔阻止層上部にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ａｌｑ３］を真空蒸着して２５０Å厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子は、５層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／Ｂａｌｑ（５０Å）／ＥＭＬ［ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝９５：５］（３００Å）／Ａ−３４（１００Å）／ＮＰＢ（７００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製作した。
（実施例１１）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例２で製造された化合物（Ａ−１０４）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例１２）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例３で製造された化合物（Ａ−２０１）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例１３）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例７で製造された化合物（Ｄ−６）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例１４）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例８で製造された化合物（Ｅ−２５）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例１５）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例９で製造された化合物（Ｆ−２）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（比較例１）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（比較例２）
前記実施例１０で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりにＴＤＡＢを用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（赤色有機発光素子の製造）
（実施例１６）
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸溜水超音波で洗浄した。蒸溜水洗浄が終わるとイソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄して乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機で基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いてＩＴＯ基板上部に４，４’−ｂｉｓ［Ｎ−［４−｛Ｎ，Ｎ−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ}−ｐｈｅｎｙｌ］−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ［ＤＮＴＰＤ］を真空蒸着して６００Å厚さの正孔注入層を形成した。次に、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を真空蒸着により２００Å厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層上部に実施例１で製造された化合物Ａ−３４を用いて真空蒸着により１００Å厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層上部に（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ビフェニル［ＣＢＰ］をホストとして用い、ドーパントとしてビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトナート）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃ］を７重量％にドーピングして真空蒸着により３００Å厚さの発光層を形成した。
その後、前記発光層上部にビフェノキシ−ビス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ｂａｌｑ］を真空蒸着して５０Å厚さの正孔阻止層を形成した。前記正孔阻止層上部にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ａｌｑ３］を真空蒸着して２５０Å厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子は、６層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／Ｂａｌｑ（５０Å）／ＥＭＬ［ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃ＝９３：７］（３００Å）／Ａ−３４（１００Å）／ＮＰＢ（７００Å）／ＤＮＴＰＤ（６００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製作した。
（実施例１７）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例２で製造された化合物（Ａ−１０４）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例１８）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例４で製造された化合物（Ａ−８８）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例１９）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例５で製造された化合物（Ｂ−１７）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例２０）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例６で製造された化合物（Ｃ−８）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例２１）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例８で製造された化合物（Ｅ−２５）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（実施例２２）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりに実施例９で製造された化合物（Ｆ−２）を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（比較例３）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
（比較例４）
前記実施例１６で、実施例１で製造された化合物（Ａ−３４）の代わりにＴＤＡＢを用いた点を除いては、同様な方法で有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子の製作に使用されたＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＴＤＡＢ、ＣＢＰ、Ｂａｌｑ、Ａｌｑ３、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃの構造は次のとおりである。
（有機発光素子の性能測定）
前記実施例１０〜２２、および比較例１〜４で製造されたそれぞれの有機発光素子に対して電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化および発光効率を測定した。具体的な測定方法は、下記のとおりであり、その結果は下記表２および表３に示した。
（１）電圧変化に応じた電流密度の変化測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００）を用いて単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で割って結果を得た。
（２）電圧変化に応じた輝度の変化測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ Ｃｓ−１０００Ａ）を用いてその時の輝度を測定して結果を得た。
（３）発光効率の測定
前記（１）および（２）から測定された輝度と電流密度および電圧を用いて同一の輝度（ｃｄ／ｍ２）での電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
（４）寿命の測定
製造された有機発光素子に対してポラロニクス寿命測定システムを用いて実施例１０〜１５、比較例１、および比較例２の緑色有機発光素子の場合には、初期輝度３，０００ｎｉｔで発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して、初期輝度に対して１／２に輝度が減少した時点を半減寿命とし、実施例１６〜２２、比較例３、および比較例４の赤色有機発光素子の場合には、初期輝度１，０００ｎｉｔで発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して、初期輝度に対して８０％に輝度が減少した時点をＴ８０寿命と測定した。
（駆動電圧および発光効率１，０００ｎｉｔで測定）
前記表２の結果によれば、緑色燐光有機発光素子で補助正孔輸送層を用いない比較例１に比べて、本発明の化合物を補助正孔輸送層として用いた前記実施例１０〜１５は、有機発光素子の発光効率と寿命を向上させることが分かる。特に比較例１に比べて本発明の実施例は、発光効率が最小３６％から最大５６％以上大幅に上昇することが分かり、従来知られているＴＤＡＢを補助正孔輸送層として用いた比較例２に比べて、本発明の実施例は、発光素子寿命が最小３１％から最大５４％以上上昇して実際素子の商用化の側面から素子の寿命は製品化の最も大きい問題の一つであることを考慮すると、前記実施例の結果は素子を製品化して商用化するに十分であると判断される。
（駆動電圧および発光効率１，０００ｎｉｔで測定）
前記表３の結果によれば、赤色燐光有機発光素子で補助正孔輸送層を用いない比較例３に比べて、本発明の化合物を補助正孔輸送層として用いた前記実施例１６〜２２は、有機発光素子の発光効率と寿命を向上させることが分かる。特に比較例３に比べて、本発明の実施例は、発光効率が最小１４％から最大２５％以上大幅に上昇することが分かり、従来に知られているＴＤＡＢを補助正孔輸送層として用いた比較例４に比べて、本発明の実施例は、発光効率が最小８％から最大１８％以上上昇し、発光素子寿命が最小２７％から最大４０％以上上昇し、駆動電圧を下げて赤色燐光素子の全般的な主要特性を大幅向上させることが分かる。実際素子の商用化の側面から素子の寿命は製品化の最も大きい問題の一つであることを考慮すると、前記実施例の結果は素子を製品化して商用化するに十分であうと判断される。
本発明は、前記実施例に限定されず、互いに異なる多様な形態に製造することができ、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的な思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態に実施可能であることを理解するはずである。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的なものではないことを理解しなければならない。
１００、２００…有機発光素子、
１１０…陰極、
１２０…陽極、
１０５…有機薄膜層、
１３０…発光層、
１４０…正孔輸送層、
２３０…発光層＋電子輸送層。

Claims (6)

  1. 下記化合物のうちのいずれか一つで表される化合物。

  2. 陽極および陰極と、
    前記陽極と陰極との間に配置される一層以上の有機薄膜層と、を含み、
    前記有機薄膜層のうちの少なくともある一層は、請求項１に記載の化合物を含む有機発光素子。
  3. 前記有機薄膜層は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、補助正孔輸送層、または発光層である、請求項２に記載の有機発光素子。
  4. 前記有機薄膜層は、補助正孔輸送層である、請求項２に記載の有機発光素子。
  5. 前記化合物は、発光層内ホストとして用いられる、請求項２に記載の有機発光素子。
  6. 請求項２に記載の有機発光素子を含む表示装置。
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