JP6432190B2 - 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体 - Google Patents
振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6432190B2 JP6432190B2 JP2014151841A JP2014151841A JP6432190B2 JP 6432190 B2 JP6432190 B2 JP 6432190B2 JP 2014151841 A JP2014151841 A JP 2014151841A JP 2014151841 A JP2014151841 A JP 2014151841A JP 6432190 B2 JP6432190 B2 JP 6432190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vibration
- recess
- arm
- detection
- vibrating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 170
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 241000251131 Sphyrna Species 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/026—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the tuning fork type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明の振動素子は、振動方向と交差する第1の面と、前記第1の面の裏側である第2の面と、前記第1の面に設けられた第1凹部と、前記第2の面に設けられた第2凹部と、を有する振動腕を備え、
前記第1凹部および前記第2凹部は、前記振動腕の長さ方向に沿って延在しており、
前記振動腕の前記長さ方向に交差する断面において、前記第1凹部は前記第2凹部側に向かって凹んだ形状であり、前記第2凹部は前記第1凹部側に向かって凹んだ形状であることを特徴とする。
本発明の振動素子では、前記第1凹部と前記第2凹部とで画定される前記振動腕の幅は、前記幅の方向に直交する厚さ方向の位置によって異なっていることが好ましい。
本発明の振動素子では、前記第1凹部および前記第2凹部は、曲面を含んでいることが好ましい。
本発明の振動素子では、前記第1凹部および前記第2凹部は、前記第1の面と前記第2の面との距離の中心を通り前記長さ方向に沿った仮想線に対して線対称であることが好ましい。
本発明の振動素子では、前記振動腕は、水晶を材料に含んでいることが好ましい。
本発明の振動素子は、音叉型をなしていることが好ましい。
本発明の振動素子の製造方法は、基材上に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを用いたドライエッチング法により、前記基材を加工して、振動腕を有する振動素子を形成する工程と、を含み、
前記振動素子を形成する工程において、前記振動腕の振動方向と交差する第1の面に第1凹部を形成し、前記第1の面の裏側である第2の面に第2凹部を形成し、
前記第1凹部および前記第2凹部は、前記振動腕の長さ方向に沿って延在しており、
前記振動腕の前記長さ方向に交差する断面において、前記第1凹部は前記第2凹部側に向かって凹んだ形状であり、前記第2凹部は前記第1凹部側に向かって凹んだ形状であることを特徴とする。
本発明の振動素子の製造方法では、前記振動素子を形成する工程において、前記凹部を、CF系の反応性ガスを用いたプラズマエッチング法を用いて形成することが好ましい。
本発明の振動素子の製造方法では、前記振動素子を形成する工程では、異方性プラズマ成分を用いるエッチング条件から等方性プラズマ成分を増加させることが好ましい。
本発明の振動素子の製造方法では、前記エッチング条件の変更は、チャンバー内の圧力、前記基材の加熱温度、ガス種およびバイアスパワーのうちの少なくとも1種の変更であることが好ましい。
本発明の振動子は、本発明の振動素子と、
前記振動素子を収納しているパッケージと、を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い振動子を得ることができる。
本発明の電子機器は、本発明の振動素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
本発明の移動体は、本発明の振動素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を得ることができる。
まず、本発明の振動子について説明する。
図1は、本発明の振動子の第1実施形態を示す平面図である。図2は、図1中のA−A線断面図である。図3は、図1に示す振動子の振動素子の断面図(図1中のB−B線断面図)である。図4〜図6は、それぞれ、図1に示す振動子の振動素子の製造方法を説明するための断面図である。
図1、図2および図3に示すように、本実施形態の振動素子2は、振動基板(被加工物)3と、振動基板3上に形成された第1、第2駆動用電極84、85とを有している。なお、図1および図2では、説明の便宜上、第1、第2駆動用電極84、85の図示を省略している。
図1および図2に示すように、パッケージ9は、上面に開放する凹部911を有する箱状のベース91と、凹部911の開口を塞ぐようにベース91に接合されている板状のリッド92とを有している。このようなパッケージ9は、凹部911がリッド92にて塞がれることにより形成された収納空間を有しており、この収納空間に振動素子2が気密的に収納されている。振動素子2は、支持腕74、75の先端部にて、例えば、エポキシ系、アクリル系の樹脂に導電性フィラーを混合した導電性接着剤11、12、13、14を介して凹部911の底面に固定されている。
次に、本発明の振動素子の製造方法を適用した、振動素子2(振動子1)の製造方法について、図4〜図6に基づいて説明する。なお、図4〜図6は、それぞれ、図1中のB−B線断面に対応する断面図である。
これにより、水晶基板30上に、パターニングされたマスクM1が得られる。
以上のような工程[1]、[2]が、本発明の振動素子の製造方法で構成される。
このマスクM1の除去は、例えば、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法を用いて行うことができる。
[7]次に、図5(c)に示すように、水晶基板30の上下を逆にし、フォトリソグラフィー法を用いて、水晶基板30上にマスクM3を形成する。
以上のような工程を経ることにより、振動基板3が得られる。
以上により、振動素子2を得ることができる。
図7は、本発明の振動子の第2実施形態を示す平面図である。図8は、図7に示す振動子の横断面図である。図9は、図7に示す振動子の駆動用振動腕を示す図であり、(a)は拡大平面図、(b)は拡大横断面図である。図10は、図7に示す振動子の検出用振動腕を示す図であり、(a)は拡大平面図、(b)は拡大横断面図である。図11は、図7に示す振動子の振動素子の主要部の斜視図である。図12は、図7に示す振動子の振動素子の検出モードを説明するための図である。
図7および図8に示す振動子1Aは、角速度を検出するジャイロセンサーである。
振動素子2Aは、1つの軸まわりの角速度を検出するジャイロセンサー素子である。
この振動子1Aによれば、前記第1実施形態と同様の効果が得られる。
図13は、本発明の振動子の第3実施形態における振動素子を示す平面図である。図14は、図13に示す振動素子が有する電極を示す平面図である。図15は、図13に示す振動素子が有する電極を示す平面図(透過図)である。図16は、図13に示す振動素子の動作を説明するための図である。
振動子は、図13に示す振動素子1Bと、振動素子1Bを収納したパッケージ(図示せず)とを有する。
振動基板2Bの構成材料としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料が挙げられる。これらの中でも、振動基板2Bの構成材料としては、水晶を用いることが好ましい。水晶を用いることで、他の材料と比較して優れた周波数温度特性を有する振動素子1Bが得られる。なお、以下では、振動基板2Bを水晶で構成した場合について説明する。
振動基板2Bの表面には、電極が形成されている。
次に、振動素子1Bの駆動について説明する。
次に、本発明の振動素子を適用した電子機器(本発明の電子機器)について説明する。
次に、本発明の振動素子を適用した移動体(本発明の移動体)について説明する。
Claims (13)
- 振動方向と交差する第1の面と、前記第1の面の裏側である第2の面と、前記第1の面に設けられた第1凹部と、前記第2の面に設けられた第2凹部と、を有する振動腕を備え、
前記第1凹部および前記第2凹部は、前記振動腕の長さ方向に沿って延在しており、
前記振動腕の前記長さ方向に交差する断面において、前記第1凹部は前記第2凹部側に向かって凹んだ形状であり、前記第2凹部は前記第1凹部側に向かって凹んだ形状であることを特徴とする振動素子。 - 前記第1凹部と前記第2凹部とで画定される前記振動腕の幅は、前記幅の方向に直交する厚さ方向の位置によって異なっていることを特徴とする請求項1に記載の振動素子。
- 前記第1凹部および前記第2凹部は、曲面を含んでいる請求項1または2に記載の振動素子。
- 前記第1凹部および前記第2凹部は、前記第1の面と前記第2の面との距離の中心を通り前記長さ方向に沿った仮想線に対して線対称であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の振動素子。
- 前記振動腕は、水晶を材料に含んでいる請求項1ないし4のいずれか1項に記載の振動素子。
- 前記振動素子は、音叉型をなしている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の振動素子。
- 基材上に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを用いたドライエッチング法により、前記基材を加工して、振動腕を有する振動素子を形成する工程と、を含み、
前記振動素子を形成する工程において、前記振動腕の振動方向と交差する第1の面に第1凹部を形成し、前記第1の面の裏側である第2の面に第2凹部を形成し、
前記第1凹部および前記第2凹部は、前記振動腕の長さ方向に沿って延在しており、
前記振動腕の前記長さ方向に交差する断面において、前記第1凹部は前記第2凹部側に向かって凹んだ形状であり、前記第2凹部は前記第1凹部側に向かって凹んだ形状であることを特徴とする振動素子の製造方法。 - 前記振動素子を形成する工程において、前記凹部を、CF系の反応性ガスを用いたプラズマエッチング法を用いて形成する請求項7に記載の振動素子の製造方法。
- 前記振動素子を形成する工程では、異方性プラズマ成分を用いるエッチング条件から等方性プラズマ成分を増加させる請求項8に記載の振動素子の製造方法。
- 前記エッチング条件の変更は、チャンバー内の圧力、前記基材の加熱温度、ガス種およびバイアスパワーのうちの少なくとも1種の変更である請求項9に記載の振動素子の製造方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の振動素子と、
前記振動素子を収納しているパッケージと、を備えることを特徴とする振動子。 - 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の振動素子を備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の振動素子を備えることを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014151841A JP6432190B2 (ja) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体 |
CN201510435114.3A CN105281705B (zh) | 2014-07-25 | 2015-07-22 | 振动元件及其制造方法、振子、电子设备和移动体 |
US14/807,107 US10418967B2 (en) | 2014-07-25 | 2015-07-23 | Resonator element, manufacturing method for resonator element, resonator, electronic device, and moving object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014151841A JP6432190B2 (ja) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016029773A JP2016029773A (ja) | 2016-03-03 |
JP6432190B2 true JP6432190B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=55150153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014151841A Expired - Fee Related JP6432190B2 (ja) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10418967B2 (ja) |
JP (1) | JP6432190B2 (ja) |
CN (1) | CN105281705B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6519995B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2019-05-29 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、ジャイロセンサー、電子機器および移動体 |
JP2016085190A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動素子の製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
JP5982054B1 (ja) * | 2015-12-16 | 2016-08-31 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動子 |
JP6716283B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2020-07-01 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片、及び圧電振動子 |
CN106026927B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-08-20 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路 |
US11263988B2 (en) * | 2017-10-03 | 2022-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Gate driving circuit and display device using the same |
WO2020175345A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 株式会社村田製作所 | コネクタ、コネクタセット |
WO2020258176A1 (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种差分谐振器及mems传感器 |
CN111351478B (zh) * | 2020-04-16 | 2023-07-21 | 北京晨晶电子有限公司 | 一种振动陀螺元件、陀螺传感器及电子设备 |
JP2022079131A (ja) * | 2020-11-16 | 2022-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49109527U (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-19 | ||
JPS6271317A (ja) | 1985-09-24 | 1987-04-02 | Nec Kansai Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
JPH04364726A (ja) | 1991-06-11 | 1992-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
JP2000031123A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4492048B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片の製造方法、振動子、ジャイロセンサおよび電子機器 |
JP4161857B2 (ja) | 2003-09-10 | 2008-10-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
DE102004043233B4 (de) | 2003-09-10 | 2014-02-13 | Denso Corporation | Verfahren zum Herstellen eines beweglichen Abschnitts einer Halbleitervorrichtung |
DE102004043356A1 (de) | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement mit getrenchter Kaverne |
JP2006308543A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Fujitsu Media Device Kk | 角速度センサ |
DE602005012488D1 (de) * | 2005-06-09 | 2009-03-12 | Eta Sa Mft Horlogere Suisse | Kompakter piezoelektrischer Resonator |
JP2007013383A (ja) | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片 |
US20080211350A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-09-04 | Epson Toyocom Corporation | Piezoelectric resonator element and piezoelectric device |
JP2008131527A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 音叉型圧電振動片および圧電デバイス |
US7545237B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-06-09 | Sitime Inc. | Serrated MEMS resonators |
US7545238B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-06-09 | Sitime Inc. | Serrated MEMS resonators |
JP4539708B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2010-09-08 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電振動片、圧電振動子および加速度センサ |
US7939995B2 (en) * | 2007-12-13 | 2011-05-10 | ETA SA Manufacture Horlogére Suisse | Piezoelectric resonator in a small-sized package |
TWI398097B (zh) * | 2009-11-18 | 2013-06-01 | Wafer Mems Co Ltd | 音叉型石英晶體諧振器 |
US8283988B2 (en) * | 2010-02-25 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, oscillator, and electronic device |
US8692632B2 (en) * | 2010-03-17 | 2014-04-08 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, oscillator, and electronic device |
JP5617392B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片、振動子及び発振器 |
JP2012029023A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Seiko Epson Corp | 屈曲振動片、振動ジャイロ素子、および電子機器 |
JP6119134B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2017-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片、振動子、発振器および電子機器 |
JP2014057236A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Seiko Epson Corp | 振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体 |
-
2014
- 2014-07-25 JP JP2014151841A patent/JP6432190B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-22 CN CN201510435114.3A patent/CN105281705B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-23 US US14/807,107 patent/US10418967B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105281705A (zh) | 2016-01-27 |
JP2016029773A (ja) | 2016-03-03 |
US10418967B2 (en) | 2019-09-17 |
CN105281705B (zh) | 2020-08-21 |
US20160028370A1 (en) | 2016-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6432190B2 (ja) | 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、電子機器および移動体 | |
US11888464B2 (en) | Vibration element, physical quantity sensor, inertial measurement unit, electronic apparatus, and vehicle | |
JP6435596B2 (ja) | 振動素子、振動デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP2016130644A (ja) | 振動素子の製造方法、振動素子、電子デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP6519995B2 (ja) | 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、ジャイロセンサー、電子機器および移動体 | |
JP2015090275A (ja) | 振動素子の製造方法 | |
JP2019178904A (ja) | 振動素子、振動素子の製造方法、物理量センサー、慣性計測装置、電子機器および移動体 | |
JP6413316B2 (ja) | 振動片の製造方法 | |
JP2016186479A (ja) | 物理量検出振動素子、物理量検出振動子、電子機器および移動体 | |
JP7332007B2 (ja) | 振動素子、物理量センサー、慣性計測装置、電子機器および移動体 | |
JP7501607B2 (ja) | 振動デバイス、電子機器および移動体 | |
JP2017102062A (ja) | 振動片の製造方法、振動片、振動素子、振動デバイス、電子機器および移動体 | |
JP2016021491A (ja) | エッチング方法 | |
JP6439300B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP2017072559A (ja) | 振動素子、振動素子の製造方法、振動デバイス、電子機器および移動体 | |
JP2015212651A (ja) | 機能素子、機能素子の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 | |
JP2013072852A (ja) | センサー素子、センサー素子の製造方法、センサーデバイスおよび電子機器 | |
JP2017129424A (ja) | 振動素子、振動素子の製造方法、電子機器および移動体 | |
JP2013170851A (ja) | センサー素子、センサー素子の製造方法、センサーデバイスおよび電子機器 | |
JP2013219252A (ja) | 振動片、振動デバイスおよび電子機器 | |
JP2018105784A (ja) | 振動素子の製造方法 | |
JP2016019109A (ja) | エッチング方法 | |
JP2017103670A (ja) | 振動素子の製造方法、振動素子、振動デバイス、電子機器および移動体 | |
JP2016178590A (ja) | 振動片、振動片の製造方法、振動子、発振器、電子機器、および移動体 | |
JP2016086370A (ja) | 振動素子の製造方法、振動素子、振動子、物理量センサー、電子機器および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181009 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6432190 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |