JP6405920B2 - ソルダペースト用フラックス、ソルダペースト及びはんだ接合体 - Google Patents
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Description
本発明は、はんだ合金の粉末と混合されてソルダペーストを生成するソルダペースト用フラックス、及び、このフラックスとはんだ合金の粉末とを混合したソルダペースト、このソルダペーストを使用して接合されたはんだ接合体に関する。
一般的に、はんだ付けに用いられるフラックスは、はんだ合金が溶融する温度より低い温度にて、はんだ及びはんだ付けの対象の酸化膜除去と再酸化を防止する効能がある。
ソルダペーストは、はんだ合金の粉末とフラックスとを混合させて得られた複合材料である。ソルダペーストは、基板の電極等のはんだ付け部に塗布され、ソルダペーストが塗布されたはんだ付け部に部品が搭載され、リフロー炉と称される加熱炉で基板を加熱してはんだを溶融させて、はんだ付けが行われる。例えば、現在幅広く使用されているはんだ合金であるＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕのリフロー温度プロファイルでは、炉内での加熱開始からはんだ合金溶融温度までを予備加熱とし、はんだ合金の溶融温度である２２０℃超を本加熱としている。特に１５０℃以上の温度帯をフラックスの主な活性温度域としている場合が一般的である。尚、このリフロー温度プロファイルははんだ合金により異なる。
近年、情報機器の小型化により、情報機器に搭載される電子部品においても急速な薄型化が進行している。電子部品は、薄型化の要求により接続端子の狭小化や実装面積の縮小化に対応するため、裏面に電極が設置されたボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡと称す）が適用されている（例えば、特許文献１参照）。また、接続端子の狭小化により、旧来と同一の部品サイズでも多ピン化する事が可能となり、電子部品の高性能化にも適用されている。
ＢＧＡを適用した電子部品には、例えば半導体パッケージがある。半導体パッケージでは、電極を有する半導体チップが樹脂で封止されている。半導体パッケージの電極には、はんだバンプが形成されている。このはんだバンプは、はんだボールを半導体パッケージの電極に接合することによって形成されている。
ＢＧＡを適用した半導体パッケージは、ソルダペーストが塗布された基板の電極に、各はんだバンプが位置を合わせて載置され、加熱により溶融したソルダペーストと、はんだバンプ及び電極が接合することにより、基板に搭載される。
従来のＢＧＡのはんだ接合の問題点としてはんだバンプとソルダペーストの未融合が挙げられる。半導体パッケージは加熱により反り始めるが、本加熱工程で、ソルダペースト中のはんだ合金が溶融することで、ソルダペーストで基板に支持されている半導体パッケージが下降し、半導体パッケージが反ることによって離間したソルダペーストと電極が再接触する。しかし、フラックス中の活性剤成分が、リフロー工程での加熱により揮発するため、本加熱工程でソルダペーストが電極と接触しても、電極の表面の金属酸化膜を除去することができない。従って、ソルダペースト中のはんだ合金が凝固前であっても、ソルダペースト中のはんだ合金と電極は融合されない。これにより、半導体パッケージのはんだバンプと、基板の電極との間で接合不良が発生する。
ＢＧＡを適用した半導体パッケージでは、近年薄型化が要求され、半導体パッケージの薄型化が進行している。このように、半導体チップの薄型化が進行したことで、リフロー時の加熱で、従来では無視できたフラックスの主活性温度域より低温域で半導体パッケージに発生する反りが大きくなり、はんだ付けの新たな問題となってきた。
図２は、半導体パッケージの薄型化による課題を示す説明図である。半導体パッケージ１の図示しない電極に、はんだバンプ２が形成される。また、基板３の電極４に、ソルダペースト５Ｂが塗布される。図２（ａ）に示すように、リフローの前の工程では、はんだバンプ２と、電極４に塗布されたソルダペースト５Ｂが接した状態である。
リフロー時の予備加熱工程では、はんだ合金が溶融する温度に対して低い温度で、基板３等の温度を徐々に上昇させる。半導体パッケージ１の薄型化によって、フラックスの主活性温度域より低温域での１２０℃〜１５０℃位の低温域で、半導体パッケージ１に反りが発生する。
半導体パッケージ１の全体で反りが発生しており、その中でも特に反りの大きい部品端部では、図２（ｂ）に示すように、ソルダペースト５Ｂがはんだバンプ２に側に付着した状態で電極４から剥離する事象が見られる。このように、この低温域における半導体パッケージ１での反りの発生により、ソルダペースト５Ｂが電極４から剥離した状態で、炉内が本加熱温度まで上げられると、図２（ｃ）に示すように、ソルダペースト５Ｂのはんだ合金が溶融し、はんだバンプ２とソルダペースト５Ｂ中のはんだ合金が融合される。
このようにソルダペースト５Ｂが電極４から剥離したことで、本加熱時に溶融中のソルダペースト５Ｂと電極４がはんだ接合に十分な接触面積や時間を有せないか、または、接触できないことにより、電極４の表面の金属酸化膜とフラックス中の活性剤成分が十分な反応をすることができず、電極４の表面の金属酸化膜を除去することができない。
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、従来の問題点に加えて、特にフラックスの主活性温度域より低温域で発生した部品の反りに特に着目して、ソルダペーストが電極から剥離することを抑制できるようにしたソルダペースト用フラックス及びソルダペーストを提供することを目的とする。
薄型化した半導体パッケージ等や基板の反りが始まる低温域では、一般的にはソルダペースト中のはんだ合金とフラックスとの間で反応はまだ発生しない。本願の発明者らは、このような低温域で金属酸化膜を除去できれば、金属粉末同士の密着度が増し、基板に反りが発生しても、ソルダペーストが電極から剥離することを抑制できることを見出した。
本発明は、ロジン、グリコールエーテル系溶剤、有機酸、チキソ剤（但し、ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸を含む炭素数２〜２２の脂肪族カルボン酸、および炭素数２〜１６のジアミンとダイマージアミンとの何れかのジアミンを縮合させた低分子量アミド化合物と、同種の該カルボン酸、同種の該ジアミンおよび重量平均分子量２０００〜１０００００のカルボキシル基含有ポリマーを縮合させた高分子量アミド化合物とを含有するアミド系縮合体微粒子を除く）、ハロゲン化合物、イミダゾール化合物（但し、ベンゾイミダゾール化合物を除く）を含み、ハロゲン化合物は、アミンハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物の何れか、あるいは、これらの組み合わせであり、アミンハロゲン化水素酸塩は、アミン化合物とハロゲン化水素酸の塩であり、ハロゲン化水素酸としては、塩酸、臭化水素酸の何れかであり、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０重量％以上２．５重量％、有機ハロゲン化合物の添加量は０重量％以上４重量％である。但し、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０重量％以上０．０２重量％未満の範囲である場合、有機ハロゲン化合物の添加量は０重量％以上０．１重量％未満の範囲を除き、有機ハロゲン化合物の添加量が０重量％以上０．１重量％未満の場合、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０重量％以上０．０２重量％未満の範囲を除く。上記の範囲を簡潔に表すと、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量をＸ（重量％）、有機ハロゲン化合物の添加量をＹ（重量％）としたとき、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量と有機ハロゲン化合物の添加量が（１）式を満たす範囲であり、イミダゾール化合物の添加量が０．１重量％〜１０重量％であり、１２０℃で活性が作用するソルダペースト用フラックスである（但し、ソルダペースト用フラックスは、エポキシ樹脂を含む場合を除く）。
アミンハロゲン化水素塩や有機ハロゲン化合物は、所定の低温域で金属酸化膜と反応して、金属酸化膜を除去する活性剤として添加される。
イミダゾール化合物は、所定の低温域で金属酸化膜と反応して、金属酸化膜を除去する活性剤として添加され、イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールの何れか、あるいは、これらの組み合わせであることが好ましい。
また、本発明は、フラックスとはんだ合金の粉末が混合されたソルダペーストにおいて、フラックスは、ロジン、グリコールエーテル系溶剤、有機酸、チキソ剤（但し、ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸を含む炭素数２〜２２の脂肪族カルボン酸、および炭素数２〜１６のジアミンとダイマージアミンとの何れかのジアミンを縮合させた低分子量アミド化合物と、同種の該カルボン酸、同種の該ジアミンおよび重量平均分子量２０００〜１０００００のカルボキシル基含有ポリマーを縮合させた高分子量アミド化合物とを含有するアミド系縮合体微粒子を除く）、ハロゲン化合物、イミダゾール化合物（但し、ベンゾイミダゾール化合物を除く）を含み、ハロゲン化合物は、アミンハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物の何れか、あるいは、これらの組み合わせであり、アミンハロゲン化水素酸塩は、アミン化合物とハロゲン化水素酸の塩であり、ハロゲン化水素酸としては、塩酸、臭化水素酸の何れかであり、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０重量％以上２．５重量％、有機ハロゲン化合物の添加量は０重量％以上４重量％である。但し、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０重量％以上０．０２重量％未満の範囲である場合、有機ハロゲン化合物の添加量は０重量％以上０．１重量％未満の範囲を除き、有機ハロゲン化合物の添加量が０重量％以上０．１重量％未満の場合、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０重量％以上０．０２重量％未満の範囲を除く。上述したように、上記の範囲を簡潔に表すと、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量をＸ（重量％）、有機ハロゲン化合物の添加量をＹ（重量％）としたとき、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量と有機ハロゲン化合物の添加量が（１）式を満たす範囲であり、イミダゾール化合物の添加量が０．１重量％〜１０重量％であり、１２０℃で活性が作用するソルダペースト用フラックスを含むソルダペーストである（但し、ソルダペーストは、エポキシ樹脂を含む場合を除く）。
本発明では、一般的にソルダペースト中のはんだ合金と、フラックスとの間で反応が発生しないような低温域で、フラックス中の活性剤成分と金属表面の酸化物が反応し、金属酸化膜が除去される。このような低温域で金属酸化膜を除去できれば、金属粉末同士の密着度が増し、基板の反り等による応力が加わっても、ソルダペーストが接合対象物から剥離することを抑制できる。
＜本実施の形態のフラックスの組成例＞
本実施の形態のフラックスは、ハロゲン化合物と、イミダゾール化合物と、有機酸と、ロジンと、溶剤と、チキソ剤を含む。本実施の形態のフラックスは、はんだ合金の粉末と混合されてソルダペーストが生成される。
本実施の形態のフラックスは、ハロゲン化合物と、イミダゾール化合物と、有機酸と、ロジンと、溶剤と、チキソ剤を含む。本実施の形態のフラックスは、はんだ合金の粉末と混合されてソルダペーストが生成される。
ハロゲン化合物としては、アミンハロゲン化水素酸塩と有機ハロゲン化合物が挙げられる。アミンハロゲン化水素酸塩のアミン化合物としては、エチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、イソプロピルアミン、ジフェニルグアニジン、シクロヘキシルアミン、アニリンなどが挙げられる。ハロゲン化水素酸としては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸が挙げられる。
有機ハロゲン化合物としては、１−ブロモ−２−ブタノール、１−ブロモ−２−プロパノール、３−ブロモ−１−プロパノール、３−ブロモ−１，２−プロパンジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、１，３−ジブロモ−２−プロパノール、２，３−ジブロモ−１−プロパノール、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４ジオールなどが挙げられる。
ハロゲン化合物の添加量が少ないと、活性が弱く、所定の低温域で酸化膜を除去できない。一方、ハロゲン化合物の添加量が多いと、ソルダペーストの粘度が経時変化で増加する。そこで、ハロゲン化合物の添加量を以下のように定めた。
ハロゲン化合物は、上述したアミンハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物の何れか、あるいは、これらの組み合わせとした。アミンハロゲン化水素酸塩の添加量をＸ（重量％）、有機ハロゲン化合物の添加量をＹ（重量％）としたとき、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量と有機ハロゲン化合物の添加量が（１）式を満たす範囲とした。
フラックスには、ハロゲン化合物以外に、所定の低温域で金属酸化膜と反応して、金属酸化膜を除去する活性剤としてアミン化合物が添加される。活性剤として添加されるアミン化合物は、イミダゾール化合物であることが好ましく、イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールの何れか、あるいは、これらの組み合わせであることが好ましい。
イミダゾール化合物の添加量が少ないと、活性が弱く、所定の低温域で酸化膜を除去できない。一方、イミダゾール化合物の添加量が多いと、ソルダペーストの粘度が経時変化で増加する。そこで、イミダゾール化合物の添加量は、０．１重量%〜１０重量%とした。
ロジンは、ハロゲン化合物及びイミダゾール化合物等の活性剤成分を熱から保護して、活性剤成分の揮発を抑制する。ロジンとしては、水添ロジン、酸変性ロジン、重合ロジン、ロジンエステルなどが挙げられる。
溶剤は、フラックス中の固形分を溶かす。溶剤としては、一般的に知られているグリコールエーテル系の化合物から選択される。活性剤の作用を効率よくもたらすために、１２０℃〜１５０℃の低温域において揮発しないことが好ましい。溶剤が揮発してしまうとフラックスの流動性が悪くなり、活性剤の作用を金属粉末全体に行きわたらすことが難しくなる。そのため、沸点は２００℃以上であることが好ましく、２４０℃以上であることがより好ましい。
チキソ剤は、チキソ性の付与のために添加される。チキソ剤としては、高級脂肪酸アマイド、高級脂肪酸エステル、ひまし硬化油などが挙げられる。
有機酸はフラックスにおける活性剤成分として添加される。有機酸としては、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸など、常温固体の有機酸が好ましい。
その他の添加剤として、グリコールエーテル系以外の溶剤、酸化防止剤、界面活性剤、消泡剤、着色剤などをフラックスの性能を損なわない範囲で適宜添加しても良い。
有機酸は通常の予備加熱温度である１５０℃以上において、はんだ合金およびはんだ付けする対象の酸化膜を除去するために添加し、その添加量は、１重量％〜１０重量％とした。ロジンは、ハロゲン化合物及びアミン化合物等の活性剤成分を熱から保護して、活性剤成分の揮発を抑制する。ロジンの添加量は、４０重量％〜６０重量％とした。溶剤は、フラックス中の固形成分を溶かす。溶剤の添加量は、２５重量％〜３５重量％とした。チキソ剤は、ソルダペーストに粘性を付与する。チキソ剤の添加量は、５重量％〜１０重量％とした。
本実施の形態のソルダペーストは、上述した組成のフラックスと、はんだ合金の粉末が混合されて生成される。本例におけるソルダペーストは、はんだ合金の組成がＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（各数値は重量％）であるはんだ合金の粉末と、フラックスが混合されて生成される。尚、本発明はこのはんだ合金に限定するものではない。
以下の表に示す組成で実施例と比較例のフラックスを調合し、実施例及び比較例のフラックスを使用してソルダペーストを調合して、ソルダペーストの剥離防止効果について検証した。なお、表１〜３における組成率は、フラックス組成物中の重量％である。まず、各検証の評価方法について説明する。
（１）ソルダペーストの剥離防止効果の検証について
（ａ）評価方法
銅板にソルダペーストを印刷後、はんだボールを搭載し、１２０℃で１分間保持後、保温状態ではんだボールを引き上げた。
（ｂ）判定基準
○：ソルダペーストが銅板に残留した
×：ソルダペーストが銅板から剥離した
（２）ソルダペーストの連続粘度測定について
（a）測定方法
測定に用いた粘度計は株式会社マルコム製、ＰＣＵ−２０５である。試験条件は回転数：１０ｒｐｍ、測定温度：２５℃で粘度を８時間測定し続ける。
（b）判定基準
８時間後の粘度が初期粘度の±２０％以内の値であれば合格（○）とした。
（ａ）評価方法
銅板にソルダペーストを印刷後、はんだボールを搭載し、１２０℃で１分間保持後、保温状態ではんだボールを引き上げた。
（ｂ）判定基準
○：ソルダペーストが銅板に残留した
×：ソルダペーストが銅板から剥離した
（２）ソルダペーストの連続粘度測定について
（a）測定方法
測定に用いた粘度計は株式会社マルコム製、ＰＣＵ−２０５である。試験条件は回転数：１０ｒｐｍ、測定温度：２５℃で粘度を８時間測定し続ける。
（b）判定基準
８時間後の粘度が初期粘度の±２０％以内の値であれば合格（○）とした。
実施例１〜実施例１３では、ハロゲン化合物としてアミンハロゲン化水素酸塩を選択し、以下の表１に示す比率で添加した。ハロゲン化水素酸は、臭化水素（ＨＢｒ）とし、ハロゲン化水素酸と反応して塩を生成するアミン化合物としては、ジフェニルグアニジン、ジエチルアミン、イソプロピルアミンを選択した。
また、実施例１〜実施例１３では、イミダゾール化合物として、イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールを、以下の表１に示す比率で添加した。
表１に示すように、アミンハロゲン化水素酸塩と、イミダゾール化合物を含み、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量Ｘが０．０２重量％〜２．５重量％、イミダゾール化合物の添加量が０．１重量％〜１０重量％を添加した実施例１〜実施例１３では、ソルダペーストが銅板に残留した。一方、有機ハロゲン化合物を含まず、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０．０２重量％未満で、かつ、イミダゾール化合物を含まない比較例１、ハロゲン化合物を含まず、イミダゾール化合物の添加量が０．１重量％未満の比較例３では、ソルダペーストがはんだボールに付着して、銅板から剥離した。また、有機ハロゲン化合物を含まず、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が２．５重量％を超え、かつ、イミダゾール化合物を含まない比較例２、ハロゲン化合物を含まず、イミダゾール化合物の添加量が１０重量％を超える比較例４では、連続粘度測定で増粘の傾向が見られた。
実施例１４〜実施例２５では、ハロゲン化合物として有機ハロゲン化合物を選択し、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオールを、以下の表２に示す比率で添加した。
また、実施例１４〜実施例２５では、イミダゾール化合物として、イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールを、以下の表２に示す比率で添加した。
表２に示すように、有機ハロゲン化合物と、イミダゾール化合物を含み、有機ハロゲン化合物の添加量Ｙが０．１重量％〜４重量％、イミダゾール化合物の添加量が０．１重量％〜１０重量％を添加した実施例１４〜実施例２５では、ソルダペーストが銅板に残留した。一方、アミンハロゲン化水素酸塩を含まず、有機ハロゲン化合物の添加量が０．１重量％未満で、かつ、イミダゾール化合物を含まない比較例５では、ソルダペーストがはんだボールに付着して、銅板から剥離した。また、アミンハロゲン化水素酸塩を含まず、有機ハロゲン化合物の添加量が４重量％を超え、かつ、イミダゾール化合物を含まない比較例６では、連続粘度測定で増粘の傾向が見られた。
表１、２よりアミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０．０２重量％以上２．５重量％以下、有機ハロゲン化合物の添加量は０．１重量％以上４重量％以下である。
そこで、ハロゲン化合物として、アミンハロゲン化水素酸塩と有機ハロゲン化合物を両方選択し、ジフェニルグアニジン・ＨＢｒと２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオールをそれぞれ以下の表３に示す比率で添加した。
表３に示すように、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０．０２重量％以上２．５重量％以下、有機ハロゲン化合物の添加量が０．１重量％以上４重量％以下の範囲であっても、比較例７〜９では、連続粘度測定で増粘の傾向が見られた。
実施例１〜２８より、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０．０２重量％以上２．５重量％以下、有機ハロゲン化合物の添加量が０．１重量％以上４重量％以下の範囲であって、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量をＸ（重量％）、有機ハロゲン化合物の添加量をＹ（重量％）としたとき、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量と有機ハロゲン化合物の添加量は（１）式を満たす添加量となる。
実施例２９、３０はアミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０．０２重量％以上２．５重量％以下、有機ハロゲン化合物の添加量が０．１重量％以上４重量％以下の範囲以外であっても剥離防止効果と連続粘度測定の両方を満足する結果となった。これは、アミンハロゲン化水素酸塩か有機ハロゲン化合物のどちらか一方が単独で剥離防止効果を得られる添加量を添加していれば、他方は単独では剥離防止効果が得られなかった添加量でも問題ないことを示している。しかし、両方ともが単独では剥離防止効果が得られなかった添加量では防止効果は低いと予想される。
表１〜３より、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量をＸ（重量％）、有機ハロゲン化合物の添加量をＹ（重量％）としたとき、アミンハロゲン化水素酸塩の添加量と有機ハロゲン化合物の添加量は（１）式を満たす添加量となる。
以上の検証結果から、通常ではソルダペースト中のはんだ合金と、フラックスの間で反応が発生しない低温域では、フラックス中の活性剤成分が金属表面の酸化物と反応し、金属酸化膜が除去されることで、ソルダペースト中の金属粉末同士の密着度が増し、基板に残留することが判った。この保持力の高まりにより、基板の反り等による応力が加わっても、ソルダペーストが電極から剥離することを抑制できる。
＜本実施の形態の作用効果例＞
図１は、本実施の形態のフラックスによる作用効果例を示す説明図である。半導体パッケージ１の図示しない電極に、はんだバンプ２が形成される。また、基板３の電極４に、ソルダペースト５Ａが塗布される。図１（ａ）に示すように、リフローの前の工程では、はんだバンプ２と、電極４に塗布されたソルダペースト５Ａが接した状態である。
図１は、本実施の形態のフラックスによる作用効果例を示す説明図である。半導体パッケージ１の図示しない電極に、はんだバンプ２が形成される。また、基板３の電極４に、ソルダペースト５Ａが塗布される。図１（ａ）に示すように、リフローの前の工程では、はんだバンプ２と、電極４に塗布されたソルダペースト５Ａが接した状態である。
リフロー時の加熱で、予備加熱工程では、はんだ合金が溶融する温度に対して低い温度で、基板３等の温度を徐々に上昇させる。半導体パッケージ１の薄型化によって、フラックスの主活性温度域より低い１２０℃〜１５０℃位の低温域で、半導体パッケージ１に反りが発生する。
半導体パッケージ１に反りが発生しても、本実施の形態のフラックスとはんだ合金が混合されたソルダペースト５Ａでは、図１（ｂ）に示すように、ソルダペースト５Ａが電極４から剥離しない。このように、プリヒート時において半導体パッケージ１の反りが発生しても、ソルダペースト５Ａが電極４から剥離しないことで、電極４の表面の金属酸化膜を除去することができる。
はんだ合金が溶融する本加熱温度までリフロー炉内温度を上げていくと、図１（ｃ）に示すように、ソルダペースト５Ａ中のはんだ合金が溶融し、電極４とソルダペースト５Ａ中のはんだ合金が接合される。
また、ソルダペースト５Ａ中のはんだ合金が溶融することで、ソルダペースト５Ａで基板３に支持されている半導体パッケージ１が下降する。半導体パッケージ１が下降することで、半導体パッケージ１が反ることによって離間した半導体パッケージ１のはんだバンプ２と、電極４に塗布されたソルダペースト５Ａが接触する。
フラックス中の活性剤成分は、ロジンによって揮発が抑えられており、半導体パッケージ１のはんだバンプ２と、電極４に塗布されたソルダペースト５Ａが再接触することで、はんだバンプ２の表面の金属酸化膜が除去される。
これにより、はんだバンプ２とソルダペースト５Ａ中のはんだ合金が融合される。従って、リフロー工程で半導体パッケージ１に反りが発生しても、半導体パッケージ１のはんだバンプ２と、基板３の電極４が、はんだ合金で電気的に接合される。
本発明は、ＢＧＡを適用した電子部品のはんだ付けに適用される。
１・・・半導体パッケージ、２・・・はんだバンプ、３・・・基板、４・・・電極、５Ａと５Ｂ・・・ソルダペースト
Claims (6)
- ロジン、グリコールエーテル系溶剤、有機酸、チキソ剤（但し、ヒドロキシ脂肪族モノカルボン酸を含む炭素数２〜２２の脂肪族カルボン酸、および炭素数２〜１６のジアミンとダイマージアミンとの何れかのジアミンを縮合させた低分子量アミド化合物と、同種の該カルボン酸、同種の該ジアミンおよび重量平均分子量２０００〜１０００００のカルボキシル基含有ポリマーを縮合させた高分子量アミド化合物とを含有するアミド系縮合体微粒子を除く）、ハロゲン化合物、イミダゾール化合物（但し、ベンゾイミダゾール化合物を除く）を含み、
前記ハロゲン化合物は、アミンハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物の何れか、あるいは、これらの組み合わせであり、
前記アミンハロゲン化水素酸塩は、アミン化合物とハロゲン化水素酸の塩であり、
前記ハロゲン化水素酸としては、塩酸、臭化水素酸の何れかであり、
前記アミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０重量％以上２．５重量％以下、前記有機ハロゲン化合物の添加量は０重量％以上４重量％以下であり、
前記アミンハロゲン化水素酸塩の添加量が０重量％以上０．０２重量％未満である場合、前記有機ハロゲン化合物の添加量は０重量％以上０．１重量％未満を除き、
前記有機ハロゲン化合物の添加量が０重量％以上０．１重量％未満である場合、前記アミンハロゲン化水素酸塩の添加量は０重量％以上０．０２重量％未満を除き、
前記アミンハロゲン化水素酸塩の添加量をＸ（重量％）、前記有機ハロゲン化合物の添加量をＹ（重量％）としたとき、前記アミンハロゲン化水素酸塩の添加量と前記有機ハロゲン化合物の添加量が（１）式を満たす範囲であり、
前記イミダゾール化合物の添加量が０．１重量％〜１０重量％であり、
１２０℃で活性が作用する
ことを特徴とするソルダペースト用フラックス（但し、ソルダペースト用フラックスは、エポキシ樹脂を含む場合を除く）。
- 前記アミンハロゲン化水素酸塩の前記アミン化合物としては、エチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、イソプロピルアミン、ジフェニルグアニジン、シクロヘキシルアミン、アニリンの何れかである
ことを特徴とする請求項１に記載のソルダペースト用フラックス。 - 前記有機ハロゲン化合物は、１−ブロモ−２−ブタノール、１−ブロモ−２−プロパノール、３−ブロモ−１−プロパノール、３−ブロモ−１，２−プロパンジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、１，３−ジブロモ−２−プロパノール、２，３−ジブロモ−１−プロパノール、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４ジオールの何れか、あるいは、これらの組み合わせである
ことを特徴とした請求項１または２に記載のソルダペースト用フラックス。 - 前記イミダゾール化合物は、イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールの何れか、あるいは、これらの組み合わせである
ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のソルダペースト用フラックス。 - 請求項１〜４に記載のソルダペースト用フラックスとはんだ合金の粉末が混合された
ことを特徴とするソルダペースト。 - 請求項５に記載されたソルダペーストにより形成された
ことを特徴とするはんだ接合体。
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