JP7328311B2 - フラックスおよび電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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フラックスの使用形態としては、(i)はんだ粉末とフラックスとを予め混合してはんだペーストとして用いる形態、(ii)まず電極にフラックスを塗布し、その後、フラックスが塗布された電極上にプリフォームはんだを置いてはんだ付けをする形態、などがある。
例えば、特許文献1には、まず、基板またはチップ部品の電極にフラックスを塗布し、その後、塗布されたフラックスによりはんだボールを電極上に仮固定することなどが記載されている。すなわち、特許文献1において、フラックスは、はんだ付けの補助剤としてだけでなく、はんだボールの「仮固定用材料」としても用いられている。
具体的には、フラックスを用いたプリフォームはんだや電子部品の仮固定は、電子デバイスの製造工程の様々な工程において様々な条件下で行われうるところ、従来のフラックスは、室温程度の比較的低温における仮固定性に改善の余地があった。
本発明の目的の1つは、室温程度の比較的低温において、プリフォームはんだや電子部品を好ましく仮固定可能なフラックスを提供することである。
また、本発明の目的の1つは、フラックスをプリフォームはんだや電子部品の仮固定のために用いる、実用上有用な電子デバイスの製造方法を提供することである。
前記ロジン化合物の含有比率は30質量%超であり、
B型粘度計を用いて20℃で測定される粘度が2000mPa・s以下であり、
以下の手順1で測定したタック力Tが50gf以上であるフラックス。
[手順1]
(1)少なくとも一方の面に、直径7mm、深さ0.2mmの円形のくぼみが設けられた、NiメッキされたAlプレートの前記一方の面に、前記くぼみがちょうど埋まる量のフラックスを塗布する。
(2)フラックスが塗布された前記Alプレートを、50℃で15分間加熱処理する。
(3)加熱処理された前記Alプレートを室温まで放冷後、前記くぼみ内に存在するフラックスのタック力Tを、タッキネステスターを用いて、プレスタイム:0.2sec、プレス圧:50gf、侵入速度:2.0mm/sec、引離速度:10mm/secの条件で測定する。
基板上に上記フラックスを塗布する塗布工程と、
前記フラックスを塗布した前記基板上に、プリフォームはんだまたは電子部品を仮固定する仮固定工程と、
前記基板を加熱し、前記プリフォームはんだまたは電子部品を前記基板と接合する接合工程と、
を含む電子デバイスの製造方法
が提供される。
また、本発明によれば、フラックスをプリフォームはんだや電子部品の仮固定のために用いる、実用上有用な電子デバイスの製造方法が提供される。
図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応しない。
本明細書における「電子デバイス」の語は、半導体チップ、半導体素子、プリント配線基板、電気回路ディスプレイ装置、情報通信端末、発光ダイオード、物理電池、化学電池など、電子工学の技術が適用された素子、デバイス、最終製品等を包含する意味で用いられる。
本明細書において、単位「gf」は、力の単位であるグラム重を表す。1gf=9.8g・m/s2である。
本実施形態のフラックスは、ロジン化合物と、2種類以上の有機溶剤と、を含む。
本実施形態のフラックスは、通常、はんだ付けに用いられる。
本実施形態のフラックスは、通常、はんだ粉末とフラックスとを予め混合したはんだペーストには適用されない。本実施形態のフラックスは、はんだ合金を含まず、はんだ合金とは別に、はんだ合金を含まない形で基板(電極等)に塗布される。
本実施形態のフラックス中の、ロジン化合物の含有比率は30質量%超である。
本実施形態のフラックスの、B型粘度計を用いて20℃で測定される粘度は、2000mPa・s以下である。
本実施形態のフラックスを、以下の手順1で測定したときのタック力Tは、50gf以上、好ましくは50~500gf、より好ましくは100~400gf、さらに好ましくは200~400gfである。
[手順1]
(1)少なくとも一方の面に、直径7mm、深さ0.2mmの円形のくぼみが設けられた、NiメッキされたAlプレートの上記一方の面に、上記くぼみがちょうど埋まる量のフラックスを塗布する。
(2)フラックスが塗布された上記Alプレートを、50℃で15分間加熱処理する。
(3)加熱処理された上記Alプレートを室温まで放冷後、上記くぼみ内に存在するフラックスのタック力Tを、タッキネステスターを用いて、プレスタイム:0.2sec、プレス圧:50gf、侵入速度:2.0mm/sec、引離速度:10mm/secの条件で測定する。
検討の結果、(i)フラックスの全成分(有機溶剤を含む)中のロジン化合物の比率が、低温における仮固定性と関係しているらしいことを本発明者は知見した。特に、ロジン化合物の比率が比較的大きいほうが、良好な仮固定性が得られるらしいことを本発明者は知見した。詳細は不明であるが、ロジン化合物の比率が比較的大きいフラックスを用いると、比較的厚い塗膜を形成可能であることが、良好な仮固定性と関係している可能性がある。つまり、ロジン化合物の比率が比較的大きいフラックスを用いることで、基板上に「十分多い量」の湿ったロジンが存在することとなるために、良好な仮固定性が得られると推測される。
また、検討の結果、(ii)塗布したフラックスを50℃程度の一定温度で一定時間加熱した後のタック力の大きさが、室温程度の比較的低温における仮固定性と関係しているらしいことを、本発明者は知見した。
さらに、フラックスを基板上に均一に塗布可能とすることにより確実に仮固定性を得る観点などから、本発明者は、(iii)フラックスの粘度を適切に設計する必要があるとも考えた。
・フラックスの全成分(有機溶剤を含む)中のロジン化合物の含有比率が、30質量%超であること(上記(i)に対応)、
・B型粘度計を用いて20℃で測定される粘度が2000Pa・s以下であること(上記(iii)に対応)、および、
・上述の手順1で測定したタック力Tが50gf以上であること(上記(ii)に対応)、
本実施形態のフラックスは、ロジン化合物を含む。
ロジン化合物として具体的には、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等の原料ロジンを挙げることができる。
また、ロジン化合物として、上記のような原料ロジンから得られる誘導体も挙げることができる。誘導体としては、例えば、精製ロジン、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、酸変性ロジン、フェノール変性ロジン、α,β不飽和カルボン酸変性物(アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等)も挙げることができる。
さらに、重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物や、α,β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物等も挙げられる。
前述のように、フラックス中のロジン化合物の比率は、有機溶剤を含むフラックス全体を基準(100質量%)として、30質量%超である。この比率は、好ましくは30.5質量%以上、より好ましくは31質量%である。また、フラックス中のロジン化合物の比率は、フラックスの適度な塗布性などの観点から、通常80質量%以下、より好ましくは78質量%以下、さらに好ましくは75質量%以下である。
本実施形態のフラックスは、2種以上の有機溶剤を含む。
低揮発性有機溶剤と高揮発性有機溶剤の揮発性の差は、相対的なものである。具体的には、低揮発性有機溶剤の20℃における蒸気圧をpLとし、高揮発性有機溶剤の20℃における蒸気圧をpHとしたとき、pL<pHであり、pH-pLの値は好ましくは5Pa以上、より好ましくは6Pa以上、さらに好ましくは7Pa以上である。pH-pLの値の上限値は特に無いが、pH-pLの値の上限値は、通常10000Pa、具体的には5000Pa程度である。
また、低揮発性有機溶剤に加え、高揮発性有機溶剤も用いることで、低揮発性有機溶剤のみを含むフラックスよりもフラックスの粘度を低下させ、フラックスを電極に塗布する際の塗布性を高めることができる。すなわち、低揮発性有機溶剤と高揮発性有機溶剤の併用により、電極へフラックスを塗布する際の良好な塗布性と、フラックスの塗布後における適度な粘着力の維持とを両立することができる。
さらに、高揮発性有機溶剤を用いることで、最終的に得たい仮固定性を大きく変えることなく、フラックスを塗布しやすい粘度に容易に調整可能である。
低揮発性有機溶剤としては、高純度品の入手容易性、ロジン化合物との相性などの点で、エーテル系溶剤またはアルコール系溶剤が好ましい。
高揮発性有機溶剤としては、高純度品の入手容易性、ロジン化合物との相性などの点で、エーテル系溶剤またはアルコール系溶剤が好ましい。
ただし、溶剤の入手容易性や調製のしやすさ、取扱性などの観点から、低揮発性有機溶剤の20℃における蒸気圧pLは、好ましくは5Pa以下、より好ましくは0.1~5Pa、さらに好ましくは0.5~5Paである。また、高揮発性有機溶剤の20℃における蒸気圧pHは、好ましくは6Pa超、より好ましくは10Pa以上、さらに好ましくは15~10000Pa、より好ましくは15~5000Paである。
(i)まず、20℃における蒸気圧が5Pa超のものを高揮発性有機溶剤と、5Pa以下のものを低揮発性有機溶剤と判別する。
(ii)上記(i)で判別した全ての高揮発性有機溶剤と低揮発性有機溶剤の組み合わせで、蒸気圧差を算出する。そして、算出された数値の全てが5Pa以上である場合のみ、 pH-pLの値が5Pa以上に該当するとみなす。
例えば、20℃における蒸気圧が5Pa超の有機溶剤3種(有機溶剤1,2および3)と、20℃における蒸気圧が5Pa以下の低揮発性有機溶剤1種(有機溶剤4)をフラックスが含む場合、有機溶剤1-有機溶剤4、有機溶剤2-有機溶剤4、有機溶剤3-有機溶剤4の個別での蒸気圧差3つ全てが5Pa以上の場合、pH-pLの値が5Pa以上であるとみなす。
有機溶剤の比率の下限は、フラックス全体を基準(100質量%)として、例えば25質量%以上、好ましくは30質量%以上、より好ましくは35質量%以上である。
フラックスの電極への塗布性などの点で、本実施形態のフラックスの粘度(B型粘度計を用い、20℃で測定される)は、2000mPa・s以下である。より良好な塗布性などの観点から、粘度の上限は、好ましくは1500mPa・s以下、より好ましくは1000mPa・s以下、さらに好ましくは700mPa・s以下である。
また、例えばフラックスを基板に塗布した後に形成される膜の厚みを適切とし、より良好な仮固定性を得る観点から、粘度の下限は、例えば1mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上である。
フラックスの粘度は、(i)ロジン化合物の量や種類を変更することや、(ii)上述の低揮発性有機溶剤や高揮発性有機溶剤の種類や量比を変えることにより調整可能である。粘度が最適化されることにより、良好な塗布性を得つつ、塗布後においては良好な仮固定性を得ることができる。
市場で流通しているB型粘度計には、通常、適切なローターの選択方法や適切な回転数の設定方法を記載した仕様書・説明書が付属している。よって、その記載を参考にして、ローターを選択し、かつ、回転数を設定するようにすることが好ましい。
例えば、後掲の実施例で粘度測定に用いている東機産業社製のB型粘度計(型番:TVB-15)には、ローター毎に、回転数0.3~60rpmで測定できる粘度上限値を記載した仕様書が付属している。測定は粘度上限値の近くで行われるほど精度の点で有利であるため、必要に応じて予備測定を行いつつ、できるだけ高精度の粘度測定が可能なローターと回転数を選択することが好ましい。
本実施形態のフラックスは、有機酸、アミン、界面活性剤、ハロゲン化物(有機ハロゲン化合物、アミンハロゲン化水素酸塩)などのうち1または2以上の添加成分を含んでもよいし、含まなくても(含有量0%でも)よい。これらは、活性剤として、はんだ付け性向上に寄与しうる。
例えば、オレイン酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
有機酸を用いる場合、その量は、有機溶剤を含むフラックス全体を基準(100質量%)として、例えば0質量%超10質量%以下、好ましくは0.01~10質量%、より好ましくは0.05~5質量%である。
アミンを用いる場合、その量は、有機溶剤を含むフラックス全体を基準(100質量%)として、例えば0質量%超10質量%以下、好ましくは0.01~10質量%、より好ましくは0.05~5質量%である。
アミンハロゲン化水素酸塩のアミンとしては、上述したアミンを用いることができ、エチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール等が挙げられる。ハロゲン化水素としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素の水素化物(塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、フッ化水素)が挙げられる。また、アミンハロゲン化水素酸塩に代えて、あるいはアミンハロゲン化水素酸塩と合わせてホウフッ化物を含んでもよく、ホウフッ化物としてホウフッ化水素酸等が挙げられる。
アミンハロゲン化水素酸塩としては、アニリン塩化水素、シクロヘキシルアミン塩化水素、アニリン臭化水素、ジフェニルグアニジン臭化水素、ジトリルグアニジン臭化水素、エチルアミン臭化水素等が挙げられる。
ハロゲン化物を用いる場合、その量は、有機溶剤を含むフラックス全体を基準(100質量%)として、例えば0質量%超10質量%以下、好ましくは0.01~10質量%、より好ましくは0.05~5質量%である。
好ましい界面活性剤の一例として、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。フッ素系界面活性剤の例としては、AGC社製「サーフロン」シリーズ、スリーエム社製「フロラード」シリーズ、DIC社製「メガファック」シリーズなどが挙げられる。
好ましい界面活性剤の別の例として、アクリル系界面活性剤を挙げることができる。アクリル系界面活性剤の例としては、共栄社化学株式会社製「ポリフロー」シリーズなどが挙げられる。
好ましい界面活性剤のさらに別の例として、ポリエーテル系界面活性剤を挙げることができる。ポリエーテル系界面活性剤の例としては、日本乳化剤株式会社製「ニューコール」シリーズなどが挙げられる。
界面活性剤を用いる場合、その量は、有機溶剤を含むフラックス全体を基準(100質量%)として、例えば0質量%超5質量%以下、好ましくは0.01~3質量%、より好ましくは0.05~2質量%である。
本実施形態のフラックスを用いて、電子デバイスを製造することができる。
電極上に上述したフラックスを塗布する塗布工程と、
フラックスを塗布した上記電極上に、プリフォームはんだまたは電子部品を仮固定する仮固定工程と、
上記電極を加熱し、前記プリフォームはんだまたは電子部品を上記電極と接合する接合工程と、
を含む一連の工程により、電子デバイスを製造することができる。
塗布工程においては、例えば、電極が設けられた基板1(電極は不図示)の、少なくとも電極上に、フラックスを塗布する。これにより、フラックスの塗膜3を設ける。
電極上には、予め、はんだめっきがされていてもよい。この場合、後述の仮固定工程においては、プリフォームはんだではなく電子部品を仮固定する。
乾燥工程は、室温で行われてもよいし、加熱することにより行われてもよい。また、減圧によりフラックス中の有機溶剤の乾燥を促してもよい。加熱する場合、加熱条件は、例えば40~100℃で1~20分程度とすることができる。
仮固定工程においては、フラックスが塗布された基板(電極)上に、プリフォームはんだまたは電子部品5を置いて、仮固定する。
プリフォームはんだを仮固定する場合、その形状、大きさなどは特に限定されず、基板上にある電極の形状や大きさに応じて適宜選択すればよい。また、プリフォームはんだの合金組成も特に限定されず、種々の目的に応じて適当な合金組成を選択すればよい。
電子部品を仮固定する場合、電子部品にはんだをはんだ付けしておくか、または、付着させておくことが好ましい。ただし、基板(電極)上に予めはんだをめっきしておいた場合には、必ずしも、電子部品にはんだをはんだ付けまたは付着させておかなくてもよい。
上述のフラックスを用いることで、仮固定工程を、室温付近の比較的低温(例えば20~40℃)で行った場合でも、十分な仮固定性を得ることができる。
接合工程においては、基板(電極)を加熱し、プリフォームはんだまたは電子部品5を電極と接合する。接合工程は、例えば、リフロー炉を用いてはんだを溶融させることにより行うことができる。
[手順1]のようにして測定されるタック力Tが50gf以上となるフラックスは、基板上に塗布されてから、ある程度長い時間、プリフォームはんだ等の仮固定能を維持する(塗布後、ある程度長い時間が経過しても、比較的大きなタック力を示す)。この性質は、工業的な電子デバイスの製造において好ましい性質である。なぜならば、電子デバイスの製造においては、流れ作業の都合上、フラックス等を基板に塗布してからプリフォームはんだ等を基板に仮固定するまでの間にある程度の時間が空くことが多いためである。
各工程間の時間について、念のため補足しておく。
塗布工程と仮固定工程との間の時間は、例えば30秒~200分、具体的には1分~120分である。本実施形態においては、タック力Tが50gf以上のフラックスを用いることにより、塗布工程と仮固定工程との間の時間がある程度長くても、プリフォームはんだ等を十分に強く仮固定することができる。
また、仮固定工程と接合工程との間の時間は、例えば30秒~60分、具体的には1分~30分である。本実施形態においてはタック力Tが50gf以上のフラックスを用いることにより、仮固定工程と接合工程との間の時間がある程度長くても、プリフォームはんだ等を十分に強く仮固定したままとすることができる。
以下、参考形態の例を付記する。
1.
ロジン化合物と、2種以上の有機溶剤と、を含み、はんだ合金を含まず、はんだ合金を含まない形で基板上に塗布して用いるフラックスであって、
前記ロジン化合物の含有比率は30質量%超であり、
B型粘度計を用いて20℃で測定される粘度が2000mPa・s以下であり、
以下の手順1で測定したタック力Tが50gf以上であるフラックス。
[手順1]
(1)少なくとも一方の面に、直径7mm、深さ0.2mmの円形のくぼみが設けられた、NiメッキされたAlプレートの前記一方の面に、前記くぼみがちょうど埋まる量のフラックスを塗布する。
(2)フラックスが塗布された前記Alプレートを、50℃で15分間加熱処理する。
(3)加熱処理された前記Alプレートを室温まで放冷後、前記くぼみ内に存在するフラックスのタック力Tを、タッキネステスターを用いて、プレスタイム:0.2sec、プレス圧:50gf、侵入速度:2.0mm/sec、引離速度:10mm/secの条件で測定する。
2.
1.に記載のフラックスであって、
前記有機溶剤は、20℃における蒸気圧がpLである低揮発性有機溶剤と、20℃における蒸気圧がpH(ただし、pL<pH)である高揮発性有機溶剤とを少なくとも含み、
pH-pLの値が5Pa以上であるフラックス。
3.
2.に記載のフラックスであって、
前記ロジン化合物と前記低揮発性有機溶剤の合計に対する、前記低揮発性有機溶剤の割合が3~30質量%であるフラックス。
4.
1.~3.のいずれか1つに記載のフラックスであって、
さらに、有機酸を含むフラックス。
5.
1.~4.のいずれか1つに記載のフラックスであって、
さらに、アミン化合物を含むフラックス。
6.
1.~5.のいずれか1つに記載のフラックスであって、
さらに、界面活性剤を含むフラックス。
7.
1.~6.のいずれか1つに記載のフラックスであって、
さらに、有機ハロゲン化合物およびアミンハロゲン化水素酸塩からなる群より選ばれる少なくともいずれかのハロゲン化物を含むフラックス。
8.
1.~7.のいずれか1つに記載のフラックスであって、
プリフォームはんだまたは電子部品を基板に仮固定する用途に用いられるフラックス。
9.
基板上に1.~8.のいずれか1つに記載のフラックスを塗布する塗布工程と、
前記フラックスを塗布した前記基板上に、プリフォームはんだまたは電子部品を仮固定する仮固定工程と、
前記基板を加熱し、前記プリフォームはんだまたは電子部品を前記基板と接合する接合工程と、
を含む電子デバイスの製造方法。
10.
9.に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記基板上に設けられた前記フラックスの塗膜の厚みは、5~250μmである、電子デバイスの製造方法。
11.
9.または10.に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記塗布工程は、スピンコート、スプレー、印刷、スリットコートまたは刷毛のいずれか1つ以上の方法により行われる、電子デバイスの製造方法。
以下の各表に示される成分を均一に混合して、実施例1~3、参考例、実施例5~7および比較例1~3のフラックスを調製した。各成分については商業的に入手可能なものを市場で購入して用いた。
各表において、配合量の単位は質量%を表す。
(タック力Tの測定)
前述の[手順1]の(1)~(3)に沿って、各フラックスのタック力Tを測定した。
・NiメッキされたAlプレートとしては、直径7mm、深さ0.2mmの円形のくぼみが少なくとも5つ設けられたものを用いた。そして、5つのくぼみそれぞれでタック力を測定し、その加算平均値をタック力Tとして採用した。
・(1)における塗布方法:少し多めの量のフラックスをくぼみに塗布し、その後、ヘラをプレートに接触させた状態でスライドさせて、余分なフラックスを取り除いた。このようにして、2.45πmm3(πは円周率)にできるだけ近い量のフラックスがくぼみに入るようにした。
・タック力の測定は、JIS Z 3284-3に準拠して、Malcom社製のタッキネステスター(型番:TK-1)を用い、プレスタイム:0.2sec、プレス圧:50gf、侵入速度:2.0mm/sec、引離速度:10mm/secの条件の定圧侵入方式で行った。タッキネステスターのプローブの素材はSUS(ステンレス)、直径は5.1mmであった。
・タック力の測定は、25℃、50%RHの条件下で行った。
東機産業社製のB型粘度計、型番:TVB-15を用い、各実施例・参考例・比較例のフラックスについて、20℃での粘度を測定した。具体的には、各実施例、参考例および比較例について、以下条件で測定した。
・実施例1、参考例、実施例5、比較例1、2:回転数:60rpm、ローター:L/Adp(No.19)
・実施例2:回転数:30rpm、ローター:M1(No.20)
・実施例3:回転数:12rpm、ローター:L/Adp(No.19)
・実施例6、7:回転数:30rpm、ローター:M2(No.21)
・比較例3:回転数:12rpm、ローター:M2(No.21)
参考までに、装置に付属の仕様書に記載された。上記各条件で測定できる粘度上限値を以下に示しておく。
回転数:60rpm、ローター:L/Adp(No.19)・・・10mPa・s
回転数:30rpm、ローター:M1(No.20)・・・200mPa・s
回転数:12rpm、ローター:L/Adp(No.19)・・・50mPa・s
回転数:30rpm、ローター:M2(No.21)・・・1000mPa・s
回転数:12rpm、ローター:M2(No.21)・・・2500mPa・s
(プリフォームはんだ(はんだペレット)の仮固定性、および、塗布性)
以下手順により評価した。
(1)縦50mm×横50mm×厚さ0.3mmの銅板の片面全面に、75±15mgのフラックスを、刷毛で塗布した。
(2)(1)でフラックスが塗布された銅板を、室温(25℃)で20分間静置した。(これにより、フラックス中の高揮発性有機溶剤の少なくとも一部を揮発させた。)
(3)銅板のフラックスが塗布された面上に、はんだペレット(縦2mm×横2mm、厚み100μm、組成:3.0質量%Sn-1.0質量%Ag-残部Pb)5個を、ピンセットを用いて静かに置いた。
(4)1分間放置後、図2に示すように、垂直にした銅板を150mmの高さから落下させて衝撃を加えた。落下は3回繰り返した。銅板を落下させる際の銅板の向きは「垂直」とした(図2も参照されたい)。
(5)(4)の後、銅板上のペレットのズレを確認した。3回の落下を経ても5個全てのペレットの位置がズレずに仮固定されたままであった場合を仮固定性「良好」、1~3回目の落下において5個のペレットのうち1つでもズレたり取れたりした場合を仮固定性「不良」とした。
(6)また、上記(1)において、刷毛で特に問題なくフラックスを十分均一に塗布できたものを、塗布性「良好」とした。
JIS Z 3197:2012の8.3.1.1に記載の方法にて評価した。ただし、試験片は銅板(酸化処理なし)を使用した点は、JIS記載の条件から変更した。
広がり率が50%以上であった場合を良好とした。
なお、実施例1~3、参考例および実施例5~7のフラックスの、刷毛による塗布性は良好であった。
3 フラックスの塗膜
5 プリフォームはんだまたは電子部品
Claims (10)
- ロジン化合物と、2種以上の有機溶剤と、を含み、はんだ合金を含まず、はんだ合金を含まない形で基板上に塗布した後、前記基板上に、プリフォームはんだまたは電子部品を仮固定するのに用いられるフラックスであって、
前記ロジン化合物の含有比率は30質量%超であり、
B型粘度計を用いて20℃で測定される粘度が1000mPa・s以下であり、
以下の手順1で測定したタック力Tが200~500gfであるフラックス。
[手順1]
(1)少なくとも一方の面に、直径7mm、深さ0.2mmの円形のくぼみが設けられた、NiメッキされたAlプレートの前記一方の面に、前記くぼみがちょうど埋まる量のフラックスを塗布する。
(2)フラックスが塗布された前記Alプレートを、50℃で15分間加熱処理する。
(3)加熱処理された前記Alプレートを室温まで放冷後、前記くぼみ内に存在するフラックスのタック力Tを、タッキネステスターを用いて、プレスタイム:0.2sec、プレス圧:50gf、侵入速度:2.0mm/sec、引離速度:10mm/secの条件で測定する。 - 請求項1に記載のフラックスであって、
前記有機溶剤は、20℃における蒸気圧がpLである低揮発性有機溶剤と、20℃における蒸気圧がpH(ただし、pL<pH)である高揮発性有機溶剤とを少なくとも含み、
pH-pLの値が5Pa以上であるフラックス。 - 請求項2に記載のフラックスであって、
前記ロジン化合物と前記低揮発性有機溶剤の合計に対する、前記低揮発性有機溶剤の割合が3~30質量%であるフラックス。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のフラックスであって、
さらに、有機酸を含むフラックス。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載のフラックスであって、
さらに、アミン化合物を含むフラックス。 - 請求項1~5のいずれか1項に記載のフラックスであって、
さらに、界面活性剤を含むフラックス。 - 請求項1~6のいずれか1項に記載のフラックスであって、
さらに、有機ハロゲン化合物およびアミンハロゲン化水素酸塩からなる群より選ばれる少なくともいずれかのハロゲン化物を含むフラックス。 - 基板上に請求項1~7のいずれか1項に記載のフラックスを塗布する塗布工程と、
前記フラックスを塗布した前記基板上に、プリフォームはんだまたは電子部品を仮固定する仮固定工程と、
前記基板を加熱し、前記プリフォームはんだまたは電子部品を前記基板と接合する接合工程と、
を含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項8に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記基板上に設けられた前記フラックスの塗膜の厚みは、5~250μmである、電子デバイスの製造方法。 - 請求項8または9に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記塗布工程は、スピンコート、スプレー、印刷、スリットコートまたは刷毛のいずれか1つ以上の方法により行われる、電子デバイスの製造方法。
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