TW201934667A

TW201934667A - 助焊劑與焊膏

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Publication number: TW201934667A
Application number: TW107132564A
Authority: TW
Inventors: 柴崎正訓; 杉本淳; 坂本伊佐雄
Original assignee: 日商田村製作所股份有限公司
Priority date: 2017-09-21
Filing date: 2018-09-17
Publication date: 2019-09-01
Also published as: JP2019055428A; JP6781218B2; TWI778132B

Abstract

提供助焊劑及焊膏。提供助焊劑及焊膏，其係以抑制焊膏回流焊時助焊劑的流動性降低的方式，而能抑制於所形成的焊料接合部、焊料凸塊內所會產生的空隙之產生，並且能抑制焊料凸塊形成時的凸塊遺失的產生。

一種助焊劑，其特徵在於，包含松香系樹脂、活性劑、觸變劑、以及溶劑，且包含1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇作為前述溶劑，前述一元醇的混配量相對於助焊劑總量為30質量%以上且60質量%以下。

Description

助焊劑與焊膏

本發明關於助焊劑及使用其的焊膏。

作為在印刷電路板、矽晶圓之類的基板上所形成的電子電路上接合電子部件的接合材料，主要使用焊料合金。

作為使用該焊料合金的接合方法，存在例如如下方法：將焊料合金粉末與助焊劑混合而成的焊膏印刷到基板上來進行的方法或者是使用在基板上形成的由焊料合金形成的焊料凸塊來進行的方法。另外，焊膏也有時用於前述焊料凸塊的形成。

焊膏中所使用一般的助焊劑藉由將松香等樹脂作為主成分，將活性劑及觸變劑等在溶劑中熔融而製作。但是，使用以往的助焊劑的焊膏的情況下，有著在電極上印刷焊膏後的回流焊工序時，於所形成的焊料接合部產生空隙的問題。該空隙導致接合部與基板或電子部件之類的被接合部之間的接合性降低、散熱性降低，而成為引起電子設備或半導體的可靠性降低的原因。

另外，近年來，作為使用焊膏形成焊料凸塊的方法，使用乾膜工藝。利用該工藝時，首先，在形成有指定的電子電路、或指定的電子電路和絕緣層的基板上黏貼乾膜，進行指定圖案的曝光和顯影。由此，在乾膜的抗蝕劑成分之中，將想要形成焊料凸塊的部分(電極部上)的抗蝕劑成分去除，在基板上形成指定圖案的乾膜層，同時形成周圍被該乾膜層包圍的區域(開口部)。接著，進行印刷來在上述開口部內填充焊膏，在該狀態下進行回流焊，形成焊料凸塊。另外在其後，去除乾膜層和形成在焊料凸塊附近的助焊劑殘渣。

使用該乾膜工藝形成焊料凸塊的情況下，與其他凸塊形成方法相比，容易發生如下的現象：變得容易產生焊料凸塊內的空隙的現象、助焊劑殘渣去除時焊料凸塊從基板上消失的遺失凸塊現象。

焊料凸塊內的空隙被認為原因是由回流焊時進入到熔融焊料合金內且未排出的助焊劑成分而導致的。另外，遺失凸塊被認為原因是由回流焊時的助焊劑的流動性降低，從而熔融的焊料合金無法充分到達至開口部的底部，並且助焊劑積存在該底部而成為殘渣而導致的。其起因於在回流焊時助焊劑中所含的溶劑揮發，因此助焊劑的黏度上升，助焊劑的流動性降低。

此外，由乾膜工藝形成焊料凸塊的情況下，形成開口部的乾膜層的膜厚與其他方法中使用的遮罩相比多半更厚。因此被認為在這種情況下，從乾膜層表面起至開口部底面為止的高度(開口部的深度)變得更高，一來熔融的焊料合金難以流動至開口部的底部，助焊劑會容易積存在該底部，因而變得更容易產生遺失凸塊。

作為抑制遺失凸塊產生的方法，例如公開了具有在減壓下供給至開口部並在大氣壓下填充於該開口部的黏性、調整黏度及觸變比且使用了沸點為240℃以上的溶劑的焊膏(參照專利文獻1)。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開公報WO2012/173059

專利文獻1中公開的焊膏，係在開口部微細的情況下抑制了因無法充分填充焊膏而引起的遺失凸塊的產生。另外，其為了在開口部充分填充焊膏而以在焊膏的印刷時將基板所放置的環境在減壓下與大氣壓下切換作為前提，進而，就回流焊時的空隙抑制效果既無公開也無暗示。

本發明的目的是解決這些問題，且與藉由抑制焊膏的回流焊時的助焊劑的流動性降低，從而能夠抑制形成的焊料接合部、焊料凸塊內發生的空隙產生，並且能夠抑制焊料凸塊形成時的遺失凸塊的發生的助焊劑及使用其的焊膏相關。

本發明為了實現上述目的而具有以下的構成作為其特徵。

(1)本發明的助焊劑的特徵在於，其包含松香系樹脂、活性劑、觸變劑、以及溶劑，且包含1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇作為前述溶劑，前述一元醇的混配量相對於助焊劑總量為30質量%以上且60質量%以下。

(2)根據上述(1)所述的構成，其特徵在於，前述一元醇的1分子中所含的碳數為18以上且20以下。

(3)根據上述(1)或(2)所述的構成，其特徵在於，前述一元醇為支鏈型醇或不飽和醇。

(4)根據上述(1)至(3)中任一項所述的構成，其特徵在於，前述一元醇選自油醇、異十八醇、異二十醇、2-辛基十二醇或2-癸基十四醇的至少一種。

(5)根據上述(1)至(4)中任一項所述的構成，其特徵在於，本發明的助焊劑按照以升溫速度2℃/秒的條件自常溫升溫至峰值溫度260℃、達到該峰值溫度後以降溫速度2℃/秒的條件冷卻之回流焊條件進行了加熱後的黏度為30Pa．s以下。

(6)本發明的焊膏的特徵在於，包含上述(1)至(5)中任一項所述的助焊劑、以及焊料合金粉末。

(7)本發明的焊料凸塊的形成方法的特徵在於，在基板上形成電極部和第一絕緣層，在前述第一絕緣層上形成第二絕緣層，來在前述電極部上形成開口區域，印刷上述(6)所述的焊膏來填充於前述電極部上的開口區域中的方式，對於在前述電極部上的開口區域填充有前述焊膏的前述基板進行加熱而在前述基板上形成助焊劑殘渣，藉由去除前述助焊劑殘渣和前述第二絕緣層，形成焊料凸塊。

本發明的助焊劑及使用其的焊膏藉由抑制焊膏的回流焊時的助焊劑的流動性降低，從而能夠抑制形成的焊料接合部、焊料凸塊內產生的空隙的發生，另外能夠抑制焊料凸塊形成時的遺失凸塊的產生。

1‧‧‧基板

2‧‧‧電極

3‧‧‧絕緣層

4‧‧‧乾膜層

5‧‧‧開口部

圖1為顯示出實施例及比較例的焊膏的空隙試驗、遺失凸塊試驗以及本發明的實施例及比較例的助焊劑的加熱(回流焊)後的黏度測量時的溫度曲線的圖。

圖2為實施例及比較例的焊膏的空隙試驗及遺失凸塊試驗時的形成焊料凸塊的基板的示意圖。

以下，對於本發明的助焊劑及焊膏的一實施方式進行詳細說明。另外，本發明本來就不限定於該實施方式。

1.助焊劑

本實施方式的助焊劑包含松香系樹脂、活性劑、觸變劑、以及溶劑。

作為前述松香系樹脂，例如可列舉出妥爾油松香、脂松香、木松香等松香；氫化松香、聚合松香、歧化松香、丙烯酸改性松香、馬來酸改性松香、甲醯化松香等松香衍生物等。

另外，這些松香系樹脂之中，宜使用軟化點為100℃以下的松香系樹脂。藉由使用低軟化點的松香系樹脂，能提高助焊劑在加熱(回流焊)時的流動性，因此焊料合金(粉末)變得容易沉降，由此能夠提高抑制遺失凸塊產生的效果。

前述松香系樹脂的混配量相對於助焊劑總量宜為25質量%以上且50質量%以下、更宜為30質量%以上且40質量%以下。

作為前述活性劑，可列舉出例如有機胺的鹵化氫鹽等胺鹽(無機酸鹽、有機酸鹽)、有機酸、有機酸鹽、有機胺鹽、溴化鹵素化合物等。具體而言，可列舉出例如二乙胺鹽、酸鹽、琥珀酸、己二酸、癸二酸、戊二酸、二苯胍氫溴酸鹽、環己胺氫溴酸鹽、溴化三烯丙基異氰脲酸酯、三(2,3-二溴丙基)異氰脲酸酯、聚8,13-二甲基-8,12-二十碳二酸酐等。這些之中，特別宜使用聚8,13- 二甲基-8,12-二十碳二酸酐作為前述活性劑。聚8,13-二甲基-8,12-二十碳二酸酐在常溫下為液狀，而且是長鏈狀的化合物，因此高溫下的穩定性優異，能夠提高抑制空隙產生的效果及抑制遺失凸塊產生的效果。另外，它們可以單獨使用也可以組合使用多種。

前述活性劑的混配量根據其他成分及使用的無鉛焊料合金而異，一般相對於助焊劑總量為20質量%以下。

作為前述觸變劑，例如可列舉出氫化蓖麻油、雙醯胺系觸變劑(飽和脂肪酸雙醯胺、不飽和脂肪酸雙醯胺、芳香族雙醯胺等)、二甲基二亞苄基山梨糖醇等。

它們之中特別宜使用氫化蓖麻油作為前述觸變劑。氫化蓖麻油與其它觸變劑相比軟化點低，因此能夠提高助焊劑在加熱(回流焊)時的流動性。因此，焊料合金(粉末)變得容易沉降，由此能夠提高抑制遺失凸塊產生的效果。

另外，它們可以單獨使用也可以組合使用多種。

前述觸變劑的混配量相對於助焊劑總量宜為3質量%以上且10質量%以下、更宜為5質量%以上且8質量%以下。

作為前述溶劑，可列舉出醇系、乙醇系、丙酮系、甲苯系、二甲苯系、乙酸乙酯系、乙基溶纖劑系、丁基溶纖劑系、二醇醚系、酯系等。它們可以單獨使用也可以組合使用多種。

本實施方式的助焊劑宜包含1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇作為前述溶劑。

這種一元醇即使在加熱(回流焊)溫度高的情況下也具有難以揮發的性質。因此，會抑制加熱(回流焊)時的溶劑的揮發量，且會抑制助焊劑的流動性降低。由此，助焊劑的成分變得難以進入到加熱(回流焊)時熔融的焊料合金內，能夠抑制空隙的產生。

另外，焊料凸塊的形成中，在加熱(回流焊)時熔融的焊料合金也變得容易流動到開口部的底部，也能夠抑制遺失凸塊的產生。這在由開口部的深度更深的乾膜工藝來形成焊料凸塊時也是同樣的，在這種工藝中也能夠抑制遺失凸塊的產生。

另外，作為抑制加熱(回流焊)時的助焊劑的流動性降低的方法，也會考慮使用沸點高的(高溫度下的揮發量少的)酯系溶劑。

但是，這種酯系溶劑多半與活性劑、觸變劑之類的其他助焊劑成分的溶解性差。因此，通常必須與這種酯系溶劑一同使用溶解性高且沸點低的其他溶劑，多半才能作為助焊劑使用。

但是，本實施方式的助焊劑藉由包含1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇作為前述溶劑，而不必與沸點低的其他溶劑一同使用，即使單獨使用也能夠抑制加熱(回流焊)時的助焊劑的流動性降低。但是，並非排除該一元醇與其它溶劑一同使用，仍可以適當地組合使用。

另外，前述一元醇的1分子中所含的碳數宜為18以上且20以下。

另外，前述一元醇宜為支鏈型醇或不飽和醇。

作為前述一元醇，例如可列舉出油醇、異十八醇、異二十醇、2-辛基十二醇、2-癸基十四醇等。它們之中，宜使用油醇、異十八醇、異二十醇及2-辛基十二醇、特別宜使用2-辛基十二醇。它們可以單獨使用也可以組合使用多種。

前述溶劑的混配量相對於助焊劑總量宜為30質量%以上且60質量%以下、更宜為40質量%以上且50質量%以下。

另外，前述一元醇的混配量相對於助焊劑總量宜為30質量%以上且60質量%以下、較宜為35質量%以上且55質量%以下、更宜為40質量%以上且50質量%以下。藉由將前述一元醇的混配量設為該範圍，較能夠提高焊料凸塊的空隙抑制效果。

本實施方式的助焊劑中，係出於抑制焊料合金粉末的氧化的目的，而可以配混抗氧化劑。

作為前述抗氧化劑，可列舉出例如受阻酚系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、雙酚系抗氧化劑、聚合物型抗氧化劑等。它們之中特別宜使用受阻酚系抗氧化劑。

前述抗氧化劑並非限定於它們，另外，其混配量並沒有特別限定。其通常的混配量相對於助焊劑總量為0.5質量%至5質量%左右。

本實施方式的助焊劑中也可以進一步添加鹵素、消光劑、消泡劑等添加劑。前述添加劑的混配量相對於助焊劑總量宜為10質量%以下、更宜的混配量為5質量%以下。

本實施方式的助焊劑按照圖1所示的溫度曲線那樣，以升溫速度2℃/秒的條件自常溫升溫至峰值溫度260℃、達到該峰值溫度後以降溫速度2℃/秒的條件冷卻之回流焊條件進行了加熱後的黏度宜為30Pa．s以下。另外，該黏度更宜為25Pa．s以下。

該黏度的測量中，首先，將本實施方式的助焊劑4g放入鋁盤，將其載置在金屬網上，使用回流焊裝置進行回流焊。回流焊條件依照圖1所示的溫度曲線(上述回流焊條件)。

將回流焊後的助焊劑恢復至常溫，使用E型黏度計對其進行測量。另外，黏度測量條件設為轉速10rpm、測定溫度25℃。

2.焊膏

本實施方式的焊膏可以藉由公知的方法將本實施方式的助焊劑與焊料合金粉末混合而製作。

作為前述焊料合金粉末，例如可列舉出將Sn、Ag、Cu、Bi、Zn、In、Ga、Sb、Au、Pd、Ge、Ni、Cr、Al、P、In、Pb等組合多個而成的物質。另外，前述焊料合金粉末的合金組成未特別限定，只要不損害本實施方式的焊膏的效果者均可使用。

另外，作為代表性的焊料合金粉末，可以使用Sn-Ag系焊料合金、Sn-Ag-Cu系焊料合金、Sn-Ag-Cu-In系焊料合金、Sn-Cu系焊料合金之類的無鉛焊料合金粉末，也可以使用含鉛的焊料合金粉末。

前述焊料合金粉末的混配量相對於焊膏總量宜為63質量%至93質量%。較宜的混配量為84質量%至92質量%，更宜的混配量為86質量%至90質量%。

3.焊料接合部

作為使用本實施方式的焊膏形成的焊料接合部，例如藉由以下的方法形成。

即，在基板上的預先決定的指定位置印刷前述焊膏，而在該基板上的指定位置搭載電子部件，並藉由將其進行回流焊而形成。如此形成的焊料接合部因為產生的空隙少、具有高的可靠性，而能夠適用於半導體、電子設備等。

4.焊料凸塊

使用本實施方式的焊膏形成的焊料凸塊例如藉由以下的方法形成。

首先，在基板上形成具有指定圖案的電極部及絕緣層。該絕緣層只要能形成液狀的阻焊劑、乾膜等具有指定膜厚之由絕緣成分形成的層，則藉由任意方法製作均可。

接著，將與該圖案對應的金屬遮罩(在電極部上開口)載置到前述基板上來接觸前述絕緣層，並使用刮板等印刷來讓前述焊膏填充到前述電極部上的開口區域。然後，將該基板放入到回流焊裝置，按照指定的溫度曲線進行回流焊。回流焊後，藉由去除在前述基板上殘留的助焊劑成分(助焊劑殘渣)，而形成焊料凸塊。

另外，本實施方式的焊膏也可以使用乾膜工藝形成焊料凸塊。由乾膜工藝形成焊料凸塊的步驟例如如以下所述。

首先，在基板上形成具有指定圖案的電極部及絕緣層。該絕緣層只要可以形成液狀的阻焊劑、乾膜等具有指定膜厚之由絕緣成分形成的層，則藉由任意方法製作均可。

接著，在前述絕緣層上形成乾膜層。該乾膜層藉由在前述基板的指定範圍上黏貼乾膜來接觸絕緣層，並藉由對其進行指定圖案的曝光和顯影而形成。即，藉由曝光和顯影而去除前述乾膜的抗蝕劑成分之中想要形成焊料凸塊部分(電極部上)的抗蝕劑成分，在前述基板上形成指定圖案的乾膜層。另外，由此形成周圍被該乾膜層包圍的區域(開口部)。

然後，使用刮板等印刷來讓前述焊膏填充到前述開口部內。然後，將該基板放入到回流焊裝置中，按照指定的溫度曲線進行回流焊。回流焊後，藉由去除在前述基板上殘留的助焊劑成分(助焊劑殘渣)和前述乾膜層，而形成焊料凸塊。

如此形成的焊料凸塊由於抑制焊膏的回流焊時的助焊劑的流動性降低，因此能夠抑制焊料凸塊內發生的空隙產生，另外能夠抑制焊料凸塊形成時的遺失凸塊的產生。

[實施例]

以下，舉出實施例及比較例詳細說明本發明。另外，本發明不限定於這些實施例。

助焊劑的製作

按照表1所示的組成及配方將各成分混煉，製作實施例1~8及比較例1~7的各助焊劑。另外，表1之中，表示組成的數值的單位在沒有特別記載的情況下為質量%。

接著，將實施例1~8及比較例1~7的助焊劑12質量%與Sn-3Ag-0.5Cu焊料合金粉末(粉末粒徑2μm~8μm：IPC標準Type8)88質量%混合，得到實施例1~8及比較例1~7的焊膏。

※1 完全氫化改性松香(軟化點80℃) Eastman Chemical公司製※2 甲醯化松香(軟化點85~95℃) Harima Chemicals(股)製※3 三(2,3-二溴丙基)異氰脲酸酯日本化成(股)製※4 聚8,13-二甲基-8,12-二十碳二酸酐岡村製油(股)製※5 2-癸基十四醇(碳數24：支鏈型) 新日本理化(股)製※6 2-辛基十二醇(碳數20：支鏈型) 新日本理化(股)製※7 異二十醇(碳數20：支鏈型) 日產化學工業(股)製※8 異十八醇(碳數18：支鏈型) 高級醇工業(股)製※9 2-十六醇(碳數16：支鏈型) 新日本理化(股)製※10 癸二酸雙(2-乙基己酯) 大八化學工業(股)製

<失重率>

對於各溶劑成分，測定220℃下的失重率。

該失重率的測定在以下的條件下進行。即，使用差熱熱重同時測定裝置(產品名：STA7200RV、(股)日立高新技術製)，測定試樣10mg以升溫速度10℃/分鐘在N2(300ml/分鐘)環境下升溫至220℃後的失重率。將其結果顯示於表2。

<空隙試驗>

如圖2所示，在基板1上形成電極2、絕緣層3、乾膜層4及開口部5。具有這種構成的基板1例如藉由以下的方法製作。

首先，在基板1(尺寸：250mm×75mm)上形成具有指定圖案的電極2及絕緣層3。絕緣層3只要可以形成液狀的阻焊劑、乾膜等具有指定膜厚之由絕緣成分形成的層，則藉由任意方法製作均可。另外，將絕緣層3的表面(上表面)的開口直徑做成為直徑85μm。

接著，在絕緣層3上形成乾膜層4。乾膜層4藉由在基板1的指定範圍上黏貼乾膜來接觸絕緣層3(產品名：WB-5040、杜邦公司製)，藉由對其進行指定圖案的曝光和顯影而形成。即，藉由曝光和顯影而去除前述乾膜的抗蝕劑成分之中想要形成焊料凸塊部分(電極2上)的抗蝕劑成分，在基板1上形成指定圖案的乾膜層4。另外，將乾膜層4的高度(厚度)為38μm、寬度做成為35μm，將乾膜層4的表面(上表面)的開口直徑做成為直徑115μm，另外，將間距寬度(圖2的自A至B的距離)為150μm。由此，形成周圍被乾膜層4包圍的區域(開口部5)。

然後，使用聚氨酯刮板，將實施例1~8及比較例1~7的各焊膏印刷於各基板1來填充到開口部5內。另外，印刷次數在一個方向上為10次。

然後，將印刷有各焊膏的各基板1放入回流焊裝置(產品名：TNP25-538EM、(股)田村製作所製)中，按照圖1所示的溫度曲線在氮氣環境下(氧濃度100ppm以下)以無預熱、峰值溫度260℃、升溫速度及降溫速度2℃/秒之條件進行回流焊。然後，在該回流焊後，藉由去除在各基板1上殘留的助焊劑成分(助焊劑殘渣)及乾膜層4，而形成焊料凸塊。

接著，在形成的焊料凸塊上塗布助焊劑(產品名：BF-30、(股)田村製作所製)，在與上述焊料凸塊形成時的回流焊條件相同的條件下進行回流焊，製作各試驗基板。另外，乾膜層4的去除使用剝離液(產品名：CLEANTHROUGH A-04：花王(股)製)，使用超聲波清洗裝置(產品名：ASU-3M、AS ONE(股)製)施加1分鐘振動而進行。另外，設置在各基板1上的焊墊數設為7200個。

對於製作的各試驗基板，使用X射線觀察裝置(產品名：XD7600 Diamond、Nordson Dage公司製)，對於所形成的焊料凸塊之中的約500個藉由目視進行空隙觀察，測量這些焊料凸塊中產生的最大空隙直徑(%)及平均空隙直徑(%)、以及空隙直徑率10%以上的所產生的焊料凸塊的比例(空隙產生率(%))，按照以下的基準進行評價。將其結果示顯於表3。

．最大空隙直徑(%)

◎：最大空隙直徑為0%以上且20%以下

○：最大空隙直徑超過20%且為25%以下

△：最大空隙直徑超過25%且為30%以下

×：最大空隙直徑超過30%

．平均空隙直徑(%)

○：平均空隙直徑為0%以上且15%以下

△：平均空隙直徑超過15%

．空隙產生率(%)

◎◎：空隙產生率為0%以上且25%以下

◎：空隙產生率超過25%且為35%以下

○：空隙產生率超過35%且為45%以下

△：空隙產生率超過45%且為50%以下

×：空隙产生率超過50%

<遺失凸塊試驗>

在與上述空隙試驗同樣的條件下製作各試驗基板。

對於各試驗基板，測量發生了遺失凸塊的焊料凸塊數，按照以下的基準進行評價。將結果示於表3。

○：無遺失凸塊(零發生)

×：有丟失凸塊

<回流焊後的助焊劑黏度>

該黏度的測量中，首先，分別將實施例1~8及比較例1~7的各助焊劑4g放入鋁盤中，將它們載置於金屬網，使用回流焊裝置(產品名：TNP25-538EM、(股)田村製作所製)進行回流焊。另外，回流焊條件依據圖1所示的溫度曲線。

將回流焊後的各助焊劑恢復至常溫，使用E型黏度計(產品名：RE150U、東機產業(股)製)對其進行測量。另外，黏度測量條件設為轉速10rpm、測定溫度25℃。然後對於測量得到的黏度，按照以下的基準進行評價。將其結果示於表3。

◎：15Pa．s以下

○：超過15Pa．s且為25Pa．s以下

△：超過25Pa．s且為30Pa．s以下

×：超過30Pa．s

如以上所示可知，使用各實施例的焊膏而形成的焊料凸塊的空隙試驗的結果(最大空隙直徑、平均空隙直徑及空隙產生率)也良好，而且遺失凸塊的發生抑制也非常良好。可知，特別是1分子中所含的碳數為18以上且24以下、尤其特別是1分子中所含的碳數為18以上且20以下的一元醇的混配量為40質量%以上且50質量%以下的實施例2~6能夠進一步提高抑制空隙產生的效果。

另一方面，使用了220℃下的失重率低的酯系溶劑的比較例1，其他助焊劑成分未完全熔化、而為無法用作助焊劑的狀態。如此，對於比較例1，由於為無法製作助焊劑及焊膏的狀態，因此對於各試驗的評價結果表述為「無法測量」。

另外可知，僅使用了除1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇之外的溶劑的比較例2~4及7難以抑制回流焊時的流動性降低，因此焊料凸塊中的空隙產生率均超過50%，其他空隙試驗結果和/或遺失凸塊試驗的結果也比各實施例的焊膏差。

進而可知，1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇的混配量相對於助焊劑總量不足30質量%的比較例5、及超過60質量%的比較例6中，空隙產生率超過50%。

Claims

一種助焊劑，其特徵在於，包含松香系樹脂、活性劑、觸變劑、以及溶劑，所述助焊劑包含1分子中所含的碳數為18以上且24以下的一元醇作為所述溶劑，所述一元醇的混配量相對於助焊劑總量為30質量%以上且60質量%以下。
如申請專利範圍第1項所述的助焊劑，其特徵在於，所述一元醇的1分子中所含的碳數為18以上且20以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的助焊劑，其特徵在於，所述一元醇為支鏈型醇或不飽和醇。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的助焊劑，其特徵在於，所述一元醇選自油醇、異十八醇、異二十醇、2-辛基十二醇或2-癸基十四醇的至少一種。
如申請專利範圍第3項所述的助焊劑，其特徵在於，所述一元醇選自油醇、異十八醇、異二十醇、2-辛基十二醇或2-癸基十四醇的至少一種。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的助焊劑，其特徵在於，所述助焊劑按照以升溫速度2℃/秒的條件自常溫升溫至峰值溫度260℃、達到該峰值溫度後以降溫速度2℃/秒的條件冷卻之回流焊條件進行了加熱後的黏度為30Pa．s以下。
如申請專利範圍第3項所述的助焊劑，其特徵在於，所述助焊劑按照以升溫速度2℃/秒的條件自常溫升溫至峰值溫度260℃、達到該峰值溫度後以降溫速度2℃/秒的條件冷卻之回流焊條件進行了加熱後的黏度為30Pa．s以下。
如申請專利範圍第4項所述的助焊劑，其特徵在於，所述助焊劑按照以升溫速度2℃/秒的條件自常溫升溫至峰值溫度260℃、達到該峰值溫度後以降溫速度2℃/秒的條件冷卻之回流焊條件進行了加熱後的黏度為30Pa．s以下。
如申請專利範圍第5項所述的助焊劑，其特徵在於，所述助焊劑按照以升溫速度2℃/秒的條件自常溫升溫至峰值溫度260℃、達到該峰值溫度後以降溫速度2℃/秒的條件冷卻之回流焊條件進行了加熱後的黏度為30Pa．s以下。
一種焊膏，其特徵在於，包含如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的助焊劑、以及焊料合金粉末。
一種焊料凸塊的形成方法，其特徵在於，在基板上形成電極部和第一絕緣層，在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，來在所述電極部上形成開口區域，印刷申請專利範圍第項10所述的焊膏來填充於所述電極部上的開口區域，對於在所述電極部上的開口區域填充有所述焊膏的所述基板進行加熱，而在所述基板上形成助焊劑殘渣，藉由去除所述助焊劑殘渣和所述第二絕緣層，形成焊料凸塊。