JP3824901B2 - ソルダペースト - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ソルダペースト、特にはゲル封止された半導体装置や、高発熱素子をはんだ付けにより組みたてるパワーモジュール用に好適なソルダペーストに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般にソルダペーストは、そのフラックス中の成分として、活性剤および増粘剤が配合されるが、活性剤としては、優れたぬれ性を付与することのできるジフェニルグアニジンの臭化水素酸塩などのアミンのハロゲン化水素酸塩が、また増粘剤としては、優れた印刷性を付与するために窒素を含むアマイド系ワックスが用いられてきた。粉末はんだには45〜20μmのものが使用されている。
【0003】
図1には、半導体装置の代表的な例を示すが、この構造ではセラミック基板3上にはんだ接合された半導体チップ2がシリコーンゲル4(および5)により封止されている。
このような半導体装置は次のようにして製造される。
はんだ層1は、表面及び裏面に金属層が形成されたセラミックス基板3の表面の金属層6上の所定領域に、スクリーン印刷によりソルダペーストを供給して、ソルダペースト層1を形成した後、半導体チップ2をソルダペースト層が形成された箇所に搭載し、加熱処理を施すことにより、ソルダペースト層中のはんだ粉末を溶融させるとともに、フラックス成分によりはんだ表面の酸化膜を還元したのち、フラックス成分を外部に排出させ、続けて冷却処理を施し溶融したはんだを凝固させる。
続いて洗浄工程により、はんだ層1の周囲等に付着したフラックスの残渣(以下、フラックス残渣と記す)を除去した後、半導体チップ同士を連結する細線8を取り付けるワイヤボンディング工程などを経て、最後にワイヤボンディングの保護並びに絶縁耐圧確保の観点から、脱泡した液体状シリコーンゲル4を基板3及び半導体チップ2を覆うように供給し、加熱処理を施しシリコーンゲル4を硬化させている。
【0004】
従来のソルダペーストでは、はんだ付工程において、活性剤であるアミンのハロゲン化水素酸塩は活性温度(融点)に達した後、はんだ付けのために消費され、アミンが遊離する。しかしながら、そのアミンは沸点が高いためほとんど揮発せず、また一部の消費されない活性剤が残るため、アミンはフラックス残渣中に多く残存する。
さらに、増粘剤として、窒素成分を含むアマイド系ワックスが使用されるが、はんだ付け工程後、これはほとんど揮発せずにフラックス残渣中に残存する。
しかし、このような窒素化合物、特にアミンの存在は、付加型シリコーンゲルの硬化反応を阻害することが知られている。
【0005】
したがって、はんだ付工程終了後に洗浄工程によりフラックス残渣の除去を行わない場合、フラックス残渣中に多く残存するアミンが原因でシリコーンゲルが硬化阻害を起こし、オイル状のゲル未硬化領域が広範囲に発生するため、ワイヤ保護の用をなさないばかりか、絶縁耐圧不足、シリコーンゲルの剥離/剥落が生じるなどの不具合を生じていた。
はんだ付工程の温度を大幅に上昇させれば残存するアミンを減じることが出来るが、はんだ付される部品や基板の耐熱温度や信頼性確保の観点から、はんだ付工程の温度上昇は望めない。
これらの理由から、ゲル封止された半導体装置では、はんだ付工程終了後に、洗浄工程を付加しなければならず、洗浄液購入費用、洗浄廃液廃棄費用、洗浄装置の購入/保守費用等が必要となるためコストアップの要因となるばかりか、環境への配慮の点からも問題となっていた。
【0006】
さらにはまた、このような従来のソルダペーストを用いたはんだ付では、はんだ粒子表面の酸化膜がぬれを阻害したり、フラックス成分をはんだ内部にトラップするために、ボイドと呼ばれる未接合領域を多く発生していた。
このボイド9は、熱抵抗増大を招くため、機器の信頼性を確保する上で、大きな問題の一つとなることが知られており、特に、発熱の大きなパワー素子を搭載する場合に、より顕著な問題となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、無洗浄でゲル封止可能で、かつ低ボイドはんだ付が可能なソルダペーストを得ることを目的とするものである。
【0008】
【発明を解決するための手段】
本発明は、はんだ粉末と、ベース樹脂、活性剤および増粘剤からなるフラックスとを混合したソルダペーストにおいて、増粘剤が硬化ひまし油であり、上記フラックス中に沸点が100℃以下のアミンと有機2塩基酸からなる塩を含み、周囲をシリコーンゲルで封止するところに用いることを特徴とするソルダペーストに関する。
特に、本発明は前記塩の融点が、はんだ粉末の液相線温度以下である上記ソルダペーストに関する。
更に、本発明は、はんだ粉末の平均粒径が、20〜106μmである上記いずれかに記載のソルダペーストに関する。
また、本発明は、上記いずれかに記載のソルダペーストを用いて組み立てられた電子モジュールに関する。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明のソルダーペーストは、ソルダーペーストを構成するフラックス中に沸点が100℃以下のアミンと有機2塩基酸からなる塩を含み、且つ120〜350℃ではんだ付けを行った後のフラックス残渣中に窒素を含む成分が1000ppm未満、好ましくは100ppm未満であることを特徴とする。
本発明で用いる沸点が100℃以下のアミンの例としては、ジエチルアミン,n-ブチルアミン,sec-ブチルアミン,tert-ブチルアミン,イソブチルアミン,n-プロピルアミン,トリエチルアミン,ジイソプロピルアミン,イソアミルアミン,tert-アミルアミン等が例示できる。
【0010】
有機2塩基酸は、好ましくは炭素数2〜20の脂肪族ジカルボン酸が用いられる。このような有機2塩基酸の例としては、マロン酸,コハク酸,グルタル酸,アジピン酸,ピメリン酸,セバシン酸が挙げられる。
上記のアミンと有機2塩基酸の塩は単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
アミンと有機2塩基酸の特に好ましい塩はジイソプロピルアミンとコハク酸の塩である。
上記塩はフラックス中に0.1〜10重量%の量で含まれる。好ましくは0.3〜3重量%で含まれる。この塩の含有量が10重量%より多いと良好なペーストにならない。また、0.1重量%より少ないと活性剤としての効果がない。
【0011】
本発明では、増粘剤としては、窒素を含まないものを使用する。このような増粘剤としては特に限定されないが、特に好ましいものとしては硬化ひまし油が挙げられる。
増粘剤の添加量はフラックス中2〜10重量%が好ましい。
【0012】
上記フラックスと組み合わせて本発明のソルダペーストで用いるはんだ粉末は、通常使用されるSnおよびPbを主成分として含有するものが使用できる。SnおよびPbを主成分とする粉末はんだの例としては、例えばSn−Pb系合金、Sn−Pb−Bi系合金、Sn−Ag−Pb系合金等が挙げられる。また本発明の粉末はんだとしては、Sn−Cu系合金、Sn−Ag−Cu系合金、Sn−Ag−Cu−Bi系合金、Sn−Zn系合金等の鉛フリー合金も使用できる。
はんだ粉末の平均粒径は20〜106μmの範囲が好ましい。特に好ましくは32〜63μmである。106μmより大きいと基板への印刷性が悪くなり、20μより小さいとはんだ付け後のはんだ中にボイドが多く生じるようになり、上記した問題を引き起こすようになる。
本発明のソルダペーストは、上記フラックスとこの平均粒径範囲のはんだ粉末を組み合わせることによりボイドの発生を一層抑制することが可能となった。
本発明でのはんだの平均粒径はマイクロトラック粒度分析計によって測定したものである。
【0013】
本発明のソルダペーストのフラックスは、上記した沸点が100℃以下のアミンと有機2塩基酸からなる塩および増粘剤に基材樹脂(例えば、天然ロジン、重合ロジン、不均化ロジン、水添ロジン、および各種変性ロジンなどロジン類あるいはポリオレフィン、カルボキシル基含有ポリオレフィン等から選ばれる少なくと1種)、溶剤(例えば、アルコール類、グリコール類、エステル類、エーテル類などが例示され、好ましくはそのうち沸点が160℃以上、特に220〜270℃で、吸湿性が小さい、他のフラックス成分との相溶性に優れたもの)、有機酸、ハライド化合物などの添加剤が配合されてなる。
【0014】
本発明のソルダーペーストは、上記のようなフラックスに先に記載した粉末はんだを定法により配合混練することにより調製することができる。ソルダペースト中フラックスと粉末はんだの割合は重量比で、8:92〜16:84、好ましくは9:91〜12:88である。
【0015】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例 1〜3
表1に示す配合のフラックス(各フラックス成分の配合比率は重量部で示されている)と粉末はんだとを配合混練することにより、実施例1〜3のソルダペーストを調製した。フラックスと粉末はんだの混合比はいずれの実施例においても重量比で10:90である。
【0016】
比較例 1〜2
実施例と同じように、表1に示すフラックスと粉末はんだを配合混練することにより、比較例1〜2のソルダペーストを調製した。
【0017】
実施例および比較例によって調製したソルダペーストを印刷機を用いて基板上に印刷し、半導体チップを搭載後、標準条件でリフローしてパワーモジュールを組み立てた。
はんだ付け後のパワーモジュールのシリコーンゲルの硬化度合およびはんだ中のボイド発生度合を次のようにして評価し、結果を表1に示した。
【0018】
〔ソルダペーストの評価方法〕
(1)シリコーンゲルの硬化度合
シリコーン(東芝シリコーン社製TSE3051)をはんだ付け後のパワーモジュールの基板表面に流し込む。オーブン中で125℃で120分加熱し、シリコーンを硬化させる。シリコーンゲルとモジュール表面との間に剥離がなければ合格とする。
(2)ボイド発生度合
パワーモジュール基板のはんだ付け後のはんだ中に存在するボイドをX線により観察し、ランド面積に占めるボイドの占有面積率を確認する。
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】
【発明の効果】
本発明のソルダペーストは120℃以上の温度ではんだ付けをした場合フラクッス中に窒素を1000ppm以上残留しないので、パワーモジュール中ではんだに接して存在するシリコーンの硬化阻害を生じることなく、またはんだ中にボイドを生じるという問題も引き起こさないため、ゲル封止された半導体装置や、高発熱素子をはんだ付けにより組みたてるパワーモジュール用に使用するに好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のはんだを用いて組み立てたパワーモジュールの模式図。
【図2】 本発明のソルダペーストを用いて組み立てたパワーモジュールの模式図。
【符号の説明】
1:はんだ層、2:半導体チップ、3:セラミック基板、4:シリコーンゲル、5:シリコーンゲル硬化不良部、6:セラミック基板上面の表面金属層、7:セラミック基板下面の裏面金属層、8:ワイヤ、9:はんだ中のボイド、10:外部電極、11:エポキシ樹脂、12:ケース。
Claims (6)
- はんだ粉末と、ベース樹脂、活性剤および増粘剤からなるフラックスとを混合したソルダペーストにおいて、増粘剤が硬化ひまし油であり、上記フラックス中に沸点が100℃以下のアミンと有機2塩基酸からなる塩を含み、周囲をシリコーンゲルで封止するところに用いることを特徴とするソルダペースト。
- 前記塩が、フラックス中に0.1〜10重量%の量で含まれる請求項1に記載のソルダペースト。
- 前記アミンが、ジエチルアミン,n-ブチルアミン,sec-ブチルアミン,tert-ブチルアミン,イソブチルアミン,n-プロピルアミン,トリエチルアミン,ジイソプロピルアミン,イソアミルアミン,tert-アミルアミンからなる群から選ばれる少なくとも一つである請求項1〜2のいずれかに記載のソルダペースト。
- 有機2塩基酸が、炭素数2〜20の脂肪族ジカルボン酸である請求項1〜3のいずれかに記載のソルダペースト。
- 前記塩がジイソプロピルアミンとコハク酸の塩である請求項1〜4のいずれかに記載のソルダペースト。
- はんだ粉末の平均粒径が、20〜106μmである請求項1〜5のいずれかに記載のソルダペースト。
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