JP6379781B2 - 不均一系触媒および1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム - Google Patents

不均一系触媒および1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム Download PDF

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Description

本発明は、新規な不均一系触媒に関するものであり、さらに詳しくは、石油化学製品や有機化成品の製造に用いられる触媒、特にエチレンから塩化ビニルモノマーの原料として有用な1,2−ジクロロエタンを高活性かつ高選択的に製造する新規なオキシ塩素化触媒および1,2−ジクロロエタンの製造方法に関する。
不均一系触媒は、気相または液相反応流体からの分離が容易で、反応装置内に定常的に保持されて触媒としての機能を発揮できることから、多くの石油化学プロセスおよび有機化成品を製造するプロセスに用いられている。
エチレン、塩化水素および酸素を原料にオキシ塩素化による1,2−ジクロロエタン(以下、EDCと略称する)の製造には担持塩化銅触媒が用いられ、典型的な超大型の石油化学プロセスの一つである。EDC製造設備は大型化が進んでおり、10万トン/年スケールの大型設備が稼動している。生産上、エチレン転化率、及びEDC選択率は重要なファクターであり、0.1%の違いでも経済的には大きな差として表れる。
エチレン、塩化水素および酸素を原料とするオキシ塩素化反応によりEDCを製造する方法として、アルミナ担体に塩化銅および塩化カリウムを担持した中空円筒状のオキシ塩素化触媒を用いる方法が知られており、例えば円筒形の形状寸法が規定されたオキシ塩素化触媒が提案されている(例えば特許文献1参照。)。
また、本反応系は発熱反応であるため、反応床入口のように原料濃度が高いところでは、反応速度が高く発熱量が多くなる。発熱によって触媒層が高温になりホットスポットが形成されると、そこでは副反応である燃焼反応による副生物の増加や急速な触媒劣化が進む問題が生じる。そのため、通常、オキシ塩素化触媒と希釈剤を混合し、固定床中でのホットスポットの形成を減少もしくは除去している。(例えば特許文献2〜4参照。)
特開昭56−141842号公報 特開昭57−136928号公報 特表2007−508134号公報 特開2000−254507号公報
EDC製造設備には、空気法プロセス(エチレン、HCl、空気が主原料)、酸素富化法プロセス(エチレン、HCl、空気を主原料として、少量の酸素を付加)および酸素法プロセス(エチレン、HCl、酸素が主原料)が知られている。空気法および酸素富化法プロセスでは、未転化エチレンの向上に課題が、また、酸素法プロセスでは高活性触媒による生産性向上に課題があるが、特許文献1により提案されたオキシ塩素化触媒では、その触媒活性およびEDC選択率はまだ満足できるものではなく、触媒活性およびEDC選択率を大幅に向上させる触媒が期待されている。
また、ホットスポット抑制のために使用する希釈剤についても、機械的な粉砕による不定形状の希釈剤の場合、あるいは触媒の径や長さよりも大幅に小さい寸法のものでは圧力損失を増大させる問題点がある。このような圧力損失が増大することによる問題点は圧力損失による生産性の低下や高圧反応設備が必要であるなど、経済的に不利である。大きい径や長さの希釈剤を用いることで、圧力損失を抑えることはできるが、除熱効果は低下するため、満足すべき除熱効果が得られない。したがって、選定する希釈剤の材質、形状、寸法は圧力損失と除熱効果のバランスを考慮して最適化しなければならない。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は高い触媒活性とEDC選択率を発現する不均一系触媒、特にオキシ塩素化触媒を提供するものである。
本発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討を行った結果、ガス吸着法で規定した特定の細孔形状を有する触媒が高活性かつ高選択率を、特にオキシ塩素化において、高活性かつ高EDC選択率を発現すること、および、当該触媒と球形状、円柱形状または中空円筒形状から選択される希釈剤からなることを特徴とする、EDCの製造用触媒システムおよびそれを用いた製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、以下の[1]及至[20]に存する。
[1] 多孔質担体上に金属化合物が担持された不均一系触媒であって、ガス吸着法の吸着等温線と脱着等温線との間に生じるヒステリシスの積分値が、吸着等温線の全積分値に対して19%以下であることを特徴とする触媒。
[2] 多孔質担体がアルミナ、シリカ、シリカ―アルミナ、ゼオライト、酸化チタン、酸化ジルコニウム又は酸化マグネシウムであることを特徴とする、上記[1]に記載の触媒。
[3] 金属化合物の金属が、周期表1族、2族又は11族であることを特徴とする上記[1]又は[2]に記載の触媒。
[4] 金属化合物が、酸化物またはハロゲン化物であることを特徴とする上記[1]〜[3]のいずれかに記載の触媒。
[5] 金属化合物が塩化銅であることを特徴とする上記[1]〜[4]のいずれかに記載の触媒。
[6] 金属化合物が、塩化銅並びに塩化カリウム、塩化セシウム、塩化ナトリウムおよび塩化マグネシウムからなる群から選択される1種以上の金属塩化物であることを特徴とする上記[1]〜[5]のいずれかに記載の触媒。
[7] 塩化銅の担持量が3〜25重量%であることを特徴とする上記[5]又は[6]に記載の触媒。
[8] 金属塩化物の担持量が、0.1〜20重量%であることを特徴とする上記[6]又は[7]に記載の触媒。
[9] ガス吸着法が窒素吸着法であることを特徴とする上記[1]〜[8]のいずれかに記載の触媒。
[10] 不均一系触媒が中空円筒形状であることを特徴とする上記[1]〜[9]のいずれかに記載の触媒。
[11] 外径3〜6mm、内径1〜3mm未満、長さ3〜6mmの中空円筒形状であることを特徴とする上記[10]に記載の触媒。
[12] 触媒がエチレンのオキシ塩素化用途に使用される上記[1]〜[11]のいずれかに記載の触媒。
[13] 上記[1]〜[12]のいずれかに記載の触媒の存在下、エチレン、塩化水素及び酸素のオキシ塩素化を行うことを特徴とする1,2−ジクロロエタンの製造方法。
[14] 上記[1]〜[12]のいずれかに記載の触媒及び球形状、円柱形状または中空円筒形状を有する希釈剤を含むことを特徴とする、エチレン、塩化水素および酸素から1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
[15] 希釈剤が、アルミナ、シリカ、アルミナ−シリカ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、炭素及びグラファイトからなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする上記[14]に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
[16] 球形状を有する希釈剤の外径Dが下記一般式(1)の寸法(mm)である上記[14]又は[15]に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
4.5≦D≦7.0 (1)
[17] 円柱形状を有する希釈剤の円柱の外径Deが下記一般式(2)の寸法(mm)、側面の長さLが下記一般式(3)の寸法(mm)である上記[14]又は[15]に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
4.5≦De≦7.0 (2)
4.0≦L≦7.0 (3)
[18] 中空円筒形状を有する希釈剤の中空円筒の外径Deが下記一般式(4)の寸法(mm)、その内径Diが下記一般式(5)の寸法(mm)、側面の長さLが下記一般式(6)の寸法(mm)、外径Deと内径Diの関係が下記一般式(7)である上記[14]又は[15]に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
4.5≦De≦7.0 (4)
1.5≦Di≦4.0 (5)
4.0≦L≦7.0 (6)
De/3≦Di (7)
[19] 希釈剤の外径がオキシ塩素化触媒の長さと等しい長さである上記[14]〜[18]のいずれかに記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
[20] 上記[14]〜[19]のいずれかに記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システムの存在下で、エチレン、塩化水素および酸素を反応させることを特徴とする1,2−ジクロロエタンの製造方法。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の触媒は、多孔質担体上に金属化合物が担持された不均一系触媒であって、ガス吸着法の吸着等温線と脱着等温線との間に生じるヒステリシスの積分値が、吸着等温線の全積分値に対して19%以下のものである。
ここでガス吸着法とは、島津評論 Vol.48 No.1(1991.6.)で定義されるものであり、触媒粒子の表面に吸着占有面積の既知なガス分子を吸着させ、ガス分子の凝縮から比表面積や細孔分布を測定する手法である。ガス分子として、窒素、アルゴンが挙げられ、これらのうち窒素が好ましい。
吸着等温線とは、横軸に相対圧、縦軸に吸着したガス分子の数または標準状態でのガスの容積をプロットしたものであり、相対圧を低い所から高い所へ変化させたものが吸着等温線、逆を脱着等温線と呼ぶ。またヒステリシスとは、細孔形状(円柱、錐形、スリット状、インクボトル状、など)に起因した毛管凝縮により生じると考えられ、吸着側と脱離側の吸着等温線の不一致のことを指す(図1参照)。
本発明においてヒステリシスの積分値とは、測定条件下の相対圧範囲における吸着等温線の積分値と脱着等温線の積分値の差分と定義する。
本発明の触媒は、ガス吸着法の吸着等温線と脱着等温線との間に生じるヒステリシスの積分値が、吸着等温線の全積分値に対して19%以下である。19%以下になることで、触媒の細孔形状が変化し、インクボトル形状の細孔が減少すると同時に、ストレート形状の細孔が増加すると考えられる。この形状変化により、触媒活性や選択率向上の効果が発現する。また、更なる高活性が得られることから、ガス吸着法の吸着等温線と脱着等温線との間に生じるヒステリシスの積分値が、吸着等温線の全積分値に対して17.5%以下であることが好ましい。
本発明の触媒により、活性および選択率を損なうことなく長期間にわたり運転が可能となるため、酸化反応、還元反応、水素化反応、脱水素反応、アルキル化反応等に使用できるが、特に、エチレン、塩化水素および酸素からのEDC製造法に対して高い効果が期待できる。特に、触媒活性向上の効果は著しく、本発明による触媒の活性は10%以上向上することから、高生産性を必要とする酸素法プロセスの触媒として、また、空気法および酸素富化法プロセスにおける未転化エチレンの転化率向上に利用が可能である。本発明の触媒において、細孔分布の形状は特に限定されないが、例えば、一峰細孔分布、二峰細孔分布等が挙げられる。これらのうち、触媒活性や選択性が向上することから、二峰細孔の形状が好ましい。二峰細孔の細孔直径は特に限定されないが、細孔直径3〜15nm未満の範囲内の細孔および細孔直径15〜50nmの範囲内の細孔を有する二峰型が好ましく、これによりさらなる活性、選択性の向上が可能になる。
本発明の触媒は、多孔質担体上に金属化合物が担持された不均一系触媒であり、顆粒であることが好ましい。多孔質担体としては、特に限定されないが、例えばアルミナ、シリカ、シリカ―アルミナ、ゼオライト、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化マグネシウムが挙げられる。これらのうち、触媒活性成分となる金属化合物との親和性が高いことから、アルミナが好ましく、その中でも細孔を有する多孔質アルミナ担体が好ましい。ここで、多孔質アルミナ担体には、触媒反応で差支えない限り、アルミナ原料に由来するケイ素若しくは鉄、離型剤等のカーボン、又はシリカやチタンなどの添加剤が混合しても良い。このようなアルミナ担体は、いかなる方法により成形されても差し支えなく、例えば押出成形法または圧縮成形法により成形することができる。中空円筒形状の寸法に特に制限はなく、その中でも触媒活性に優れるものとなることから中空円筒の外径は3〜6mm、内径は1〜3mm未満、側面の長さは3〜6mmの円筒形状であることが好ましく、さらに外径5〜6mm、内径2〜3mm未満、長さ4〜6mmであることが好ましい。
多孔質担体上に担持された金属化合物としては、特に限定されないが、例えば周期表1族、2族又は11族が好ましく、金属化合物としては、特に限定されないが、酸化物又はハロゲン化物が挙げられ、金属塩化物が好ましい。金属酸化物として、例えば、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化スルトンチウム、酸化バリウム、酸化銅、酸化銀等が挙げられる。ハロゲン化物としては、例えば、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化ルビジウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、塩化銅、塩化銀等が挙げられる。これらのうち、オキシ塩素化に特に高い活性を示すことから、塩化銅が好ましい。ここで塩化銅としては、塩化第一銅および/または塩化第二銅を挙げることができ、そのなかでも特に安定性に優れるオキシ塩素化触媒となることから塩化第二銅であることが好ましい。
金属化合物の担持量としては、オキシ塩素化触媒が触媒として作用する限りにおいて如何なる制限はなく、そのなかでも触媒活性に優れるオキシ塩素化触媒となることから1〜30重量%であることが好ましく、さらに2〜28重量%であることが好ましい。
金属化合物が塩化銅である場合、塩化銅の担持量としては、触媒活性に優れるオキシ塩素化触媒となることから3〜25重量%であることが好ましく、さらに8〜20重量%であることが好ましい。
また、金属化合物として、塩化銅にさらに他の金属塩化物を担持させることが好ましい。他の金属塩化物としては、特に限定されないが、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化ルビジウム、塩化セシウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム等が挙げられ、これらのうち、オキシ塩素化触媒の安定性が高まることから、塩化カリウム、塩化セシウム、塩化ナトリウムおよび塩化マグネシウムが好ましい。金属塩化物の担持量としては、オキシ塩素化触媒が触媒として作用する限りにおいて如何なる制限はなく、その中でも塩化銅の安定性に寄与し触媒活性に優れるオキシ塩素化触媒となることから0.1〜20重量%であることが好ましく、さらに0.1〜10重量%であることが好ましい。また、本発明のオキシ塩素化触媒における塩化銅と他の金属塩化物の担持割合は、オキシ塩素化触媒が触媒として作用する限りにおいて如何なる制限はなく、その中でも触媒活性と安定性に優れるオキシ塩素化触媒となることから塩化銅1モルに対して塩化物0.1〜3モルの割合が好ましく、さらに0.1〜1.3モルであることが好ましい。
本発明のオキシ塩素化触媒はいかなる形状でも差支えないが、例えば、球状、蜂の巣状、中空円筒形状が挙げられる。これらのうち、破壊強度に優れる点から、中空円筒形状が好ましい。その形状寸法に特に制限はなく、その中でも触媒活性に優れるものとなることから外径2〜8mm、内径1〜7mm、長さ2〜8mmの円筒形状であることが好ましく、さらに外径3〜6mm、内径1〜3mm未満、長さ3〜6mmであることが好ましい。
本発明の触媒は、いかなる方法により製造されても差し支えなく、例えば多孔質担体に、金属化合物を担持することにより製造する方法を挙げることが出来る。その際の担持方法としては、例えば浸漬法、含浸法、共沈殿法、等の方法を挙げることができ、これらの中でも、操作が簡便で、生産性に優れることから、浸漬法であることが好ましい。
ここで、浸漬法とは、金属化合物を含む溶液(浸漬液)に多孔質担体を浸漬し、浸漬処理後、多孔質担体と溶液を分離した後、金属化合物が付着した多孔質担体を乾燥、次いで焼成処理を行い、触媒を製造する方法のことである。
浸漬法における浸漬液として、塩化銅、並びに塩化カリウム、塩化セシウム、塩化ナトリウム及び塩化マグネシウムからなる群から選択される1種以上の金属塩化物の水溶液を用いる場合、塩化銅水溶液の濃度は、特に制限されないが、触媒活性が高いことから、好ましくは50〜300g/Lであり、さらに好ましくは70〜270g/Lである。また、塩化カリウム水溶液の濃度は、特に制限されないが、触媒活性が高いことから、好ましくは10〜280g/Lであり、さらに好ましくは20〜260g/Lである。塩化セシウム水溶液の濃度は、特に制限されないが、触媒活性が高いことから、好ましくは30〜180g/Lであり、さらに好ましくは50〜150g/Lである。塩化ナトリウム水溶液の濃度は、特に制限されないが、触媒活性が高いことから、好ましくは10〜130g/Lであり、さらに好ましくは20〜100g/Lである。塩化マグネシウム水溶液の濃度は、特に制限されないが、触媒活性が高いことから、好ましくは50〜220g/Lであり、さらに好ましくは80〜200g/Lである。
浸漬時の温度は特に制限はなく、例えば、0〜80℃、好ましくは10〜50℃である。反応圧力は特に制限されないが、通常、常圧である。また、浸漬時間は温度や浸漬液の濃度に左右され、一概に決めることはできないが、通常、1〜10時間である。反応中の雰囲気は特に制限はないが、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスによって置換して用いることができる。
オキシ塩素化触媒を浸漬法で製造する場合の金属化合物の担持順序は特に制限されないが、一度に担持するか、もしくは分割して担持してもよい。金属化合物は必要に応じて各々の水溶液の状態で担持することができる。
乾燥温度は特に制限されないが、好ましくは0〜250℃であり、さらに好ましくは30〜200℃である。乾燥時間は特に制限されないが、好ましくは1〜20時間であり、さらに好ましくは2〜10時間である。乾燥中の雰囲気は特に制限はないが、通常、空気中で行なわれる。また、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスによって置換して乾燥することもできる。
焼成温度は特に制限されないが、好ましくは0〜500℃であり、さらに好ましくは100〜400℃である。焼成時間は特に制限されないが、好ましくは1〜20時間であり、さらに好ましくは2〜10時間である。また、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスによって置換して焼成することもできる。
本願発明の触媒のガス吸着法の吸着等温線と脱着等温線との間に生じるヒステリシスの積分値は、担体の塩酸による処理と、その後の高温焼成により制御される。塩酸の量は特に制限されないが、好ましくは担体50gあたり10〜1000mlであり、さらに好ましくは20〜200mlである。浸漬時間は特に制限されないが、好ましくは1〜20時間であり、さらに好ましくは2〜10時間である。浸漬時の温度は特に制限はなく、例えば0〜80℃、好ましくは10〜50℃である。
本発明においては、前記のオキシ塩素化触媒の存在下で、エチレン、塩化水素および酸素を原料にして、オキシ塩素化反応を行なうことによりEDCを製造することができる。
本発明において、エチレン、塩化水素および酸素を原料にして、オキシ塩素化反応によるEDCを製造する反応形式は特に制限されず、任意の反応形式で行うことが可能であり、例えば、固定床流通式または流動床流通式で行うことができる。これらのうち、装置が簡便なことから固定床流通式で行うことが好ましい。反応温度は特に制限はされないが、EDCへ効率的に転換できることから、好ましくは100℃〜400℃、さらに好ましくは150℃〜350℃である。反応圧力は特に制限されないが、通常、絶対圧で0.01〜2MPaであり、好ましくは0.05〜1MPaである。また、固定床流通式反応の際のガス時間空間速度(GHSV)は、EDCへ効率的に転換できることから、好ましくは10hr−1〜10,000hr−1、さらに好ましくは30hr−1〜8,000hr−1である。ここで、ガス時間空間速度(GHSV)とは、単位触媒体積当たりの単位時間(hr)に対するエチレンの供給量を表すものである。
なお、エチレン、塩化水素および酸素は、そのまま用いても、不活性ガスで希釈して用いても良い。不活性ガスとしては特に制限されるものではないが、例えば窒素、ヘリウムまたはアルゴン等が挙げられ、これらの不活性ガスは単独で使用するのみならず、二種以上を混合して用いることも可能である。代表的な例として、原料の一つである酸素に空気を用いるいわゆる空気法、空気に酸素を追加して用いる酸素富化法、窒素などの不活性ガスを使用しない酸素法が、工業化プロセスとして広く採用され実施されている。本発明のオキシ塩素化触媒は、いずれのプロセスにも好適に使用することができる。
反応塔の材質は特に限定されず、例えばニッケル、ニッケル合金、ステンレス等が挙げられる。これらのうち、塩化水素への耐食性に優れることから、ニッケル及びニッケル合金が好ましい。
オキシ塩素化反応は発熱反応であることから、必要に応じて希釈剤を触媒層に混合し、オキシ塩素化触媒及び希釈材を含むEDCの製造用触媒システムとしても良い。希釈材の形状は特に限定されず、例えば球状、円柱状、中空円筒形状、等が挙げられるが、良好な除熱効果および低い圧力損失を可能とすることから球形状、円柱形状または中空円筒形状を有する希釈剤が好ましい。球形状の場合には、その外径をDとすると以下の寸法(mm);
4.5≦D≦7.0 (1)
であることが好ましい。円柱形状の場合には、その径をDe、側面の長さをLとすると寸法(mm)が、
4.5≦De≦7.0 (2)
4.0≦L≦7.0 (3)
であることが好ましい。中空円筒形状の場合には、1個の円柱の円状面よりその円の径より小さい径を有する円柱を側面と平行に貫通した形状を成しており、希釈剤の中空円筒の外径をDe、その内径をDi、側面の長さをL、そして外径Deと内径Diの関係を寸法(mm)で示すと、
4.5≦De≦7.0 (4)
1.5≦Di≦4.0 (5)
4.0≦L≦7.0 (6)
De/3≦Di (7)
であることが好ましい。その中でも、圧力損失の低減が可能になることから、中空円筒形状が好ましい。寸法が大きいと圧力損失は小さいが除熱効果が小さくなり不利である。また、寸法が小さいと除熱効果は大きいが、圧力損失は大きくなり不利になる。
良好な除熱効果を得るため、希釈剤の材質はアルミナ、シリカ、アルミナ―シリカ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム及びグラファイトからなる群より選択少なくとも1種である。これらの希釈剤はオキシ塩素化反応に影響を及ぼさないようにするため、アルミナ、シリカ、アルミナ―シリカ、炭化ケイ素および窒化アルミニウムについては比表面積が5m/g以下の焼結体が好ましく、グラファイトについては20m/g以下の焼結体であることが好ましい。このような焼結体を材質とする希釈剤では、多孔質の成形体で起こるEDCの製造途中における機械的な摩耗が抑制され、圧力損失を増大することなくEDCを安定に製造できる。
本発明において、オキシ塩素化触媒と希釈剤の混合比は発熱量を考慮して5:95〜95:5までの範囲で変更可能である。また、反応床入口のように原料濃度が高いところでは希釈剤が多く、出口側では少ない、あるいはすべてオキシ塩素化触媒を使用することができる。
本発明の新規な不均一系触媒および触媒システムは、特にエチレンのオキシ塩素化に用いた場合に高いエチレン転化率とEDC選択率を発現し、塩化ビニルモノマーの原料として有用なEDCを高い生産性を持って製造する手法として工業的にも極めて有用である。
液体窒素温度での窒素の吸着等温線を示した図である。ヒステリシス比率=(脱離側吸着等温線面積−吸着側吸着塔温泉面積)/(吸着側吸着等温線面積)。
以下に、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下に実施例に用いた測定方法および反応評価方法を示す。
<ヒステリシスの測定>
ヒステリシスの測定は、窒素吸着法比表面積・細孔分布測定装置(マイクロメリティクス社製 商品名:ASAP2400)を用い、液体窒素温度および0.001〜0.995の窒素相対圧の条件で行った。ヒステリシスの積分値は、相対圧0.001〜0.995の範囲において吸着等温線、及び脱着等温線それぞれの積分値を求め、後者から前者を引いた差分である。
<塩化銅及び塩化物の定量>
塩化銅、及び塩化物の定量は、走査型蛍光X線分析装置(理学製、(商品名)ZSX PrimusII)を用い、触媒約3gを粉砕、次いで加圧プレスで試料プレートを作製し、このプレートをRh管球、管電圧/管電流50kV/60mAの条件で測定した。得られたCu、及びK濃度は、各々CuCl、KClに換算して、表1に記載した。
<反応方法>
オキシ塩素化触媒の反応評価は、ガラス製反応管(内径22mm、長さ600mm)を用いた固定床気相流通式反応装置を用いた。ガラス製反応管の中段に、オキシ塩素化触媒を充填し、エチレン、塩化水素、分子状酸素および希釈用窒素を触媒層に供給した。原料組成は実施例1〜8、29〜35及び比較例1〜4、15〜16において、空気法組成(エチレン32ml/min、塩化水素64ml/min、酸素13ml/min、窒素91ml/min)とした。実施例9〜18及び比較例5〜9においては、酸素富化法組成(エチレン24ml/min、塩化水素44ml/min、酸素20ml/min、窒素413ml/min)とした。実施例19〜28及び比較例10〜14においては、酸素法組成(エチレン190ml/min、塩化水素30ml/min、酸素8ml/min、窒素122ml/min)とした。比活性は、実施例1〜8、29〜35及び比較例1〜4、15〜16において、触媒層の入口手前2cmを220℃に制御した場合と、触媒層のトップ温度を270℃に制御した場合の各々のエチレン転化率を求め、充填率に対するエチレン転化率の平均値を活性と設定した。実施例9〜28及び比較例5〜14においては、触媒層入口手前2cmを220℃に制御した場合のエチレン転化率から比活性を求めた。また、EDC選択率は、触媒層の入口手前2cmを220℃になるよう制御し求めた。各反応条件での出口ガス及び反応液を採取し、ガスクロマトグラフを用い、ガス成分および液成分を個別に分析した。ガス成分は、ガスクロマトグラフ(島津製作所製、商品名:GC−14A)を用いて分析した。充填剤は、Waters社製PorapakQ(商品名)およびGLサイエンス社製MS−5A(商品名)を用いた。液成分は、ガスクロマトグラフ(島津製作所製、商品名:GC−1700)を用いて分析した。分離カラムは、キャピラリーカラム(GLサイエンス社製、商品名:TC−1)を用いた。
実施例1
日揮触媒化成株式会社製の中空円筒形状のアルミナ担体(商品名N611N3、外径4.9mm、内径1.8mm、長さ3.9mm)50gを1N塩酸100mlに2時間浸した後、水切り、120℃乾燥、および、空気中500℃での5時間の焼成を行い、ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率が吸着等温線の積分値に対して12.5%である中空円筒形状のアルミナ担体を得た。このアルミナ担体30gに水を十分に吸収させた後、CuCl=174g/L、KCl=136g/Lの水溶液80mLに4時間浸漬させた。浸漬液からアルミナ担体を取り出し、マッフル炉を用いて120℃で2時間乾燥させた。その後、250℃で4時間焼成し、K/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.6%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は159、EDC選択率は99.6%であった。なお、比活性は比較例2の活性を100とした。
実施例2
CuCl=255g/L、KCl=140g/Lの水溶液80mLに2時間浸漬させたこと以外は実施例1と同様の条件でK/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して、14.0%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は142、EDC選択率は99.4%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
実施例3
日揮触媒化成株式会社製の中空円筒形状のアルミナ担体(商品名N611N3、外径4.9mm、内径1.8mm、長さ3.9mm)50gを1N塩酸100mlに2時間浸した後、水切り、120℃乾燥、および、空気中700℃での5時間の焼成を行い、ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率が吸着等温線の積分値に対して14.4%である中空円筒形状のアルミナ担体を得た。このアルミナ担体30gに水を十分に吸収させた後、CuCl=174g/L、KCl=136g/Lの水溶液80mLに4時間浸漬させた。浸漬液からアルミナ担体を取り出し、マッフル炉を用いて120℃で2時間乾燥させた。その後、420℃で4時間焼成し、K/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。 ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して、17.3%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は134、EDC選択率は99.3%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
実施例4
CuCl=255g/L、KCl=140g/Lの水溶液80mLに2時間浸漬させたこと、および、300℃で4時間焼成したこと以外は実施例3と同様の条件でK/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して、18.9%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は120、EDC選択率は99.2%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
比較例1
日揮触媒化成株式会社製の中空円筒形状のアルミナ担体(商品名N611N3、外径4.9mm、内径1.8mm、長さ3.9mm)50gを純水に1時間浸した後、水切り、120℃乾燥、および、空気中500℃での5時間の焼成を行い、ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率が吸着等温線の積分値に対して15.2%である中空円筒形状のアルミナ担体を得た。このアルミナ担体30gに水を十分に吸収させた後、CuCl=270g/L、KCl=150g/Lの水溶液80mLに30分浸漬させた。浸漬液からアルミナ担体を取り出し、マッフル炉を用いて120℃で2時間乾燥させた。その後、420℃で6時間焼成し、K/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して、23.4%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は107、EDC選択率は99.1%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
比較例2
日揮触媒化成株式会社製の中空円筒形状のアルミナ担体(商品名N611N3、外径4.9mm、内径1.8mm、長さ3.9mm)50gを純水に1時間浸した後、水切り、120℃乾燥、および、空気中700℃での5時間の焼成を行い、ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率が吸着等温線の積分値に対して16.2%である中空円筒形状のアルミナ担体を得た。このアルミナ担体30gに水を十分に吸収させた後、CuCl=255g/L、KCl=140g/Lの水溶液80mLに2時間浸漬させた。浸漬液からアルミナ担体を取り出し、マッフル炉を用いて120℃で2時間乾燥させた。その後、420℃で6時間焼成し、K/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して、24.5%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は100、EDC選択率は98.9%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
実施例5
浸漬液の濃度をCuCl=207g/L、KCl=22g/Lとしたこと以外は実施例1と同様の条件で、K/Cu比が0.15であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.1%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は251、EDC選択率は99.3%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
実施例6
浸漬液の濃度をCuCl=250g/L、KCl=30g/Lとしたこと以外は実施例2と同様の条件で、K/Cu比が0.15であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.6%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は234、EDC選択率は99.1%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
実施例7
浸漬液の濃度をCuCl=207g/L、KCl=22g/Lとしたこと以外は実施例3と同様の条件で、K/Cu比が0.15であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して17.2%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は226、EDC選択率は99.0%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。 実施例8
浸漬液の濃度をCuCl=250g/L、KCl=30g/Lとしたこと以外は実施例4と同様の条件で、K/Cu比が0.15であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して18.4%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は212、EDC選択率は98.8%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
比較例3
CuCl=295g/L、KCl=32g/Lの水溶液80mLに1時間浸漬させたこと以外は比較例1と同様の条件で、K/Cu比が0.15であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して23.9%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は199、EDC選択率は98.6%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
比較例4
浸漬液の濃度をCuCl=250g/L、KCl=30g/Lとした以外は比較例2と同様の条件で、K/Cu比が0.15であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して24.1%であった。この触媒を用いて空気法条件下で評価を行った結果、比活性は192、EDC選択率は98.4%であった。なお、比活性は比較例2を100とした。
Figure 0006379781
実施例9
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、KCl=98g/Lとした以外は実施例1と同様の条件で、K/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.2%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は119であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例10
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、CsCl=221g/Lとした以外は実施例1と同様の条件で、Cs/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.5%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は118であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例11
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、NaCl=77g/Lとしたこと及び400℃で2時間焼成したこと以外は実施例1と同様の条件で、Na/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.3%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は177であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例12
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、MgCl・2HO=267g/Lとしたこと及び400℃で2時間焼成したこと以外は実施例1と同様の条件で、Mg/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.1%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は260であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例13
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、NaCl=26g/L、MgCl・2HO=180g/Lとしたこと及び400℃で2時間焼成したこと以外は実施例1と同様の条件で、(Na+Mg)/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.4%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は198であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例14
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、KCl=98g/Lとしたこと及び250℃で4時間焼成したこと以外は実施例3と同様の条件で、K/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して15.0%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は117であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例15
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、CsCl=221g/Lとしたこと及び250℃で4時間焼成したこと以外は実施例3と同様の条件で、Cs/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して15.1%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は115であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例16
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、NaCl=77g/Lとしたこと及び400℃で2時間焼成したこと以外は実施例3と同様の条件で、Na/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して15.3%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は184であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例17
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、MgCl・2HO=267g/Lとしたこと及び400℃で2時間焼成したこと以外は実施例3と同様の条件で、Mg/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して14.8%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は254であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
実施例18
浸漬液の組成をCuCl=161g/L、NaCl=26g/L、MgCl・2HO=180g/Lとしたこと及び400℃で2時間焼成したこと以外は実施例3と同様の条件で、(Na+Mg)/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して14.8%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は194であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
比較例5
液組成がCuCl=240g/L、KCl=105g/Lの浸漬液に1時間浸漬させたこと及び420℃で6時間焼成したこと以外は比較例2と同様の条件で、K/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して23.6%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は100であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
比較例6
液組成がCuCl=240g/L、CsCl=238g/Lの浸漬液に1時間浸漬させたこと及び420℃で6時間焼成したこと以外は比較例2と同様の条件で、Cs/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して23.8%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は98であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
比較例7
液組成がCuCl=255g/L、NaCl=91g/Lの浸漬液に30分浸漬させたこととした以外は比較例2と同様の条件で、Na/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して23.8%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は148であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
比較例8
液組成がCuCl=255g/L、MgCl・2HO=293g/Lの浸漬液に30分浸漬させたこと及び250℃で4時間焼成したこと以外は比較例23と同様の条件で、Mg/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して23.7%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は217であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
比較例9
液組成がCuCl=255g/L、NaCl=32g/L、MgCl・2HO=220g/Lの浸漬液に30分浸漬させたこと及び250℃で4時間焼成したこととした以外は比較例2と同様の条件で、(Na+Mg)/Cu比が0.50であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して23.9%であった。この触媒を用いて酸素富化法条件下で評価を行った結果、比活性は166であった。なお、比活性は比較例5を100とした。
Figure 0006379781
実施例19
実施例9で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は374であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例20
実施例10で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は364であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例21
実施例11で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は340であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例22
実施例12で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は259であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例23
実施例13で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は312であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例24
実施例14で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は202であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例25
実施例15で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は197であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例26
実施例16で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は184であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例27
実施例17で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は144であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
実施例28
実施例18で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は168であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
比較例10
比較例5で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は100であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
比較例11
比較例6で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は98であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
比較例12
比較例7で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は91であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
比較例13
比較例8で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は71であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
比較例14
比較例9で調製した触媒を用い、酸素法条件下で評価を行った結果、比活性は76であった。なお、比活性は比較例10を100とした。
Figure 0006379781
実施例29
日揮触媒化成株式会社製の中空円筒形状のアルミナ担体(商品名N611N3、外径4.9mm、内径1.8mm、長さ3.9mm)50gを1N塩酸100mlに2時間浸した後、水切り、120℃乾燥、および、空気中500℃での5時間の焼成を行い、ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率が吸着等温線の積分値に対して12.5%である中空円筒形状のアルミナ担体を得た。このアルミナ担体30gに水を十分に吸収させた後、CuCl=174g/L、KCl=136g/Lの水溶液80mLに4時間浸漬させた。浸漬液からアルミナ担体を取り出し、マッフル炉を用いて120℃で2時間乾燥させた。その後、250℃で4時間焼成し、K/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して13.6%であった。定量分析の結果、12.9%CuCl−5.7%KCl/アルミナ触媒であった。この触媒と径5.0mm、比表面積0.1m/gの球形状のアルミナ―シリカ希釈剤を混合して空気法条件の反応方法に従って評価した。
実施例30
希釈剤として、径5.0mm、側面の長さ5.0mm、比表面積1.7m/gの円柱形状のグラファイト希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
実施例31
希釈剤として、中空円筒の外径6.4mm、内径3.5mm、側面の長さ5.0mm、比表面積0.094m/gの中空円筒形状のアルミナ―シリカ希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
実施例32
希釈剤として、中空円筒の外径6.4mm、内径3.5mm、側面の長さ6.4mm、比表面積0.094m/gの中空円筒形状のアルミナ―シリカ希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
実施例33
希釈剤として、中空円筒の外径5.0mm、内径2.5mm、側面の長さ5.0mm、比表面積0.094m/gの中空円筒形状のアルミナ―シリカ希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
実施例34
希釈剤として、中空円筒の外径5.0mm、内径2.0mm、側面の長さ5.0mm、比表面積1.7m/gの中空円筒形状のグラファイト希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
実施例35
希釈剤として、中空円筒の外径6.0mm、内径2.5mm、側面の長さ5.0mm、比表面積1.7m/gの中空円筒形状のグラファイト希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
比較例15
希釈剤として、径5.0mm、側面の長さ1.0〜8.0mm、比表面積1.7m/gの不定形状のグラファイト希釈剤を用いたこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
比較例16
日揮触媒化成株式会社製の中空円筒形状のアルミナ担体(商品名N611N3、外径4.9mm、内径1.8mm、長さ3.9mm)50gを純水に1時間浸した後、水切り、120℃乾燥、および、空気中700℃での5時間の焼成を行い、ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率が吸着等温線の積分値に対して16.2%である中空円筒形状のアルミナ担体を得た。このアルミナ担体30gに水を十分に吸収させた後、CuCl=255g/L、KCl=140g/Lの水溶液80mLに2時間浸漬させた。浸漬液からアルミナ担体を取り出し、マッフル炉を用いて120℃で2時間乾燥させた。その後、420℃で6時間焼成し、K/Cu比が0.80であるオキシ塩素化触媒を調製した。ガス吸着法における吸脱着等温線ヒステリシスの面積比率は、吸着等温線の積分値に対して、24.5%であった。定量分析の結果、12.7%CuCl−5.6%KCl/アルミナ触媒であった。この触媒15mlと、外径5.0mm、内径2.0mm、側面の長さ5.0mm、比表面積1.7m/gの中空円筒形状グラファイト希釈剤15mlを混合したこと以外は実施例29と同様の方法で評価した。
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の本質と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
Figure 0006379781
本発明の不均一系触媒は、特にエチレンから塩化ビニルモノマーの原料として有用な1,2−ジクロロエタンを製造する際の触媒として利用することが可能であり、その際のエチレン転化率、1,2−ジクロロエタン選択率が極めて高いものとなり、経済的にも優れたものとなる。また、安定生産ができることから、安全性にも優れたものとなる。

Claims (16)

  1. 多孔質担体上に塩化銅が担持された不均一系触媒であって、エチレン、塩化水素及び酸素のオキシ塩素化を行う触媒であり、ガス吸着法の吸着等温線と脱着等温線との間に生じるヒステリシスの積分値が、吸着等温線の全積分値に対して19%以下であることを特徴とする触媒。
  2. 多孔質担体がアルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、ゼオライト、酸化チタン、酸化ジルコニウム又は酸化マグネシウムであることを特徴とする請求項1に記載の触媒。
  3. 塩化銅の担持量が3〜25重量%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の触媒。
  4. さらに、塩化カリウム、塩化セシウム、塩化ナトリウムおよび塩化マグネシウムからなる群から選択される1種以上の金属塩化物が担持されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の触媒。
  5. 金属塩化物の担持量が、0.1〜20重量%であることを特徴とする請求項4に記載の触媒。
  6. ガス吸着法が窒素吸着法であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の触媒。
  7. 不均一系触媒が中空円筒形状であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の触媒。
  8. 外径3〜6mm、内径1〜3mm未満、長さ3〜6mmの中空円筒形状であることを特徴とする請求項7に記載の触媒。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の触媒の存在下、エチレン、塩化水素及び酸素のオキシ塩素化を行うことを特徴とする1,2−ジクロロエタンの製造方法。
  10. 請求項1〜8のいずれかに記載の触媒及び球形状、円柱形状または中空円筒形状を有する希釈剤を含むことを特徴とする、エチレン、塩化水素および酸素から1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
  11. 希釈剤が、アルミナ、シリカ、アルミナ−シリカ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、炭素及びグラファイトからなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項10に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
  12. 球形状を有する希釈剤の外径Dが下記一般式(1)の寸法(mm)であることを特徴とする請求項10又は11に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
    4.5≦D≦7.0 (1)
  13. 円柱形状を有する希釈剤の円柱の外径De が下記一般式(2)の寸法(mm)、側面の長さL が下記一般式(3)の寸法(mm)であることを特徴とする請求項10又は11に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
    4.5≦De ≦7.0 (2)
    4.0≦L ≦7.0 (3)
  14. 中空円筒形状を有する希釈剤の中空円筒の外径De が下記一般式(4)の寸法(mm)、その内径Diが下記一般式(5)の寸法(mm)、側面の長さL が下記一般式(6)の寸法(mm)、外径De と内径Diの関係が下記一般式(7)であることを特徴とする請求項10又は11に記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
    4.5≦De ≦7.0 (4)
    1.5≦Di≦4.0 (5)
    4.0≦L ≦7.0 (6)
    De /3≦Di (7)
  15. 希釈剤の外径がオキシ塩素化触媒の長さと等しい長さであることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システム。
  16. 請求項10〜15のいずれかに記載の1,2−ジクロロエタンの製造用触媒システムの存在下で、エチレン、塩化水素および酸素を反応させることを特徴とする1,2−ジクロロエタンの製造方法。
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