JP6363202B2 - 化学機械平坦化用金属酸化物‐ポリマー複合粒子 - Google Patents
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Description
本件は、その開示が参照により本開示に組み入れられる米国仮出願第61/919251号(2013年12月20日出願)に関し、35U.S.C.§119(e)に基づく優先権を主張する。
CMPとしても知られる化学機械平坦化は、プロセス中に半導体ウェハーの上面を、若しくはその後の工程の調製において他の基材を平坦化するのに用いられ、又はその位置にしたがい材料を選択的に除去する技術である。化学的及び機械的作用の両方が一般的に含まれる。
本開示に記載された実施態様は、金属酸化物‐ポリマー複合粒子に関する。種々の実装において、複合粒子は、例えば、化学機械平坦化(CMP)等の化学及び研削作用の組み合わせを通じた、加工対象からの材料の除去のための方法、組成物又は装置において用いられる。複合粒子は、ガラス、セラミック、歯科材料、ソーラーパネル又はこれらの構成要素等の種々の材料、光学表面、光電池又はこれらの構成要素などの研磨に好適な研磨動作、材料及び/又は装置においても用いることができる。
例が実施され、金属酸化物‐ポリマー複合粒子の4種のサンプルが調製された。金属酸化物(MO)は、ヒュームドシリカ又はヒュームド及びコロイド状(ゾルゲル)シリカの混合物であった。具体的には、金属酸化物は、L‐90ヒュームドシリカ(商品名Cab‐O‐Sperse1015A)の安定な分散液、及び任意選択的に25nmのゾルゲルシリカ(商品名ST‐O40)を含んでいた(両方がCabot Corporationから入手可能)。用いられたポリマーはポリ‐メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン(pMPS)であり、ラジカル開始剤はアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)であった。
本開示は以下も包含する。
[1]
化学及び研削作用を通して基材から材料を除去する方法であって、方法は、
研磨パッド又はスラリー組成物又は両方が、金属酸化物粒子とポリマーコアとを含む金属酸化物‐ポリマー複合粒子を含む、研磨パッド又はスラリー組成物により、基材から材料を除去して処理された表面を作り出すことを含み、
金属酸化物粒子が修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に又は完全に埋め込まれている、方法。
[2]
処理された表面を洗浄することをさらに含む、上記態様1に記載の方法。
[3]
金属酸化粒子が、修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、上記態様1又は2に記載の方法。
[4]
ポリマーコアが、修飾剤と同一又は異なるポリマーを含む、上記態様1〜3のいずれかに記載の方法。
[5]
金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に又は完全に埋め込まれている、上記態様1〜4のいずれかに記載の方法。
[6]
金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、CMP化学エッチング液、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料をさらに含む、上記態様1〜5のいずれかに記載の方法。
[7]
CMPスラリー組成物が、界面活性剤、レオロジー剤、防蝕剤、酸化剤、キレート剤、錯化剤、金属酸化物‐ポリマー複合粒子以外の粒子、又はこれらの任意の組合せをさらに含む、上記態様1〜6のいずれかに記載の方法。
[8]
水性媒体中に分散した金属酸化物‐ポリマー複合粒子を含む、CMPスラリー組成物であって、金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、金属酸化物粒子とポリマーコアとを含み、
金属酸化物粒子が修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に又は完全に埋め込まれている、CMPスラリー組成物。
[9]
金属酸化粒子が、修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、上記態様8に記載のCMPスラリー組成物。
[10]
ポリマーコアが、修飾剤のポリマー又はコポリマーを含む、上記態様8又は9に記載のCMPスラリー組成物。
[11]
金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、少なくとも1種の追加の修飾剤により処理されている、上記態様8〜10のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[12]
金属酸化物‐ポリマー粒子が、約20nmから約500nmの範囲内の体積平均直径を有する、上記態様8〜11のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[13]
ポリマーコアが、スチレンのポリマー、非置換の、又は置換されたアクリレート又はメタクリレート、オレフィン、ビニルエステル、及びアクリロニトリル、並びに上記のコポリマー及び混合物を含む、上記態様8〜12のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[14]
金属酸化物粒子が、沈殿した、発熱性の、又はゾルゲル金属酸化物粒子、又はこれらの2種若しくはそれより多くの混合物を含む、上記態様8〜13のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[15]
金属酸化物粒子が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化スズ、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化リン、これらの任意の2種又はそれより多くの混合物及び混合酸化物からなる群から選択される、上記態様8〜14のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[16]
金属酸化物が、ヒュームドシリカを含む、上記態様8〜15のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[17]
金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、CMP化学エッチング液、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料をさらに含む、上記態様8〜16のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[18]
ポリマーコアが、金属酸化物と組成が異なる無機材料を含む、上記態様8〜17のいずれかに記載のCMPスラリー組成物。
[19]
金属酸化物粒子とポリマーコアとを含む金属酸化物‐ポリマー複合粒子を含む、CMP研磨パッドであって、金属酸化物粒子が修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に又は完全に埋め込まれている、CMP研磨パッド。
[20]
金属酸化粒子が、修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、上記態様19に記載のCMP研磨パッド。
[21]
金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、CMP化学エッチング液、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料をさらに含む、上記態様19又は20に記載のCMP研磨パッド。
[22]
金属酸化物粒子と、
ポリマーコアと、
CMP化学エッチング液、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料と、
を含む、金属酸化物‐ポリマー複合粒子であって、
金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に又は完全に埋め込まれている、金属酸化物‐ポリマー複合粒子。
Claims (18)
- 化学及び研削作用を通して基材から材料を除去する方法であって、方法は、
研磨パッド又はスラリー組成物又は両方が、複数の金属酸化物粒子とポリマーコアとを含む金属酸化物‐ポリマー複合粒子を含む、研磨パッド又はスラリー組成物により、基材から材料を除去して処理された表面を作り出すことを含み、
金属酸化物粒子が修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に埋め込まれ、かつ、ポリマーコアから突き出ており、
金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、方法。 - 処理された表面を洗浄することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ポリマーコアが、修飾剤と同一又は異なるポリマーを含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、CMP化学エッチング剤、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- CMPスラリー組成物が、界面活性剤、レオロジー剤、防蝕剤、酸化剤、キレート剤、錯化剤、金属酸化物‐ポリマー複合粒子以外の粒子、又はこれらの任意の組合せをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 水性媒体中に分散した金属酸化物‐ポリマー複合粒子を含む、CMPスラリー組成物であって、金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、複数の金属酸化物粒子とポリマーコアとを含み、
金属酸化物粒子が修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に埋め込まれ、かつ、ポリマーコアから突き出ており、
金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、CMPスラリー組成物。 - ポリマーコアが、修飾剤のポリマー又はコポリマーを含む、請求項6に記載のCMPスラリー組成物。
- 金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、少なくとも1種の追加の修飾剤により処理されている、請求項6又は7に記載のCMPスラリー組成物。
- 金属酸化物‐ポリマー粒子が、20nmから500nmの範囲内の体積平均直径を有する、請求項6〜8のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- ポリマーコアが、スチレンのポリマー、非置換の、又は置換されたアクリレート又はメタクリレート、オレフィン、ビニルエステル、及びアクリロニトリル、並びに上記のコポリマー及び混合物を含む、請求項6〜9のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- 金属酸化物粒子が、沈殿した、発熱性の、又はゾルゲル金属酸化物粒子、又はこれらの2種若しくはそれより多くの混合物を含む、請求項6〜10のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- 金属酸化物粒子が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化スズ、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化リン、これらの任意の2種又はそれより多くの混合物及び混合酸化物からなる群から選択される、請求項6〜11のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- 金属酸化物が、ヒュームドシリカを含む、請求項6〜12のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- 金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、CMP化学エッチング剤、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料をさらに含む、請求項6〜13のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- ポリマーコアが、金属酸化物と組成が異なる無機材料を含む、請求項6〜14のいずれか1項に記載のCMPスラリー組成物。
- 複数の金属酸化物粒子とポリマーコアとを含む金属酸化物‐ポリマー複合粒子を含む、CMP研磨パッドであって、金属酸化物粒子が、修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に埋め込まれ、かつ、ポリマーコアから突き出ており、金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、CMP研磨パッド。
- 金属酸化物‐ポリマー複合粒子が、CMP化学エッチング剤、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料をさらに含む、請求項16に記載のCMP研磨パッド。
- 複数の金属酸化物粒子と、
ポリマーコアと、
CMP化学エッチング剤、CMP処理加速剤、及びCMP保護剤からなる群から選択される1種又はそれより多くの材料と、
を含む、金属酸化物‐ポリマー複合粒子であって、
金属酸化物粒子の一部が、ポリマーコア内に部分的に埋め込まれ、かつ、ポリマーコアから突き出ており、
金属酸化物粒子が、修飾剤により修飾されており、金属酸化物粒子が、修飾剤を介してポリマーコアにおけるポリマーに共有結合されている、金属酸化物‐ポリマー複合粒子。
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