JP6340788B2 - 透明電極及び電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、透明電極及び電子デバイスに関する。より詳しくは、導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ高温保存安定性及び保存性に優れた透明電極、及び当該透明電極を備えた電子デバイスに関する。

従来、タッチパネル、液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子、太陽電池といった各種電子デバイスの光取り出し側の電極として、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられている。
しかし、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、一方で、抵抗を下げるために高温アニールプロセスが必要となる。

そこで、インジウムの代わりに、安価で入手容易な亜鉛（Ｚｎ）やスズ（Ｓｎ）を原料として用いた透明導電膜について検討されているが（例えば、特許文献１参照。）、抵抗値が十分に下がらない、Ｚｎを含有したＺｎＯ系の透明導電膜は水と反応して性能が変動しやすい、Ｓｎを含有したＳｎＯ_２系の透明導電膜はエッチングが困難である、といった問題があった。
また、銀（Ａｇ）を陰極として膜厚１５ｎｍで蒸着した有機ＥＬ素子について開示されているが（例えば、特許文献２参照。）、銀薄膜の膜厚が厚いため透過率（透明度）が悪く、マイグレーションしやすい銀を更に薄くして電極特性を維持するためには新たな技術を必要とする。
また、電気伝導率の高い銀とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を用いて、銀単独のときよりも薄膜で導電性を出すことにより、透過率と導電性との両立を図った技術も開示されてはいるが（例えば、特許文献３参照。）、抵抗値はせいぜい１００Ω／□前後と不十分であり、加えて、マグネシウムが酸化されやすいため、経時劣化が著しいという問題があった。

銀は、ＩＴＯに比べて導電性に優れている反面、抵抗と透過率とのトレードオフという問題を有している。一方で、銅もＩＴＯに比べて導電性に優れているものの、一般的に銀以上に保存性の点において問題がある。

本発明者らは、銀薄膜と当該銀薄膜に接する中間層として銀と相互作用の強い有機化合物を用いた透明電極を報告しており（例えば、特許文献４参照。）、それらはＩＴＯ電極に対して抵抗値、透過率及び保存性に優れているものの、電子デバイス用途としては更なる高性能化（導電性及び光透過性等）、高耐久性に優れた透明電極が求められている。

特開２００７−０３１７８６号公報 米国特許出願公開第２０１１／０２６０１４８号明細書 特開２００６−３４４４９７号公報 国際公開第２０１３／１０５５６９号

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ高温保存安定性及び保存性に優れた透明電極、及び当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、導電性層と、導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備え、導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、中間層には、双極子モーメントが特定範囲内である有機化合物が含有されていることで、電性と光透過性とを兼ね備え、かつ高温保存安定性及び保存性に優れた透明電極を提供できることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、
前記導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、
前記中間層は、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内であり、かつ、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環を有する有機化合物からなり、
前記有機化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする透明電極。

〔一般式（Ｉ）中、Ｘは、ＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_２又は窒素原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、亜リン酸エステル基若しくはホスホノ基を表す。〕

２．導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、
前記導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、
前記中間層は、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内であり、かつ、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環を有する有機化合物からなり、
前記有機化合物が、下記一般式（II）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする透明電極。

〔一般式（II）中、Ｅ_９〜Ｅ_１７は、それぞれ独立に、ＣＲ_３を表す。Ｒ_３は、水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、亜リン酸エステル基若しくはホスホノ基を表す。〕

３．前記導電性層が、銅を主成分として構成されていることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明電極。
４．前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される構造を有する有機化合物の双極子モーメントが、９．０〜２０．０デバイの範囲内であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明電極。

５．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする電子デバイス。

本発明の上記手段により、導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ高温保存安定性及び保存性に優れた透明電極、及び当該透明電極を備えた電子デバイスを提供することができる。

本発明の効果の発現機構・作用機構については明確になっていないが、以下のように推察している。

すなわち、本発明の透明電極は、中間層の上部に、銅、金又は白金を主成分として構成されている導電性層が設けられており、かつ中間層には銅、金又は白金原子と親和性のある原子を有する化合物（親和性化合物）であって、かつ双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物が含有されている、という構成である。
これにより、中間層の上部に導電性層を成膜する際、導電性層を構成する銅、金又は白金原子が中間層に含有されている双極子モーメント５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物と相互作用し、中間層表面上での銅、金又は白金原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銅、金又は白金の凝集を抑制することができたものである。
すなわち、銅、金又は白金原子は、まず銅、金又は白金原子と親和性のある原子を有する親和性化合物を含有する中間層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。

なお、一般的には、中間層表面において付着した銅、金又は白金原子が表面を拡散しながら結合して３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により、島状に成膜しやすいと考えられる。
しかし、本発明においては、中間層に含有されている親和性化合物である双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物により、島状成長が抑制され、層状成長が促進されると推察される。
したがって、薄い層厚でありながらも均一な層厚の導電性層が得られるようになる。その結果、より薄い膜厚として光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明電極とすることができる。

本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 ニトロ基の共鳴式を示す図 窒素原子の結合様式を示す図 ピリジン環の分子軌道を示す模式図 ピロール環の分子軌道を示す模式図 イミダゾール環の分子軌道を示す模式図 δ−カルボリン環の分子軌道を示す模式図 本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 透明電極に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図 電極パターンを有する透明電極を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図 タッチパネルを構成する各透明電極の電極パターンの一例を示す平面図 タッチパネルを構成する電極部分の一例を示す平面模式図 タッチパネルの構成の一例を示す概略断面図 本発明で好適に用いることができるタッチパネルの構成の一例を示す概略断面図 タッチパネルの構成の他の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた液晶表示素子の概略断面図

本発明の透明電極は、導電性層と、導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備え、導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、中間層には、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内であり、かつ、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環を有する有機化合物からなり、前記有機化合物が、前記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする。この特徴は、下記各実施態様に係る発明に共通又は対応する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、導電性層が銅を主成分として構成されていることが好ましい。

また、中間層に含有される有機化合物が、一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される構造を有する有機化合物であることがより好ましく、さらには、一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される構造を有する有機化合物の双極子モーメントが、９．０〜２０．０デバイの範囲内であることが特に好ましい。

また、本発明の電子デバイスは、本発明の透明電極を備えることを特徴とする。

なお、本発明における双極子モーメントとは、化合物の電荷の偏りを表すものであり、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｄ０２，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｗａｌｌｉｎｇｆｏｒｄ ＣＴ，２００４．）を用い、本発明に係る化合物をキーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて、対象とする分子構造の構造最適化を行うことにより算出した（デバイ単位換算値）。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いことが知られている。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。

≪透明電極≫
＜透明電極の構成＞
図１は、本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図である。
図１に示すように、透明電極１は、中間層１ａと、この中間層１ａの上部に導電性層１ｂとが積層された２層構造であり、例えば、基材１１の上部に、中間層１ａ、導電性層１ｂの順に設けられている。このうち中間層１ａは、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物が含有されて構成されている層であり、導電性層１ｂは銅、金又は白金を主成分として構成されている層である。
なお、本発明において導電性層１ｂの主成分とは、導電性層１ｂを構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。本発明に係る導電性層１ｂは、銅、金又は白金を主成分としており、その構成比率としては、６０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることが特に好ましい。
また、本発明の透明電極１の透明とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

次に、このような積層構造の透明電極１が設けられる基材１１、透明電極１を構成する中間層１ａ及び導電性層１ｂの順に、詳細な構成を説明する。

［基材］
本発明の透明電極１が形成される基材１１としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材１１は透明であっても不透明であってもよい。本発明の透明電極１が、基材１１側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材１１は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基材１１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、中間層１ａとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

上記したように、樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のガスバリアー性フィルム（バリア膜等ともいう。）であることが好ましい。さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

以上のようなガスバリアー性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスの劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、当該ガスバリアー性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

ガスバリアー性フィルムの作製方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

一方、基材１１を不透明な材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。

［中間層］
本発明に係る中間層１ａは、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物を用いて構成された層である。このような中間層１ａが基材１１上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。

本発明において、中間層１ａに含有される有機化合物の双極子モーメントは、５．０〜２５．０デバイ（１６．７×１０^−３０〜８３．４×１０^−３０Ｃ・ｍ）の範囲内である。

中間層１ａに含有される有機化合物の双極子モーメントが５．０デバイより小さい場合には、分子内での電荷の偏りが小さく、表面エネルギーが小さくなってしまうため、中間層１ａ表面のぬれ性が小さく、また、銅、金若しくは白金（又は銅イオン、金イオン若しくは白金イオン）との親和性が弱くなってしまうため、導電性層１ｂと中間層１ａとの密着性が低下してしまう。
双極子モーメントが２５．０デバイより大きい場合には、電荷の偏りが大きくなりすぎてしまい、若しくは電荷分離状態となってしまい、特に、本発明の透明電極１をカソードとして用いた場合、電子が分子内でトラップされ、電子輸送層への電子移動度を低下させ、結果として、素子性能の低下を招いてしまう。

すなわち、本発明の透明電極１は、中間層１ａの材料として双極子モーメントの大きい（電荷の偏りが大きい）有機化合物を用いることで、その分子の表面エネルギーを大きくし、これを銅、金又は白金の薄膜形成によってより安定な状態とするものである。より詳しくは、中間層１ａに含有される有機化合物の極性の強い部位（δ−）は、銅、金若しくは白金（又は銅イオン、金イオン若しくは白金イオン）との親和性が強いため、両者の接着面積を広くし、より効果的な成膜を可能とするものである。
本発明において、中間層１ａに含有される有機化合物の双極子モーメントを高くする手段としては、もともと高双極子モーメントを有するユニットを母核とする有機化合物を用いてもよいし、極性の高い官能基を導入することで達成することもできる。

また、中間層１ａに含有される有機化合物が、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環を有することが好ましい。

なお、本発明において、「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」とは、非共有電子対を持つ窒素原子であって、当該非共有電子対が不飽和環状化合物の芳香族性に必須要素として直接的に関与していない窒素原子のことをいう。すなわち、共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、非共有電子対が、化学構造式上、芳香性発現のために必須のものとして関与していない窒素原子をいう。
以下、詳細に説明する。

窒素原子は、第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となるため、通常窒素原子の結合本数は３本である。
例えば、アミノ基（−ＮＲ^１Ｒ^２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１Ｒ^２）、ニトロ基（−ＮＯ_２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ_２）、アジド基（−Ｎ_３）、ウレア結合（−ＮＲ^１Ｃ＝ＯＮＲ^２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ^１Ｒ^２）などが挙げられ、これらは本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。
このうち、例えば、ニトロ基（−ＮＯ_２）の共鳴式は、図２のように記すことができる。ニトロ基における窒素原子の非共有電子対は、厳密には、酸素原子との共鳴構造に利用されているが、本発明においては、ニトロ基の窒素原子も非共有電子対を持つこととする。

一方、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。例えば、図３で示されるように、テトラブチルアンモニウムクロライド（ＴＢＡＣ）は、四つ目のブチル基が窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。これらの化合物は、窒素原子を有するものの、その非共有電子対がそれぞれイオン結合、配位結合に利用されてしまっているため、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」には該当しない。
すなわち、本発明は、結合に利用されていない窒素原子の非共有電子対を有効利用するというものである。

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。

ピリジン環の場合、図４に示すとおり、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。
したがって、ピリジン環の窒素原子は、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。

ピロール環の場合、図５に示すとおり、５員環内を構成する炭素原子の一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員されている。
したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、芳香族性発現のために必須のものとして利用されてしまっているため、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」には該当しない。

イミダゾール環は、図６に示すとおり、５員環内に二つの窒素原子が１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。窒素原子Ｎ^１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子である。一方、窒素原子Ｎ^２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子である。
したがって、イミダゾール環の窒素原子Ｎ^１は、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。

含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合も同様である。例えば、δ−カルボリンは、図７に示すとおり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格及びピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は１個の不対電子のみを、ピロール環の窒素原子Ｎ^４は非共有電子対を、それぞれπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。
したがって、δ−カルボリンの二つの窒素原子のうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当するが、ピロール環の窒素原子Ｎ^４はこれに該当しない。
このように、ピリジン環やピロール環は、その骨格が縮環化合物中に組み込まれている場合でも、その効果が阻害されたり抑制されたりすることはなく、単環として利用したときとなんら相違はない。

以上のように、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」は、その非共有電子対を導電性層１ｂの主成分である銅、金又は白金と強い相互作用を発現するために重要である。そのような窒素原子としては、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。

また、中間層１ａに含有される有機化合物が、一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される構造を有する有機化合物であることが好ましく、さらには、一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される構造を有する有機化合物の双極子モーメントが、９．０〜２０．０デバイ（３０．０×１０^−３０〜６６．７×１０^−３０Ｃ・ｍ）の範囲内であることがより好ましい。

［一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物］
本発明の透明電極１において、中間層１ａに含有される化合物としては、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｘは、ＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_２又は窒素原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_１で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう。）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_２で表される置換基としては、Ｒ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

［一般式（II）で表される構造を有する化合物］
本発明の透明電極１において、中間層１ａに含有される化合物としては、下記一般式（II）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（II）中、Ｅ_９〜Ｅ_１７は、それぞれ独立に、ＣＲ_３を表す。Ｒ_３は、水素原子又は置換基を表す。

一般式（II）において、Ｒ_３で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

［中間層に含有される化合物の具体例］
以下に、本発明に係る中間層１ａに含有される有機化合物の具体例（例示化合物（１）〜（４９））とその双極子モーメント（デバイ）を示すが、これらに限定されるものではない。

本発明に係る有機化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成することができる。
以下、本発明の中間層１ａに含有される有機化合物の合成方法の一例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

［合成例：例示化合物（１３）の合成］

（１）中間体１の合成
２００ｍｌナスフラスコに、化合物１（２０ｇ、０．１１ｍｏｌ）、化合物２（１．２ｅｑ．）、Ｋ_２ＣＯ_３（３．５ｅｑ．）及びＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．０２ｅｑ．）を含むＤＭＥ（ジメチルエーテル）（１００ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、９０℃で１２時間加熱撹拌した。
その後、室温（２５℃）まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体１の白色固体（１６．２ｇ、収率７５％）を得た。

（２）中間体２の合成
２００ｍｌナスフラスコに、中間体１（１６ｇ、０．０７８ｍｏｌ）及びＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）（１．０ｅｑ．）を含むＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）（１２０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、６０℃で１２時間加熱撹拌した。
その後、室温（２５℃）まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体２の白色固体（８．５ｇ、収率３７％）を得た。

（３）中間体３の合成
２００ｍｌナスフラスコに、中間体２（８．０ｇ、０．０７８ｍｏｌ）及びＮａＨ（２．０ｅｑ．）を含むＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）（４０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、１４０℃で５時間加熱撹拌した。
その後、室温（２５℃）まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体３の白色固体（５．５ｇ、収率２７％）を得た。

（４）中間体４の合成
１００ｍｌナスフラスコに、中間体３（５．５ｇ、０．０２１ｍｏｌ）、δ−カルボリン（１．１ｅｑ．）、Ｋ_３ＰＯ_４（３ｅｑ．）、Ｃｕ_２Ｏ（０．２ｅｑ．）及びジピバロイルメタン（０．５ｅｑ．）を含むＤＭＳＯ（３０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、１５０℃で１２時間還流した。
その後、室温（２５℃）まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体４の白色固体（５．９ｇ、収率８０％）を得た。

（５）中間体５の合成
１００ｍｌナスフラスコに、中間体４（５．９ｇ、０．０１７ｍｏｌ）及びＮＢＳ（０．９ｅｑ．）を含むＤＭＦ（３０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、６０℃で８時間加熱撹拌した。
その後、室温（２５℃）まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体５の白色固体（３．２ｇ、収率４４％）を得た。

（６）例示化合物（１３）の合成
５０ｍｌナスフラスコに、中間体５（３．０ｇ、０．００８５ｍｏｌ）、δ−カルボリン（１．１ｅｑ．）、Ｋ_３ＰＯ_４（３ｅｑ．）、Ｃｕ_２Ｏ（０．２ｅｑ．）及びジピバロイルメタン（０．５ｅｑ．）を含むＤＭＳＯ（３０ｍｌ）溶液を加えて、窒素雰囲気下、１５０℃で１５時間還流した。
その後、室温（２５℃）まで戻し、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、例示化合物（１３）の白色固体（３．０ｇ、収率６７％）を得た。

［導電性層］
導電性層１ｂは、銅、金又は白金を主成分として構成されている層であって、中間層１ａ上に成膜された層である。中でも、導電性層１ｂは、銅を主成分として構成されていることが好ましい。

このような導電性層１ｂの成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。
また、導電性層１ｂは、中間層１ａ上に成膜されることにより、導電性層成膜後の高温アニール処理（例えば、１５０℃以上の加熱プロセス）等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。

以上のような導電性層１ｂは、銅、金又は白金を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

さらに、この導電性層１ｂは、層厚が５〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましく、５〜１２ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
層厚が２０ｎｍより薄いと、層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上するためより好ましい。また、層厚が５ｎｍより厚いと、層の導電性が十分になるため好ましい。

なお、以上のような中間層１ａとこの上部に成膜された導電性層１ｂとからなる積層構造の透明電極１は、導電性層１ｂの上部が保護膜で覆われていてもよいし、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極１の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、中間層１ａの下部、すなわち中間層１ａと基材１１との間にも、必要に応じた層を設けた構成としてもよい。

＜透明電極の効果＞
以上のような構成の透明電極１は、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物を用いて構成されている中間層１ａ上に、銅、金又は白金を主成分として構成されている導電性層１ｂを設けた構成である。これにより、中間層１ａの上部に導電性層１ｂを成膜する際には、導電性層１ｂを構成する銅、金又は白金原子が中間層１ａを構成する有機化合物と相互作用し、銅、金又は白金原子の中間層１ａ表面においての拡散距離が減少し、銅、金又は白金の凝集が抑えられる。

ここで、一般的に銅、金又は白金を主成分として構成されている導電性層の成膜においては、島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）で薄膜成長するため、銅、金又は白金粒子が島状に孤立し易く、層厚が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。
したがって、導電性を確保するには層厚を厚くする必要があるが、層厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。

しかしながら、本発明の透明電極１によれば、上述したように中間層１ａ上において銅、金又は白金の凝集が抑えられるため、銅、金又は白金を主成分として構成されている導電性層１ｂの成膜においては、層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。

ここで、本発明の透明電極１の透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいうが、中間層１ａとして用いられる上述した各材料は、銅、金又は白金を主成分とした導電性層１ｂと比較して、十分に光透過性の良好な膜を形成する。一方、透明電極１の導電性は、主に、導電性層１ｂによって確保される。したがって、上述のように、銅、金又は白金を主成分として構成されている導電性層１ｂが、より薄い層厚で導電性が確保されたものとなることにより、透明電極１の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることが可能になるのである。

また、透明電極１は、図８に示すように、導電性層１ｂの上部に別の中間層１ｃが積層された３層構造としてもよい。すなわち、透明電極１は、導電性層１ｂに隣接し、かつ、中間層１ａに対向する他の中間層１ｃを更に有し、導電性層１ｂを中間層１ａ及び中間層１ｃで挟持した構成であってもよい。この中間層１ｃとしては、中間層１ａと同様の有機化合物を用いて構成された層としてもよいし、光取り出し機能を有する層としてもよい。
このように中間層１ａ及び中間層１ｃで導電性層１ｂを挟み込む構造とすることによって、導電性層１ｂを構成する銅、金又は白金原子が中間層１ａ及び中間層１ｃを構成する「双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物」と相互作用し、銅、金又は白金原子の中間層１ａ及び中間層１ｃ表面における拡散距離が減少し、銅、金又は白金の凝集の生成をより確実に抑制することができる。その結果、十分な導電性が確保され、光透過性の向上、高温保存下における長寿命化及び高保存性を図ることのできる透明電極とすることができる。

≪透明電極の用途≫
上述した構成の透明電極１は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、タッチパネル、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、太陽電池等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極１を用いることができる。
以下では、用途の例として、本発明の透明電極１を用いたタッチパネル及び液晶表示素子の実施の形態を説明する。また、透明電極１に用いる金属として銅（Ｃｕ）を例にして説明する。

＜タッチパネル＞
（電極パターンを有する透明電極の形成方法）
本発明の透明電極１においては、上記のように透明基材１１上に、本発明に係る中間層３（図１では中間層１ａに相当）及び導電性層である銅薄膜電極５（図１では導電性層１ｂに相当）を積層した後、フォトリソグラフィー法により、好ましくは少なくとも有機溶媒を含有するエッチング液を用いて、例えば、図１０〜図１２に示すような電極パターンを形成することができる。

（エッチング液：有機溶媒）
本発明に用いられるエッチング液は、少なくとも有機溶媒を含有していることが好ましい。有機溶媒として、特に制限はないが、中間層３に対する溶解能を備えた有機溶媒であることが好ましく、より好ましくは、エーテルアルコール、ケトン及びエステルから選ばれる少なくとも１種である。

（エーテルアルコール）
本発明に用いられるエッチング液に適用可能なエーテルアルコールとしては、例えば、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を挙げることができ、その中でも、ジエチレングリコールが好ましい。

（ケトン）
本発明に用いられるエッチング液に適用可能なケトンとしては、例えば、アセトン、ジイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン等を挙げることができるが、その中でも、アセトン、メチルエチルケトンが好ましい。

（エステル）
本発明に用いられるエッチング液に適用可能なエステルとしては、例えば、ギ酸イソアミル、ギ酸イソブチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸プロピル、酢酸メチル、炭酸ジエチル、炭酸ジメチル等を挙げることができ、その中でも、酢酸エチルが好ましい。

（製造工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法について説明する。

本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、銅薄膜電極５を、図１０〜図１２に示すような所望のパターンに加工する方法である。

本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所望のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層３の溶解及び銅薄膜電極５の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所望のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば目的に応じて容易に選定することができる。

次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。

図９は、透明電極１に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図である。

第１ステップとして、図９（ａ）で示すように、透明基材１１上に中間層３及び銅薄膜電極５を積層して、未加工の透明電極１を作製する。

次いで、図９（ｂ）で示すレジスト膜の形成工程で、銅薄膜電極５上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜６を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物あるいはポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。

塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって銅薄膜電極５上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０〜１５０℃の範囲内で３０秒〜３０分間行うことができる。

次いで、図９（ｃ）に示す露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスク７を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機８を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ^２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を所定の領域６Ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。

次いで、図９（ｄ）に示す現像工程で、露光済みの透明電極１を、現像液に浸漬して、光照射した領域６Ａのレジスト膜を溶解する。

現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を１種あるいは２種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の範囲内で乾燥ベークを行ってもよい。

次いで、図９（ｅ）に示すように、本発明に用いられるエッチング液９を用いたエッチング処理を行う。

具体的には、例えば、エーテルアルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒を含むエッチング液に、透明電極１を浸漬し、レジスト膜６で保護されていない、薄膜の銅薄膜電極５及び中間層３を同時に除去することにより、所定の電極パターンを形成する。

最後に、図９（ｆ）に示すように、レジスト膜剥離液、例えば、ナガセケムテックス社製のＮ−３００に浸漬して、銅薄膜電極５上のレジスト膜６を除去する。

＜タッチパネルの構成＞
次いで、上記のようにして作製されるタッチパネルの構成について、代表的な実施形態の詳細について説明する。

（実施形態１：透明基材上に２層の透明電極を設けた構成）
図１０は、上述したタッチパネル用の透明電極１を用いたタッチパネル２１の概略構成を示す斜視図である。また、図１１は、タッチパネル２１の電極構成を示す２枚の透明電極１−１及び１−２の平面図である。

これらの図に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基材１１の一主面上に、第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。

第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２は、それぞれが、図９を用いて説明したタッチパネル用の電極パターンが形成された透明電極１である。したがって、第１の透明電極１−１は、第１の中間層３−１と第１の銅薄膜電極５−１とがこの順に積層された構成である。同様に第２の透明電極１−２は、第２の中間層３−２と第２の銅薄膜電極５−２とがこの順に積層された構成である。

以下、タッチパネル２１を構成する主要各層の詳細を、透明基材１１側から順に説明する。なお、ここでは、図１０及び図１１とともに、図１２の電極部分の平面模式図、及びそのＡ−Ａ断面に相当する図１３の断面模式図を用いて説明を行う。

（透明基材）
図１０及び図１２に示す透明基材１１は、先の透明電極１で説明した透明な基材１１と同様である。

（第１の中間層）
第１の中間層３−１は、先の透明電極１で説明した中間層３（図１では中間層１ａ）であり、透明基材１１上に成膜されている。ここでは一例として、第１の中間層３−１は、透明基材１１に銅薄膜電極５−１と同一形状にパターニングされている。

（第１の銅薄膜電極）
第１の銅薄膜電極５−１は、先の透明電極で説明した銅薄膜電極５（図１では導電性層１ｂ）であり、図１１（ａ）に示すように、第１の中間層３−１上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等として構成されている。各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等は、例えば、ｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近において、ｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。

また、各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等には、それぞれの端部にｘ配線１７ｘが接続されている。これらのｘ配線１７ｘは、透明基材１１上における周縁領域において配線され、透明基材１１の端縁に引き出されている。このような各ｘ配線１７ｘは、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等と同様に、銅を主成分とする第１の銅薄膜電極５−１として構成されたものである。

（第２の中間層）
第２の中間層３−２は、先の透明電極１で説明した中間層３であり、透明電極１−１上に成膜されていて、第２の銅薄膜電極５−２と同一形状にパターニングされている。

（第２の銅薄膜電極）
第２の銅薄膜電極５−２は、先の透明電極１で説明した銅薄膜電極５であり、図１１（ｂ）に示すように、第２の中間層３−２上においてパターニングされた複数のｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等として構成されている。各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、例えば、ｙ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｙ方向に直線状に連結した形状であることとする。

ここで、図１２に示すように、各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等を構成するひし形のパターン部分は、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基材１１の中央部の領域においては、第１の銅薄膜電極５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及び第２の銅薄膜電極５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認されにくい構成となっている。

各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等と積層される。これらの積層部分には、第２の中間層３−２が挟持され、これによってｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等とｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等との絶縁性が確保された状態となっている。

また、各ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等には、それぞれの端部にｙ配線１７ｙが接続されている。これらのｙ配線１７ｙは、透明基材１１上における周縁領域において配線され、ｘ配線１７ｘと並ぶように透明基材１１の端縁に引き出されている。このような各ｙ配線１７ｙは、ｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等と同様に、銅を主成分とする第２の銅薄膜電極５−２として構成されたものである。

なお、透明基材１１の端縁に引き出されたｘ配線１７ｘ及びｙ配線１７ｙには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。

（前面板）
図１０及び図１３に図示した前面板１３は、タッチパネル２１において入力位置に対応する部分が押圧される板材である。このような前面板１３は、光透過性を有する板材であって、透明基材１１と同様のものが用いられる。また、この前面板１３は、必要に応じた光学特性を備えた材料を選択して用いてもよい。このような前面板１３は、例えば、接着剤１５（図１３参照。）によって第２の透明電極１−２側に張り合わせられていることとする。この接着剤１５は、光透過性を有するものであれば、特に材料が限定されることはない。

また、この前面板１３には、透明基材１１の周縁を覆う遮光膜が設けられ、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等から引き出されたｘ配線１７ｘ、及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等から引き出されたｙ配線１７ｙが、前面板１３側から視認されることを防止している。

（タッチパネルの動作）
以上のようなタッチパネル２１を動作させる場合、ｘ配線１７ｘ及びｙ配線１７ｙに接続させたフレキシブルプリント基板などから、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等に対して電圧を印加しておく。この状態で、前面板１３の表面に指又はタッチペンが触れると、タッチパネル２１内に存在する各部の容量が変化し、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等の電圧の変化となって現れる。この変化は、指又はタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指又はタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等でアドレスされた位置が、指又はタッチペンが触れた位置として検出される。

（タッチパネルの効果）
以上のようなタッチパネル２１は、２層の透明電極１−１及び１−２として、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用の透明電極１を用いている。これにより、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、タッチパネル用の透明電極を大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル２１の大型化をすることが可能となる。

特に、このタッチパネル２１は、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びこれに直交して配置された電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等を有する投影型静電容量式である。このため、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等には、高い導電性が要求される。しかしながら、これらのｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等は、先に説明したタッチパネル用透明電極１の銅薄膜電極５であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。したがって、ｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及びｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等自体が視認されにくくなり、タッチパネル２１を介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

（実施形態２：２枚の透明基材を用いた構成）
図１４は、本発明で特に好ましく適用することができるタッチパネルの構成を説明するための断面模式図であり、図１２に示したＡ−Ａ断面に相当する図である。この図に示すタッチパネル２１ａは、２枚の透明基材１１−１及び１１−２の一主面上に、第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２をそれぞれ設けた構成であり、それ以外の構成は先に説明した実施形態１と同様である。このため、先の実施形態１のタッチパネル２１と同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち、図１４に示すタッチパネル２１ａは、第１の透明電極１−１が設けられた第１の透明基材１１−１と、第２の透明電極１−２が設けられた第２の透明基材１１−２とを有する。これらの透明基材１１−１及び１１−２は、透明電極１−１及び１−２の形成面を同一方向に向け、第１の透明基材１１−１における第１の透明電極１−１の形成面上に、第２の透明基材１１−２が位置するように重ねて配置されている。

第１の透明基材１１−１及び第２の透明基材１１−２は、先のタッチパネル用の透明電極１で説明したと同様の透明な基材１１である。また、第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２は、それぞれが先の実施形態１と同様の構成であり、それぞれが透明基材１１−１及び１１−２上に、中間層３−１及び３−２と、銅薄膜電極５−１及び５−２をこの順にそれぞれ積層した構成となっている。

さらに、各銅薄膜電極５−１及び５−２の構成も、先の実施形態１と同様であり、第１の銅薄膜電極５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等、及び第２の銅薄膜電極５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認されにくいパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の銅薄膜電極５−１と第２の銅薄膜電極５−２との間は、第２の透明基材１１−２と第２の中間層３−２とによって絶縁性が確保された状態となっている。

また、積層された第１の透明基材１１−１と第２の透明基材１１−２との間は、ここでの図示を省略した接着剤によって貼り合せられていることとし、この接着剤によっても、第１の銅薄膜電極５−１と第２の銅薄膜電極５−２とが絶縁される。

以上のようなタッチパネル２１ａであっても、先の実施形態１のタッチパネル２１と同様に動作させることができる。

（タッチパネルの効果）
図１４に示すような構成のタッチパネル２１ａであっても、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極１を用いたことにより、先に説明した実施形態１のタッチパネル２１と同様に大型化が可能であり、タッチパネル２１ａを介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

（実施形態３：透明基材の両面に１層ずつ透明電極を設けた構成）
図１５は、タッチパネルの他の一例を説明するための断面模式図であり、図１２のＡ−Ａ断面に相当する図である。図１５に示すタッチパネル２１ｂは、透明基材１１の両面に第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を設けた構成であり、それ以外の構成は先の実施形態１及び２と同様である。このため、先の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち、実施形態３で示すタッチパネル２１ｂは、１枚の透明基材１１と、当該透明基材１１の一主面側に設けられた第１の透明電極１−１と、透明基材１１の他主面側に設けられた第２の透明電極１−２とを有する。このうち、第１の透明電極１−１は、中間層３−１及び銅薄膜電極５−１がこの順に透明基材１１の一主面上に積層された構成である。一方、第２の透明電極１−２は、中間層３−２及び銅薄膜電極５−２がこの順に透明基材１１の他主面上に積層された構成である。

透明基材１１は、先のタッチパネル用の透明電極１で説明したと同様のものである。また第１の透明電極１−１及び第２の透明電極１−２を構成する上記の各層は、先の実施形態と同様のものである。

さらに、各銅薄膜電極５−１及び５−２の構成も、先の実施形態と同様であり、第１の銅薄膜電極５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１、５ｘ２、（中略）等及び第２の銅薄膜電極５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１、５ｙ２、（中略）等が視認されにくいパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の銅薄膜電極５−１と第２の銅薄膜電極５−２との間は、第１の中間層３−１、透明基材１１及び第２の中間層３−２によって絶縁性が確保された状態となっている。

以上のようなタッチパネル２１ｂであっても、先の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

（タッチパネルの効果）
このような実施形態３のタッチパネル２１ｂあっても、先に説明した光透過性とともに充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極１を用いたことにより、先に説明した実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル２１ｂを介しての下地の表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。

＜液晶表示素子＞
図１６に、本発明の透明電極を用いた液晶表示素子の構成を示す概略断面図を示す。この液晶表示素子の構成は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

液晶表示素子は、一般に、液晶表示装置、液晶ディスプレイともいい、液晶の駆動方式によって、ＳＴＮ、ＴＮ、ＯＣＢ、ＨＡＮ、ＶＡ（ＭＶＡ、ＰＶＡ）、ＩＰＳ、ＯＣＢなどの各種駆動方式の液晶表示装置が挙げられる。通常液晶ディプレイとしてＴＶや液晶パネル等に好ましく用いられる駆動方式は、ＶＡ（ＭＶＡ，ＰＶＡ）型液晶表示装置である。

図１６で示す液晶表示素子１００は、バックライト側から、偏光フィルター１０１Ａ、ガラス基板１０２Ａ、透明電極１Ａ、配向膜１０４Ａ、液晶１０５、スペーサー１０６、配向膜１０４Ｂ、透明電極１Ｂ、カラーフィルター１０３、ガラス基板１０２Ｂ、偏光フィルター１０１Ｂの構成であり、本発明の透明電極１は十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ低シート抵抗値を有し、耐久性に優れていることから、上記透明電極１Ａ及び１Ｂとして好ましく用いることができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

≪透明電極の作製≫
以下に説明するように、透明電極１〜６７を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。透明電極１〜４は、導電性層のみからなる単層構造の透明電極として作製し、透明電極５〜６７は、中間層と導電性層との積層構造の透明電極として作製した。

（１）透明電極１の作製
まず、透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅（Ｃｕ）を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚５ｎｍの銅からなる導電性層を成膜し、単層構造の透明電極１を作製した。

（２）透明電極２〜４の作製
透明電極１の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極２〜４を作製した。

（３）透明電極５の作製
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記構造式に示すＥＴ−１をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、まず、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＥＴ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚２０ｎｍのＥＴ−１からなる中間層を設けた。

次に、中間層まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銅の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚８ｎｍの銅からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極５を作製した。

（４）透明電極６〜８の作製
透明電極５の作製において、中間層の構成材料をそれぞれ下記構造式に示すＥＴ−２〜ＥＴ−４に変更した以外は同様にして、透明電極６〜８を作製した。

（５）透明電極９の作製
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、本発明の例示化合物（１）をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、まず、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、例示化合物（１）の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚２０ｎｍの例示化合物（１）からなる中間層を設けた。

次に、中間層まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚８ｎｍの銀からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極９を作製した。

（６）透明電極１０の作製
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、本発明の例示化合物（１）をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銅を充填し、第２真空槽内に取り付けた。

この状態で、まず、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、例示化合物（１）の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基材上に層厚２０ｎｍの例示化合物（１）からなる中間層を設けた。

次に、中間層まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銅の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒の範囲内で、層厚５ｎｍの銅からなる導電性層を形成し、中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極１０を作製した。

（７）透明電極１１〜１３の作製
透明電極１０の作製において、導電性層の層厚をそれぞれ８ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍに変更した以外は同様にして、透明電極１１〜１３を作製した。

（８）透明電極１４及び１５の作製
透明電極１１の作製において、導電性層の構成材料をそれぞれ金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）に変更した以外は同様にして、透明電極１４及び１５を作製した。

（９）透明電極１６〜６３の作製
透明電極１０の作製において、中間層の構成材料を表１〜３に記載の例示化合物に変更した以外は同様にして、透明電極１６〜６３を作製した。

（１０）透明電極６４〜６７の作製
透明電極２７、５１、６２及び６３の作製において、基材を無アルカリガラスからＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極６４〜６７を作製した。

≪透明電極の評価≫
作製した透明電極１〜６７について、下記の方法に従い、光透過率、シート抵抗値、高温保存安定性（光透過率の変化量）及び保存性の測定、評価を行った。

（１）光透過率の測定
作製した各透明電極について、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、各透明電極の基材をリファレンスとして、波長５５０ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。
測定結果を表１〜３に示す。

（２）シート抵抗値の測定
作製した各透明電極について、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／□）を測定した。
測定結果を表１〜３に示す。

（３）高温保存安定性（光透過率の変化量）の測定
作製した各透明電極について、高温環境下（８０℃）で１５０時間保存し、光透過率を測定して、その変化量を算出した。
測定結果を表１〜３に示す。
なお、各透明電極の光透過率の変化量は、透明電極９の光透過率の変化量を１００とする相対値で示している。

（４）保存性
作製した各透明電極について、ＴＨＦ溶液中（２５℃）に浸漬し、シート抵抗値が初期値の２倍のシート抵抗値となるまでに要する時間を求め、これを保存性の指標とした。
測定結果を表１〜３に示す。
なお、各透明電極の保存性は、透明電極９の保存性を１００とする相対値で示している。

（５）まとめ
表１〜３から明らかなように、本発明の透明電極１０〜６７は、いずれも光透過率が６３％以上であり、シート抵抗値が９．７Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極１〜９は、光透過率が６３％未満のものがあり、しかもシート抵抗値が９．７Ω／□を超えるものがあった。
また、高温保存安定性（光透過率の変化量）及び保存性においても、本発明の透明電極１０〜６７が、比較例の透明電極１〜９と比較して、優れていることがわかる。

以上から、導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、中間層には、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内である有機化合物が含有されていることが、高い光透過率と導電性とを兼ね備え、高温保存安定性及び保存性に優れた透明電極を提供することに有用であることが確認された。

１，１−１，１−２ 透明電極
１ａ，１ｃ 中間層
１ｂ 導電性層
３，３−１，３−２ 中間層
５，５−１，５−２ 銅薄膜電極
５ｘ１、５ｘ２、５ｘ３等 ｘ電極パターン（第１の銅薄膜電極）
５ｙ１，５ｙ２、５ｙ３等 ｙ電極パターン（第２の銅薄膜電極）
６ レジスト膜
６Ａ 領域
７ マスク
８ 露光機
９ エッチング液
１１ 基材、透明基材
１３ 前面板
１５ 接着剤
１７，１７ｘ，１７ｙ 配線
２１，２１ａ タッチパネル
１００ 液晶表示素子
１０１Ａ，１０１Ｂ 偏光フィルター
１０２Ａ，１０２Ｂ ガラス基板
１Ａ，１Ｂ 透明電極
１０３ カラーフィルター
１０４Ａ，１０４Ｂ 配向膜
１０５ 液晶
１０６ スペーサー

Claims (5)

1. 導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、
   前記導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、
   前記中間層は、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内であり、かつ、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環を有する有機化合物からなり、
   前記有機化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする透明電極。
   

   

   〔一般式（Ｉ）中、Ｘは、ＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１〜Ｅ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_２又は窒素原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、亜リン酸エステル基若しくはホスホノ基を表す。〕
2. 導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる中間層と、を備える透明電極であって、
   前記導電性層が、銅、金又は白金を主成分として構成され、
   前記中間層は、双極子モーメントが５．０〜２５．０デバイの範囲内であり、かつ、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環を有する有機化合物からなり、
   前記有機化合物が、下記一般式（II）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする透明電極。
   

   

   〔一般式（II）中、Ｅ_９〜Ｅ_１７は、それぞれ独立に、ＣＲ_３を表す。Ｒ_３は、水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、亜リン酸エステル基若しくはホスホノ基を表す。〕
3. 前記導電性層が、銅を主成分として構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明電極。
4. 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される構造を有する有機化合物の双極子モーメントが、９．０〜２０．０デバイの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明電極。
5. 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする電子デバイス。

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