JP6336254B2

JP6336254B2 - 多層プリント回路基板の製造方法

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Publication number: JP6336254B2
Application number: JP2013161746A
Authority: JP
Inventors: サンカン，ミョン; ファンキム，ギ; ユンゾ，ヨン; ウォンジョン，ソン; ヒョクオ，サン; ヒキム，ダ; オ，ヨン; ヨンユ，ギ
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2012-10-15
Filing date: 2013-08-02
Publication date: 2018-06-06
Anticipated expiration: 2033-08-02
Also published as: JP2014082459A; KR101884430B1; KR20140047953A; US20140102767A1

Description

本発明は、多層プリント回路基板及びその製造方法に関する。

通常、プリント回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなるボードの一面または両面に銅箔で配線した後、ボード上にＩＣまたは電子部品を配置固定し、これらの間の電気的配線を具現して絶縁体でコーティングしたものである。

最近、電子産業の発達に伴い、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増しており、これにより、このような電子部品が搭載されるプリント回路基板も高密度配線化及び薄板化が求められている。

特に、プリント回路基板の薄板化に応えるべく、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を短縮することができるコアレス基板が注目されている。

コアレス基板の場合、コア基板を用いないため、製造工程中に支持体の機能を行うことができるキャリア部材が必要である。キャリア部材の両面に、通常の基板製造方法に従って回路層及び絶縁層を含むビルドアップ層を形成した後、キャリア部材を除去することにより、上部基板と下部基板とに分離されてコアレス基板が完成される。

従来のコアレス基板の製造方法は、特許文献１に記載されたように、各ビルドアップ層の電気的連結のためのビアを備えており、このようなビアを形成するための前段階として、絶縁層に開口部を形成するためにＬＤＡ（ＬａｓｅｒＤｉｒｅｃｔＡｂｌａｔｉｏｎ）法を行っている。

しかし、このようなＬＤＡ法は、レーザスポットサイズの制限により、開口部のサイズが大きい場合には加工時間が長くなるという問題点があった。

また、従来のコアレス基板の製造方法は、複数回のレーザ加工を行わなければならないため、工程が複雑で、コストが増加するという問題点があった。

韓国公開特許第２０１０−００４３５４７号公報

上記の問題点を解消するために、本発明の目的は、ドライフィルムを用いて電気的連結をなすピラーを含む多層プリント回路基板を提供することにある。

上記の問題点を解消するために、本発明の他の目的は、ドライフィルムを用いて電気的連結をなすピラーを含む多層プリント回路基板の製造方法を提供することにある。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板は、少なくとも一つの第１コアピラーを含む第１コア絶縁層と、前記第１コア絶縁層の両面方向に、少なくとも一つの回路層と前記回路層に連結された少なくとも一つの他のピラーをそれぞれ含んで積層された多数の絶縁層と、前記多数の絶縁層のうち最外部絶縁層に含まれたピラーに接して前記最外部絶縁層の外部面に備えられた多数の最外部回路層と、を含み、前記第１コア絶縁層の両面方向にそれぞれ形成された前記回路層と他のピラーは、前記第１コア絶縁層を基準として互いに対称に備えられる。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板において、前記第１コア絶縁層はガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有し、前記第１コア絶縁層と前記多数の絶縁層は互いに異なる材質からなる。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板において、前記多数の絶縁層の前記回路層が備えられた面に表面粗さが形成される。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板において、前記回路層と他のピラーは前記第１コア絶縁層の第１コアピラーを基準として両面方向にそれぞれ順次に積層され、前記第１コアピラーを基準として互いに対称に備えられる。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板において、前記最外部回路層には、ＳＲ（ＳｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（ＯｒｇａｎｉｃＳｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙＰｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの第１表面処理膜、または金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ；ＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＮｉｃｋｅｌＩｍｍｅｒｓｉｏｎＧｏｌｄ）膜のうち何れか一つの第２表面処理膜が形成される。

また、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法は、（Ａ）絶縁板の一面または両面に少なくとも一つの銅箔を備えたキャリア基板を準備する段階と、（Ｂ）前記キャリア基板の一面または両面に多層プリント回路基板前駆体を形成する段階と、（Ｃ）前記キャリア基板を分離する段階と、（Ｄ）前記多層プリント回路基板前駆体の外部面に、他の回路層と他のピラーを順次に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、を含む。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法は、（Ｅ）前記他の絶縁層のうち最外部絶縁層に最外部回路層を形成する段階と、（Ｆ）前記最外部回路層に第１表面処理膜または第２表面処理膜を形成する段階と、をさらに含む。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記第１表面処理膜は、ＳＲ（ＳｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（ＯｒｇａｎｉｃＳｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙＰｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つで形成され、前記第２表面処理膜は、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＮｉｃｋｅｌＩｍｍｅｒｓｉｏｎＧｏｌｄ）膜のうち何れか一つで形成される。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｂ）段階は、（Ｂ−１）前記キャリア基板の一面または両面に備えられた第１ドライフィルムパターンに電解銅メッキを施して多数の第１コアピラーを形成する段階と、（Ｂ−２）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、（Ｂ−３）前記キャリア基板の一面または両面に前記第１コアピラーの高さと同一またはそれより厚い厚さの第１コア絶縁層を形成する段階と、（Ｂ−４）前記第１コアピラーを露出するために、前記第１コア絶縁層に対して研磨切削工程を行う段階と、（Ｂ−５）前記第１コアピラーを露出した前記第１コア絶縁層の外部面にＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いてシード層を形成する段階と、（Ｂ−６）前記シード層に第１回路層形成用ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｂ−７）前記第１回路層形成用ドライフィルムパターンに銅をメッキして剥離し、第１回路層を形成する段階と、（Ｂ−８）前記第１回路層を備えた第１コア絶縁層の外部面に第２ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｂ−９）前記第２ドライフィルムパターンに銅をメッキして剥離し、前記第１回路層に連結された第２コアピラーを形成する段階と、（Ｂ−１０）前記第１回路層に重畳するシードパターンを形成するために、前記第１回路層に重畳していないシード層をエッチングにより除去する段階と、（Ｂ−１１）前記シードパターンから前記第２コアピラーまでの全高さと同一またはそれより厚い厚さの第２絶縁層を形成する段階と、（Ｂ−１２）前記第２コアピラーを露出するために、前記第２絶縁層に対して研磨切削工程を行う段階と、を含む。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｂ−１）段階、前記（Ｂ−７）段階、及び前記（Ｂ−９）段階は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰのうち何れか一つの方法により前記銅をメッキする。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記多層プリント回路基板前駆体の絶縁層はガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有してなり、前記多層プリント回路基板前駆体の絶縁層と前記他の絶縁層は互いに異なる材質からなる。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｄ）段階は、前記他の絶縁層をデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理する段階を含む。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｂ−４）段階と前記（Ｂ−１２）段階は、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）、エンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）、セラミックバフ（Ｃｅｒａｍｉｃｂｕｆｆ）、及びＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）のうち何れか一つを用いて行われる。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｂ）段階は、（Ｂ−１）前記キャリア基板の一面または両面に備えられた第１ドライフィルムパターンに対して銅をメッキして多数の第１コアピラーを形成する段階と、（Ｂ−２）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、（Ｂ−３）前記キャリア基板の一面または両面に前記第１コアピラーの高さと同一またはそれより厚い厚さの第１コア絶縁層を形成する段階と、（Ｂ−４）前記第１コアピラーを露出するために、前記第１コア絶縁層に対して研磨切削工程を行う段階と、を含む。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｂ−１）段階は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰのうち何れか一つの方法により前記銅をメッキする。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、前記（Ｂ−４）段階は、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）、エンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）、セラミックバフ（Ｃｅｒａｍｉｃｂｕｆｆ）、及びＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）のうち何れか一つを用いて行われる。

本発明による多層プリント回路基板によると、従来、レーザを用いて形成されたビアの代わりに電気的連結のためのピラーを容易に具現することにより、製造コストを下げ、回路の集積度を向上させることができる。

本発明による多層プリント回路基板の製造方法によると、キャリア基板とドライフィルムパターンを用いて多数のピラーにより電気的に連結される多数の回路層を備えた多層プリント回路基板を容易に製造することにより、従来、レーザを用いてビアを形成することで生じる加工時間と製造コストの問題点を解消することができる。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板の断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。

本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の断面図である。

ここで、本発明の一実施例による多層プリント回路基板として、例えば、四つの絶縁層を有するプリント回路基板を適用して説明する。勿論、四つの絶縁層以上の多層ビルドアップ構造のプリント回路基板にも適用することができる。

本発明の一実施例による多層プリント回路基板は、第１コア絶縁層１２１、第２コア絶縁層１６０、第２ビルドアップ絶縁層１８４及び第１ビルドアップ絶縁層１８３を備え、第１コア絶縁層１２１を基準としてコア回路層４０と第２内層回路層６０がそれぞれ下部、第１内層回路層７０と第１外層回路層１９１に対称に備えられる。

このような一実施例による多層プリント回路基板は、第１外層回路層１９１から第２外層回路層１９２までそれぞれの回路パターンを電気的に連結する多数のピラー（ｐｉｌｌａｒ）７２、２２、４２、６２を含み、第１外層回路層１９１または第２外層回路層１９２の酸化を防止し、半田付け性を向上させるため、ＳＲ（ＳｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）の代わりに、第１外層回路層１９１または第２外層回路層１９２を覆う第１表面処理膜９１、または電気伝導度を高めて外部素子との接続信頼性を向上させるための第２表面処理膜９２を形成する。

また、本発明の一実施例による多層プリント回路基板において、第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３は、第１コア絶縁層１２１と第２コア絶縁層１６０の材質とは異なる異種材質の絶縁層に形成される。

即ち、第１コア絶縁層１２１と第２コア絶縁層１６０は、ガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有した絶縁層に形成される反面、第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３は、ガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有せずに樹脂などの材質を含有した絶縁層に形成される。

特に、第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３は、それぞれデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理により、第１外層回路層１９１が形成された面または第２外層回路層１９２が形成された面を、表面粗さを有する面に形成することができる。

これにより、第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３は、表面粗さを有する面に形成し、ＰＶＤまたはＣＶＤ工程を用いて形成されるシード層１６５´とは異なり、無電解化学銅を用いた銅メッキ工程により、第１外層シードパターン１８５´と第２外層シードパターン１８６´を備えることができる。

以降、このような第１外層シードパターン１８５´と第２外層シードパターン１８６´を用いて、第１外層回路層１９１及び第２外層回路層１９２を形成することができる。

また、本発明の一実施例による多層プリント回路基板は、回路パターンを備えることなく、第１コアピラー２２のみを備えた第１コア絶縁層１２１のような少なくとも一つの絶縁層を含むことができ、このような絶縁層を基準として上、下方向に多数の回路層とピラーを対称に備えることができる。

具体的に、多数の回路層４０、６０、７０、８０、９０またはピラー２２、４２、６２、７２は、ドライフィルムパターンを用いて、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの気相蒸着法、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−ＡｄｄｉｔｉｖｅＰｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（ＭｏｄｉｆｉｅｄＳｅｍｉ−ＡｄｄｉｔｉｖｅＰｒｏｃｅｓｓ）などの方法を用いて形成することができる。

多数の回路層４０、６０、７０、８０、９０またはピラー２２、４２、６２、７２は、第１コア絶縁層１２１と第２コア絶縁層１６０を基準として互いに対称する構造に備えられ、多層プリント回路基板の回路密度を向上させ、特に従来のビア（Ｖｉａ）の代わりに容易に形成されたピラーを用いて電気的連結を具現することができる。

第１表面処理膜９１は、ＯＳＰ（ＯｒｇａｎｉｃＳｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙＰｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの膜で形成することができる。特に、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性に分けられ、有機溶剤型は、ロールコーティング（Ｒｏｌｌｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて、第１外層回路層１９１または第２外層回路層１９２の表面に形成することができる。また、水溶性は、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて、第１外層回路層１９１と第２外層回路層１９２の両方または第１外層回路層１９１と第２外層回路層１９２の何れか一つに形成することができる。

また、第２表面処理膜９２は、電気伝導性が高い金属材質の膜で形成することができ、例えば、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、または無電解ニッケル／金メッキ（ＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＮｉｃｋｅｌＩｍｍｅｒｓｉｏｎＧｏｌｄ）膜で形成することができる。

特に、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ）膜は、無電解メッキ工程によりニッケルをメッキした後、置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎｇｏｌｄ）をメッキして形成することができ、耐熱性及び半田付け性に優れるという利点がある。

このような第１表面処理膜９１と第２表面処理膜９２は、前記例に限定されず、ＨＡＳＬ（ＨｏｔＡｉｒＳｏｌｄｅｒＬｅｖｅｌｉｎｇ）またはその他の全てのメッキ層を含むことができる。

このような本発明の一実施例による多層プリント回路基板は、キャリアとドライフィルムを用いて多数の絶縁層からなるビルドアップ層構造に具現し、ビルドアップ層の電気的連結のための多数のピラーを容易に具現することができる。

従って、本発明の一実施例による多層プリント回路基板は、従来、レーザを用いて形成されたビアの代わりに電気的連結のためのピラーを容易に具現することにより、製造コストを下げ、回路の集積度を向上させることができる。

以下、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法について、図２Ａから図２Ｎを参照して説明する。

図２Ａから図２Ｎは、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。

図２Ａに図示されたように、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、先ずキャリア基板１０を準備する。

キャリア基板１０は、例えば、絶縁板１１の一面または両面に二つの銅箔が積層された構造を有しており、製造過程のプリント回路基板を支持する機能を果たす。ここで、キャリア基板１０について絶縁板１１の両面に二つの銅箔を備えた形態を説明しているが、これに限定されず、絶縁板１１の両面にそれぞれ厚み差を有する二つ以上の銅箔を備えることもできる。

具体的に、キャリア基板１０の絶縁板１１は、樹脂材質からなり、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材を含浸したプリプレグが挙げられる。

このような絶縁板１１において、絶縁板１１の上部面に第１上部銅箔１２−１及び第２上部銅箔１２−２を備え、絶縁板１１の下部面に第１下部銅箔１３−１及び第２下部銅箔１３−２を備える。

選択的に、第１上部銅箔１２−１と第２上部銅箔１２−２との間または第１下部銅箔１３−１と第２下部銅箔１３−２との間には、離型層（ｒｅｌｅａｓｅｌａｙｅｒ）を備えて、後続工程でキャリア基板１０を容易に分離することもできる。

例えば、離型層は、フッ素系、シリコン系、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルペンテン及びこれらの組み合わせからなる群から選択される高分子材質の粘着物質からなることができるが、特にこれに限定されるものではない。

このようなキャリア基板１０を準備した後、図２Ｂに図示されたように、キャリア基板１０の両面に多数の開口部２１、３１を有する第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成する。

具体的に、第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成する過程によると、ラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて、キャリア基板１０の両面にドライフィルムをラミネーションする。

以降、ドライフィルムを光に露出させる露光工程により、ドライフィルムを選択的に硬化させ、現像液を用いて硬化されていない部分のみを溶解させて、図２Ｂに図示されたように、上部開口部２１を有する第１上部ドライフィルムパターン２０´及び下部開口部３１を有する第１下部ドライフィルムパターン３０´にパターニングすることができる。

多数の開口部２１、３１を有する第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成した後、図２Ｃに図示されたように、電解銅メッキ法により上部開口部２１と下部開口部３１に銅をメッキして第１コアピラー２２及び第１コアピラー２２と同様な第１ダミーピラー３２を形成する。

以降、第１ドライフィルムパターン２０´、３０´は、剥離液による剥離によって除去され、図２Ｃに図示されたように、キャリア基板１０の上、下面に第１コアピラー２２及び第１コアピラー２２と同様な多数の第１ダミーピラー３２を備える。ここで、ドライフィルムパターン２０´、３０´を除去するための剥離液としては、アルカリ金属水酸化物などが挙げられる。

キャリア基板１０の上、下面に多数の第１コアピラー２２と第１ダミーピラー３２を備えた後、図２Ｄに図示されたように、キャリア基板１０の上、下面それぞれに第１絶縁層のフィルム１２０及び第１絶縁層のフィルム１２０と同様な第１ダミー絶縁層のフィルム１３０をラミネーションする。

具体的に、第１絶縁層のフィルム１２０と第１ダミー絶縁層のフィルム１３０は、キャリア基板１０の上部面と下部面にそれぞれガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有した同じ材質のフィルムを、ラミネーターを用いてラミネーションし、それぞれの厚さは、第１コアピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さと同一またはそれより厚く形成されてラミネーションされる。

これにより、第１コアピラー２２と第１ダミーピラー３２がそれぞれ第１絶縁層のフィルム１２０と第１ダミー絶縁層のフィルム１３０を貫通して外部に露出し得る。

以降、露出しているか露出していない第１コアピラー２２を含む第１絶縁層のフィルム１２０及び第１ダミーピラー３２を含む第１ダミー絶縁層のフィルム１３０に対して研磨切削工程を行う。

具体的に、第１絶縁層のフィルム１２０と第１ダミー絶縁層のフィルム１３０に対する研磨切削工程としては、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）、エンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）またはセラミックバフ（Ｃｅｒａｍｉｃｂｕｆｆ）を用いた研磨工程、またはＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程が挙げられる。

これにより、第１コアピラー２２を含む平坦な面の第１コア絶縁層１２１と第１ダミーピラー３２を含む平坦な面の第１ダミー絶縁層１３１を形成することができる。

研磨切削工程を行った後、図２Ｅに図示されたように、第１コアピラー２２を露出した第１コア絶縁層１２１の上部面と第１ダミーピラー３２を露出した第１ダミー絶縁層１３１の下部面にそれぞれ第１シード層（ｓｅｅｄｌａｙｅｒ）１４０と第１ダミーシード層１５０を形成する。

具体的に、第１シード層１４０と第１ダミーシード層１５０は、ＣＶＤまたはＰＶＤの気相蒸着法を用いて金属層に形成することができ、例えば、ＰＶＤの気相蒸着法のうち、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）により、Ｔｉ層／Ｃｕ層の二層構造に形成することができる。

このような第１シード層１４０と第１ダミーシード層１５０を形成した後、図２Ｆに図示されたように、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法を用いて、コア回路層４０及びコア回路層４０と同様な第１ダミー回路層５０を形成する。

以降、コア回路層４０が形成された第１シード層１４０の上部面と第１ダミー回路層５０が形成された第１ダミーシード層１５０の下部面にそれぞれ第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´を形成する。ここで、第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´は、それぞれ露光及び現像工程により、第２コアピラー４２及び第２ダミーピラー５２を形成するための多数の開口部を備える。

このような第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´に対して、ＣＶＤ、ＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法を用いて第２コアピラー４２及び第２ダミーピラー５２を形成する。

この際、第１シード層１４０に対するパターニングにより、コア回路層４０の下部部分の第１シード層１４０以外の他の部分をエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）して除去し、図２Ｇに図示されたように、第１コア絶縁層１２１の第１コアピラー２２に対してコアシードパターン１４１、コア回路層４０、及び第２コアピラー４２が順次に積層された構造を有する。

また、第１シード層１４０と同様な第１ダミーシード層１５０に対しても同様に適用され、第１ダミー絶縁層１３１の第１ダミーピラー３２から第１ダミーシードパターン１５１、第１ダミー回路層５０、及び第２ダミーピラー５２が順次に積層された構造を有する。

このような第２コアピラー４２を含む第１コア絶縁層１２１及び第２ダミーピラー５２を含む第１ダミー絶縁層１３１それぞれに対して、上述したラミネーターを用いたラミネーション過程と同様に、第２コア絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０を第１コア絶縁層１２１及び第１ダミー絶縁層１３１にそれぞれラミネーションする。

この際、第２コア絶縁層１６０の厚さは、コアシードパターン１４１から第２コアピラー４２までの高さと同一またはそれより厚く形成されてラミネーションされ、第２ダミー絶縁層１７０の厚さは、第１ダミーシードパターン１５１から第２ダミーピラー５２までの高さと同一またはそれより厚く形成してラミネーションすることができる。

これにより、図２Ｈに図示されたように、第２コアピラー４２及び第２コアピラー４２と同様な第２ダミーピラー５２がそれぞれ第２コア絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０を貫通して外部に露出し得る。

以降、第２コアピラー４２を含む第２コア絶縁層１６０及び第２ダミーピラー５２を含む第２ダミー絶縁層１７０に対して研磨切削工程を行い、図２Ｈに図示されたように、研磨切削工程により平坦化された第２コア絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０それぞれに第２シード層１６５と第２ダミーシード層１７５を形成することができる。

ここで、第２シード層１６５と第２ダミーシード層１７５は、第１シード層１４０と同様に、ＣＶＤまたはＰＶＤの気相蒸着法を用いて金属層に形成させることができ、例えば、ＰＶＤの気相蒸着法のうちスパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）によりＴｉ層／Ｃｕ層の二層構造に形成することができる。

以降、図２Ｉに図示されたように、キャリア基板１０に対するルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）を行い、第２上部銅箔１２−２を含む上部多層プリント回路基板前駆体と第２下部銅箔１３−２を含む下部多層プリント回路基板前駆体を分離する。

ここで、上部多層プリント回路基板前駆体と下部多層プリント回路基板前駆体は、第１上部銅箔１２−１と第２上部銅箔１２−２との間または第１下部銅箔１３−１と第２下部銅箔１３−２との間に予め備えられた離型層によってさらに容易に分離することもできる。

このように分離した上部多層プリント回路基板前駆体と下部多層プリント回路基板前駆体それぞれに、回路層とピラーを備えた絶縁層を多数積層してビルドアップ構造の多層プリント回路基板を製造することができる。

このような過程を説明するために、図２Ｊに図示された第２コアピラー４２を含む上部多層プリント回路基板構造体を選択して後続工程について説明する。勿論、第２ダミーピラー５２を含む下部多層プリント回路基板構造体に対しても後述する後続工程を同様に適用することができる。

図２Ｋに図示されたように、分離した上部多層プリント回路基板構造体に対して、第１コアピラー２２を露出した第１コア絶縁層１２１の下部面に第１内層回路層７０と第１ビルドアップピラー７２を順次に形成し、第２コアピラー４２を露出した第２コア絶縁層１６０の上部面に、第２内層回路層６０と第２ビルドアップピラー６２を順次に形成する。

具体的に、コア回路層４０を形成する過程と同様に、第２シード層１６５と第２上部銅箔１２−２それぞれに第２内層回路層６０及び第１内層回路層７０を形成するためのドライフィルムパターンを形成する。この際、第２上部銅箔１２−２は、第１内層回路層７０を形成するためのシード層として用いるため、第１内層回路層７０を形成するためのシード層を別に形成する必要がない。

このようなドライフィルムパターンに対して、ＣＶＤまたはＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法を適用して、第２内層回路層６０及び第１内層回路層７０を形成する。

以降、第２コアピラー４２の形成過程と同様に、第２ビルドアップピラー６２を形成するためのドライフィルムパターン及び第１ビルドアップピラー７２を形成するためのドライフィルムパターンを備え、ＣＶＤまたはＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法により銅をメッキして、第２ビルドアップピラー６２及び第１ビルドアップピラー７２を形成する。

以降、第２内層回路層６０の下部部分の第２シード層１６５以外の他の部分をエッチングにより除去し、図２Ｋに図示されたように、第２コア絶縁層１６０が露出した面に第２内層シードパターン１６５´、第２内層回路層６０、及び第２ビルドアップピラー６２が順次に積層された構造を有する。

また、第１コア絶縁層１２１の下部にも同様に適用され、第１コア絶縁層１２１の露出した下部面から第１内層シードパターン１２−２´、第１内層回路層７０、及び第１ビルドアップピラー７２が順次に積層された構造を有する。

以降、第２ビルドアップ絶縁層１８４及び第１ビルドアップ絶縁層１８３は、第２ビルドアップピラー６２及び第２ビルドアップピラー６２と類似した第３ダミーピラー７２にそれぞれ対応し、第２コア絶縁層１６０の上部面と第１コア絶縁層１２１の下部面に形成される。

例えば、第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３は、ガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有せず、樹脂などの材質を含有する絶縁材質の未硬化フィルムをラミネーターによりラミネーションして形成することができる。

以降、第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３は、それぞれデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理により、図２Ｌに図示されたように、第２ビルドアップピラー６２及び第１ビルドアップピラー７２が露出し、粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が形成された面を備えることができる。

次に、図２Ｍに図示されたように、表面粗さが形成された第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３の各面に対してＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いることなく無電解銅メッキにより最上部シード層１８６と最下部シード層１８５を形成することができる。ここで、最上部シード層１８６と最下部シード層１８５は、デスミア処理により表面粗さが形成された第２ビルドアップ絶縁層１８４と第１ビルドアップ絶縁層１８３の各面に容易に形成することができる。

以降、回路層６０、７０の形成過程と同様に、最上部シード層１８６と最下部シード層１８５それぞれに第２外層回路層１９２と第１外層回路層１９１を形成するためのドライフィルムパターンを備える。

このような第２外層回路層１９２と第１外層回路層１９１を形成するためのドライフィルムパターンに対して、ＣＶＤまたはＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法により銅をメッキし、図２Ｎに図示されたように、第２外層回路層１９２と第１外層回路層１９１を形成する。

第２外層回路層１９２と第１外層回路層１９１を形成した後、このような第２外層回路層１９２と第１外層回路層１９１に、第１表面処理膜９１または第２表面処理膜９２を形成する。

第１表面処理膜９１は、従来のＳＲの代わりに、例えば、ＯＳＰ（ＯｒｇａｎｉｃＳｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙＰｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの膜で形成されることができる。ここで、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性に分けられ、有機溶剤型は、ロールコーティング（Ｒｏｌｌｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて第１外層シードパターン１８５´または第２外層シードパターン１８６´の表面に形成することができ、水溶性は、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて形成することができる。また、ブラックオキサイド膜またはブラウンオキサイド膜は、銅材質の第２外層シードパターン１８６´と第１外層シードパターン１８５´を酸化処理して形成することができる。

特に、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ）膜は、無電解メッキ工程によりニッケルをメッキした後、置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎｇｏｌｄ）をメッキして形成することができる。

勿論、このような第１表面処理膜９１と第２表面処理膜９２は、前記例に限定されず、ＨＡＳＬ（ＨｏｔＡｉｒＳｏｌｄｅｒＬｅｖｅｌｉｎｇ）またはその他の表面処理層に形成することができる。

このような本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、キャリア基板１０とドライフィルムパターンを用いて多数のピラーにより電気的に連結される五つの回路層を備えた多層プリント回路基板を容易に製造し、従来、レーザを用いてビアを形成することで生じる加工時間と製造コストの問題点を解消することができる。ここで、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、五つ以上の回路層と四つ以上の絶縁層を有する多層プリント回路基板を具現することもできる。

特に、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、キャリア基板１０とドライフィルムパターンを用いて歪み（ｗａｒｐａｇｅ）が生じることなく多層プリント回路基板を大量生産することができる。

以下、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法について、図３Ａから図３Ｅを参照して説明する。

図３Ａから図３Ｅは、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。

ここで、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法として、六つの回路層３５１、２８５、２６１、２７１、２９５、３４１のような偶数個の回路層を有する多層プリント回路基板を製造する方法について説明する。

これにより、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法について、本発明の一実施例による多層プリント回路基板の製造方法と類似した部分は省略して説明する。

本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、先ず、図３Ａに図示されたように、上、下面にそれぞれ第１ピラー２２２及び第１ピラー２２２と同様な多数の第１ダミーピラー２１２を備えたキャリア基板１０の上、下面それぞれに第１絶縁層２２０及び第１絶縁層２２０と同様な第１ダミー絶縁層２１０をラミネーションする。

以降、第１ピラー２２２を含む第１絶縁層２２０及び第１ダミーピラー２１２を含む第１ダミー絶縁層２１０に対して研磨切削工程を行い、第１ピラー２２２を含む第１絶縁層２２０及び第１ダミーピラー２１２を含む第１ダミー絶縁層２１０を平坦な面に形成することができる。

このような第１ピラー２２２を露出した第１絶縁層２２０の上部面と第１ダミーピラー２１２を露出した第１ダミー絶縁層２１０の下部面に、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法によりそれぞれ第１シード層２４０及び第１シード層２４０と同様な第１ダミーシード層２３０を形成する。

以降、キャリア基板１０に対するルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）を行い、図３Ｂに図示されたように、第２上部銅箔１２−２を含む上部多層プリント回路基板前駆体と第２下部銅箔１３−２を含む下部多層プリント回路基板前駆体を分離する。

このように分離した上部多層プリント回路基板構造体と下部多層プリント回路基板構造体それぞれは、回路層無しにピラーのみが内部に備えた絶縁層構造の前駆体を用いて、偶数個の回路層を有する多層プリント回路基板を製造することができる。

以降、上部多層プリント回路基板構造体に対して、第１シード層２４０と第２上部銅箔１２−２を用いた銅メッキとエッチング工程により、第１上部回路層２６１と第１下部回路層２７１を対称に形成する。

この際、エッチング工程により、第１シード層２４０と第２上部銅箔１２−２は、第１上部回路層２６１と第１下部回路層２７１に対して第１シードパターン２４５と第１内層シードパターン１２−２´に形成することができる。

次に、第１上部回路層２６１と第１下部回路層２７１をそれぞれ露出した開口部を有するドライフィルムパターンを形成した後、電解銅メッキ法により、開口部に銅をメッキして第２上部ピラー２６２と第２下部ピラー２７２を形成する。

以降、ドライフィルムパターンは、剥離により除去され、第１上部回路層２６１と第１下部回路層２７１にそれぞれ連結された第２上部ピラー２６２と第２下部ピラー２７２を具現する。

このように第１ピラー２２２の両面に、それぞれ第１シードパターン２４５、第１上部回路層２６１及び第２上部ピラー２６２の構造に対して、第１内層シードパターン１２−２´、第１下部回路層２７１及び第２下部ピラー２７２の構造を互いに対称に形成する。勿論、下部多層プリント回路基板構造体に対しても同様な工程を行うことができる。

以降、図３Ｃに図示されたように、第２上部ピラー２６２及び第２下部ピラー２７２に対してそれぞれ第２上部絶縁層２６０と第２下部絶縁層２７０をラミネーションし、デスミア処理を施す。

これにより、図３Ｃに図示されたように、デスミア処理により第２上部絶縁層２６０と第２下部絶縁層２７０は、第２上部ピラー２６２及び第２下部ピラー２７２それぞれを露出して表面粗さが形成された面を備える。

次に、図３Ｄに図示されたように、表面粗さが形成された第２上部絶縁層２６０と第２下部絶縁層２７０の各面に対してＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いることなく無電解銅メッキにより、第２上部シード層２８０と第２下部シード層２９０を形成することができる。ここで、第２上部シード層２８０と第２下部シード層２９０は、デスミア処理により表面粗さが形成された第２上部絶縁層２６０と第２下部絶縁層２７０の各面に容易に形成することができる。

以降、回路層２６１、２７１の形成過程と同様に、第２上部シード層２８０と第２下部シード層２９０それぞれに第２上部回路層２８７と第２下部回路層２９７を形成するためのドライフィルムパターンを備える。

このような第２上部回路層２８７と第２下部回路層２９７を形成するためのドライフィルムパターンに、ＣＶＤまたはＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法により銅をメッキし、図３Ｅに図示されたように、第２上部回路層２８７と第２下部回路層２９７を形成する。

この際、第２上部回路層２８７と第２下部回路層２９７は、それぞれ第２上部シードパターン２８５と第２下部シードパターン２９５を備える。

このような過程が繰り返して行われ、図３Ｅに図示されたように、第２上部回路層２８７及び第２下部回路層２９７それぞれに第３上部ピラー３０２と第３下部ピラー３１２を形成し、第３上部絶縁層３００と第３下部絶縁層３１０を形成する。

この際、第３上部絶縁層３００と第３下部絶縁層３１０は、デスミア処理により表面粗さが形成された面を備えることができる。

また、デスミア処理が施された第３上部絶縁層３００と第３下部絶縁層３１０の面に対してそれぞれ最上部シードパターン３３５を有する最上部回路層３５１及び最下部シードパターン３２５を有する最下部回路層３４１を形成することができる。

最上部回路層３５１と最下部回路層３４１を形成した後、このような最上部回路層３５１と最下部回路層３４１に第１表面処理膜３５５または第２表面処理膜３６５を形成する。

これにより、図３Ｅに図示されたように、第１絶縁層２２０を基準として六つの回路層３５１、２８５、２６１、２７１、２９５、３４１と四つの絶縁層２６０、２７０、３００、３１０が互いに対称する構造に形成された多層プリント回路基板を具現することができる。

勿論、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、六つ以上の回路層と四つ以上の絶縁層を有する多層プリント回路基板を具現することもできる。

従って、本発明の他の実施例による多層プリント回路基板の製造方法によると、キャリア基板１０とドライフィルムパターンを用いて、キャリア基板１０の両面方向に多層構造のプリント回路基板前駆体を形成することで、多層プリント回路基板の生産効率性を向上することができる。

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。

本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲でより明確になるであろう。

本発明は、多層プリント回路基板及びその製造方法に適用可能である。

１０キャリア基板
１１絶縁板
１２−２第２上部銅箔
１２−２´ 第１内層シードパターン
１３−２第２下部銅箔
２０´、３０´ 第１ドライフィルムパターン
２２第１コアピラー
３２第１ダミーピラー
４０コア回路層
４２第２コアピラー
５２第２ダミーピラー
６０第２内層回路層
６２第２ビルドアップピラー
７０第１内層回路層
７２第１ビルドアップピラー
９１第１表面処理膜
９２第２表面処理膜
１２０第１絶縁層のフィルム
１２１第１コア絶縁層
１３０第１ダミー絶縁層のフィルム
１３１第１ダミー絶縁層
１４０第１シード層
１４１コアシードパターン
１５０第１ダミーシード層
１５１第１ダミーシードパターン
１６０第２コア絶縁層
１６５第２シード層
１６５´ 第２内層シードパターン
１７０第２ダミー絶縁層
１７５第２ダミーシード層
１８３第１ビルドアップ絶縁層
１８４第２ビルドアップ絶縁層
１８５最下部シード層
１８５´ 第１外層シードパターン
１８６最上部シード層
１８６´ 第２外層シードパターン
１９１第１外層回路層
１９２第２外層回路層
２１０第１ダミー絶縁層
２１２第１ダミーピラー
２２０第１絶縁層
２２２第１ピラー
２４０第１シード層
２４５第１シードパターン
２６０第２上部絶縁層
２６１第１上部回路層
２６２第２上部ピラー
２７０第２下部絶縁層
２７１第１下部回路層
２７２第２下部ピラー
２８０第２上部シード層
２８５第２上部シードパターン
２８７第２上部回路層
２９０第２下部シード層
２９５第２下部シードパターン
２９７第２下部回路層
３００第３上部絶縁層
３０２第３上部ピラー
３１０第３下部絶縁層
３１２第３下部ピラー
３２５最下部シードパターン
３３５最上部シードパターン
３４１最下部回路層
３５１最上部回路層
３５５第１表面処理層
３６５第２表面処理層

Claims

（Ａ）絶縁板の一面または両面に少なくとも一つの銅箔を備えたキャリア基板を準備する段階と、
（Ｂ）前記キャリア基板の一面または両面に多層プリント回路基板前駆体を形成する段階と、
（Ｃ）前記キャリア基板を分離する段階と、
（Ｄ）前記多層プリント回路基板前駆体の外部面に、他の回路層と他のピラーを順次に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、
を含み、
前記（Ｂ）段階は、
（Ｂ−１）前記キャリア基板の一面または両面に備えられた第１ドライフィルムパターンに銅をメッキして多数の第１コアピラーを形成する段階と、
（Ｂ−２）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、
（Ｂ−３）前記キャリア基板の一面または両面に前記第１コアピラーの高さと同一またはそれより厚い厚さの第１コア絶縁層を形成する段階と、
（Ｂ−４）前記第１コアピラーを露出するために、前記第１コア絶縁層に対して研磨切削工程を行う段階と、
を含む多層プリント回路基板の製造方法。
（Ｅ）前記他の絶縁層のうち最外部絶縁層に最外部回路層を形成する段階と、
（Ｆ）前記最外部回路層に第１表面処理膜または第２表面処理膜を形成する段階と、
をさらに含む請求項１に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記第１表面処理膜は、ＳＲ（ＳｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（ＯｒｇａｎｉｃＳｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙＰｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つで形成され、
前記第２表面処理膜は、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＮｉｃｋｅｌＩｍｍｅｒｓｉｏｎＧｏｌｄ）膜のうち何れか一つで形成される請求項２に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記（Ｂ−４）段階以後に、
（Ｂ−５）前記第１コアピラーを露出した前記第１コア絶縁層の外部面にＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いてシード層を形成する段階と、
（Ｂ−６）前記シード層にコア回路層形成用ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｂ−７）前記コア回路層形成用ドライフィルムパターンに銅をメッキして剥離し、コア回路層を形成する段階と、
（Ｂ−８）前記コア回路層を備えた第１コア絶縁層の外部面に第２ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｂ−９）前記第２ドライフィルムパターンに銅をメッキして剥離し、前記コア回路層に連結された第２コアピラーを形成する段階と、
（Ｂ−１０）前記コア回路層に重畳するコアシードパターンを形成するために、前記コア回路層に重畳していないシード層をエッチングにより除去する段階と、
（Ｂ−１１）前記コアシードパターンから前記第２コアピラーまでの全高さと同一またはそれより厚い厚さの第２コア絶縁層を形成する段階と、
（Ｂ−１２）前記第２コアピラーを露出するために、前記第２コア絶縁層に対して研磨切削工程を行う段階と、
をさらに含む請求項１に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記（Ｂ−１）段階、前記（Ｂ−７）段階、及び前記（Ｂ−９）段階は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰのうち何れか一つの方法により前記銅をメッキする請求項４に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記多層プリント回路基板前駆体の絶縁層はガラスクロス（Ｇｌａｓｓｃｌｏｔｈ）を含有してなり、
前記多層プリント回路基板前駆体の絶縁層と前記他の絶縁層は互いに異なる材質からなる請求項１に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記（Ｄ）段階は、
前記他の絶縁層をデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理する段階を含む請求項１に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記（Ｂ−４）段階と前記（Ｂ−１２）段階は、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）、エンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）、セラミックバフ（Ｃｅｒａｍｉｃｂｕｆｆ）、及びＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）のうち何れか一つを用いて行われる請求項５に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記（Ｂ−１）段階は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰのうち何れか一つの方法により前記銅をメッキする請求項１に記載の多層プリント回路基板の製造方法。
前記（Ｂ−４）段階は、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）、エンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）、セラミックバフ（Ｃｅｒａｍｉｃｂｕｆｆ）、及びＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）のうち何れか一つを用いて行われる請求項１に記載の多層プリント回路基板の製造方法。