JP2001007529A - 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法、半導体チップ及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平坦に形成することで、接続性、信頼性に優
れた多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造
方法、半導体チップ及び半導体チップの製造方法を提案
する。 【解決手段】 配線４０及びめっきポスト４２を樹脂絶
縁層４６で覆い、該めっきポスト及び樹脂絶縁層４６を
研磨した上に、該めっきポスト４２を介して上層の配線
１４０との接続を行っている。さらに上層の配線１４
０、めっきポスト１４０及び樹脂絶縁層１４６も同様に
形成してある。めっきポストを、配線パターンの上に形
成することにより、高さを均一にし易くなり、基板に凹
凸ができず接続性、信頼性に優れた多層プリント配線板
を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップを載置
するパッケージ基板として用いることのできる多層プリ
ント配線板及び多層プリント配線板の製造方法。更に、
外部基板に直接実装できるように配線を形成した半導体
チップ及び半導体チップの製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示される方
法にて製造されている。プリント配線板の導体回路の表
面に無電解めっきやエッチングにより、粗化層を形成さ
せる。その後、ロールーコーターや印刷により層間絶縁
樹脂を塗布、露光、現像して、層間導通のためのバイア
ホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層
間樹脂絶縁層を形成する。さらにその層間樹脂絶縁層
に、酸や酸化剤などにより粗化処理を施した粗化面にパ
ラジウムなどの触媒を付ける。そして、薄い無電解めっ
き膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパ
ターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカ
リでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体
回路を作り出させる。これを繰り返すことにより、ビル
ドアップ多層プリント配線板が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、層間樹
脂絶縁層に形成されたビアは、多層プリント配線板及び
半導体チップを形成する上では接続性や信頼性に悪影響
を及ぼしている。即ち、窪みの有るビアの上に層間樹脂
絶縁層を配設した際に、ビアの窪みにより層間樹脂絶縁
層に凹部ができる。そのため、基板が平坦にならず、う
ねりができて、断線や剥離を起こし、接続性や密着性が
低下する。

【０００４】かかる問題に対応するために、図１６に示
すように、ビア６０孔内にめっき８８を充填して上面を
平坦にするフィルドビアが用いられている。しかしなが
ら、ビア６０孔内にめっき８８を充填して平坦にするこ
とにおいても、ビア６０孔内を埋めるめっき厚の制御が
難しい。そのために、図１６に示すように、めっき８８
が埋まらないビアが生じ、接続性を低下させていた。

【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、平坦に
形成することで、接続性、信頼性に優れた多層プリント
配線板及び多層プリント配線板の製造方法、半導体チッ
プ及び半導体チップの製造方法を提案することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１の多層プリント配線板では、めっきによ
り形成した配線の上に、ビアとなるめっきポストを形成
し、該めっきポストを介して上層の配線との接続を行う
ことを技術的特徴とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】また、請求項２の多層プ
リント配線板では、めっきにより形成した配線の上に、
ビアとなるめっきポストを形成し、該配線及びめっきポ
ストを樹脂絶縁層で覆い、該めっきポスト及び樹脂絶縁
層を研磨した上に、上層の配線を形成して成ることを技
術的特徴とする。

【０００８】さらに、請求項３の多層プリント配線板の
製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を少なくとも
含むことを技術的特徴とする。 （Ａ） 所定パターンのレジストを形成する工程、
（Ｂ） 前記所定パターンにめっきを施し配線を形成す
る工程、（Ｃ） 前記配線の上に、所定位置に通孔を設
けたレジストを形成する工程、（Ｄ） 前記通孔にめっ
きを施しビアとなるめっきポストを形成する工程、
（Ｅ） 前記レジストを剥離する工程、（Ｆ） 前記配
線及びめっきポストを絶縁層となる樹脂で覆う工程、
（Ｇ） 前記絶縁層及びめっきポストの表面を研磨する
工程。

【０００９】さらにまた、請求項４の多層プリント配線
板の製造方法では、請求項３において、前記絶縁層及び
めっきポストの表面を研磨する工程において、当該絶縁
層を半硬化させた状態で研磨を行った後、絶縁層を完全
に硬化させることを技術的特徴とする。

【００１０】また、請求項５の多層プリント配線板の製
造方法では、請求項３または４において、前記配線及び
めっきポストを形成した後に、当該配線及びめっきポス
トに粗化層を形成することを技術的特徴とする。

【００１１】さらに、請求項６の半導体チップでは、め
っきにより形成した配線の上に、ビアとなるめっきポス
トを形成し、該めっきポストを介して上層の配線との接
続を行うことを技術的特徴とする。

【００１２】また、請求項７の半導体チップでは、めっ
きにより形成した配線の上に、ビアとなるめっきポスト
を形成し、該配線及びめっきポストを樹脂絶縁層で覆
い、該めっきポスト及び樹脂絶縁層を研磨した上に、上
層の配線を形成して成ることを技術的特徴とする。

【００１３】さらに、請求項８の半導体チップの製造方
法は、以下の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を少なくとも含むこ
とを技術的特徴とする。 （Ａ） 所定パターンのレジストを形成する工程、
（Ｂ） 前記所定パターンにめっきを施し配線を形成す
る工程、（Ｃ） 前記配線の上に、所定位置に通孔を設
けたレジストを形成する工程、（Ｄ） 前記通孔にめっ
きを施しビアとなるめっきポストを形成する工程、
（Ｅ） 前記レジストを剥離する工程、（Ｆ） 前記配
線及びめっきポストを絶縁層となる樹脂で覆う工程、
（Ｇ） 前記絶縁層及びめっきポストの表面を研磨する
工程。

【００１４】さらにまた、請求項９の半導体チップの製
造方法では、請求項８において、前記絶縁層及びめっき
ポストの表面を研磨する工程において、当該絶縁層を半
硬化させた状態で研磨を行った後、絶縁層を完全に硬化
させることを技術的特徴とする。

【００１５】また、請求項１０の半導体チップの製造方
法では、請求項８または９において、前記配線及びめっ
きポストを形成した後に、当該配線及びめっきポストに
粗化層を形成することを技術的特徴とする。

【００１６】請求項１及び６の多層プリント配線板、半
導体チップでは、めっきにより形成した配線の上に、ビ
アとなるめっきポストを形成し、該めっきポストを介し
て上層の配線との接続を行う。めっきポストが、配線パ
ターンの上に形成されるので高さを均一にし易く、窪み
ができず、従来ビアの窪みによりできていた層間樹脂絶
縁層の凹部を防ぐことができる。

【００１７】請求項２，３及び７，８の多層プリント配
線板、半導体チップの製造方法では、めっきにより形成
した配線の上に、ビアとなるめっきポストを形成し、該
めっきポストを介して上層の配線との接続を行う。これ
により上述したように、従来のビアの窪みによりできる
層間樹脂絶縁層の凹部を防ぐことができる。また、該配
線及びめっきポストを樹脂絶縁層で覆い、該めっきポス
ト及び樹脂絶縁層を研磨した上に、上層の配線を形成す
る。これにより、該めっきポスト及び樹脂絶縁層の表面
の高さが同一平面となり、凹凸のない多層プリント配線
板を形成することができる。

【００１８】請求項４，９では、絶縁層及びめっきポス
トの表面を研磨する工程において、当該絶縁層を半硬化
させた状態で研磨を行った後、絶縁層を完全に硬化させ
る。研磨を半硬化状態で行うため、完全に硬化した状態
で行うのと比較して、より容易に行える。

【００１９】請求項５，１０では、配線及びめっきポス
トを形成した後に、当該配線及びめっきポストに粗化層
を形成する。これにより、該配線及びめっきポストと絶
縁層との密着性を高めることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係る多層プリント配線板の構成について図７及び図１４
を参照して説明する。図７は該多層プリント配線板２０
の縦断面を、図１４は図７に示す多層プリント配線板２
０のＸ−Ｘ横断面を示している。ここで、図１４中のＡ
−Ａ断面が図７の切断端面に相当する。図７に示すよう
に、該多層プリント配線板２０ではコア基板２２の表面
及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成さ
れている。該ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、配
線４０及びめっきポスト４２の形成された層間樹脂絶縁
層４６と、配線１４０及びめっきポスト１４２の形成さ
れた層間樹脂絶縁層１４６と、配線２４０上に形成され
たソルダーレジスト層７０から成る。該ソルダーレジス
ト７０の開口部７１を介して、配線２４０に半田バンプ
７６が形成されている。

【００２１】本実施形態において、配線４０及びめっき
ポスト４２を樹脂絶縁層４６で覆い、該めっきポスト及
び樹脂絶縁層４６を研磨した上に、該めっきポストを介
して上層の配線との接続を行っている。さらに上層の配
線１４０及びめっきポスト１４０と樹脂絶縁層１４６も
同様に形成してある。めっきポストを、配線パターンの
上に形成することにより、高さを均一にし易くなり、基
板に凹凸ができず接続性、信頼性に優れた多層プリント
配線板を得ることができる。

【００２２】引き続き、該多層プリント配線板２０の製
造方法について図１〜図７を参照にして説明する。

【００２３】多層プリント配線板の製造方法 （１）厚さ０．１〜１μｍの絶縁樹脂基板からなるコア
基板２２を出発材料とする（図１の工程（Ａ））。コア
基板２２としては、ガラスクロス又はアライミドクロス
にエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリ
イミド、オレフィンを浸漬してなるもの他、ガラスクロ
ス、アライミドクロス等の心材を有さない樹脂、或い
は、補強樹脂層をラミネートした樹脂フィルムを用いる
ことができる。

【００２４】（２）次に、コア基板２２をドリル削孔
し、基板に通孔を形成する（工程（Ｂ））。そして、コ
ア基板２２に無電解めっき又はスパッタで金属層３４を
形成する（工程（Ｃ））。金属層には、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａ
ｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉの中から
選ばれる１種類以上で形成されるのがよい。この金属層
の厚みは、０．１〜１μｍ程度であればよい。

【００２５】（３）スルーホール２６を形成した基板２
２に無電解めっき、エッチング、酸化−還元処理等によ
り、金属層３４及びスルーホール２６の表面に粗化層２
４を設ける（工程（Ｄ））。

【００２６】（４）樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤２８を得る。

【００２７】（５）上記（４）で得た樹脂充填剤２８
を、調製後24時間以内にスルーホール２６内に塗布、充
填する。その後、樹脂充填剤２８を乾燥炉で乾燥させる
（図２の工程（Ｅ））。

【００２８】（６）さらにその上に、所定パターンのレ
ジスト３８をドライフィルム又は液体レジストを塗布し
て形成する（工程（Ｆ））。そして所定パターンに電解
めっきを施し配線４０を形成する（工程（Ｇ））。

【００２９】（７）その後、レジスト３８を溶剤で除去
する（工程（Ｈ））。

【００３０】（８）次に、該配線４０の上に、所定位置
に通孔を設けたレジスト１３８をドライフィルム又は液
体レジストを塗布し、フォトリソグラフィー又はレーザ
で非貫通孔１３８ａを形成する（図３の工程（Ｉ））。
そして該非貫通孔１３８ａに電解めっきを施し、ビアと
なるめっきポスト４２を形成する（工程（Ｊ））。

【００３１】（９）該レジスト１３８を溶剤で除去する
（工程（Ｋ））。

【００３２】（１０）該金属層３４の表面に、ライトエ
ッチング処理を行い、配線４０の下部を除き、基板２２
表面の金属層３４を除去する。その後、粗化を行い粗化
層４４を配線及びめっきポスト上に形成する。粗化層４
４は無電解めっきにより形成させるもの（例 Ｃｕ−Ｎ
ｉ−Ｐによる合金層により形成させる）、エッチングに
よりって形成させるもの（例 第二銅錯体と有機酸塩と
を配合した液によってスプレーや浸積することでエッチ
ングさせている。）、又は、や酸化―還元処理によるも
のにより形成できる（工程（Ｌ））。

【００３３】（１１）そして、該配線４０及びめっきポ
スト４２上に層間樹脂絶縁層４６を形成する（図４の工
程（Ｍ））。層間樹脂絶縁層は、エポキシ、ＢＴ、ポリ
イミド、オレフィンなどの樹脂、または熱硬化性樹脂の
他、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物を塗布、あ
るいは、これらから成るフィルムを張り付ける。

【００３４】（１２）次に、該層間樹脂絶縁層４６を加
熱して半硬化させた後に該層間樹脂絶縁層４６及びめっ
きポスト４２をジェットサンダー（砥石を圧縮空気で送
る研磨法）、バフ、ベルトサンダーや研磨剤を用いた鏡
面研磨などで研磨する（工程（Ｎ））。この工程によ
り、層間樹脂絶縁層４６の表面とめっきポスト４２の表
面が同一平面となる。研磨を半硬化状態で行うためと、
完全に硬化した状態で行うのと比較して、より容易に行
うことができる。なお、層間樹脂絶縁層４６を完全に硬
化させた後に研磨することも可能である。

【００３５】（１３）更に、層間樹脂絶縁層４６を硬化
した後、その上に、金属層１３４をめっき又はスパッタ
で形成する（工程（Ｏ））。

【００３６】（１４）その後、前述（６）〜（１２）の
工程を繰り返すことにより、上層の層間樹脂絶縁層１４
６及び配線１４０、めっきポスト１４２、粗化層１４４
を形成する（工程（Ｐ））。

【００３７】（１５）そして更に、層間樹脂絶縁層１４
６の上に、金属層２３４を無電解めっきで形成する（図
５の工程（Ｑ））。

【００３８】（１６）前述（６）〜（７）の工程を繰り
返し、層間樹脂絶縁層１４６上に配線２４０及び粗化層
２４４を形成する（工程（Ｒ））。

【００３９】（１７）ＤＭＤＧに溶解させた60重量％の
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）の
エポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマ
ー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶
解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノ
マーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604
）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学
製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、
Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光
開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、
光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2
ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。ソルダーレジスト層としては、
種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリ
レート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾー
ル硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。特に、ソ
ルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する
場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラ
ック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり「イミダ
ゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。

【００４０】（１８）上記（１７）で得られた多層プリ
ント配線板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物７０
αを20μｍの厚さで塗布する（工程（Ｓ））。本発明に
おけるソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよ
い。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎる
と開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じる
クラックの原因となるからである。

【００４１】（１９）次いで、70℃で20分間、80℃で30
分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密
着させて載置し、1000mJ／cm^２ の紫外線で露光し、DM
TG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃
で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加
熱処理し、開口部７１を有する（開口径 200μｍ）ソル
ダーレジスト層７０（厚み20μｍ）を形成する（工程
（Ｔ））。

【００４２】（２０）その後、多層プリント配線板開口
部７１から露出しためっきポスト２４２を塩化ニッケル
2.3 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×
10^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×10^−１ｍ
ｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっ
き液に、20分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニ
ッケルめっき層７２を形成する（図６の工程（Ｕ））。

【００４３】（２１）ニッケルめっき層の厚みは、０．
５〜２０μｍで形成されるのがよい。０．５μｍ未満で
は、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取りにくく
なる。また、２０μｍを超えると開口部に形成した半田
バンプが収まりきれず、剥がれたりすることがある。こ
の中間層は２層以上で形成してもよい。

【００４４】（２２）さらにシアン化金カリウム7.6 ×
10^−３ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.9 ×10^−１ｍｏ
ｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.2 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、
次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10^−１ｍｏｌ／ｌからなる
無電解金めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、
ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７
４を形成する（工程（Ｖ））。上述の例は中間層として
ニッケル、貴金属層を金で形成したものであるが、ニッ
ケル以外に、パラジウム、チタンなどで形成する場合な
どがあり、金以外に銀、白金などがある。また、貴金属
層を２層以上で形成してもよい。例を挙げると置換めっ
き、無電解めっきを経て、金めっき層を０．０５μｍ形
成させるのもよい。

【００４５】（２３）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることにより、半田バンプ（半田体）７６を形成
する（図７参照）。

【００４６】（第２実施形態）先ず、本発明の第２実施
形態に係る半導体チップの構成について図１３及び図１
５を参照して説明する。図１３は該半導体チップ５０の
縦断面を、図１５は図１３に示す半導体チップ５０のＸ
−Ｘ横断面を示している。ここで、図１５中のＡ−Ａ断
面が図１３の切断端面に相当する。図１３に示すよう
に、半導体チップ５０の下面には、パッシベーション膜
５６の開口にジンケード処理されたアルミニウム電極パ
ッド５４が形成されている。本実施形態では、パッシベ
ーション膜５６の下面にビルドアップ配線層８０Ａが形
成されている。該ビルドアップ配線層８０Ａは、配線４
０及びめっきポスト４２の形成された層間樹脂絶縁層４
６と、配線１４０及びめっきポスト１４２の形成された
層間樹脂絶縁層１４６と、配線２４０上に形成されたソ
ルダーレジスト層７０から成る。該ソルダーレジスト７
０の開口部７１を介して、配線２４０に半田バンプ７６
が形成されている。そして、半導体チップ５０の半田バ
ンプ７６と基板６２のパッド５８との接続がとられてい
る。

【００４７】本実施形態において、配線４０及びめっき
ポスト４２を樹脂絶縁層４６で覆い、該めっきポスト４
２及び樹脂絶縁層４６を研磨した上に、該めっきポスト
４２を介して上層の配線１４０との接続を行う。当該配
線１４０及びめっきポスト１４２と樹脂絶縁層１４６も
同様に形成してある。めっきポストを、配線パターンの
上に形成することにより、高さが均一にし易くなり、凹
凸ができず接続性、信頼性に優れた半導体チップを得る
ことができる。

【００４８】引き続き、該半導体チップ５０の製造方法
について図８〜図１４を参照して、説明する。

【００４９】半導体チップの製造方法 （１）始めに、パッシベーション膜５６の開口にアルミ
ニウム電極パッド５４が形成された半導体チップ５０を
出発材料とした。半導体チップ５０に形成されたパッシ
ベーション膜５６に、無電解めっき又はスパッタで金属
層３４を形成する（図８の工程（Ａ））。金属層には、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｔｉの中から選ばれる１種類以上で形成されるのが
よい。この金属層の厚みは、０．１〜１μｍ程度であれ
ばよい。

【００５０】（２）パッシベーション膜５６に形成され
た金属層３４に、所定パターンのレジスト３８をドライ
フィルム又は液体レジストを塗布して形成する（工程
（Ｂ））。そして所定パターンに電解めっきを施し配線
４０を形成する（工程（Ｃ））。

【００５１】（３）その後、レジスト３８を溶剤で除去
する（工程（Ｄ））。

【００５２】（４）次に、該配線４０に、レジスト１３
８をドライフィルムの貼り付け又は液体レジストのを塗
布でしレジスト１３８を配設し、フォトリソグラフィー
又はレーザで非貫通孔１３８ａを形成する（図９の工程
（Ｅ））。そして該非貫通孔１３８ａに電解めっきを施
し、ビアとなるめっきポスト４２を形成する（工程
（Ｆ））。

【００５３】（５）該レジスト１３８を溶剤で除去する
（工程（Ｇ））。

【００５４】（６）該金属層３４の表面に、ライトエッ
チング処理を行い、配線４０の下部を除き、半導体チッ
プ５０表面の金属層３４を除去する。その後、粗化を行
い粗化層４４を配線及びめっきポスト上に形成する。粗
化層４４は無電解めっきにより形成させる（例 Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｐによる合金層により形成させる）、エッチング
によりって形成させるもの（例 第二銅錯体と有機酸塩
とを配合した液によってスプレーや浸積することでエッ
チングさせている。）、又は、や酸化―還元処理による
ものにより形成できる（工程（Ｈ））。

【００５５】（７）そして、該配線４０及びめっきポス
ト４２上に層間樹脂絶縁層４６を形成する（図１０の工
程（Ｉ））。層間樹脂絶縁層は、エポキシ、ＢＴ、ポリ
イミド、オレフィンなどの樹脂、または熱硬化性樹脂の
他、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物を塗布、あ
るいは、これらから成るフィルムを張り付ける。

【００５６】（８）次に、該層間樹脂絶縁層４６加熱し
て半硬化させた後に該層間樹脂絶縁層４６及びめっきポ
スト４２をジェットサンダー（砥石を圧縮空気で送る研
磨法）、バフ、ベルトサンダーや研磨剤を用いた鏡面研
磨などで研磨する（工程（Ｊ））。この工程により、層
間樹脂絶縁層４６の表面とめっきポスト４２の表面が同
一平面となる。研磨を半硬化状態で行うためと、完全に
硬化した状態で行うのと比較して、より容易に行うこと
ができる。

【００５７】（９）更に、層間樹脂絶縁層４６に、
（１）と同様に無電解めっきで金属層１３４を形成する
（工程（Ｋ））。その上に、所定パターンのレジスト２
３８をドライフィルム又は液体レジストを塗布して形成
する（工程（Ｌ））。そして所定パターンに電解めっき
を施し、配線１４２を形成する。

【００５８】（１０）その後、所定パターンに電解めっ
きを施し、配線１４２を形成する（図１１の工程
（Ｍ））。

【００５９】（１１）前述（３）〜（８）の工程を繰り
返すことにより、上下層の層間樹脂絶縁層１４６及び配
線１４０、めっきポスト１４２、粗化層１４４を形成す
る（工程（Ｎ））。

【００６０】（１２）更に、前述（２）〜（３）の工程
を繰り返し、層間樹脂絶縁層１４６上に配線２４０、粗
化層２４４を形成する（工程（Ｏ））。

【００６１】（１３）上記（１２）で得られた半導体チ
ップに、前記多層プリント配線板で用いたソルダーレジ
スト組成物７０αを20μｍの厚さで塗布する（工程
（Ｐ））。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥
処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画
された厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密着させて載
置し、1000mJ／cm^２ の紫外線で露光し、DMTG現像処理
する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、
120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、
開口部７１を有する（開口径 200μｍ）ソルダーレジス
ト層７０（厚み20μｍ）を形成する（図１２の工程
（Ｑ））。

【００６２】（１４）その後、半導体チップ開口部７１
から露出しためっきポスト２２６を塩化ニッケル2.3 ×
10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^−１
ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×10^−１ｍｏｌ／
ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液
に、20分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめ
っき層７２を形成する（工程（Ｒ））。ニッケルめっき
層の厚みは、０．５〜２０μｍで形成されるのがよい。
０．５μｍ未満では、半田バンプとニッケルめっき層の
接続が取りにくくなる。また、２０μｍを超えると、開
口部に形成した半田バンプが収まりきれず、剥がれたり
することがある。この中間層は２層以上で形成してもよ
い。

【００６３】（１５）さらにシアン化金カリウム7.6 ×
10^−３ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.9 ×10^−１ｍｏ
ｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.2 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、
次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10^−１ｍｏｌ／ｌからなる
無電解金めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、
ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７
４を形成する（工程（Ｓ））。上述の例は中間層として
ニッケル、貴金属層を金で形成したものであるが、ニッ
ケル以外に、パラジウム、チタンなどで形成する場合な
どがあり、金以外に銀、白金などがある。また、貴金属
層を２層以上で形成してもよい。例を挙げると置換めっ
き、無電解めっきを経て、金めっき層を０．０５μｍ形
成させるのもよい。

【００６４】（１６）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることにより、半田バンプ（半田体）７６を形成
する（工程（Ｔ））。

【００６５】（１７）半導体チップ５０のバンプ４４と
基板６２のパッド５８が対応するように、半導体チップ
５０を載置させて、リフローすることにより、半導体チ
ップ５０を基板６２に取り付ける（図１３参照）。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図２】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図３】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図４】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図５】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係わる多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図８】本発明の第２実施形態に係わる多層プリント配
線板のＡ−Ａ断面図である。

【図９】本発明の第２実施形態に係わる半導体チップの
製造工程図である。

【図１０】本発明の第２実施形態に係わる半導体チップ
の製造工程図である。

【図１１】本発明の第２実施形態に係わる半導体チップ
の製造工程図である。

【図１２】本発明の第２実施形態に係わる半導体チップ
の製造工程図である。

【図１３】本発明の第２実施形態に係わる半導体チップ
のＡ−Ａ断面図である。

【図１４】図１４は第１実施形態に係わる多層プリント
配線板のＸ−Ｘ横断面図である。

【図１５】図１５は第２実施形態に係わる半導体チップ
のＸ−Ｘ横断面図である。

【図１６】図１６は従来の技術の問題点を示す説明図で
ある。

【符号の説明】

２２ コア基板 ３４ 金属層 ４０ 配線 ４２ めっきポスト ４６ 層間樹脂絶縁層 ４４ 粗化層 ５０ 半導体チップ ５４ アルミニウム電極パッド ５６ パッシベーション膜 ５８ パッド ６２ 基板 ７０ ソルダーレジスト ７１ 開口部 ７２ ニッケルめっき層 ７４ 金めっき層 ７６ 半田バンプ ７７ 半田パッド ８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層 １３４ 金属層 １４０ 配線 １４２ めっきポスト １４６ 層間樹脂絶縁層 １４４ 粗化層 ２３４ 金属層 ２４０ 配線

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 めっきにより形成した配線の上に、ビア
   となるめっきポストを形成し、該めっきポストを介して
   上層の配線との接続を行うことを特徴とする多層プリン
   ト配線板。
2. 【請求項２】 めっきにより形成した配線の上に、ビア
   となるめっきポストを形成し、該配線及びめっきポスト
   を樹脂絶縁層で覆い、該めっきポスト及び樹脂絶縁層を
   研磨した上に、上層の配線を形成して成ることを特徴と
   する多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｇ）の工程
   を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
   法。 （Ａ） 所定パターンのレジストを形成する工程、
   （Ｂ） 前記所定パターンにめっきを施し配線を形成す
   る工程、（Ｃ） 前記配線の上に、所定位置に通孔を設
   けたレジストを形成する工程、（Ｄ） 前記通孔にめっ
   きを施しビアとなるめっきポストを形成する工程、
   （Ｅ） 前記レジストを剥離する工程、（Ｆ） 前記配
   線及びめっきポストを絶縁層となる樹脂で覆う工程、
   （Ｇ） 前記絶縁層及びめっきポストの表面を研磨する
   工程。
4. 【請求項４】 前記絶縁層及びめっきポストの表面を研
   磨する工程において、当該絶縁層を半硬化させた状態で
   研磨を行った後、絶縁層を完全に硬化させることを特徴
   とする請求項３に記載の多層プリント配線板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記配線及びめっきポストを形成した後
   に、当該配線及びめっきポストに粗化層を形成すること
   を特徴とする請求項３又は４に記載の多層プリント配線
   板の製造方法。
6. 【請求項６】 めっきにより形成した配線の上に、ビア
   となるめっきポストを形成し、該めっきポストを介して
   上層の配線との接続を行うことを特徴とする半導体チッ
   プ。
7. 【請求項７】 めっきにより形成した配線の上に、ビア
   となるめっきポストを形成し、該配線及びめっきポスト
   を樹脂絶縁層で覆い、該めっきポスト及び樹脂絶縁層を
   研磨した上に、上層の配線を形成して成ることを特徴と
   する半導体チップ。
8. 【請求項８】 少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｇ）の工程
   を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。 （Ａ） 所定パターンのレジストを形成する工程、
   （Ｂ） 前記所定パターンにめっきを施し配線を形成す
   る工程、（Ｃ） 前記配線の上に、所定位置に通孔を設
   けたレジストを形成する工程、（Ｄ） 前記通孔にめっ
   きを施しビアとなるめっきポストを形成する工程、
   （Ｅ） 前記レジストを剥離する工程、（Ｆ） 前記配
   線及びめっきポストを絶縁層となる樹脂で覆う工程、
   （Ｇ） 前記絶縁層及びめっきポストの表面を研磨する
   工程。
9. 【請求項９】 前記絶縁層及びめっきポストの表面を研
   磨する工程において、当該絶縁層を半硬化させた状態で
   研磨を行った後、絶縁層を完全に硬化させることを特徴
   とする請求項８に記載の半導体チップの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記配線及びめっきポストを形成した
    後に、当該配線及びめっきポストに粗化層を形成するこ
    とを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体チップの
    製造方法。