JP6325053B2 - 接合システム、接合方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
請求項4の発明は、請求項1の発明に係る接合システムにおいて、前記制御手段は、前記第1の温度から前記第2の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記2つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記2つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかの発明に係る接合システムにおいて、a)前記第1の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を前記第1の温度にまで昇温する処理と、b)前記バンプ電極を前記第1の温度まで昇温した状態で、所定方向に離間していた前記2つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第2の被接合物に接触させる処理と、c)前記2つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する処理と、d)前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記2つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第2の温度にまで前記バンプ電極を前記第1の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記2つの被接合物を接合する処理と、e)前記2つの被接合物の接合に関して前記処理a),b),c),d)を実行した後、前記2つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記2つの被接合物とは別の1以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記処理a),b),c),d)を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合する処理と、f)前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱する処理と、を実行することを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項6の発明に係る接合方法において、前記ステップd)は、d−3)前記第1の温度から前記第2の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記2つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記2つの被接合物の相互間距離を低減させるステップ、を有することを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項6ないし請求項9のいずれかの発明に係る接合方法において、e)前記2つの被接合物の接合に関して前記処理a),b),c),d)を実行した後、前記2つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記2つの被接合物とは別の1以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記処理a),b),c),d)を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合するステップと、
f)前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱するステップと、をさらに備えることを特徴とする。
<1−1.装置概要>
図1は、本発明の第1実施形態に係る接合装置1(1Aとも称する)を示す縦断面図である。なお、以下、各図においては、便宜上、XYZ直交座標系を用いて方向等を示している。
また、接合装置1は、被接合物91,92の水平位置(詳細にはX,Y,θ)を認識する位置認識部(位置計測部とも称される)28(図1)を備えている。ここでは、被接合物91,92として、赤外光(赤外線波長域の光)を透過するものが用いられるものとし、赤外光を用いて位置計測動作が実行される態様を例示する。
図4は、第1実施形態に係る動作を示すフローチャートである。また、図5は、第1実施形態に係る動作を示すタイミングチャートである。図5においては、バンプ電極BMの温度TMの変化曲線L1(上段)とヘッド22のZ方向位置Hの変化曲線L2(中段)と圧力センサ29(図1)の検出圧力値Pの変化曲線P3(下段)とが示されている。
BM1とチップ92のバンプ電極BM2との相互間距離DB、および基板91の下地金属UM1とチップ92の下地金属UM2との相互間距離DU等が変動する(図6参照)。
第2実施形態は、第1実施形態の変形例である。以下では、相違点を中心に説明する。
第3実施形態も、第1実施形態の変形例である。以下では、相違点を中心に説明する。
この第4実施形態においては、時刻T4から時刻T6(時刻T7)までの期間内に(バンプ電極BMの溶融中に)アライメント動作が実行される態様について例示する。第4実施形態は、第1実施形態の変形例であり、以下では、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
この第5実施形態は、第4実施形態の変形例である。以下、第4実施形態との相違点を中心に説明する。
第6実施形態においては、第5実施形態に係るアライメント動作と第4実施形態に係るアライメント動作とが逐次的に実行される態様を例示する。なお、この実施形態では、ヘッド22のヒータによってチップ92のみが加熱されるものとする。
上記各実施形態では、各チップを基板表面に実装する際に、時刻T5〜時刻T6等において、比較的長期間(たとえば30秒間)に亘って加熱処理が行われている。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
12 ステージ
14 XY駆動機構
22 ヘッド
25 回転駆動機構
26 Z軸昇降駆動機構
27 撮像部
28 位置認識部
29 圧力センサ
31 リニアセンサ(位置検出センサ)
91 基板
92 チップ
BM,BM1,BM2 バンプ電極
DB (両バンプ電極の)相互間距離
DC (チップと基板との)相互間距離
DH (ヘッドとステージとの)相互間距離
DU (2つの下地金属の)相互間距離
UM,UM1,UM2 バンプ下地金属
Claims (11)
- 接合システムであって、
接合対象の2つの被接合物のうちの一方の被接合物である第1の被接合物を保持する第1の保持手段と、
前記2つの被接合物のうちの他方の被接合物である第2の被接合物を保持する第2の保持手段と、
前記第1の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を当該バンプ電極の融点よりも低い温度である第1の温度にまで昇温する加熱手段と、
前記バンプ電極を前記第1の温度まで昇温した状態で、前記第1の保持手段と前記第2の保持手段との相互間距離を変更して、所定方向に離間していた前記2つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第2の被接合物に接触させる駆動手段と、
前記バンプ電極が前記第2の被接合物に接触したことを検出する接触検知手段と、
前記2つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する変位量検出手段と、
前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記2つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第2の温度にまで前記バンプ電極を前記第1の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記2つの被接合物を接合する制御手段と、
を備え、
前記第1の温度は、前記バンプ電極の融点よりも低い温度であり且つ前記バンプ電極の融点の10℃以内の温度であることを特徴とする接合システム。 - 請求項1に記載の接合システムにおいて、
前記制御手段は、前記2つの保持手段の相互間距離を維持しつつ、前記バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理を行うことを特徴とする接合システム。 - 請求項1に記載の接合システムにおいて、
前記制御手段は、前記第1の温度から前記第2の温度にまでさらに昇温した状態で加熱処理を継続し、前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記2つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする接合システム。 - 請求項1に記載の接合システムにおいて、
前記制御手段は、前記第1の温度から前記第2の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記2つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記2つの被接合物の相互間距離を低減させることを特徴とする接合システム。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の接合システムにおいて、
a)前記第1の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を前記第1の温度にまで昇温する処理と、
b)前記バンプ電極を前記第1の温度まで昇温した状態で、所定方向に離間していた前記2つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第2の被接合物に接触させる処理と、
c)前記2つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での前記変位量の値を前記変位量の基準値として検出する処理と、
d)前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記2つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第2の温度にまで前記バンプ電極を前記第1の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記2つの被接合物を接合する処理と、
e)前記2つの被接合物の接合に関して前記処理a),b),c),d)を実行した後、前記2つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記2つの被接合物とは別の1以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記処理a),b),c),d)を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合する処理と、
f)前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱する処理と、
を実行することを特徴とする接合システム。 - 接合方法であって、
a)接合対象の2つの被接合物のうちの第1の被接合物の接合表面に設けられたバンプ電極を当該バンプ電極の融点よりも低い温度である第1の温度にまで昇温するステップと、
b)前記バンプ電極を前記第1の温度まで昇温した状態で、前記第1の被接合物を保持する第1の保持手段と第2の被接合物を保持する第2の保持手段との2つの保持手段の相互間距離を変更して、所定方向に離間していた前記2つの被接合物を当該所定方向において相対的に接近させ、前記バンプ電極を固相状態で前記第2の被接合物に接触させるステップと、
c)前記バンプ電極が前記第2の被接合物に接触したことを検出するとともに、前記第1の保持手段と前記第2の保持手段との2つの保持手段の相互間距離に応じた変位量であって前記バンプ電極の接触時点での当該変位量の値を当該変位量に関する基準値として検出するステップと、
d)前記変位量を前記基準値に対して相対的に制御することによって前記2つの保持手段の相互間距離を制御しつつ、前記融点以上の温度である第2の温度にまで前記バンプ電極を前記第1の温度からさらに昇温することにより前記バンプ電極を溶融させ、前記バンプ電極により前記2つの被接合物を接合するステップと、
を備え、
前記第1の温度は、前記バンプ電極の融点よりも低い温度であり且つ前記バンプ電極の融点の10℃以内の温度であることを特徴とする接合方法。 - 請求項6に記載の接合方法において、
前記ステップd)は、
d−1)前記2つの保持手段の相互間距離を維持しつつ、前記バンプ電極を溶融させた状態での加熱処理を行うステップ、
を有することを特徴とする接合方法。 - 請求項6に記載の接合方法において、
前記ステップd)は、
d−2)前記第1の温度から前記第2の温度にまでさらに昇温した状態で加熱処理を継続することによって、前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記2つの被接合物の相互間距離をさらに低減させるステップ、
を有することを特徴とする接合方法。 - 請求項6に記載の接合方法において、
前記ステップd)は、
d−3)前記第1の温度から前記第2の温度にまでさらに昇温し前記バンプ電極を溶融させた状態で加熱処理を継続する期間において、前記2つの保持手段の相互間距離を維持しつつ前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一方の熱膨張により前記2つの被接合物の相互間距離を低減させるステップ、を有することを特徴とする接合方法。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載の接合方法において、
e)前記2つの被接合物の接合に関して前記ステップa),b),c),d)を実行した後、前記2つの被接合物のうちの一方の被接合物と、前記2つの被接合物とは別の1以上の被接合物との接合のそれぞれに関して、前記ステップa),b),c),d)を実行することによって、前記一方の被接合物に対して複数の被接合物を接合するステップと、
f)前記一方の被接合物に対して前記複数の被接合物が接合された状態において、前記一方の被接合物と前記複数の被接合物との間のバンプ電極を前記融点以上の温度にまで昇温して加熱するステップと、
をさらに備えることを特徴とする接合方法。 - 半導体デバイスの製造方法であって、
請求項6ないし請求項10のいずれかに記載の接合方法を用いて前記2つの被接合物を接合するステップを備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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