JP2004087705A - ダイボンディング装置及びダイボンディング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイボンディング工程の作業時間を短縮すること。
【解決手段】半導体チップＴ及び基板Ｓを加熱する加熱手段６と、基板を搬送する基板搬送手段１３と、半導体チップを搬送するチップ搬送手段１５と、これらの動作制御を行う動作制御手段７とを備え、この動作制御手段７は、加熱手段６を、維持すべき最低温度である第一の予熱温度以上に常時維持すると共に、第一の予熱温度よりも高くロウ材の融点より低い第二の予熱温度までと第二の予熱温度からロウ材の融点より高い接合温度までとに段階的に昇温する段階加熱制御部７１と、加熱手段６への基板Ｓの供給と半導体チップＴの供給とを完了するまでに、第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温を完了させる予熱制御部７３とを有している。
【選択図】　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを基板に接合するダイボンディング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体の需要の増大化に伴い、その製造については自動化が進んでいる。半導体の製造工程の中には、半導体チップをロウ材により基板に接合するダイボンディング工程というものがあるが、かかる工程についても自動化が行われている。
【０００３】
半導体としての半導体レーザ素子の製造工程におけるダイボンディング工程を行う場合を例に従来のダイボンディング装置１００を図５及び図６により説明する。この半導体レーザ素子は、例えばＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザチップＴと、外部への接続リードを備えるリード基板（図示略）と、これらの間に介挿される銅やシリコンからなるサブマウントＳとを備えている。そして、ダイボンディング装置１００は、サブマウントＳに対する半導体レーザチップＴのダイボンディングを行うものである。サブマウントＳには半導体レーザチップＴのボンディング位置に予めロウ材のとしてのＡｕ−Ｓｎ系又はＡｕ−Ｓｉ系の共晶ハンダ膜Ｈが形成されており、ダイボンディング装置１００は、かかるボンディング位置において半導体レーザチップＴを加圧して加熱することでこれらを接合する。
【０００４】
具体的には、ダイボンディング装置１００は、載置面上に載置されたサブマウントＳを吸着保持すると共に下方から加熱するヒータステージ１０１と、ヒータステージ１０１の載置面上のサブマウントＳの撮像を行う図示しないカメラと、撮像画像に基づいてサブマウントＳの位置調節を行う図示しないＸ−Ｙテーブルと、半導体レーザチップＴを保持して搬送すると共にヒータステージ１０１上のサブマウントＳに半導体レーザチップＴを加圧するチップノズル１０２と、ヒータステージ１０１上のサブマウントＳを冷却エアの吹きつけにより冷却する図示しない冷却手段とを備えている。
【０００５】
図６はダイボンディング作業の各工程におけるヒータステージ１０１の設定目標温度の変化を示しており、この図に基づいてダイボンディング装置１００の動作説明を行う。
まず、予めプリヒート温度である１００［℃］に加熱状態を維持されたヒータステージ１０１上にサブマウントＳが載置される。そして、このサブマウントＳをカメラにて撮像し、その撮像データからサブマウントＳの目標位置までのズレ量を認識した上でＸ−Ｙテーブルによりヒータステージ１０１を移動してサブマウントＳの位置調節を行う。そして、サブマウントＳの位置が決まると、チップノズル１０２は半導体レーザチップＴを真空吸着して保持し、サブマウントＳ上まで搬送し、下降して半導体レーザチップＴをサブマウントＳ上において加圧する。
そして、ヒータステージ１０１をプリヒート温度から目標加熱温度である３６０［℃］まで昇温させる。この目標加熱温度は共晶ハンダの溶融する温度が２８０［℃］であること及びサブマウントＳの共晶ハンダ膜がヒータステージ１０１と直接接触する面とは反対側の面に形成されていることを考慮した値である。ヒータステージ１０１は、かかる目標加熱温度に到達後、その温度を１［ｓｅｃ］維持される。これにより、サブマウントＳの共晶ハンダ膜は溶融する。
その後、冷却手段によりヒータステージ１０１上のサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴは冷却され、共晶ハンダ膜が凝固することにより半導体レーザチップＴはサブマウントＳ上に接合される。さらに、冷却手段による冷却はもとのプリヒート温度である１００［℃］になるまで継続され、その後、チップノズル１０２により半導体レーザチップＴはサブマウントＳと共に保持され、ダイボンディング後の格納位置に搬送される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のダイボンディング装置１００は、ヒータステージ１０１をプリヒート温度で維持した状態でサブマウントＳの載置，サブマウントＳの位置決め，半導体レーザチップＴの搬送及び加圧を行い、その後、目標加熱温度まで加熱するという工程を経て共晶ハンダ膜を溶融させるため、プリヒート温度から目標加熱温度まで昇温させるための所用時間がダイボンディング工程全体の作業時間の短縮化の妨げとなっていた。
この場合、プリヒート温度から目標加熱温度まで急速に加熱して昇温させると、ヒータステージ１０１の熱源の負担が大きくなり、当該熱源の耐久性を行う可能性があること、また急速な加熱はヒータステージやその周囲の熱膨張等を伴うためにこれらの耐久性をも損なう可能性があること、さらには加熱の対象となるサブマウントＳや半導体レーザチップＴへの耐久性をも損なう可能性があること等から、急速加熱を行うには限界があった。例えば、上記ダイボンディング装置１００にあっては、その熱源の昇温速度は２００［℃／ｓｅｃ］であり、プリヒート温度１００［℃］から目標加熱温度３６０［℃］に到達するには１．３［ｓｅｃ］の時間を要していた。
【０００７】
また、プリヒート温度を初めから高く設定すれば加熱すべき温度幅が狭くなり、加熱時間の短縮化を図ることが可能となるが、その場合、ヒータステージ１０１全体が常に一定の高温状態が継続されることとなり、その結果，装置の耐久性を損なう可能性が生じるため、プリヒート温度を高く設定することには限界があった。特に、上記ダイボンディング装置１００のようにカメラによる撮像画像に基づいてサブマウントＳの位置決めを行う構成の場合、プリヒート温度が高く設定されると、ヒータステージ１０１上のサブマウントを撮像する際に周囲の雰囲気の加熱によりゆらぎ現象が発生し、サブマウントＳの現在位置の認識精度を損ない、精度の高いダイボンディングを行えなくなるため、プリヒート温度を高く設定することはより困難であった。
【０００８】
また、上記従来例では、その冷却工程において、冷却手段がヒータステージ１０１上に冷却エアを吹き付けるため、そのような状況下でヒータステージ１０１上のサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴをチップノズル１０２を保持し搬送しようとすれば、冷却エアに煽られてサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴはチップノズル１０２から脱落してしまう。従って、従来はヒータステージ１０１がプリヒート温度まで冷却を完了してからサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴをヒータステージ１０１上から除去していた。このため、ヒータステージ１０１の冷却時間に加えてサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴの除去する作業の所要時間が必要となり、かかる観点からもダイボンディング工程全体の作業時間の短縮化の妨げとなっていた。特に上記ダイボンディング装置１００では、冷却手段による降温速度は３５［℃／ｓｅｃ］であり、昇温速度と比較して遅く、目標加熱温度３６０［℃］からプリヒート温度１００［℃］まで冷却するには７．４［ｓｅｃ］の時間を要していた。
【０００９】
本発明は、ダイボンディング工程の処理時間の迅速化を図ることをその目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、半導体チップ（Ｔ）と基板（Ｓ）とを加熱して、それらに介在するロウ材により接合するダイボンディング装置（２０）であって、半導体チップ及び基板を加熱する加熱手段（６）と、基板を保持し加熱手段に供給する基板搬送手段（１５）と、半導体チップを保持し加熱手段に供給するチップ搬送手段（１３）と、これらの動作制御を行う動作制御手段（７）と、を備え、動作制御手段は、加熱手段を、維持すべき最低温度である第一の予熱温度以上に常時維持すると共に、第一の予熱温度よりも高くロウ材の融点より低い第二の予熱温度までと第二の予熱温度からロウ材の融点より高い接合温度までとに段階的に昇温する段階加熱制御部（７１）と、加熱手段への基板の供給と半導体チップの供給とを完了するまでに、第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温を完了させる予熱制御部（７３）とを有する、という構成を採っている。
【００１１】
ここで、上記「半導体チップ」には、半導体レーザチップ，ＩＣチップ，ＬＳＩチップ等のように半導体に該当する素子の電子回路が形成されるチップ全般を示すものとする。
また「基板」とは、アルミナ基板やセラミック基板を含む上述の半導体チップがダイボンディングされる基板全般をいうものとする。従って、アルミナ基板，セラミック基板，半導体レーザチップに対するサブマウント等も「基板」の概念に含むものとする。
【００１２】
上記構成によれば、まず、加熱手段が第一の予熱温度に昇温される。また、先行する半導体チップと基板との接合が既に行われている場合には、前回のダイボンディングにより既に加熱手段は第一の予熱温度に維持されている。この第一の予熱温度は、加熱手段がすぐにダイボンディング処理を開始できるように常時維持されるべき最低温度である。かかる第一の予熱温度はダイボンディング処理において出発点であることを考慮すれば、予め高温に設定されていることが処理の迅速化には望ましいが、ダイボンディング装置が稼動されている限り加熱手段はこの第一の予熱温度未満となることはないことも考慮すれば装置の保守性の面からはその高温化には限界があり、これら二つの観点から妥当な温度設定が成されることが望ましい。
【００１３】
次に、第一の予熱温度に維持された加熱手段に対して、基板供給手段により基板が供給される。さらに、供給された基板に対して、チップ供給手段により半導体チップが供給される。そして、少なくとも、この半導体チップの供給が完了するまでに、加熱手段の第一の予熱温度から第二の予熱温度までの昇温を開始し、且つ第二の予熱温度までの昇温を完了させる。かかる第二の予熱温度は、第一の予熱温度より高く，ロウ材の融点よりも低い値である。この第二の予熱温度から接合温度までの温度差が小さい方がダイボンディング工程全体の迅速化を図ることができるので、ロウ材が溶融しない範囲で融点により近い温度とすることが望ましい。
【００１４】
そして、ロウ材が溶融する前の状態で基板に半導体チップが供給され、その後、加熱手段は、第二の予熱温度から接合温度まで昇温させる。これにより、基板と半導体チップとの間のロウ材が溶融する。その後、加熱手段は第一の予熱温度に戻されることによりロウ材が凝固して、基板と半導体チップとが接合される。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明と同様の構成を備えると共に、加熱手段に供給された基板を撮像する撮像手段（１６）と、この撮像手段により取得された撮像データに基づいて基板の位置調整を行う位置調整手段（５）とを備え、第一の予熱温度を、撮像された画像の精度を損なうゆらぎの影響を排除可能な温度以下に設定し、動作制御手段は、第二の予熱温度への昇温を開始する前に撮像を完了させる撮像制御部（７）を有する、という構成を採っている。
【００１６】
上記構成では、請求項１記載の発明と同様の動作が行われると共に、加熱手段へ基板が供給されると、半導体チップの供給以前に基板の撮像が行われる。そして、この撮像により取得された撮像データに基づいて基板位置にズレがある場合等には基板の位置調整が行われる。そして、調整後の基板に対して半導体チップが供給される。
ここで、撮像に際し、その撮像対象の周囲の雰囲気が加熱されると屈折率変化により撮像像を正確に得られなくなる場合がある。そして、加熱温度が高くなればなるほどその傾向が顕著となる。そこで、揺らぎによる基板の位置調整における誤差が当該位置調整の許容範囲内となる温度以下に第一の予熱温度を設定している。なお、「排除可能な温度」とは、例えば、ゆらぎを抑制する対策を講じた場合には、その対策が実施されている状態での誤差が許容範囲となる温度を意味する。
さらに、撮像は第二の予熱温度弊の昇温を開始する前に完了するので、ゆらぎ発生の影響の少ない第一の予熱温度での環境化で撮像されることとなり、その結果、基板の位置調整は高い精度で行われる。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明と同様の構成を備えると共に、接合終了後の加熱手段を冷却エアの吹きつけにより冷却する冷却手段と、加熱手段の温度を検出する温度検出手段と、を備え、動作制御手段は、温度検出手段によりロウ材の凝固点を下回る温度が検出されると接合された基板及び半導体チップを加熱手段から除去する動作制御を行う除去制御部（７４）と、基板及び半導体チップが除去の開始から加熱手段から離れるまでの間は冷却手段の吹きつけの圧力を減圧し又は吹きつけを停止する冷却制御部（７５）とを備える、という構成を採っている。
【００１８】
上記構成では、請求項１又は２記載の発明と同様の動作が行われると共に、加熱手段が接合温度まで昇温され、ロウ材が溶融した後は加熱を停止する。そして、第一の予熱温度まで降温されるが、自然冷却では時間を要するので冷却エアブローにより冷却される。その際、加熱済みの基板と半導体チップも加熱手段と共に冷却されることとなる。そして、加熱済みの基板と半導体チップとは、ロウ材の凝固点以下となった時点で加熱手段から除去される。ロウ材の凝固点以下となれば基板と半導体チップとの接合は十分な強度を発揮できるので、これらの除去作業を行っても、接合不良は生じないからである。
そして、半導体チップ及び基板の除去作業時には、これらが保持された状態で加熱手段から所定の格納位置まで搬送される。このとき、保持され搬送途中の半導体チップ及び基板が冷却エアのブローにより飛ばされないように吹きつけ圧力を一時的に減圧するか或いは吹きつけを中断する。かかる吹きつけを減圧する場合には、その減圧圧力は、半導体チップ等が除去搬送される際に吹き飛ばされない圧力まで減圧される。また、かかる減圧又は中断状態は少なくとも、接合状態の基板及び半導体チップが除去のために保持された時点からエアブローに半導体チップ等が曝されない程度に加熱手段から離れるまで継続される。
【００１９】
請求項４記載の発明は、加熱手段により半導体チップと基板とを加熱して、それらに介在するロウ材により接合するダイボンディング装置によるダイボンディング方法であって、加熱手段を、維持すべき最低温度である第一の予熱温度に設定する初期温度設定工程と、加熱手段に基板を供給する基板供給工程と、加熱手段に半導体チップを供給するチップ供給工程と、加熱手段を、第一の予熱温度からロウ材の融点より低い第二の予熱温度まで昇温する第一次昇温工程と、加熱手段を、第二の予熱温度からロウ材の融点より高い接合温度まで昇温する第二次昇温工程と、を備え、基板供給工程及びチップ供給工程の完了までに第一次昇温工程を完了させる、という構成を採っている。
【００２０】
上記構成において、「半導体チップ」，「基板」，「第一の予熱温度」，「第二の予熱温度」の語については請求項１記載の構成の説明と同様である。
上記初期温度設定工程では、加熱手段が常温から第一の予熱温度に昇温される。また、先行する半導体チップと基板との接合が既に行われている場合には、前回のダイボンディングにより既に加熱手段は第一の予熱温度に維持されている。そして、初期温度設定工程において常温から第一の予熱温度に昇温する場合には、次の基板供給工程を平行して同時に行っても良い。
そして、基板供給工程の完了後、チップ供給工程に移行する。一方、第一次昇温工程は、基板供給工程又はチップ供給工程の進行中に平行に行われ、且つこれらの供給工程が完了するまでに第一次昇温工程は完了される。つまり、加熱手段に基板と半導体チップとが供給された時点で加熱手段は第二の予熱温度まで昇温されている状態となる。
次に、第二次昇温工程に移行して、接合温度まで加熱されることにより基板と半導体チップとの間に介在するロウ材は溶融し、その後凝固して接合が完了する。
このように、加熱手段に基板と半導体チップとが供給された時点で加熱手段は第二の予熱温度まで昇温されているので、迅速に接合温度までの昇温を行うことができ、ダイボンディング作業の迅速化が図られる。
【００２１】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明と同様の構成を備えると共に、基板供給工程完了後、撮像手段により加熱手段に供給された基板を撮像する撮像工程と、この撮像工程により取得された撮像データに基づいて基板の位置調整を行う位置調整工程と、を備え、初期温度設定工程における第一の予熱温度を、撮像された画像の精度を損なうゆらぎの影響を排除可能な温度以下に設定し、第一次昇温工程の開始までに撮像工程を完了させる、という構成を採っている。
【００２２】
上記構成において、「ゆらぎ」，「排除可能な温度」の語については請求項２記載の構成の説明と同様である。
上記構成では、請求項４記載の発明と同様の動作が行われると共に、加熱手段へ基板が供給されると、半導体チップの供給が行われる前に、基板の撮像と位置調整が行われる。そして、撮像はゆらぎの影響の少ない第一の予熱温度下で行われるので、基板の位置調整は高い精度で行われる。
【００２３】
請求項６記載の発明は、請求項４又は５記載の発明と同様の構成を備えると共に、第二次昇温工程完了後に加熱手段を冷却エアの吹きつけにより冷却する冷却工程と、冷却工程の開始から継続的に加熱手段の温度を検出する冷却温度測定工程と、冷却工程の途中で冷却温度測定工程によりロウ材の凝固点を下回る温度が検出されると、接合された基板及び半導体チップを加熱手段から除去する除去工程と、を備え、冷却工程に、除去工程の開始から当該除去工程によって半導体チップ及び基板が加熱手段から離れるまでの間は冷却工程による冷却エアの吹きつけの圧力を減圧し又は吹きつけを停止する冷却抑制期間を設ける、という構成を採っている。
【００２４】
上記構成では、加圧手段，基板及び半導体チップが冷却される冷却工程と冷却温度測定工程とが平行して行われる。さらに、ロウ材の凝固点を下回る温度が検出されると、除去工程が冷却工程と共に平行して行われる。そして、この除去工程中の開始と共に冷却抑制期間となり、冷却エアの吹きつけ圧力が減圧されるので、搬送される半導体チップ及び基板が過度の冷却エアの吹きつけに曝されず、良好に搬送される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（実施の形態の全体構成）
本発明の実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。本実施形態たるダイボンディング装置２０は、半導体チップとしての半導体レーザチップＴを基板としてのサブマウントＳに対してダイボンディングするための装置である。かかるダイボンディング装置２０は、ダイボンディング前のサブマウントＳを複数載置可能なサブマウントトレー２をその上部に備えるサブマウントトレーステージ１と、ダイボンディング前の半導体レーザチップＴを複数載置可能な半導体レーザチップトレー４をその上部に備えるチップトレーステージ３と、上方からの加圧によりサブマウントＳに蒸着されたハンダ層の酸化膜を破壊するための作業をその上面で行うサブステージ９と、サブステージ９の上面に載置されたサブマウントＳに対して上方から加圧を行うマウント加圧機構１１と、熱源であるヒータ６ａを内蔵する加熱手段としてのヒータステージ６と、このヒータステージ６をＸ方向及びＹ方向に移動して位置決めする位置調整手段としてのＸ−Ｙテーブル５と、サブマウントＳを保持して所定位置まで搬送する基板搬送手段としてのサブマウントヘッド１５と、半導体レーザチップＴを保持すると共に所定位置に搬送するチップ搬送手段としてのチップヘッド１３と、ヒータステージ６上のサブマウントＳの位置認識を行うための撮像手段としてのカメラ１６と、上記各構成の動作制御を行う動作制御手段７とを備えている。
【００２６】
（各ステージ）
上記各ステージ１，９，６，３は、サブマウントトレーステージ１，サブステージ９，ヒータステージ６，チップトレーステージ３の順番でＸ方向に沿って一列に並んで配設されている。そして、各ステージ１，９，６，３はいずれもその用途に応じてサブマウントＳ又は半導体レーザチップＴを載置できるようにその上面部が水平且つ平坦に形成されている。
【００２７】
また、ステージ１，９，３はその位置が固定されているが、ヒータステージ６のみはＸ−Ｙテーブル５によってＸ方向及びＹ方向に沿って位置調節可能に支持されている。さらに、ヒータステージ６は、前述したようにヒータ６ａを内蔵しているので、その上面に載置されたサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴを加熱することが可能となっている。また、ヒータステージ６には図示しない温度検出手段としての熱センサが内蔵されており、ヒータステージ６の現在温度が動作制御手段７に常時出力されている。
【００２８】
さらに、ヒータ６ａは動作制御手段７の動作制御により、第一の予熱温度と第二の予熱温度と接合温度とに温度調節が可能である。この第一の予熱温度とは、ヒータステージ６を当該温度に維持し且つ後述するゆらぎ対策を実施した環境下で生じるゆらぎによるサブマウントＳの位置調整における誤差が許容範囲内となることを条件に設定される温度である。第一の予熱温度から第二の予熱温度までの昇温時間の短縮化を図るためには、上記条件を満たす範囲でより高温であることが望ましい。本実施形態ではこの第一の予熱温度は１００［℃］に設定されている。
【００２９】
サブマウントＳの半導体レーザチップＴがダイボンディングされる面にはロウ材としての共晶ハンダ膜が形成されている。そして、接合温度とはかかる共晶ハンダの融点よりも高い温度に設定される。加熱手段としてのヒータステージ６は、サブマウントＳに対して共晶ハンダ膜とは反対側の面から加熱を行うので、これを考慮して、共晶ハンダの融点である２８０［℃］よりも高い３６０［℃］を接合温度としている。
【００３０】
そして、第二の予熱温度は、第一の予熱温度より高く，共晶ハンダの融点よりも低い値に設定される。この第二の予熱温度から接合温度までの温度差が小さい方がダイボンディング工程全体の迅速化を図ることができるので、ロウ材が溶融しない範囲で融点により近い温度とすることが望ましい。本実施形態ではこの第二の予熱温度は２５０［℃］に設定されている。
【００３１】
また、ヒータステージ６とサブステージ９とは、いずれも、その上面にバキュームエアを通すことにより空気吸入を行う吸引孔が設けられている。これは、各ステージ６，９上での作業時において、サブマウントＳを所定位置で吸着し、位置ズレを防ぐためのものである。
【００３２】
また、ヒータステージ６の近傍には図示しない不活性ガス供給手段と冷却手段とが設けられている。不活性ガス供給手段は、不活性ガスである窒素ガスの供給源とヒータステージ６上に向けられた吹き出しノズルとを有しており、サブマウントＳに半導体レーザチップＴをボンディングする際にこれらに窒素ガスの吹きつけを行う。
【００３３】
また、冷却手段は、冷却エアの供給源とヒータステージ６上に向けられた吹き出しノズルとを有しており、サブマウントＳに半導体レーザチップＴをボンディングした後にその加熱された状態を冷却エアの吹きつけにより冷却する。また、冷却エアの供給源は、動作制御手段７の制御によりその吹きつけ圧力の変更調節が可能となっている。さらに、この冷却手段は、前述したゆらぎの抑制手段としての機能をも有している。即ち、ゆらぎの発生原因は、ヒータステージ６上の雰囲気が加熱されることにより生じる気体の屈折率変化である。このため、ヒータステージ６のサブマウントＳの載置面上に冷却手段による冷却エアの吹きつけを行うことにより加熱された気体がヒータステージ６上から排除され、より正常な屈折率の気体を介して撮像を行うことが可能となる。
【００３４】
（マウント加圧機構）
マウント加圧機構１１は、サブステージ９の上方に配設されている。そして、後述する図示しないＸＹＺガントリ及びこれにより移動するマウントヘッド１５との衝突を回避し，またそれらの可動を妨げないように、マウント加圧機構１１は、Ｚ軸昇降機構（図示略）によりＺ方向に沿って移動可能に支持され、上方に退避することが可能である。
【００３５】
また、このマウント加圧機構１１自体も当該加圧機構１１からＺ方向に沿って突出移動と退避移動とが可能な加圧治具１０を有している。この加圧治具１０は、その突出移動（下方への移動）により、その下端部の端面がサブステージ９上のサブマウントＳに当接し、加圧することが可能となっている。かかるマウント加圧機構１１による上方からの加圧は、サブステージ９上に載置されたサブマウントＳの上面に蒸着形成されたハンダ層の酸化膜を破壊するために行われるものである。従って、加圧治具１０は、酸化膜の破壊に好適であるように、その下端部の端面に凹凸が形成されるような素材，具体的には他孔質セラミック等により形成されている。また、この加圧治具１０は、サブマウントＳを全体的に加圧できるように、その下端部の端面がサブマウントＳの上面よりも大きく設定されている。
【００３６】
（サブマウントヘッド）
サブマウントヘッド１５は、図示を省略したＸＹＺガントリにより、Ｘ方向，Ｙ方向，Ｚ方向に沿って移動し位置決め可能に支持されている。このサブマウントヘッド１５は、下方に突出した状態でサブマウントノズル１４を有している。かかるサブマウントノズル１４は、超硬である金属素材により形成されており、その下端部の端面から上端部にかけて貫通穴が形成されている。そして、サブマウントノズル１４の上端部は図示しない電磁弁を介して図示しないエジェクター等の空気吸引手段と接続されており、その貫通穴にバキュームエアを通すことにより、その下端部の端面にサブマウントＳを吸着保持することを可能としている。また、電磁弁は動作制御手段７によりサブマウントノズル１４を空気吸引手段と大気開放側とに切り替え可能であり、空気吸引手段側に接続したときにバキュームエアを貫通穴に通してサブマウントＳを吸着可能状態とし、大気開放側に接続したときにサブマウントノズル１４内を大気圧状態とし、吸着可能状態を解除する。
【００３７】
（チップヘッド）
チップヘッド１３は、図示を省略したＸＹＺガントリにより、Ｘ方向，Ｙ方向，Ｚ方向に沿って移動し位置決め可能に支持されている。なお、このＸＹＺガントリは、前述したマウントヘッド１５を支持するＸＹＺガントリと共用化が図られている。つまり、ＸＹＺガントリは、Ｘ方向とＹ方向の移動についてはチップヘッド１３もマウントヘッド１５も共通する構成により実行し、Ｚ方向への移動についてはチップヘッド１３とマウントヘッド１５とについてそれぞれ個別に実行する構成を備えている。
【００３８】
上記チップヘッド１３は、下方に突出した状態で保持部材としてのチップノズル１２を有している。このチップノズル１２は、その下端部の端面から上端部にかけて図示しない貫通穴が形成されている。そして、チップノズル１２の上端部は図示しない電磁弁を介して図示しないエジェクター等の空気吸引手段と接続されており、その貫通穴にバキュームエアを通すことにより、その下端部の端面に半導体レーザチップＴを吸着保持することを可能としている。
【００３９】
また、チップヘッド１３は、チップノズル１２をＺ方向に沿って駆動させる図示しない加圧手段としてのチップ加圧機構を備えている。これにより、半導体レーザチップＴをサブマウントＳにダイボンディングする際に加圧することを可能としている。さらに、チップノズル１２における半導体レーザチップＴの加圧状態及び加圧力を検出する図示しない加圧検出手段が加圧手段には併設されている。かかる加圧検出手段は、例えば、チップヘッド１３がチップノズル１２を弾性体を介して支持すると共に当該チップノズル１２をサブマウントＳ側に押し付けたときの反力による弾性体の変形量から測定できる。
【００４０】
（動作制御手段）
図２は、ダイボンディング装置２０の制御系を示すブロック図である。動作制御手段７は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等を含む演算装置で構成され、これらに所定のプログラムが入力されることにより、ヒータ６ａ，Ｘ−Ｙテーブル５，マウント加圧機構１１，チップ加圧機構，Ｚ軸昇降機構，不活性ガス供給手段，ＸＹＺガントリ，サブマウントヘッド用の空気吸引手段，チップヘッド用の空気吸引手段，冷却手段に対して下記に示す動作に従って動作制御を実行する。
【００４１】
また、この動作制御手段７は、通常はヒータステージ６を第一の予熱温度に維持すると共にダイボンディング処理を実行する場合には第一の予熱温度から第二の予熱温度までと第二の予熱温度から接合温度までとに段階的に昇温する段階加熱制御部７１と、第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温を開始する前に撮像を完了させる撮像制御部７２と、ヒータステージ６への半導体レーザチップＴの供給を完了するまでに第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温を完了させる予熱制御部７３と、冷却手段による冷却が開始され，熱センサにより共晶ハンダの凝固点を下回る温度が検出されるとチップヘッド１３により接合されたサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴをヒータステージ６から除去する動作制御を行う除去制御部７４と、サブマウントＳ及び半導体レーザチップＴが少なくともヒータステージ６からの除去の開始から除去されるまでの間は冷却手段の吹きつけの圧力を減圧する冷却制御部７５とを備えている。
【００４２】
上記段階加熱制御部７１は、前述したようにヒータステージ６を第一の予熱温度，第二の予熱温度，接合温度の三段階の温度に設定する。前述したヒータステージ６のヒータ６ａはセラミックヒータであり、これに対して各設定温度となるように予め定められた電圧を加える制御を行うことにより温度の切換が行われる。
【００４３】
上記撮像制御部７２は、ＸＹＺガントリが示すマウントヘッド１５の現在位置からサブマウントＳがヒータステージ６に載置されたことを認識すると、カメラ１６に対して撮像指令信号を出力すると共に同信号を段階加熱制御部７１にも出力する。これを受けて段階加熱制御部７１は、第一の予熱温度から第二の予熱温度へ昇温させる制御を開始する。従って、結果的に、第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温を開始する前にカメラ１６による撮像が完了される。
【００４４】
予熱制御部７３は、ヒータステージ６への半導体レーザチップＴの搬送指令信号を所定のタイミングでチップヘッド１３に出力する。かかる半導体レーザチップＴの搬送動作に比べて、第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温に要する時間は十分に短いので、例えば、これらを同時に開始させれば、ヒータステージ６への半導体レーザチップＴの供給を完了するまでに第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温が完了される。
【００４５】
除去制御部７４及び冷却制御部７５は、冷却手段による冷却の開始されると、熱センサの検出信号に基づいて、その検出温度が第二の予熱温度よりも低くなったか否かを常時監視する。そして、熱センサの検出温度が第二の予熱温度を下回ると、冷却制御部７５は、冷却手段の冷却エアの吹きつけ圧力を正常値よりも低減し、除去制御部７４はチップヘッド１３に動作指令信号を出力してヒータステージ６上の半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳを吸着保持させ、所定の格納位置まで搬送させる。
さらに、冷却制御部７５はＸＹＺガントリが示すチップヘッド１３の現在位置から、チップヘッド１３が冷却エアの吹きつけを受ける範囲から脱したことを認識すると、再び冷却エアの吹きつけ圧力をもとの正常値に戻す。さらに、ヒータステージ６の温度監視を継続し、第一の予熱温度が検出されると、冷却手段を停止させる。
【００４６】
（ダイボンディング装置の動作）
次にダイボンディング装置２０の動作説明を行う。図３はヒータステージ６の温度制御による温度変化を示し、縦軸は温度、横軸は時間を示す。また図４はダイボンディング装置２０の加熱処理以降の動作を示すフローチャートである。
前述したように、このダイボンディング装置２０は、サブマウントＳ上に半導体レーザチップＴをダイボンディングさせることを目的とする装置である。そして、サブマウントＳは窒化アルミニウム又はシリコンから形成されており、半導体レーザチップＴを接合する面（図１における上面）の表面にはＡｕ−Ｓｎからなる共晶ハンダ膜が３［μｍ］程度蒸着されている。また、半導体レーザチップＴは、例えば、ＧａＡｌＡｓ系であり、大きさは縦４００［μｍ］，横２５０［μｍ］，厚さ８０〜１３０［μｍ］程度のものを対象とする（無論、これに限定されるものではない）。そして、ダイボンディング装置２０は、サブマウントＳの共晶ハンダ膜を加熱し溶融させることにより半導体レーザチップＴを固着させるものである。
【００４７】
まず、サブマウントヘッド１５のサブマウントノズル１４が吸引状態となるように電磁弁が切り替えられ、ＸＹＺガントリによりサブマウントヘッド１５をサブマウントトレーステージ１上のいずれかのサブマウントＳに位置決めする。そして、サブマウントヘッド１５をＺ方向に沿って下降させ、サブマウントノズル１４先端にサブマウントＳを吸着させる。
【００４８】
そして、サブマウントヘッド１５をサブステージ９に搬送し、ステージ９上の所定位置にサブマウントＳを載置し、電磁弁を大気開放側に切り替えて、サブマウントＳを吸着状態から開放する。その後、サブマウントヘッド１５はマウント加圧機構１１の邪魔とならないようにサブステージ９上から退避させる。一方、サブステージ９の吸引孔を吸引状態としてサブマウントＳをステージ上の所定位置に吸着保持させる。
【００４９】
次に、マウント加圧機構１１がＺ軸昇降機構により加圧作業を行うための所定高さまで下降され、その高さが決まると、加圧治具１０を下降させて、その端面によりサブステージ９上のサブマウントＳを１〜２［Ｎ］の加圧力にて加圧する。かかる加圧力の設定は、例えば、マウント加圧機構１１が加圧治具１０を弾性体を介して支持すると共に当該治具１０をサブマウントＳに押し付けたときの反力による弾性体の変形量から測定できる。
そして、かかる加圧によりサブマウントＳのハンダ膜の表面に形成されていた酸化膜が破壊される。
【００５０】
加圧が済むと、マウント加圧機構１１はＺ軸昇降機構により退避位置まで退避させられる。そして、再びマウントヘッド１５がＸＹＺガントリによりサブステージ９上のサブマウントＳに位置決めされ、電磁弁を吸引状態に切り替えてサブマウントノズル１４によりサブマウントＳを吸着する。また、このときサブステージ９の吸引孔は吸引状態を解除する。
【００５１】
ここから、図３，４を参照して説明する。ヒータステージ６のヒータ６ａは、段階加熱制御部７１により、予め第一の予熱温度である１００［℃］に加熱されている（ステップＳ１：初期温度設定工程）。そして、温度維持されたヒータステージ６上にサブマウントヘッド１５が位置決めされ、電磁弁を大気開放側に切り替えて、サブマウントＳを吸着状態から開放する。その後、サブマウントヘッド１５はチップヘッド１３の邪魔とならないようにヒータステージ６上から退避させる。一方、ヒータステージ６の吸引孔を吸引状態としてサブマウントＳをステージ上の所定位置に吸着保持させる（ステップＳ１：基板供給工程）。
【００５２】
その後、冷却手段を作動させてヒータステージ６上面の高温空気を吹き飛ばすことによりゆらぎ対策を実行しながら、撮像制御部７２の動作指令に従って、カメラ１６によりヒータステージ６上のサブマウントＳを撮像する（ステップＳ２：撮像工程）。また、撮像制御部７２は、段階加熱制御部７１及び予熱制御部７３に対しても撮像の動作指令を伝え、前者には第二の予熱温度への昇温制御を促し、後者にはチップヘッド１３へのチップ供給動作の開始を促す。
【００５３】
段階加熱制御部７１は、撮像制御部７２の撮像指令を受けてヒータステージ６のヒータ６ａを第一の予熱温度から第二の予熱温度への昇温制御を開始する（ステップＳ３：第一次昇温工程の開始）。
また、予熱制御部７３は、撮像制御部７２の撮像指令を受けて、ＸＹＺガントリの駆動によりチップヘッド１３のチップトレーステージ３上への搬送を開始する（ステップＳ４：チップ供給工程の開始）。
【００５４】
かかる第一次昇温工程とチップ供給工程が実行されている間に、撮像により取得された撮像データからヒータステージ６又はサブマウントＳ又は双方に付されたマーク（図示略）を利用して、或いはヒータステージ６の上面及びサブマウントＳの外形（エッジ）を利用してサブマウントＳがヒータステージ６の上面において所定位置にあるか否かを認識する。もし、位置ズレが許容範囲外の時にはＸ−Ｙテーブル５を作動させてサブマウントＳの位置修正を行う（ステップＳ５：位置調整工程）。
【００５５】
一方、段階加熱制御部７１は、ヒータステージ６のヒータ６ａにより昇温を完了すると、第二の予熱温度でヒータステージ６を維持する（ステップＳ６：第一次昇温工程の完了）。
また、チップトレーステージ３に到着したチップヘッド１３は、予熱制御部７３の動作指令信号に従って、チップノズル１２の電磁弁が吸引状態に切り替えられ、その下端部の端面に半導体レーザチップＴを吸着する。さらに、チップヘッド１３はヒータステージ６上に搬送され、サブマウントＳ上に半導体レーザチップＴを載置する（ステップＳ７：チップ供給工程の完了）。
【００５６】
さらにチップヘッド１３は、チップ加圧機構によりチップノズル１２を介して半導体レーザチップＴを０．３〜０．５［Ｎ］程度の荷重で加圧する。また、かかる加圧時において、動作制御手段７の動作指令信号に従って電磁弁が大気開放側に切り替えられ、チップノズル１２内への大気の流動が停止され、大気流動による熱損失が抑えられるので、ボンディング時における半導体レーザチップＴの局所的な温度格差が抑制される。
【００５７】
また、上記半導体レーザチップＴの加圧と同時に、不活性ガス供給手段が作動し、ヒータステージ６上に窒素ガスが吹き付けられる。そして、これと同時に、段階加熱制御部７１は、ヒータ６ａによりサブマウントＳのＡｕ−Ｓｎハンダ膜の溶融温度である２８０［℃］を考慮した接合温度である３６０［℃］まで加熱する（ステップＳ８：第二次昇温工程の開始）。さらに、段階加熱制御部７１は、ヒータ６ａが接合温度まで加熱されると、かかる接合温度状態を１［ｓｅｃ］維持してサブマウントＳの共晶ハンダ膜を溶融させ、その後、ヒータ６ａの通電を切り、加熱を停止する（ステップＳ９：第二次昇温工程の完了）。
【００５８】
その後、冷却工程に移行する。即ち、冷却手段の作動が開始され、ヒータステージ６上に正常値である０．５［ＭＰａ］のエア圧で冷却エアの吹きつけが行われ、ヒータステージ６と共に半導体レーザチップＴと及びサブマウントＳの冷却が行われる（ステップＳ１０：冷却工程の開始）。また、熱センサがヒータステージ６の現在温度に基づく検出信号を絶えず、除去制御部７４及び冷却制御部７５に出力する（冷却温度測定工程）。
【００５９】
冷却手段により第二の予熱温度である２５０［℃］になると共晶ハンダは溶融状態から凝固状態となり、半導体レーザチップＴがサブマウントＳ上に接合される。また、この第二の予熱温度が検出されると（ステップＳ１１）、冷却制御部７５は、冷却手段の冷却エアの吹きつけ圧力を減圧させる（例えば０．２［ＭＰａ］）（ステップＳ１２：冷却工程の冷却抑制期間の開始）。
【００６０】
そして、除去制御部７４は、チップヘッド１３の電磁弁を吸引状態に切り替えてチップノズル１２に半導体レーザチップＴをサブマウントＳごと吸着させる。このときヒータステージ６の吸引孔は吸引状態を解除する。さらに、ＸＹＺガントリにより図示しないダイボンディング済みの格納トレーにチップヘッド１３を搬送し、吸着を解除させて、当該トレーに半導体レーザチップＴがダイボンディングされたサブマウントＳを格納する（ステップＳ１３：除去工程）。
【００６１】
また、冷却制御部７５は、ヒータステージ６の近傍からサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴが離れると、冷却手段のエア圧を再び正常値である０．５［ＭＰａ］に戻す（ステップＳ１４：冷却工程の冷却抑制期間の完了）。さらに、冷却制御部７５は熱センサ出力の監視を続け（ステップＳ１５）、検出温度が第一の予熱温度である１００［℃］となった時点で冷却手段を停止させる（冷却工程の完了）。また、新たなサブマウントＳに半導体レーザチップＴのダイボンディング処理が継続して行われる場合には、段階加熱制御部７１はヒータ６ａの通電を再開し、第一の予熱温度を維持する。
【００６２】
（ダイボンディング装置の効果）
以上のように、ダイボンディング装置２０では、ヒータステージ６に半導体レーザチップＴを供給するまでにヒータステージ６を第二の予熱温度まで昇温してしまうので接合温度との温度差を小さくすることができ、その後に続く接合温度までの昇温時間を短縮することができる。従って、ダイボンディング処理全体の迅速化を図ることが可能となる。
【００６３】
また、第一の予熱温度をゆらぎの影響をあまり受けない温度とし、かかる第一の予熱温度の時にカメラによるサブマウントＳの撮像を行う構成のため、サブマウントＳの位置認識が正確に行われ、サブマウントＳに対する半導体レーザチップＴの接合精度を向上することが可能である。
【００６４】
また、第二の予熱温度を共晶ハンダの融点温度手前としたので、第二次昇温工程以前にサブマウントＳ上に半導体レーザチップＴを載置することにより、共晶ハンダ膜が溶融するまでに半導体レーザチップＴを供給でき、その後の第二次昇温工程において、サブマウントＳと半導体レーザチップＴを一体的に加熱することができ、良好な接合を行うことが可能である。
【００６５】
さらに、冷却工程において、冷却抑制期間を設けたことにより、冷却エアの吹きつけを継続したままサブマウントＳ及び半導体レーザチップＴをヒータステージ６から除去することができ、冷却時間と除去作業時間とのオーバーラップにより処理時間の短縮化が図られ、ダイボンディング処理全体の迅速化を図ることが可能となる。
【００６６】
（その他）
上記実施形態では、加熱手段としてセラミックヒータを用いたヒータステージ６を使用しているが、他の加熱手段を使用しても良い。このほか電熱線による接合，レーザ接合，ハロゲンランプによる接合，Ｎ_２ガスによる接合を行っても良い。
【００６７】
上記実施形態では、冷却制御部７５は冷却抑制期間において、冷却手段の冷却エアの吹きつけ圧力の減圧を行っているが、半導体レーザチップＴ及びサブマウントＳのヒータステージ６からの除去の開始から冷却エアの影響を受けない距離を離れるまでの期間について冷却エアの吹きつけを中断する動作制御を行う構成としても良い。このように構成した場合にあっても、半導体レーザチップＴがヒータステージ６から所定距離離れてから格納を完了するまでの作業時間が短縮される。
【００６８】
【発明の効果】
本発明は、加圧手段への基板と半導体チップの供給が完了するまでにロウ材が溶融しない範囲である第二の予熱温度まで昇温を終了させてしまうので、基板及び半導体チップの供給完了以降は、第二の予熱温度から接合温度までの小さな温度幅での昇温を行えば良い。このため、基板及び半導体チップの供給後に第一の予熱温度から接合温度までの昇温を行う場合と比較して、ダイボンディング工程全体の処理時間を短縮し、処理の迅速化を図ることが可能となる。
【００６９】
また、ゆらぎの排除可能な温度を第一の予熱温度とし、かかる環境下で加熱手段へ供給された基板の撮像を行い、その結果により基板の位置調整を行う構成の場合には、ゆらぎの影響の少ない撮像データを取得することができ、ダイボンディング作業の迅速化に加えて、基板と半導体チップをの相互の位置関係について精度の向上を図ることが可能となる。
【００７０】
また、加熱手段が接合温度まで昇温された後に冷却エアの吹きつけにより冷却すると共に当該冷却の途中で冷却エアの吹きつけ圧力を一時的に低減して半導体チップ等を加熱手段から除去する工程の場合には、加熱手段の冷却が継続的に行われる過程の中で半導体チップ等の除去作業も完了するので、従来の如く、冷却と半導体チップ等の除去作業完了までの双方の所要時間を要する場合と比較して、これらの作業時間を短縮することが可能となり、ダイボンディング作業全体の迅速化を図ることが可能となる。
また、冷却の途中で冷却エアの吹きつけを中断して半導体チップ等を加熱手段から除去する工程の場合にあっても、半導体チップ及び基板が加熱手段を離れるまでの短期間しか中断しないので、従来の如く、冷却と半導体チップ等の除去作業完了までの双方の所要時間を要する場合と比較して、これらの作業時間を短縮することが可能となり、ダイボンディング作業全体の迅速化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の全体構成を示す概略構成図である。
【図２】実施形態の制御系を示すブロック図である。
【図３】実施形態によるダイボンディング作業の各工程におけるヒータステージの設定目標温度の変化を示している。
【図４】実施形態の制御動作を示すフローチャートである。
【図５】従来例の要部を示す部分説明図である。
【図６】従来例によるダイボンディング作業の各工程におけるヒータステージの設定目標温度の変化を示している。
【符号の説明】
５　Ｘ−Ｙテーブル（位置調整手段）
６　ヒータステージ（加熱手段）
７　動作制御手段
１３　チップヘッド（チップ搬送手段）
１５　マウントヘッド（基板搬送手段）
２０　ダイボンディング装置
７１　段階加熱制御部
７２　撮像制御部
７３　予熱制御部
７４　除去制御部
７５　冷却制御部
Ｓ　サブマウント（基板）
Ｔ　半導体レーザチップ（半導体チップ）

Claims (6)

1. 半導体チップと基板とを加熱して、それらに介在するロウ材により接合するダイボンディング装置であって、
   前記半導体チップ及び基板を加熱する加熱手段と、前記基板を保持し前記加熱手段に供給する基板搬送手段と、前記半導体チップを保持し前記加熱手段に供給するチップ搬送手段と、これらの動作制御を行う動作制御手段とを備え、
   前記動作制御手段は、
   前記加熱手段を、維持すべき最低温度である第一の予熱温度以上に常時維持すると共に、前記第一の予熱温度よりも高く前記ロウ材の融点より低い第二の予熱温度までと第二の予熱温度からロウ材の融点より高い接合温度までとに段階的に昇温する段階加熱制御部と、
   前記加熱手段への基板の供給と半導体チップの供給とを完了するまでに、前記第一の予熱温度から前記第二の予熱温度への昇温を完了させる予熱制御部とを有することを特徴とするダイボンディング装置。
2. 前記加熱手段に供給された基板を撮像する撮像手段と、この撮像手段により取得された撮像データに基づいて前記基板の位置調整を行う位置調整手段とを備え、
   前記第一の予熱温度を、撮像された画像の精度を損なうゆらぎの影響を排除可能な温度以下に設定し、
   前記動作制御手段は、前記第二の予熱温度への昇温を開始する前に前記撮像を完了させる撮像制御部を有することを特徴とする請求項１記載のダイボンディング装置。
3. 接合終了後の前記加熱手段を冷却エアの吹きつけにより冷却する冷却手段と、前記加熱手段の温度を検出する温度検出手段とを備え、
   前記動作制御手段は、
   前記温度検出手段により前記ロウ材の凝固点を下回る温度が検出されると接合された前記基板及び半導体チップを前記加熱手段から除去する動作制御を行う除去制御部と、
   前記基板及び半導体チップが前記除去の開始から前記加熱手段から離れるまでの間は前記冷却手段の吹きつけの圧力を減圧し又は吹きつけを停止する冷却制御部とを備えることを特徴とする請求項１又は２記載のダイボンディング装置。
4. 加熱手段により半導体チップと基板とを加熱して、それらに介在するロウ材により接合するダイボンディング装置によるダイボンディング方法であって、
   前記加熱手段を、維持すべき最低温度である第一の予熱温度に設定する初期温度設定工程と、
   前記加熱手段に前記基板を供給する基板供給工程と、
   前記加熱手段に前記半導体チップを供給するチップ供給工程と、
   前記加熱手段を、前記第一の予熱温度から前記ロウ材の融点より低い第二の予熱温度まで昇温する第一次昇温工程と、
   前記加熱手段を、前記第二の予熱温度から前記ロウ材の融点より高い接合温度まで昇温する第二次昇温工程とを備え、
   前記基板供給工程及びチップ供給工程の完了までに前記第一次昇温工程を完了させることを特徴とするダイボンディング方法。
5. 前記基板供給工程完了後、撮像手段により前記加熱手段に供給された基板を撮像する撮像工程と、
   この撮像工程により取得された撮像データに基づいて前記基板の位置調整を行う位置調整工程とを備え、
   前記初期温度設定工程における第一の予熱温度を、撮像された画像の精度を損なうゆらぎの影響を排除可能な温度以下に設定し、
   前記第一次昇温工程の開始までに前記撮像工程を完了させることを特徴とする請求項４記載のダイボンディング方法。
6. 前記第二次昇温工程完了後に前記加熱手段を冷却エアの吹きつけにより冷却する冷却工程と、
   前記冷却工程の開始から継続的に前記加熱手段の温度を検出する冷却温度測定工程と、
   前記冷却工程の途中で前記冷却温度測定工程により前記ロウ材の凝固点を下回る温度が検出されると、接合された前記基板及び半導体チップを前記加熱手段から除去する除去工程とを備え、
   前記冷却工程に、前記除去工程の開始から当該除去工程によって前記半導体チップ及び基板が前記加熱手段から離れるまでの間は前記冷却工程による冷却エアの吹きつけの圧力を減圧し又は吹きつけを停止する冷却抑制期間を設けたことを特徴とする請求項４又は５記載のダイボンディング方法。

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