JP6301726B2 - 光デバイスの加工方法 - Google Patents
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Description
K 亀裂
M 分割起点溝
R 改質層
ST 予定分割ライン
W 光デバイスウェーハ
Claims (2)
- 表面に形成された複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスとを有する光デバイスウェーハから光デバイスを加工する光デバイスの加工方法であって、
該光デバイスウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を表面又は裏面側から該分割予定ラインに沿って照射することで分割起点溝を形成する分割起点溝形成工程と、
該分割起点溝が形成された光デバイスウェーハの該分割起点溝の側面をエッチングするエッチング工程と、
該光デバイスウェーハの該分割起点溝を形成しない露呈面側から、光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って、光デバイスウェーハの該分割起点溝形成面側から所定量該露呈面方向の位置に集光点を位置付けて照射して最初の改質層を形成し、次いで集光点を段階的に露呈面方向に移動しつつ複数回繰り返して該分割起点溝形成面側から露呈面側に渡って複数の改質層を形成する改質層形成工程と、
該分割起点溝形成工程、該エッチング工程及び該改質層形成工程を実施した後に、光デバイスウェーハに外力を付与して光デバイスウェーハを個々の光デバイスへと分割する分割工程と、から構成され、
該改質層形成工程においては、複数の改質層は、光デバイスウェーハの厚み方向で隣接する改質層同士が分割予定ラインの幅方向に所定量離隔させて互い違いに形成されており、
該分割工程では、該光デバイスウェーハにおいて、該分割予定ラインの幅方向に離間して形成され該厚み方向に隣接する改質層間に亀裂が形成され、断面形状で凹部及び凸部が交互に複数形成された波形状となって該表面から該裏面に渡って分割されること、を特徴とする光デバイスの加工方法。 - 該分割起点溝形成工程において、該光デバイスウェーハの表面に該分割起点溝を形成することを特徴とする請求項1記載の光デバイスの加工方法。
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