JP2014017433A - 光デバイス及び光デバイスの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光デバイスであって、発光層を有する四角形の表面と、該表面と平行な四角形の裏面と、該表面と該裏面とを連結する第1乃至第4側面を有し、第1側面は該表面の垂直線から第1の角度傾斜し、該第1側面に対面する第2側面は該垂直線から第2の角度傾斜するとともに、第3側面は該垂直線から第3の角度傾斜し、該第3側面に対面する第4側面は該垂直線から第4の角度傾斜することを特徴とする。
【選択図】図10
Description
波長 :355nm(YAGレーザーの第3高調波)
平均出力 :2W
加工送り速度 :100mm/秒
波長 :1064nm
平均出力 :0.1〜0.2W
加工送り速度 :600mm/秒
12 レーザービーム照射ユニット
13 サファイア基板
15 発光層(エピタキシャル層)
17 分割予定ライン
18 レーザービーム発生ユニット
19 光デバイス
20 レーザービーム発生ユニット
21 傾斜面
23 レーザービーム照射ライン
27 レーザー加工溝
33,35,37,39 光デバイス
36 支持台
38 分割バー
Claims (6)
- 光デバイスであって、
発光層を有する四角形の表面と、該表面と平行な四角形の裏面と、該表面と該裏面とを連結する第1乃至第4側面を有し、
第1側面は該表面の垂直線から第1の角度傾斜し、該第1側面に対面する第2側面は該垂直線から第2の角度傾斜するとともに、第3側面は該垂直線から第3の角度傾斜し、該第3側面に対面する第4側面は該垂直線から第4の角度傾斜することを特徴とする光デバイス。 - 前記表面から前記裏面に至る断面形状が平行四辺形である請求項1記載の光デバイス。
- 前記表面から前記裏面に至る断面形状が台形である請求項1記載の光デバイス。
- 前記第1乃至第4角度は全て同一角度である請求項1〜3の何れかに記載の光デバイス。
- 請求項1〜4の何れかに記載の光デバイスの加工方法であって、
表面に発光層を有し、複数の交差する分割予定ラインが設定され該分割予定ラインで区画された該発光層の各領域にそれぞれ光デバイスを有する光デバイスウエーハを準備するウエーハ準備ステップと、
光デバイスウエーハに該光デバイスの前記第1乃至第4側面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、
該傾斜面設定ステップを実施した後、光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを該傾斜面に沿って照射して該傾斜面に沿ったレーザー加工溝を形成するレーザー加工ステップと、
を備えたことを特徴とする光デバイスの加工方法。 - 前記レーザー加工ステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与して光デバイスウエーハを個々の光デバイスへと分割する分割ステップを更に備えた請求項5記載の光デバイスの加工方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015216140A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
JP2016054205A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
KR20160067779A (ko) | 2014-12-04 | 2016-06-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 광디바이스의 가공 방법 |
JP2016163016A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP2021108344A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2022014107A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
WO2022014105A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
WO2022014104A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び、半導体部材の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015138815A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社ディスコ | 光デバイス及び光デバイスの加工方法 |
US10353453B2 (en) * | 2014-02-25 | 2019-07-16 | Dell Products L.P. | Methods and systems for multiple module power regulation in a modular chassis |
JP6407066B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2018-10-17 | 株式会社ディスコ | 光デバイスチップの製造方法 |
JP6746224B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | デバイスチップパッケージの製造方法 |
CN111267248A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-12 | 常州时创能源股份有限公司 | 非100晶向单晶硅片的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP2003298107A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-10-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004503094A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム放射性半導体チップおよびその製造方法 |
JP2005101416A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2007019262A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Toshiba Discrete Technology Kk | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2009124077A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体チップ及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3824678A (en) * | 1970-08-31 | 1974-07-23 | North American Rockwell | Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers |
US5151389A (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-29 | Rockwell International Corporation | Method for dicing semiconductor substrates using an excimer laser beam |
US6229160B1 (en) * | 1997-06-03 | 2001-05-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping |
US20050263854A1 (en) * | 1998-10-23 | 2005-12-01 | Shelton Bryan S | Thick laser-scribed GaN-on-sapphire optoelectronic devices |
JP2000195827A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ledアレイチップおよびその製造方法ならびにダイシング装置 |
JP3776824B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US20040169185A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-02 | Heng Liu | High luminescent light emitting diode |
US20050029646A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for dividing substrate |
KR100627006B1 (ko) * | 2004-04-01 | 2006-09-25 | 삼성전자주식회사 | 인덴트 칩과, 그를 이용한 반도체 패키지와 멀티 칩 패키지 |
JP4471852B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2010-06-02 | パナソニック株式会社 | 半導体ウェハ及びそれを用いた製造方法ならびに半導体装置 |
US7611966B2 (en) * | 2005-05-05 | 2009-11-03 | Intel Corporation | Dual pulsed beam laser micromachining method |
JP4909657B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
JP5671982B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2015-02-18 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
CN102270717B (zh) * | 2011-07-15 | 2013-03-06 | 华灿光电股份有限公司 | 一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法 |
-
2012
- 2012-07-11 JP JP2012155265A patent/JP5995563B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-21 TW TW102117880A patent/TWI578561B/zh active
- 2013-06-25 KR KR1020130072819A patent/KR101939409B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-09 US US13/937,976 patent/US20140014976A1/en not_active Abandoned
- 2013-07-10 CN CN201310287638.3A patent/CN103545409B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP2004503094A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム放射性半導体チップおよびその製造方法 |
JP2003298107A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-10-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2005101416A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2007019262A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Toshiba Discrete Technology Kk | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2009124077A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体チップ及びその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015216140A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
JP2016054205A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
KR20160067779A (ko) | 2014-12-04 | 2016-06-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 광디바이스의 가공 방법 |
JP2016111119A (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 株式会社ディスコ | 光デバイスの加工方法 |
JP2016163016A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP2021108344A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP7277782B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2022014107A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
WO2022014105A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
WO2022014104A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び、半導体部材の製造方法 |
WO2022014106A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
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