JP6008565B2 - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
波長 :355nm
平均出力 :4W
繰り返し周波数 :120MHz
照射ビーム径 :φ5μm(裏面11b上でのビームスポットサイズ)
加工送り速度 :100mm/s
繰り返し周波数を変化させて、波長355nmのパルスレーザービームをサファイアウエーハ11の裏面11bに照射して、アブレーション加工によりレーザー加工溝23を形成し、加工溝側面図状態を確認した。加工送り速度は100mm/sである。
(b)繰り返し周波数:1MHz、2MHz
(c)繰り返し周波数:4MHz、9MHz
(d)繰り返し周波数:10MHz、70MHz
(e)繰り返し周波数:80MHz、120MHz
表面11aにエピタキシャル層15が形成されるとともに裏面11bに金属からなるODR膜(反射膜)21が形成された光デバイスウエーハ11に以下の条件でレーザー加工を施した後、光デバイスウエーハ11に外力を付与して光デバイスチップ27に分割しそれぞれ輝度を測定した。
(B)波長355nm、繰り返し周波数10MHz、加工送り速度100mm/s
(C)波長355nm、繰り返し周波数120MHz、加工送り速度100mm/s
波長を355nm、繰り返し周波数を100MHzに設定し、加工送り速度を50、100、200、300、400、500、600、700mm/sと変化させて、光デバイスウエーハ11の裏面にアブレーション加工によりレーザー加工溝23を形成した。
13 サファイア基板
15 エピタキシャル層
17 分割予定ライン
19 光デバイス
21 反射膜
23 レーザー加工溝
34 レーザービーム照射ユニット
37 集光器
74 分割治具
Claims (1)
- 表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを加工する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの裏面から光デバイスウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、光デバイスウエーハの裏面に該分割予定ラインに沿った複数のレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
該レーザー加工溝形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与して該レーザー加工溝に沿って光デバイスウエーハを分割して複数の光デバイスチップを形成する分割ステップと、を備え、
該レーザー加工溝形成ステップでは、光デバイスウエーハに照射される該パルスレーザービームのパルス間隔は50nm以下であり、パルスレーザービームの繰り返し周波数は10MHz以上に設定され、
該レーザー加工溝形成ステップで形成された前記レーザー加工溝の側面は劈開面であることを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
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