CN102270717B - 一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及本一种具有弯曲衬底侧面的发光二极管及其制备方法；通过两束光激光束对晶片进行划片时，调整两束激光束聚焦点在晶片中的位置，使得二极管芯片的衬底侧面是倾斜/弯曲的，并能降低总的划片深度，本发明改善了传统发光二极管芯片出光效率低的缺陷，所制得的发光二极管芯片出光效率得到提高，并且裂片成品率和均匀性得到改善。

Description

一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种特殊外形结构的发光二极管芯片，具体涉及一种具有倾斜/弯曲衬底侧面的发光二极管；本发明还涉及该发光二极管的制备方法，通过激光技术切割技术将发光二极管的衬底侧面加工为弯曲侧面。 

背景技术

发光二极管是一种将电能转化为光能的发光器件，是目前最有前景的新一代光源。发光二极管一般利用通过直接带隙半导体的本征跃迁发光，具有很高的光电转换效率，即很高的内量子效应。 

但是，这些半导体及其衬底材料的折射率一般为2～3.5，相对于空气的折射率(约为1)较大，光线从这些半导体中射向空气的时候只有很小的出光范围，其它角度的出光都被全反射回来，见附图1。光在半导体中传播会损耗一些能量，而这些能量最终转换为热量。 

传统发光二极管的外形结构为上表面、底面与发光层平行，侧面与发光层垂直，见附图2。在这样的外形结构下，光在器件内经过多次的全反射而不能出射到外界，最后消耗完能量。这样发光二极管的出光效率很低。并且，这些消耗的能量最终转化为热量让器件升温。 

如果所有侧面方向由垂直改成有一定角度α的倾斜，那么光线在经过弯曲侧面反射，再回到平行面，入射角度会发生一定的变化，这样在原光线角度恰当的情况下，经弯曲侧面反射回来的光线可能有小于全反射临界角θ的入射角，这样光线就 可以穿过界面射到空气中去，见附图3。 

从总体效果来说，倾斜的侧面让每一个出光面的可出光角度范围扩大了一倍，空间出光面积扩大了不止一倍，见附图4。这样，芯片侧面的出光效率可以有一倍以上的提升。 

如果无法得到平直的倾斜侧面，采用弯曲的侧面也可以得到类似的结果。弯曲侧面可看作多个不同倾斜角度的倾斜侧面的组合。 

通常采用干法或湿法的蚀刻技术来实现倾斜的侧面。但是蚀刻技术一般局限于外延层的加工，想要蚀刻得更深，所需成本极高。特别是蓝宝石、碳化硅等衬底材料，其硬度高，结构稳定，加工难度极大，目前没有这些材料的倾斜或弯曲侧面的报道。 

另一方面，目前广泛采用的激光划片技术来分割晶片。激光分割芯片，对于目前的单划技术，划片深度与晶片厚度有一定关系，晶片厚度越厚，需要划片深度越深，而激光划过的部分会由于激光烧灼而形成不透光的侧面，从而降低出光效率。而且，如果划片深度浅的话，不易于裂片，且所得芯片的品质低。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于克服传统发光二极管芯片出光效率低，并且改善裂片对划片深度要求与出光效率之间的矛盾，从而提出一种外形新颖的发光二极管芯片，并提出一项能提高出光效率、提高裂片成品率和均匀性的发光二极管制备技术。 

本发明人经过锐意研究发现，当使用两束激光束对晶片进行划片时，能将厚度远远高于外延层厚度的衬底层划开，而且， 通过调整两束激光束聚焦点在晶片中位于沿深度纵向的位点不同，能够有效降低划片的总深度，通过调整两束激光束聚焦点在晶片横截面内沿与划片方向垂直方向上处于不同位点，使得所得二极管芯片的衬底侧面是倾斜弯曲的，这样不仅大幅提高了出光效率，而且大幅提高了产品良率，从而完成了本发明。 

为了说明本发明的内容，先进行如下定义和说明： 

一、将激光划片的过程看做激光束相对wafer(芯片)运动的过程。认为wafer是静止的，激光束相对wafer做平移，运动方向记为X方向。在水平面中与运动方向X垂直的方向记为Y方向。激光照射的方向记为Z方向。则X、Y、Z方向两两垂直，由此构成(X，Y，Z)坐标系，示意图见附图5。 

二、以激光束聚焦的点在上述(X，Y，Z)坐标系中的位置作为激光(束)的位置坐标。以某一束激光的坐标作为零点O(0，0，0)，则另一束激光的坐标记为(x，y，z)；两束激光的相对位置也可记为(x，y，z)，也可简略记为(y，z)。示意图见附图6。 

三、文中所用术语“两束激光束”、“两束激光”或“双光束”的含义。“两束激光束”或“双光束”的意思相同，是指坐标不同的两束激光束，而不论是否来自相同或不同的激光发生器聚焦系统。也就是说，划片时可以同时或先后使用坐标不同的两束激光束，其中两束激光束的相对位置坐标为(x，y，z)，y≠0，z≠0。不过，这两束激光束可以来自同一激光发生器聚焦系统，也可以来自两个不同的激光发生器聚焦系统，或来自更多不同的激光发生器聚焦系统，而并非仅限于同时使用两束来自不同激光发生器聚焦系统的激光束。 

具体而言，对于两束激光束来自同一激光发生器聚焦系统的情况而言，可以先后使用来自同一激光发生器聚焦系统的激 光束，在两次使用中，激光束的聚焦点坐标不同。 

对于两束激光束来自两个不同激光发生器聚焦系统的情况而言，可以是同时或先后使用来自不同激光束发生器聚焦系统的聚焦点坐标不同的两束激光。 

对于两束激光束来自更多不同的激光束发生器聚焦系统的情况而言，可以是同时或先后使用坐标不同的两束不同激光束，它们分别产生自所述更多不同的激光束发生器聚焦系统。 

本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片，该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层，其特征在于，所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的。 

本发明提供的衬底侧面倾斜或弯曲的发光二极管的出光效率高。 

本发明的另一目的在于提供衬底层侧面倾斜或弯曲的发光二极管芯片的生产方法，该方法包括以下步骤： 

1)、采用相对位置为(x，y，z)的两束激光束对二极管芯片进行划片加工，其中，y≠0，z≠0，所述二极管芯片包括衬底层和层叠于衬底层上的外延层； 

2)、当y和z值满足y≤z≤D时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，其中D表示芯片的厚度； 

3)、对芯片进行裂片加工，对芯片的灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片沿着微裂纹的位置断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0且z≠0，灼烧痕迹间由于断裂形成的侧面相对于芯片正面平面是倾斜或弯曲的，从而得到衬底层侧面倾斜或弯曲的发光二极管芯片器件。 

通过本发明方法制备的发光二极管芯片的出光效率得到明显提高，而且也大大提高了裂片成品率和均匀性。 

附图说明

图1示于传统发光二极管的出光范围，其中θ为光线从器件中向空气中射出时的全反射临界角； 

图2示出发光二极管侧面垂直时光在界面间的反射，其中δ为光线从器件向空气射出时的入射角； 

图3示出发光二极管侧面倾斜时光在界面间的反射，其中α为侧面倾斜的角度，β为光线在器件-空气界面间反射的入射角或反射角，γ为光线在器件-空气界面间反射的入射角或反射角； 

图4示出发光二极管侧面倾斜时每个面的出光范围，其中，α为侧面倾斜的角度，θ为光线从器件中向空气中射出时的全反射临界角； 

图5示出激光划片时(x，y，z)三维坐标，其中 

101-激光的聚焦系统， 

110-发光二极管的衬底层， 

120-发光二极管的外延层； 

图6示出两束激光的相对位置； 

图7示出衬底侧面弯曲的发光二极管芯片外观示意图； 

图8示出根据实施例1获得的衬底侧面倾斜或弯曲的发光二极管； 

图9示出采用两束激光束对芯片进行划片的示意图； 

图10示出根据实施例2获得的衬底侧面倾斜或弯曲的发光二极管；和 

图11示出采用三束激光对芯片进行划片的示意图。 

具体实施方式

以下具体描述本发明的制备方法以及由此形成的衬底侧面倾斜或弯曲的发光二极管芯片，本发明的特点和优点将随着描 述变得更为清楚、明确。 

根据本发明的一方面，提供衬底层侧面倾斜或弯曲的发光二极管芯片的生产方法，该方法包括以下步骤： 

1)、采用相对位置为(x，y，z)的两束激光束对二极管芯片进行加工，其中，y≠0，z≠0，所述二极管芯片包括衬底层和层叠于衬底层上的外延层； 

2)、当y和z值满足y≤z≤D时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，其中D表示芯片的厚度； 

3)、对芯片灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片沿着微裂纹的位置断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0且z≠0，灼烧痕迹间由于断裂形成的侧面相对于芯片正面平面是倾斜或弯曲的，从而得到衬底层侧面倾斜或弯曲的发光二极管芯片器件。 

在根据本发明方法的实施方式中，y和z值满足y≤z≤D，其中D表示芯片的厚度。当y和z值在所述范围内时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，在后续的裂片加工中能容易地断裂，并且由于划片加工中划片深度浅，使得总的划片深度降低，从而避免了由于灼烧产生的侧面发黑。如果y和z值不在上述范围内，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹难以连成一片，导致裂片加工困难。 

在根据本发明的方法中，激光划片的次数可以是2次，也可以是多次。在多次划片时，相邻两束光之间的y和z值满足y≤z≤D关系，其中D表示芯片的厚度。所有光束间共同作用形成精细外观的倾斜或弯曲侧面。中部光束用于诱导裂纹的产生，定位裂开位置。 

在根据本发明的方法中，如果沿同一方向进行划片加工，则可以使得使两两相对的侧面形成弯曲形状和角度相同的侧面。 

在根据本发明的方法中，如果在芯片平面内分别沿纵向和横向进行划片加工，并且划片加工时y和z值保持不变，则可以得到衬底的两两相对的侧面类似于平行四边形形状倾斜或弯曲的发光二极管芯片，如图7中所示。 

在本发明中，该发光二极管芯片的外延层材料优选由掺杂的GaN/InGaN构成。 

在本发明中，该发光二极管芯片的衬底材料包括氧化铝、碳化硅、氧化锌、硅。 

当采用来自同一激光发生器聚焦系统的两束激光时，本发明的方法包括以下步骤： 

1)、先用激光对wafer的正表面划片，并将wafer放入高温磷酸\硫酸中，腐蚀掉划道的灼烧面； 

2)、再用激光对wafer的背面面划片，第二次划片时划痕位置与第一次不重合，从而可以认为两束激光间相对位置为(y，z)，y≠0，z≠0，当y≤z≤D时，其中D表示芯片的厚度，wafer被激光灼烧后产生的微裂纹连成一片； 

3)、对wafer进行裂片加工，将wafer顺着第二次划片的位置裂片，对wafer灼烧位置进行弯曲和敲击，wafer裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对wafer正面是倾斜或弯曲的。 

在一个优选的实施方式中，Wafer的某个方向的划痕全部依照上述方式进行划片，保持两次划片的激光光束的相对位置(y，z)不变，则制作出的芯片衬底的相对位置均形成同样弯曲形状和角度的倾斜侧面。 

在一个优选的实施方式中，对纵横方向均采用上述方法进行划片，则形成了衬底两两相对的侧面类似于平行四边形弯曲的发光二极管芯片，其示意图见附图8，其中两次划片产生的灼 烧层104、103分别位于wafer的正面和背面。 

当采用来自两个激光发生器聚焦系统的两束激光时，本发明的制备方法包括以下步骤： 

1)、采用两束相对位置为(x，y，z)的激光对同一wafer进行划片加工，其中y≠0，z≠0，其中一束光束1透射到wafer内部聚焦，另一光束2聚焦于wafer的表面； 

2)、使用激光束1和2先后分别对wafer进行灼烧，其中，当y和z值满足y≤z≤D时，其中D表示芯片的厚度，wafer被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片； 

当光束1先于光束2对wafer进行灼烧时，光束1将wafer的深层灼烧出痕迹后，wafer的内层物质受热后发生相变，从而产生内应力，wafer出现裂痕，而当光束2对wafer表面相同点再次灼烧时，wafer应力区域连成一片，从而在wafer内部形成连续的内应力集中区，Wafer划过后，wafer的内部形成特定形状的微裂纹集中的截面； 

3)、对wafer进行裂片加工，对wafer灼烧位置进行弯曲和敲击，wafer裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对wafer正面是倾斜或弯曲的。 

在一个优选的实施方式中，Wafer的某个方向的划痕全部依照上述方式进行划片，保持两次划片的激光光束的相对位置(y，z)不变，则制作出的芯片衬底的相对位置均形成同样弯曲形状和角度的倾斜侧面。 

在一个优选的实施方式中，对纵横方向均采用上述方法进行划片，则形成了衬底两两相对的侧面类似于平行四边形弯曲的发光二极管芯片，其示意图见附图10，其中106、105分别为在wafer内部和表面划片产生的灼烧层。 

当采用来自更多个如三个激光发生器聚焦系统的两束激光时，本发明的制备方法包括以下步骤： 

1)、使一束光束2投射到wafer的内部聚焦，使另两束光束1和3采用完全相同结构和性能参数的激光，光束1和3相对于光束2分别固定于(x，y，z)和(-x，y，z)的坐标处，其中x＞0，y≠0，z≠0，三束激光作为一个整体系统对wafer进行划片：当激光向X轴正向运动时，控制光束2和3开光，光束1关光；当激光向X轴负向运动时，控制光束2，1开光，光束3关光； 

2)y和z值满足y≤z≤D时，其中D表示芯片的厚度，wafer被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片； 

3)、对wafer进行裂片加工，对wafer灼烧位置进行弯曲和敲击，wafer裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对wafer正面是倾斜或弯曲的。 

这样可以一次完成两束激光划片，同时划片效率没有影响。 

在一个优选的实施方式中，Wafer的某个方向的划痕全部依照上述方式进行划片，保持两次划片的激光光束的相对位置(y，z)不变，则制作出的芯片衬底的相对位置均形成同样弯曲形状和角度的倾斜侧面。 

在一个优选的实施方式中，对纵横方向均采用上述方法进行划片，则形成了衬底两两相对的侧面类似于平行四边形弯曲的发光二极管芯片。 

根据本发明的另一方面，提供一种发光二极管芯片，该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层，其特征在于，所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的。 

在根据本发明的发光二极管芯片的优选实施方案中，所述衬底的侧面与二极管芯片正面平面之间所成的角度在0～70°范 围内，优选为45°。 

在根据本发明的发光二极管芯片的优选实施方案中，所述发光二极管芯片的衬底两两相对的侧面类似于平行四边形倾斜或弯曲。 

在根据本发明的发光二极管芯片的优选实施方案中，所述发光二极管芯片的外延层材料优选由掺杂的GaN/InGaN构成。 

在根据本发明的发光二极管芯片的优选实施方案中，所述发光二极管芯片的衬底材料包括氧化铝、碳化硅、氧化锌、硅。 

根据本发明制备的衬底侧面弯曲的发光二极管芯片具有以下优点： 

1)、本发明实现了外延衬底的倾斜/弯曲侧面，相对来说，蚀刻技术实现的倾斜侧面一般局限于外延层，想要蚀刻得更深，所需成本极高。而本发明可以实现整个衬底层的弯曲侧面。由于外延层一般厚度在3～8um，而衬底层厚度最少60um，因此本发明实现的弯曲侧面的面积最少是蚀刻技术实现的倾斜侧面的10倍以上，因此更有利于芯片出光。 

2)、采用激光划片的方法相对刻蚀等方法，成本较低。且随着激光设备的开发，成本会越来越低。 

3)、采用本方法划片后，wafer非常容易裂开。可以用很轻的力度裂片，甚至无需专门裂片机，只用碾轧的方式也可实现裂片。 

4)、采用两束激光划片，划痕深度总和一般比传统的激光划片技术要求的划痕深度要浅，从而减少了激光在空气环境灼烧wafer所产生的黑色痕迹的吸光效果，有利于出光。 

以下通过实施例来进一步描述本发明，但本发明并不限于这些实施方式。 

实施例1：

采用单束激光的划片设备，加工步骤如下： 

1、先用激光划wafer的一正表面； 

2、将wafer放入高温磷酸\硫酸中，腐蚀掉划道的灼烧面。 

3、再划wafer的背面面，第二次划片时划痕位置与第一次不重合。从而可以认为两束激光见相对位置为(y1，z1)，y1≠0，z1≠0。 

4、将wafer顺着第二次划片位置裂片，最终形成如附图8所示的弯曲侧面的发光二极管。 

其中两次划片产生的灼烧层104、103分别位于wafer的正面和背面。Wafer正面的激光灼烧层104经过步骤2后灼烧的灰烬被腐蚀掉。 

实施例2：

采用两束激光对wafer进行划片，如附图9所示。其中，光束1能透射到wafer内部聚焦。光束2聚焦于wafer的表面。 

划片时，一定保证分光束1先于分光束2对wafer进行灼烧。分光束1将wafer的深层灼烧出痕迹后，wafer的内层物质受热后发生相变，从而产生内应力，wafer出现裂痕。而当分光束2对wafer表面相同点再次灼烧时，wafer应力区域将连成一片，从而在wafer内部形成连续的内应力集中区。 

Wafer划过后，wafer的内部形成特定形状的微裂纹集中的截面。当wafer裂片时，裂痕自然沿着微裂纹集中区域断裂开来。 

所制作出来的发光二极管芯片外观如附图10中所示。两个光束分别在wafer中形成如图106、105的灼烧层。 

实施例3：

采用三束激光对wafer进行划片。如附图11所示，其中，光束2能投射到wafer的内部聚焦；光束1、3采用完全相同结构和性能参数的激光。 

光束1、3相对于光束2分别固定于(x3，y3，z3)和(-x3，y3，z3)的坐标，其中x3＞0，y3≠0，z3≠0。 

三束激光作为一个整体系统对wafer进行划片。当激光向X轴正向运动时，控制光束2和3开光，光束1关光；当激光向X轴负向运动时，控制光束2和1开光，光束3关光。这样可以一次完成两束激光划片，达到实施例2的效果，同时划片效率没有影响。 

根据上述的实施例对本发明作了详细描述。需说明的是，以上的实施例仅仅为了举例说明本发明而已。在不偏离本发明的精神和实质的前提下，本领域技术人员可以设计出本发明的多种替换方案和改进方案，其均应被理解为在本发明的保护范围之内。 

Claims (10)

1.一种发光二极管芯片，该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层，其特征在于，所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的，衬底的两两相对的侧面类似于平行四边形形状倾斜或弯曲，即，两两相对的侧面形成弯曲形状和角度相同的侧面，

所述发光二极管芯片由包括以下步骤的方法制备：

1)、采用相对位置为（x，y，z）的两束激光束对二极管芯片进行划片加工，其中，y≠0，z≠0，所述二极管芯片包括衬底层和层叠于衬底层上的外延层；

2)、当y和z值满足y≤z≤D时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，其中D为芯片的厚度；

3)、对芯片进行裂片加工，对芯片的灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片沿着微裂纹的位置断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0且z≠0，灼烧痕迹间由于断裂形成的侧面相对于芯片正面平面是倾斜或弯曲的。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述衬底的侧面与二极管芯片正面平面之间所成的角度为0~70°。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极管芯片的外延层材料由掺杂的GaN/InGaN组成。

4.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极管芯片的衬底层材料包括氧化铝、碳化硅、氧化锌或硅。

5.如权利要求1至4之一所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)、采用相对位置为（x，y，z）的两束激光束对二极管芯片进行划片加工，其中，y≠0，z≠0，所述二极管芯片包括衬底层和层叠于衬底层上的外延层；

2)、当y和z值满足y≤z≤D时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，其中D为芯片的厚度；

3)、对芯片进行裂片加工，对芯片的灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片沿着微裂纹的位置断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0且z≠0，灼烧痕迹间由于断裂形成的侧面相对于芯片正面平面是倾斜或弯曲的。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述两束激光束来自同一激光发生器聚焦系统，或者来自两个不同的激光发生器聚焦系统，或者来自更多不同的激光发生器聚焦系统。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

当采用来自同一激光发生器聚焦系统的两束激光时，所述方法包括以下步骤：

1)、先用激光对芯片的正表面划片，并将芯片放入高温磷酸/硫酸中，腐蚀掉划道的灼烧面；

2)、再用激光对芯片的背面划片，第二次划片时划痕位置与第一次不重合，从而可以认为两束激光间相对位置为（y，z），y≠0，z≠0，当y≤z≤D时，其中D为芯片的厚度，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹可以连成一片；

3)、对芯片进行裂片加工，将芯片顺着第二次划片的位置裂片，对芯片灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对芯片正面是倾斜或弯曲的；

当采用来自两个激光发生器聚焦系统的两束激光时，所述方法包括以下步骤：

1)、采用两束相对位置为（x，y，z）的激光对同一芯片进行划片加工，其中y≠0，z≠0，其中一束光束透射到芯片内部聚焦，另一光束聚焦于芯片的表面；

2)、使用一束激光和另一束激光先后分别对芯片进行灼烧，当y和z值满足y≤z≤D时，D为芯片的厚度，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片；

3)、对芯片进行裂片加工，对芯片灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对芯片正面是倾斜或弯曲的；

当采用来自三个激光发生器聚焦系统的两束激光时，所述方法包括以下步骤：

1)、使一束光束投射到芯片的内部聚焦，使另外两束光束采用完全相同结构和性能参数的激光，另两束光束相对于一束光束分别固定于（x，y，z）和（-x，y，z）的坐标处，其中x＞0，y≠0，z≠0，三束激光作为一个整体系统对芯片进行划片：当激光向X轴正向运动时，控制一束光束和另两束光束中的一束开光，另两束光束中的另一束光束关光；当激光向X轴负向运动时，控制一束光束和另两束光束中的另一束开光，另两束光束中的一束关光；

2）当y和z值满足y≤z≤D时，其中D为芯片的厚度，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹连成一片；

3)、对芯片进行裂片加工，对芯片灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对芯片正面是倾斜或弯曲的。

8.如权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，激光划片次数为2次以上。

9.如权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，芯片的某个方向的划痕通过权利要求6或7所述的方法进行划片，保持两次划片中的激光光束的相对位置（y，z）不变，所得芯片衬底的相对位置均形成同样弯曲形状和角度的倾斜侧面。

10.如权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，对芯片平面中的纵横方向均通过权利要求6或7所述的方法进行划片，则形成了衬底两两相对的侧面类似于平行四边形倾斜/弯曲的发光二极管芯片。

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