JP6296204B2 - コモンモードチョークコイル及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、互いに磁界結合する第１のコイル及び第２のコイルを備えているコモンモードチョークコイル及び電子機器に関する。

従来のコモンモードチョークコイルに関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のコモンモードノイズフィルタが知られている。図１６は、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００の等価回路図である。

コモンモードフィルタ５００は、図１６に示すように、コイル５０２，５０４，５０６，５０８及び入出力端子５１０，５１２，５１４，５１６を備えている。コイル５０２，５０４は、入出力端子５１０と入出力端子５１２との間に直列に接続されている。コイル５０６，５０８は、入出力端子５１４と入出力端子５１６との間に直列に接続されている。コイル５０２とコイル５０６とは、磁界結合しており、第１のフィルタ部を構成している。コイル５０４とコイル５０８とは、磁界結合しており、第２のフィルタ部を構成している。また、第１のフィルタ部と第２のフィルタ部との結合係数は、−０．５〜＋０．５に設定されている。

以上のようなコモンモードフィルタ５００では、第１のフィルタ部及び第２のフィルタ部が、コモンモード減衰特性において異なる２つの周波数帯に減衰極を形成する。その結果、コモンモードフィルタ５００は、広い周波数帯域のコモンモードノイズを除去できる。

特開２０１２−１９５３３２号公報

しかしながら、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００では、以下に説明する理由により、大きな伝送損失が発生しやすい。より詳細には、コモンモードフィルタ５００では、２つの減衰極を形成するために、コイル５０２，５０４を直列接続するとともに、コイル５０６，５０８を直列接続している。そのため、入出力端子５１０と入出力端子５１２との間の直流抵抗値、及び、入出力端子５１４と入出力端子５１６との間の直流抵抗値が大きくなってしまう。その結果、コモンモードフィルタ５００において、大きな伝送損失が発生する。

そこで、本発明の目的は、広い周波数帯域でコモンモードノイズを減衰させることができ、かつ、伝送損失を低減できるコモンモードチョークコイル及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係るコモンモードチョークコイルは、第１の信号線路及び第２の信号線路を含む差動伝送線路と、前記第１の信号線路に設けられている第１のコイル、前記第２の信号線路に設けられており、かつ、前記第１のコイルと磁界結合する第２のコイル、及び、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間に発生している寄生容量を含む並列共振主回路と、前記第１のコイル及び前記第２のコイルと磁界結合する第３のコイル、及び、該第３のコイルに電気的に並列接続されている第１のコンデンサを含む並列共振回路と、を備えており、前記並列共振主回路の第１の共振周波数と前記並列共振回路の第２の共振周波数とは、略等しく、互いに異なる周波数を有する２つの減衰極が形成されていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、電気回路と、コモンモードチョークコイルと、を備えており、前記コモンモードチョークコイルは、前記電気回路に電気的に接続されている第１の信号線路及び第２の信号線路を含む差動伝送線路と、前記第１の信号線路に設けられている第１のコイル、前記第２の信号線路に設けられており、かつ、前記第１のコイルと磁界結合する第２のコイル、及び、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間に発生している寄生容量を含む並列共振主回路と、前記第１のコイル及び前記第２のコイルと磁界結合する第３のコイル、及び、該第３のコイルに電気的に並列接続されている第１のコンデンサを含む並列共振回路と、を備えており、前記並列共振主回路の第１の共振周波数と前記並列共振回路の第２の共振周波数とは、略等しく、互いに異なる周波数を有する２つの減衰極が形成されていること、を特徴とする。

本発明によれば、広い周波数帯域でコモンモードノイズを減衰させることができ、かつ、伝送損失を低減できる。

コモンモードチョークコイル１０の等価回路図である。 コモンモードチョークコイル１０の外観斜視図である。 コモンモードチョークコイル１０の素体１２の分解斜視図である。 コモンモードチョークコイル１０の素体１２の分解斜視図である。 コモンモードチョークコイル１０の素体１２の分解図である。 コモンモードチョークコイル１０の素体１２の分解図である。 軌跡Ｒ１，Ｒ２を示した図である。 軌跡Ｒ３，Ｒ４を示した図である。 電子機器１００のブロック図である。 比較例に係るコモンモードチョークコイル２００の等価回路図である。 コモンモードチョークコイル２００のコモンモードノイズの通過特性（Ｓｃｃ２１）を示したグラフである。 コモンモードチョークコイル１０の説明用の等価回路図である。 コモンモードチョークコイル１０のコモンモードノイズの通過特性（Ｓｃｃ２１）を示したグラフである。 実施例に係るコモンモードチョークコイル３１０の部分的な分解斜視図である。 コモンモードチョークコイル１０の断面構造図である。 コモンモードチョークコイル３１０の断面構造図である。 特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００の等価回路図である。

以下に本発明の一実施形態に係るコモンモードチョークコイル１０及び電子機器１００について図面を参照しながら説明する。

（コモンモードチョークコイルの等価回路図について）
まず、コモンモードチョークコイル１０の等価回路について図面を参照しながら説明する。図１は、コモンモードチョークコイル１０の等価回路図である。

コモンモードチョークコイル１０は、図１に示すように、差動伝送線路ＳＬ０、主回路ＭＣ、並列共振回路ＬＣ及び外部電極１４ａ〜１４ｄを備えている。差動伝送線路ＳＬ０は、デファレンシャルモード信号を伝送するための信号線路であり、信号線路ＳＬ１（第１の信号線路の一例）及び信号線路ＳＬ２（第２の信号線路の一例）を含んでいる。信号線路ＳＬ１の一端は、外部電極１４ａに接続されており、信号線路ＳＬ１の他端は外部電極１４ｂに接続されている。信号線路ＳＬ２の一端は、外部電極１４ｃに接続されており、信号線路ＳＬ２の他端は外部電極１４ｄに接続されている。

主回路ＭＣは、コイルＬ１（第１のコイルの一例）、コイルＬ２（第２のコイルの一例）及び寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２を含んでいる。コイルＬ１は、信号線路ＳＬ１上に設けられている。コイルＬ２は、信号線路ＳＬ２上に設けられている。コイルＬ１とコイルＬ２とは、互いに磁界結合している。寄生容量（コンデンサ）Ｃｐ１，Ｃｐ２は、コイルＬ１とコイルＬ２との間に発生している寄生容量である。寄生容量Ｃｐ１は、コイルＬ１の一端とコイルＬ２の一端との間に接続されている。寄生容量Ｃｐ２は、コイルＬ１の他端とコイルＬ２の他端との間に接続されている。

以上のように構成された主回路ＭＣの共振周波数は、周波数ｆ１（第１の共振周波数の一例）である。周波数ｆ１は、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値及び寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の容量値により定まる。本実施形態では、周波数ｆ１は、例えば、３.２ＧＨｚである。

並列共振回路ＬＣは、コイルＬ３（第３のインダクタの一例）及びコンデンサＣ１（第１のコンデンサの一例）を含んでいる。更に、コイルＬ３は、コイルＬａ，Ｌｂを含んでいる。コイルＬａとコイルＬｂとコンデンサＣ１とは、互いに並列に接続されている。コイルＬａは、コイルＬ１，Ｌ２と磁界結合しており、主にコイルＬ１と磁界結合している。コイルＬｂは、コイルＬ１，Ｌ２と磁界結合しており、主にコイルＬ２と磁界結合している。なお、並列共振回路ＬＣは、信号線路ＳＬ１，ＳＬ２に対して接続されていない。

以上のように構成された並列共振回路ＬＣの共振周波数は、周波数ｆ２（第２の共振周波数の一例）である。周波数ｆ２は、コイルＬ３のインダクタンス値及びコンデンサＣ１の容量値により定まる。そして、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが略等しくなるように、コモンモードチョークコイル１０が設計される。本実施形態では、周波数ｆ２は、例えば、３.５ＧＨｚである。

（コモンモードチョークコイルの具体的構成について）
次に、コモンモードチョークコイル１０の具体的構成について図面を参照しながら説明する。図２は、コモンモードチョークコイル１０の外観斜視図である。図３及び図４は、コモンモードチョークコイル１０の素体１２の分解斜視図である。図５及び図６は、コモンモードチョークコイル１０の素体１２の分解図である。ただし、図５及び図６では、絶縁体層１６ａ，１６ｗについては省略した。図７は、軌跡Ｒ１，Ｒ２を示した図である。図８は、軌跡Ｒ３，Ｒ４を示した図である。

以下では、素体１２の積層方向を上下方向（第１の方向の一例）と定義し、素体１２を上側から見たときに、素体１２の長辺が延在する方向を左右方向と定義し、素体１２の短辺が延在する方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。

コモンモードチョークコイル１０は、素体１２、外部電極１４ａ〜１４ｄ、コイル導体層１８ａ〜１８ｓ，２０ａ〜２０ｓ，３０ａ，３０ｂ、引き出し導体層２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ４０，ｖ５０を具体的な構成として備えている。

素体１２は、絶縁体層１６ａ〜１６ｗ（複数の基材層の一例）が上側から下側へとこの順に積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｗは、長方形状をなしており、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）を材料としている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｗの上側の主面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｗの下側の主面を裏面と呼ぶ。

外部電極１４ａは、素体１２の後面の左半分の領域において、上下方向に延在する帯状をなしている。外部電極１４ｂは、素体１２の前面の左半分の領域において、上下方向に延在する帯状をなしている。外部電極１４ｃは、素体１２の後面の右半分の領域において、上下方向に延在する帯状をなしている。外部電極１４ｄは、素体１２の後面の右半分の領域において、上下方向に延在する帯状をなしている。外部電極１４ａ〜１４ｄは、上面及び下面に折り返されている。以上のような外部電極１４ａ〜１４ｄは、銅を主成分とする下地電極上にＮｉめっきおよびＳｎめっきが施されることにより形成される。

コイルＬ１〜Ｌ３及びコンデンサＣ１は、以下に説明するように、絶縁体層に設けられている導体層により構成されている。

コイルＬ１は、上下方向に延在する巻回軸（図示せず）を有する螺旋状をなしており、本実施形態では、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら上側から下側へと進行する螺旋状をなしている。コイルＬ１の巻回軸は、上側から見たときに、素体１２の対角線の交点に位置している。コイルＬ１は、コイル導体層１８ａ〜１８ｓ（複数の第１のコイル導体層の一例）及びビアホール導体ｖ１〜ｖ２０（第１の層間接続導体の一例）を含んでいる。

コイル導体層１８ａ〜１８ｓはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｌ，１６ｏ〜１６ｖの表面上に設けられている線状の導体層であり、上側から見たときに、互いに重なり合うことにより、図７及び図８に示すように、軌跡Ｒ１，Ｒ３を形成している。軌跡Ｒ１，Ｒ３は、長方形状をなしている。ただし、軌跡Ｒ１，Ｒ３の左半分の方がそれぞれ、軌跡Ｒ１，Ｒ３の右半分よりも大きい。更に、軌跡Ｒ１の径（第２の径の一例）は、軌跡Ｒ３の径（第１の径の一例）よりも大きい。また、軌跡Ｒ３は、軌跡Ｒ１内に収まっている。なお、軌跡Ｒ１，Ｒ３は円形ではなく長方形状をなしている。そのため、軌跡Ｒ１，Ｒ３の径とは軌跡Ｒ１，Ｒ３の重心から軌跡Ｒ１，Ｒ３までの距離の平均値とする。

コイル導体層１８ａ，１８ｅ，１８ｉ，１８ｏ，１８ｓは、絶縁体層１６ｂ，１６ｆ，１６ｊ，１６ｒ，１６ｖの表面の左半分の領域に設けられている。コイル導体層１８ａ，１８ｅ，１８ｉ，１８ｏ，１８ｓは、絶縁体層１６ｂ，１６ｆ，１６ｊ，１６ｒ，１６ｖの後ろ側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｂ，１６ｆ，１６ｊ，１６ｒ，１６ｖの前側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。また、コイル導体層１８ａ，１８ｅ，１８ｉ，１８ｏ，１８ｓは、軌跡Ｒ１の左半分と重なっており、相対的に大きな径（第２の径の一例）を有している。

コイル導体層１８ｄ，１８ｈ，１８ｎ，１８ｒは、絶縁体層１６ｅ，１６ｉ，１６ｑ，１６ｕの表面の右半分の領域に設けられている。コイル導体層１８ｄ，１８ｈ，１８ｎ，１８ｒは、絶縁体層１６ｅ，１６ｉ，１６ｑ，１６ｕの前側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｅ，１６ｉ，１６ｑ，１６ｕの後ろ側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。また、コイル導体層１８ｄ，１８ｈ，１８ｎ，１８ｒは、軌跡Ｒ１の右半分と重なっており、相対的に大きな径（第２の径の一例）を有している。

コイル導体層１８ｃ，１８ｇ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｑは、絶縁体層１６ｄ，１６ｈ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｔの表面の左半分の領域に設けられている。コイル導体層１８ｃ，１８ｇ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｑは、絶縁体層１６ｄ，１６ｈ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｔの後ろ側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｄ，１６ｈ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｔの前側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。また、コイル導体層１８ｃ，１８ｇ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｑは、軌跡Ｒ３の左半分と重なっており、相対的に小さな径（第１の径の一例）を有している。

コイル導体層１８ｂ，１８ｆ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｐは、絶縁体層１６ｃ，１６ｇ，１６ｋ，１６ｏ，１６ｓの表面の右半分の領域に設けられている。コイル導体層１８ｂ，１８ｆ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｐは、絶縁体層１６ｃ，１６ｇ，１６ｋ，１６ｏ，１６ｓの前側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｃ，１６ｇ，１６ｋ，１６ｏ，１６ｓの後ろ側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。また、コイル導体層１８ｂ，１８ｆ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｐは、軌跡Ｒ３の右半分と重なっており、相対的に小さな径（第１の径の一例）を有している。

以上のようなコイル導体層１８ａ〜１８ｓにおいて、反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ａの下流端とコイル導体層１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｃを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｂの下流端とコイル導体層１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｃの下流端とコイル導体層１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｅを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｄの下流端とコイル導体層１８ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｅの下流端とコイル導体層１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｇを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｆの下流端とコイル導体層１８ｇの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｇの下流端とコイル導体層１８ｈの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｉを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｈの下流端とコイル導体層１８ｉの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｉの下流端とコイル導体層１８ｊの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｋを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｊの下流端とコイル導体層１８ｋの上流端とを接続している。

ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３は、絶縁体層１６ｌ〜１６ｎを上下方向に貫通しており、互いに接続されて１連のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３は、コイル導体層１８ｋの下流端とコイル導体層１８ｌの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｏを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｌの下流端とコイル導体層１８ｍの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｐを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｍの下流端とコイル導体層１８ｎの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｑを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｎの下流端とコイル導体層１８ｏの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｒを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｏの下流端とコイル導体層１８ｐの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１８は、絶縁体層１６ｓを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｐの下流端とコイル導体層１８ｑの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１９は、絶縁体層１６ｔを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｑの下流端とコイル導体層１８ｒの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｕを上下方向に貫通しており、コイル導体層１８ｒの下流端とコイル導体層１８ｓの上流端とを接続している。

以上のように構成されたコイルＬ１では、コイル導体層１８ｂ，１８ｃが相対的に小さな径で１周し、コイル導体層１８ｄ，１８ｅが相対的に大きな径で１周している。また、コイル導体層１８ｆ〜１８ｓについても、互いに接続されている２つのコイル導体層で相対的に小さな径で１周し、互いに接続されている２つのコイル導体層で相対的に大きな径で１周している。その結果、コイルＬ１の径は、コイルＬ１が１周する度に、相対的に小さな径（第１の径の一例）と相対的に大きな径（第２の径の一例）とに変化する。

信号線路ＳＬ１は、引き出し導体層２４ａ，２４ｂを含んでいる。引き出し導体層２４ａは、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状の導体層であり、コイル導体層１８ａの上流端と外部電極１４ａとを接続している。引き出し導体層２４ｂは、絶縁体層１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、コイル導体層１８ｓの下流端と外部電極１４ｂとを接続している。

コイルＬ２は、上下方向に延在する巻回軸（図示せず）を有する螺旋状をなしており、本実施形態では、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら上側から下側へと進行する螺旋状をなしている。コイルＬ２の巻回軸は、上側から見たときに、素体１２の対角線の交点に位置している。また、コイルＬ２は、コイルＬ１と並走するように周回している。コイルＬ２は、コイル導体層２０ａ〜２０ｓ（複数の第２のコイル導体層の一例）及びビアホール導体ｖ２１〜ｖ４０（第２の層間接続導体の一例）を含んでいる。

コイル導体層２０ａ〜２０ｓはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｌ，１６ｏ〜１６ｖの表面上に設けられている線状の導体層であり、上側から見たときに、互いに重なり合うことにより、図７及び図８に示すように、軌跡Ｒ２，Ｒ４を形成している。軌跡Ｒ２，Ｒ４は、長方形状をなしている。ただし、軌跡Ｒ２，Ｒ４の右半分の方がそれぞれ、軌跡Ｒ２，Ｒ４の左半分よりも大きい。更に、軌跡Ｒ２の径（第２の径の一例）は、軌跡Ｒ４（第１の径の一例）の径よりも大きい。また、軌跡Ｒ４は、軌跡Ｒ２内に収まっている。なお、軌跡Ｒ２，Ｒ４は円形ではなく長方形状をなしている。そのため、軌跡Ｒ２，Ｒ４の径とは軌跡Ｒ２，Ｒ４の重心から軌跡Ｒ２，Ｒ４までの距離の平均値とする。

コイル導体層２０ａ，２０ｅ，２０ｉ，２０ｏ，２０ｓは、絶縁体層１６ｂ，１６ｆ，１６ｊ，１６ｒ，１６ｖの表面の左半分の領域に設けられている。コイル導体層２０ａ，２０ｅ，２０ｉ，２０ｏ，２０ｓは、絶縁体層１６ｂ，１６ｆ，１６ｊ，１６ｒ，１６ｖの後ろ側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｂ，１６ｆ，１６ｊ，１６ｒ，１６ｖの前側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。ただし、コイル導体層２０ａ，２０ｅ，２０ｉ，２０ｏ，２０ｓはそれぞれ、コイル導体層１８ａ，１８ｅ，１８ｉ，１８ｏ，１８ｓよりも内周側に位置した状態で周回している。また、コイル導体層２０ａ，２０ｅ，２０ｉ，２０ｏ，２０ｓは、軌跡Ｒ２の左半分と重なっており、相対的に大きな径（第２の径の一例）を有している。

コイル導体層２０ｄ，２０ｈ，２０ｎ，２０ｒは、絶縁体層１６ｅ，１６ｉ，１６ｑ，１６ｕの表面の右半分の領域に設けられている。コイル導体層２０ｄ，２０ｈ，２０ｎ，２０ｒは、絶縁体層１６ｅ，１６ｉ，１６ｑ，１６ｕの前側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｅ，１６ｉ，１６ｑ，１６ｕの後ろ側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。ただし、コイル導体層２０ｄ，２０ｈ，２０ｎ，２０ｒはそれぞれ、コイル導体層１８ｄ，１８ｈ，１８ｎ，１８ｒよりも外周側に位置した状態で周回している。また、コイル導体層２０ｄ，２０ｈ，２０ｎ，２０ｒは、軌跡Ｒ２の右半分と重なっており、相対的に大きな径（第２の径の一例）を有している。

コイル導体層２０ｃ，２０ｇ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｑは、絶縁体層１６ｄ，１６ｈ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｔの表面の左半分の領域に設けられている。コイル導体層２０ｃ，２０ｇ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｑは、絶縁体層１６ｄ，１６ｈ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｔの後ろ側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｄ，１６ｈ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｔの前側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。ただし、コイル導体層２０ｃ，２０ｇ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｑはそれぞれ、コイル導体層１８ｃ，１８ｇ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｑよりも内周側に位置した状態で周回している。また、コイル導体層２０ｃ，２０ｇ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｑは、軌跡Ｒ４の左半分と重なっており、相対的に小さな径（第１の径の一例）を有している。

コイル導体層２０ｂ，２０ｆ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｐは、絶縁体層１６ｃ，１６ｇ，１６ｋ，１６ｏ，１６ｓの表面の右半分の領域に設けられている。コイル導体層２０ｂ，２０ｆ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｐは、絶縁体層１６ｃ，１６ｇ，１６ｋ，１６ｏ，１６ｓの前側の長辺の中央近傍から絶縁体層１６ｃ，１６ｇ，１６ｋ，１６ｏ，１６ｓの後ろ側の長辺の中央近傍まで反時計回り方向に周回しており、１／２周分の長さを有している。ただし、コイル導体層２０ｂ，２０ｆ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｐはそれぞれ、コイル導体層１８ｂ，１８ｆ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｐよりも外周側に位置した状態で周回している。また、コイル導体層２０ｂ，２０ｆ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｐは、軌跡Ｒ４の右半分と重なっており、相対的に小さな径（第１の径の一例）を有している。

以上のようなコイル導体層２０ａ〜２０ｓにおいて、反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ａの下流端とコイル導体層２０ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｃを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｂの下流端とコイル導体層２０ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２３は、絶縁体層１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｃの下流端とコイル導体層２０ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２４は、絶縁体層１６ｅを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｄの下流端とコイル導体層２０ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２５は、絶縁体層１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｅの下流端とコイル導体層２０ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２６は、絶縁体層１６ｇを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｆの下流端とコイル導体層２０ｇの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２７は、絶縁体層１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｇの下流端とコイル導体層２０ｈの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２８は、絶縁体層１６ｉを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｈの下流端とコイル導体層２０ｉの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２９は、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｉの下流端とコイル導体層２０ｊの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３０は、絶縁体層１６ｋを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｊの下流端とコイル導体層２０ｋの上流端とを接続している。

ビアホール導体ｖ３１〜ｖ３３は、絶縁体層１６ｌ〜１６ｎを上下方向に貫通しており、互いに接続されて１連のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｖ３１〜ｖ３３は、コイル導体層２０ｋの下流端とコイル導体層２０ｌの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３４は、絶縁体層１６ｏを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｌの下流端とコイル導体層２０ｍの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３５は、絶縁体層１６ｐを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｍの下流端とコイル導体層２０ｎの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３６は、絶縁体層１６ｑを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｎの下流端とコイル導体層２０ｏの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３７は、絶縁体層１６ｒを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｏの下流端とコイル導体層２０ｐの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３８は、絶縁体層１６ｓを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｐの下流端とコイル導体層２０ｑの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３９は、絶縁体層１６ｔを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｑの下流端とコイル導体層２０ｒの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ４０は、絶縁体層１６ｕを上下方向に貫通しており、コイル導体層２０ｒの下流端とコイル導体層２０ｓの上流端とを接続している。

以上のように構成されたコイルＬ２では、コイル導体層２０ｂ，２０ｃが相対的に小さな径で１周し、コイル導体層２０ｄ，２０ｅが相対的に大きな径で１周している。また、コイル導体層２０ｆ〜２０ｓについても、互いに接続されている２つのコイル導体層で相対的に小さな径で１周し、互いに接続されている２つのコイル導体層で相対的に大きな径で１周している。その結果、コイルＬ２の径は、コイルＬ２が１周する度に、相対的に小さな径（第１の径の一例）と相対的に大きな径（第２の径の一例）とに変化する。

絶縁体層１６ｂ（第１の絶縁体層の一例）上に設けられているコイル導体層１８ａとコイル導体層２０ａとの組み合わせを第１の組み合わせと呼ぶ。以下、同様に、絶縁体層１６ｄ，１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌ，１６ｐ，１６ｒ，１６ｔ，１６ｖ（第１の絶縁体層の一例）上のそれぞれに設けられている１つのコイル導体層１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｏ，１８ｑ，１８ｓと１つのコイル導体層２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｏ，２０ｑ，２０ｓとの組み合わせを第１の組み合わせと呼ぶ。各第１の組み合わせでは、コイル導体層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｏ，２０ｑ，２０ｓがコイル導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｏ，１８ｑ，１８ｓよりも内周側に位置した状態で周回している。

絶縁体層１６ｃ（第２の絶縁体層の一例）上に設けられているコイル導体層１８ｂとコイル導体層２０ｂとの組み合わせを第２の組み合わせと呼ぶ。以下、同様に、絶縁体層１６ｅ，１６ｇ，１６ｉ，１６ｋ，１６ｌ，１６ｑ，１６ｓ，１６ｕ（第２の絶縁体層の一例）上のそれぞれに設けられている１つのコイル導体層１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｎ，１８ｐ，１８ｒと１つのコイル導体層２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｎ，２０ｐ，２０ｒとの組み合わせを第２の組み合わせと呼ぶ。各第２の組み合わせでは、コイル導体層２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｎ，２０ｐ，２０ｒがコイル導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｎ，１８ｐ，１８ｒよりも外周側に位置した状態で周回している。

以上のような第１の組み合わせと第２の組み合わせとは、上下方向において交互に並んでいる。これにより、コイルＬ１とコイルＬ２との位置関係が、１／２周毎に内周側と外周側とに入れ替わる。

信号線路ＳＬ２は、引き出し導体層２６ａ，２６ｂを含んでいる。引き出し導体層２６ａは、絶縁体層１６ｂの表面に設けられている線状の導体層であり、コイル導体層２０ａの上流端と外部電極１４ｃとを接続している。引き出し導体層２６ｂは、絶縁体層１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、コイル導体層２０ｓの下流端と外部電極１４ｄとを接続している。

コイルＬ３は、上下方向に延在する巻回軸（図示せず）を有する螺旋状をなしており、本実施形態では、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら上側から下側へと進行する螺旋状をなしている。コイルＬ３の巻回軸は、上側から見たときに、素体１２の対角線の交点に位置している。コイルＬ３は、コイル導体層３０ａ，３０ｂ（第３のコイル導体層の一例）及びビアホール導体ｖ５０（第３の層間接続導体の一例）を含んでいる。

コイル導体層３０ａは、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられている線状の導体層であり、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら内周側から外周側へと向かう渦巻状をなしている。コイル導体層３０ｂは、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられている線状の導体層であり、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら外周側から内周側へと向かう渦巻状をなしている。以上のようなコイル導体層３０ａにおいて、反時計回り方向の上流側の端部を上流端ｔ２と呼び、反時計回り方向の下流側の端部を下流端ｔ１と呼ぶ。コイル導体層３０ｂにおいて、反時計回り方向の上流側の端部を上流端ｔ３と呼び、反時計回り方向の下流側の端部を下流端ｔ４と呼ぶ。

コイル導体層３０ａの上流端ｔ２（第２の端部の一例）の幅は、コイル導体層３０ａの下流端ｔ１及び上流端ｔ２を除く部分の幅よりも大きい。同様に、コイル導体層３０ｂの下流端ｔ４（第２の端部の一例）の幅は、コイル導体層３０ｂの上流端ｔ３及び下流端ｔ４を除く部分の幅よりも大きい。そして、上流端ｔ２と下流端ｔ４とは、絶縁体層１６ｍを介して対向している。これにより、上流端ｔ２と下流端ｔ４との間に容量が形成されている。更に、コイル導体層３０ａの上流端ｔ２を除く部分とコイル導体層３０ｂの下流端ｔ４を除く部分とは、絶縁体層１６ｍを介して対向している。これにより、コイル導体層３０ａの上流端ｔ２を除く部分とコイル導体層３０ｂの下流端ｔ４を除く部分との間に容量が形成されている。コンデンサＣ１は、これら２つの容量の合計であり、コイル導体層３０ａとコイル導体層３０ｂとの間に形成されている容量である。ここで、幅とは、コイル導体層３０ａ，３０ｂの延在方向に直交する方向におけるコイル導体層３０ａ，３０ｂの幅である。

更に、上流端ｔ２及び下流端ｔ４は、上側から見たときに、コイルＬ１，Ｌ２に囲まれている領域の中心（すなわち、コイルＬ１，Ｌ２の巻回軸）とは重なっていない。本実施形態では、上流端ｔ２及び下流端ｔ４は、コイルＬ１，Ｌ２の巻回軸よりも右側に位置している。

ビアホール導体ｖ５０は、絶縁体層１６ｍを上下方向に貫通しており、コイル導体層３０ａの下流端ｔ１（第１の端部の一例）とコイル導体層３０ｂの上流端ｔ３（第１の端部の一例）と（第１の端部同士の一例）を接続している。

また、ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３，ｖ３１〜ｖ３３は、コイル導体層３０ａ，３０ｂの内周側の部分とコイル導体層３０ａ，３０ｂの外周側の部分との間を上下方向に通過している。

以上のように構成されたコモンモードチョークコイル１０では、コイルＬ３は、上下方向の両側からコイルＬ１，Ｌ２に挟まれている。より詳細には、コイルＬ１は、コイル部Ｌｐ１，Ｌｐ２を含んでいる。コイル部Ｌｐ１は、コイル導体層１８ａ〜１８ｋ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ１０である。すなわち、コイル部Ｌｐ１（第１のコイル部の一例）は、コイルＬ３よりも上側（第１の方向の一方側の一例）に位置する部分である。コイル部Ｌｐ２（第２のコイル部の一例）は、コイル導体層１８ｌ〜１８ｓ及びビアホール導体ｖ１４〜ｖ２０である。すなわち、コイル部Ｌｐ２は、コイルＬ３よりも下側（第１の方向の他方側の一例）に位置する部分である。

また、コイルＬ２は、コイル部Ｌｐ３，Ｌｐ４を含んでいる。コイル部Ｌｐ３（第３のコイル部の一例）は、コイル導体層２０ａ〜２０ｋ及びビアホール導体ｖ２１〜ｖ３０である。すなわち、コイル部Ｌｐ３は、コイルＬ３よりも上側（第１の方向の一方側の一例）に位置する部分である。コイル部Ｌｐ４（第４のコイル部の一例）は、コイル導体層２０ｌ〜２０ｓ及びビアホール導体ｖ３４〜ｖ４０である。すなわち、コイル部Ｌｐ４は、コイルＬ３よりも下側（第１の方向の他方側の一例）に位置する部分である。以上のように、コイルＬ３の上側にコイル部Ｌｐ１，Ｌｐ３が位置し、コイルＬ３の下側にコイル部Ｌｐ２，Ｌｐ４が位置することにより、コイルＬ３が素体１２の上下方向の中央近傍に位置するようになる。

以上のようなコイル導体層１８ａ〜１８ｓ，２０ａ〜２０ｓ，３０ａ，３０ｂ及び引き出し導体層２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂは、例えば、銅等の金属を主成分とする導電性ペーストが絶縁体層１６ｂ〜１６ｖに塗布されることにより形成される。また、ビアホール導体ｖ１〜ｖ４０，ｖ５０は、例えば、絶縁体層１６ｂ〜１６ｕを上下方向に貫通するビアホールに対して、銅等の金属を主成分とする導電性ペーストが充填されることにより形成される。

次に、コモンモードチョークコイル１０の動作について説明する。外部電極１４ａ，１４ｃは、例えば、入力端子として用いられる。外部電極１４ｂ，１４ｄは、例えば、出力端子として用いられる。

外部電極１４ａ，１４ｃにはそれぞれ、位相が１８０度異なる第１の信号及び第２の信号からなる差動伝送信号が入力される。第１の信号及び第２の信号は、デファレンシャルモードであるので、コイルＬ１，Ｌ２を通過する際にコイルＬ１，Ｌ２に互いに逆向きの磁束を発生させる。そして、コイルＬ１で発生した磁束とコイルＬ２で発生した磁束とは互いに打ち消し合う。そのため、コイルＬ１，Ｌ２内では、第１の信号及び第２の信号が流れることによる磁束の増減が殆ど生じない。すなわち、コイルＬ１，Ｌ２は、第１の信号及び第２の信号が流れることを妨げる逆起電力を発生しない。よって、コモンモードチョークコイル１０は、第１の信号及び第２の信号に対しては、非常に小さなインピーダンスしか有さない。

一方、第１の信号及び第２の信号にコモンモードノイズが含まれている場合には、コモンモードノイズは、コイルＬ１，Ｌ２を通過する際にコイルＬ１，Ｌ２に同じ向きの磁束を発生させる。そのため、コイルＬ１，Ｌ２内では、コモンモードノイズが流れることによって、磁束が増加する。これにより、コイルＬ１，Ｌ２は、コモンモードノイズが流れることを妨げる逆起電力を発生する。よって、コモンモードチョークコイル１０は、コモンモードノイズに対しては、大きなインピーダンスを有している。

以上のようなコモンモードチョークコイル１０は、動作周波数帯においてコモンモードノイズの通過特性（Ｓｃｃ２１）に２つの減衰極を有している。２つの減衰極の周波数を周波数ｆａ，ｆｂとする。周波数ｆｂは周波数ｆａよりも高い。このとき、主回路ＭＣの共振周波数ｆ１及び並列共振回路ＬＣの共振周波数ｆ２は、ｆａ以上ｆｂ以下となる。例えば、コモンモードチョークコイル１０がＵＳＢ３．０とＵＳＢ３．１の差動伝送線路に用いられた場合には、周波数ｆａはＵＳＢ３．０の基本周波数である２.５ＧＨｚ（データ転送速度５．０Ｇｂｐｓ）であり、周波数ｆｂはＵＳＢ３．１の基本周波数である５．０ＧＨｚ（データ転送速度１０．０Ｇｂｐｓ）である。すなわち、コモンモードチョークコイル１０は、差動伝送信号から２．５ＧＨｚ（周波数ｆａ）及び５．０ＧＨｚ（周波数ｆｂ）のコモンモードノイズを除去する。

（電子機器について）
次に、コモンモードチョークコイル１０が用いられた電子機器１００について図面を参照しながら説明する。図９は、電子機器１００のブロック図である。

電子機器１００は、例えば、パソコンや携帯電話等であり、コモンモードチョークコイル１０、外部電極１１４ａ，１１４ｂ及びインターフェースＩＣ１２０（電気回路の一例）を備えている。外部電極１１４ａ，１１４ｂはそれぞれ、外部電極１４ａ，１４ｃに電気的に接続されている。また、外部電極１４ｂ，１４ｄは、インターフェースＩＣ１２０に電気的に接続されている。すなわち、信号線路ＳＬ１，ＳＬ２は、外部電極１４ｂ，１４ｄを介して、インターフェースＩＣ１２０に接続されている。インターフェースＩＣ１２０は、例えば、ＵＳＢトランシーバーＩＣである。

以上のような電子機器１００では、コモンモードチョークコイル１０は、インターフェースＩＣに入力する差動伝送信号からコモンモードノイズを除去する、又は、インターフェースＩＣから出力する差動伝送信号からコモンモードノイズを除去する。

（コモンモードチョークコイルの製造方法について）
次に、コモンモードチョークコイル１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。

まず、図３及び図４の絶縁体層１６ａ〜１６ｗとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、ＬＴＣＣのセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、厚さが２０μｍである絶縁体層１６ａ〜１６ｗとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、図３及び図４に示すように、絶縁体層１６ｂ〜１６ｕとなるべきセラミックグリーンシートのビアホール導体ｖ１〜ｖ４０，ｖ５０が形成されるべき位置にレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、銅を主成分とする導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、図３及び図４に示すように、絶縁体層１６ｂ〜１６ｖとなるべきセラミックグリーンシートの表面上にコイル導体層１８ａ〜１８ｓ，２０ａ〜２０ｓ，３０ａ，３０ｂ及び引き出し導体層２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂを形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ〜１６ｖとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、銅を主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体層１８ａ〜１８ｓ，２０ａ〜２０ｓ，３０ａ，３０ｂ及び引き出し導体層２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂを形成する。なお、コイル導体層１８ａ〜１８ｓ，２０ａ〜２０ｓ，３０ａ，３０ｂ及び引き出し導体層２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、図３及び図４に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｗとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。絶縁体層１６ａ〜１６ｗとなるべきセラミックグリーンシートの積層・圧着は、１枚ずつ積層して仮圧着してマザー素体を得た後、未焼成のマザー素体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。

次に、マザー素体をカット刃により所定寸法の素体１２にカットする。これにより未焼成の素体１２が得られる。この未焼成の素体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。

次に、素体１２に対してバレル研磨加工を施して、面取りを行う。更に、銅を主成分とする導電性ペーストを素体１２に塗布することにより、外部電極１４ａ〜１４ｄの下地電極を形成する。そして、下地電極にＮｉめっき及びＳｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ〜１４ｄを形成する。以上の工程により、図２に示すようなコモンモードチョークコイル１０が完成する。

（効果）
本実施形態に係るコモンモードチョークコイル１０によれば、以下に説明するように、複数の減衰極を形成でき、かつ、伝送損失を低減できる。図１０は、比較例に係るコモンモードチョークコイル２００の等価回路図である。図１１は、コモンモードチョークコイル２００のコモンモードノイズの通過特性（Ｓｃｃ２１）を示したグラフである。図１２は、コモンモードチョークコイル１０の説明用の等価回路図である。図１３は、コモンモードチョークコイル１０のコモンモードノイズの通過特性（Ｓｃｃ２１）を示したグラフである。図１１及び図１３において、縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。

図１０に示す比較例に係るコモンモードチョークコイル２００は、並列共振回路ＬＣを備えていない点においてコモンモードチョークコイル１０と相違する。コモンモードチョークコイル２００のその他の構成については、コモンモードチョークコイル１０と同じであるので説明を省略する。また、コモンモードチョークコイル２００においてコモンモードチョークコイル１０と共通の構成については、同じ参照符号を用いた。

コモンモードチョークコイル２００は、主回路ＭＣを備えている。従って、コモンモードチョークコイル２００の減衰極の周波数は、図１１に示すように、周波数ｆ１である。このように、２つのコイルＬ１，Ｌ２では、１つの減衰極しか得られない。

そこで、本願発明者は、創意工夫を行ったところ、以下に説明するように、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが略等しくなるようにコモンモードチョークコイル１０を設計することで、周波数ｆａ，ｆｂを有する２つの減衰極を得られることを発見した。

コイルＬ１，Ｌ２及び寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２は、周波数ｆ１にてコモンモードを除去するコモンモードフィルタを構成する。このとき、コイルＬ１とコイルＬ２とが磁界を強め合い周波数ｆ１で共振している。周波数ｆ１付近で共振するコイルＬ３及びコンデンサＣ１による並列共振器を、この磁界を妨げるように配置する。この場合、コイルＬ３及びコンデンサＣ１による共振回路は、コイルＬ１，Ｌ２による磁界エネルギーを受けて共振する。その結果、コイルＬ１，Ｌ２による磁界を妨げるように磁界が生じる。このため、コイルＬ３及びコンデンサＣ１による共振周波数以上の周波数では、コイルＬ１及びコイルＬ２の磁界は、コイルＬ３及びコンデンサＣ１により分離される。これにより、コイルＬ１及びコイルＬ２の値が約１／２に小さくなり、新たに周波数ｆ２において共振が見られるようになる。コイルＬ３及びコンデンサＣ１の共振器の位置をシート方向に変化させることで、コイルＬ１，Ｌ２が分離されるインダクタンス値が変化する。これにより、例えば、コイルＬ１，Ｌ２を１：３に分離する位置に共振器を置けば共振点を２個（周波数ｆ２に加え、もう一個）作ることができる。

コイルＬ３はコイルＬ１，Ｌ２と磁界結合している。このような磁界結合により、図１２に示すように、コイルＬ１と並列共振回路ＬＣ１とが直列に接続され、コイルＬ２と並列共振回路ＬＣ２とが直列に接続されたとみなすことができる。並列共振回路ＬＣ１は、コイルＬ４とコンデンサＣ２とが並列接続されて構成されている。並列共振回路ＬＣ２は、コイルＬ５とコンデンサＣ２とが並列接続されて構成されている。コイルＬ４のインダクタンス値は、コイルＬ１，Ｌ３のインダクタンス値やコイルＬ１とコイルＬ３との結合度等により定まる。コイルＬ５のインダクタンス値は、コイルＬ２，Ｌ３のインダクタンス値やコイルＬ２とコイルＬ３との結合度等により定まる。本実施形態では、コイルＬ４のインダクタンス値とコイルＬ５のインダクタンス値とは等しいものとする。この場合、並列共振回路ＬＣ１，ＬＣ２の共振周波数が周波数ｆb（５．０ＧＨｚ）となる。従って、コモンモードチョークコイル２００は、周波数ｆb（５．０ＧＨｚ）のコモンモードノイズに対して大きなインピーダンスを発生するようになる。

更に、コイルＬ１，Ｌ２は、コイルＬ３と磁界結合している。そのため、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が磁界結合の影響を受ける。そのため、主回路ＭＣの共振周波数も、周波数ｆ１から変動して周波数ｆa（２．５ＧＨｚ）となる。以上の理由により、コモンモードチョークコイル１０は、コモンモードノイズの通過特性において２つの減衰極を有するようになる。

更に、コモンモードチョークコイル１０は、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間に１つのコイルＬ１が設けられ、外部電極１４ｃと外部電極１４ｄとの間に１つのコイルＬ２が設けられている。従って、コモンモードチョークコイル１０では、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００のように、コイル５０２，５０４を直列接続すると共に、コイル５０６，５０８を直列接続する必要がない。その結果、コモンモードチョークコイル１０では、直流抵抗値の増大が抑制され、伝送損失の増大が抑制される。

また、コモンモードチョークコイル１０では、小型化を図ることができる。より詳細には、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００では、コイル５０２とコイル５０４との間の容量及びコイル５０６とコイル５０８との間の容量によって、減衰極を形成している。コモンモードフィルタ５００では、コイル５０２，５０６からなる第１のフィルタ部とコイル５０４，５０８からなる第２のフィルタ部との結合係数は小さいため、コイル５０２とコイル５０４との間の容量及びコイル５０６とコイル５０８との間の容量は小さくなる。そのため、コモンモードフィルタ５００の減衰極の周波数が高くなってしまう。そこで、コイル５０２，５０４，５０６，５０８のインダクタンス値を大きくして、減衰極の周波数を所望の周波数まで低下させる必要があった。その結果、コモンモードフィルタ５００が大型化するという問題があった。

そこで、コモンモードチョークコイル１０では、以下の２つの容量により、コンデンサＣ３を形成している。１つ目の容量は、コイル導体層３０ａとコイル導体層３０ｂとが対向することにより形成される容量である。２つ目の容量は、コイル導体層３０ａの上流端ｔ２とコイル導体層３０ｂの下流端ｔ４との間に形成される容量である。これにより、コンデンサＣ３は、大きな容量値を有するようになる。その結果、コイルＬ２の大型化が抑制され、コモンモードチョークコイル１０の小型化が図られる。

また、コモンモードチョークコイル１０では、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値の低下を抑制できる。コイルＬ１，Ｌ２の巻回軸付近では、磁束密度が高くなる。そのため、コイルＬ１，Ｌ２の巻回軸付近には、磁界を妨げるような導体を配置することは好ましくない。そこで、コモンモードチョークコイル１０では、上流端ｔ２及び下流端ｔ４は、上側から見たときに、コイルＬ１，Ｌ２に囲まれている領域の中心（すなわち、コイルＬ１，Ｌ２の巻回軸）とは重なっていない。これにより、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が低下することが抑制される。

また、コモンモードチョークコイル１０では、コイルＬ１とコイルＬ２との間に大きな容量が発生することが抑制される。以下に、実施例として、コイルＬ１の径及びコイルＬ２の径が均一であるコモンモードチョークコイルを例に挙げて説明する。図１４は、実施例に係るコモンモードチョークコイル３１０の部分的な分解斜視図である。図１５Ａは、コモンモードチョークコイル１０の断面構造図である。図１５Ｂは、コモンモードチョークコイル３１０の断面構造図である。

実施例に係るコモンモードチョークコイル３１０も、本発明のコモンモードチョークコイルの概念に含まれる。また、実施例に係るコモンモードチョークコイル３１０において、コモンモードチョークコイル１０に対応する構成については同じ参照符号を用いる。

コモンモードチョークコイル３１０では、図１４に示すように、例えば、コイル導体層１８ｃ，２０ｃとコイル導体層１８ｅ，２０ｅとは、同じ形状をなしている。そして、コイル導体層１８ｃ，２０ｃとコイル導体層１８ｅ，２０ｅとの間には、２層の絶縁体層１６ｄ，１６ｅが存在している。そのため、図１５Ｂに示すように、コイル導体層１８ｃは、コイル導体層２０ｅと近接し、コイル導体層２０ｃは、コイル導体層１８ｅと近接する。そのため、コイルＬ１とコイルＬ２との間には、大きな容量が形成される。

一方、コモンモードチョークコイル１０では、コイルＬ１の径及びコイルＬ２の径は、コイルＬ１，Ｌ２が１周する度に相対的に大きな径と相対的に小さな径とに変化している。そのため、図１５Ａに示すように、コモンモードチョークコイル１０におけるコイル導体層１８ｃとコイル導体層２０ｅとの距離は、コモンモードチョークコイル３１０におけるコイル導体層１８ｃとコイル導体層２０ｅとの距離と略等しい。一方、コモンモードチョークコイル１０におけるコイル導体層１８ｅとコイル導体層２０ｃとの距離は、コモンモードチョークコイル３１０におけるコイル導体層１８ｅとコイル導体層２０ｃとの距離よりも長い。そのため、コモンモードチョークコイル１０においてコイルＬ１とコイルＬ２との間に発生する容量は、コモンモードチョークコイル３１０においてコイルＬ１とコイルＬ２との間に発生する容量よりも小さい。以上より、コモンモードチョークコイル１０では、コイルＬ１とコイルＬ２との間に大きな容量が発生することが抑制される。

また、コモンモードチョークコイル１０では、コイルＬ１とコイルＬ２との構造を近づけることが可能となる。より詳細には、コモンモードチョークコイル１０では、第１の組み合わせと第２の組み合わせとが、上下方向において交互に並んでいる。各第１の組み合わせでは、コイル導体層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉ，２０ｋ，２０ｍ，２０ｏ，２０ｑ，２０ｓがコイル導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉ，１８ｋ，１８ｍ，１８ｏ，１８ｑ，１８ｓよりも内周側に位置した状態で周回している。各第２の組み合わせでは、コイル導体層２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊ，２０ｌ，２０ｎ，２０ｐ，２０ｒがコイル導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊ，１８ｌ，１８ｎ，１８ｐ，１８ｒよりも外周側に位置した状態で周回している。これにより、コイルＬ１とコイルＬ２との位置関係が、１／２周毎に内周側と外周側とに入れ替わる。そのため、コイルＬ１とコイルＬ２との長さが近づくようになり、コイルＬ１とコイルＬ２との構造が近づくようになる。その結果、コモンモードノイズがコイルＬ１，Ｌ２に入力した際に、コモンモードノイズによりコイルＬ１が発生する磁界の強さとコモンモードノイズによりコイルＬ２が発生する磁界の強さとが近づくようになる。よって、これらの磁界が打ち消されて、コモンモードノイズが効果的に除去されるようになる。

また、コモンモードチョークコイル１０の方向性をなくすことができる。より詳細には、コイルＬ３の上側にコイル部Ｌｐ１，Ｌｐ３が位置し、コイルＬ３の下側にコイル部Ｌｐ２，Ｌｐ４が位置することにより、コイルＬ３が素体１２の上下方向の中央近傍に位置している。これにより、コイルＬ３よりも上側の部分（コイル部Ｌｐ１，Ｌｐ３）の構造とコイルＬ３よりも下側の部分（コイル部Ｌｐ２，Ｌｐ４）の構造とを近づけることができる。その結果、外部電極１４ａ，１４ｃを入力端子として用いた場合におけるコモンモードチョークコイル１０の特性と、外部電極１４ｂ，１４ｄを入力端子として用いた場合におけるコモンモードチョークコイル１０の特性とを近づけることができる。その結果、コモンモードチョークコイル１０の方向性がなくなる。これにより、素体１２の上面に方向識別マークを設ける必要がなくなる。ただし、上記記載は、方向識別マークを設けることを妨げるものではない。

また、コモンモードチョークコイル１０では、素体１２の上面及び下面の両方を回路基板に対向する実装面として用いることができる。より詳細には、コイルＬ３の上側にコイル部Ｌｐ１，Ｌｐ３が位置し、コイルＬ３の下側にコイル部Ｌｐ２，Ｌｐ４が位置することにより、コイルＬ３が素体１２の上下方向の中央近傍に位置している。これにより、コイルＬ３よりも上側の部分（コイル部Ｌｐ１，Ｌｐ３）の構造とコイルＬ３よりも下側の部分（コイル部Ｌｐ２，Ｌｐ４）の構造とを近づけることができる。そのため、素体１２の上面を実装面とした場合におけるコモンモードチョークコイル１０の特性と、素体１２の下面を実装面とした場合におけるコモンモードチョークコイル１０の特性とを近づけることができる。よって、コモンモードチョークコイル１０では、素体１２の上面及び下面の両方を回路基板に対向する実装面として用いることができる。その結果、素体１２の上面又は底面に方向識別マークを設ける必要がなくなる。ただし、上記記載は、方向識別マークを設けることを妨げるものではない。

また、コモンモードチョークコイル１０では、ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３，ｖ３１〜ｖ３３を流れる高周波信号がコイルＬ３の磁界の影響を受けることが抑制される。より詳細には、コイル導体層３０ａ，３０ｂの内周側の部分とコイル導体層３０ａ，３０ｂの外周側の部分との間では、これらの部分のそれぞれで発生した磁界が打ち消し合う。そこで、ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３，ｖ３１〜ｖ３３は、コイル導体層３０ａ，３０ｂの内周側の部分とコイル導体層３０ａ，３０ｂの外周側の部分との間を上下方向に通過している。その結果、ビアホール導体ｖ１１〜ｖ１３，ｖ３１〜ｖ３３を流れる高周波信号がコイルＬ３の磁界の影響を受けることが抑制される。

（その他の実施形態）
なお、本発明に係るコモンモードチョークコイル及び電子機器は、前記実施形態に係るコモンモードチョークコイル１０，３１０及び電子機器１００に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、コモンモードチョークコイル１０，３１０は、逐次圧着法で作製されているが、例えば、印刷法やフォトリソグラフィ法等のその他の方法で作製されてもよい。印刷法は、セラミックスラリーの塗布と導電性ペーストの塗布とが交互に繰り返される方法である。フォトリソグラフィ法では、樹脂からなる絶縁体層１６ａ〜１６ｗをフォトリソグラフィ法により形成する方法である。

なお、絶縁体層１６ａ〜１６ｗの材料はＬＴＣＣであるとしたが、樹脂材料など、ＬＴＣＣ以外の材料が用いられてもよい。絶縁体層１６ａ〜１６ｗの材料として、フェライト等の磁性体材料が用いられてもよい。ただし、磁性体材料を用いた場合、高周波帯域において損失が増加する傾向にあるので、絶縁体層１６ａ〜１６ｗの材料としては、高周波帯域において損失が発生しにくい非磁性体材料を利用することが好ましい。

なお、コモンモードチョークコイル１０において用いた各共振周波数は、一例であり、他の周波数であってもよい。

なお、コイル導体層３０ａ，３０ｂの上流端ｔ２及び下流端ｔ４の幅は、コイル導体層３０ａ，３０ｂの上流端ｔ２及び下流端ｔ４以外の部分の幅と等しくてもよい。

なお、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが略等しいとは、例えば、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが一致している場合、及び、周波数ｆ１と周波数ｆ２との差が数百ＭＨｚ程度である場合を含む概念である。ただし、少なくとも周波数ｆ１及び周波数ｆ２が周波数ｆａ以上周波数ｆｂ以下の範囲に収まっていれば、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが略等しいと呼ぶものとする。

また、コモンモードチョークコイル１０では、１つの並列共振回路ＬＣが設けられているが、２つ以上の並列共振回路ＬＣが設けられていてもよい。２つ以上の並列共振回路ＬＣのコイルＬ３はそれぞれ、コイルＬ１，Ｌ２に対して磁界結合するものとする。これにより、コモンモードノイズの通過特性における減衰極を３以上形成することが可能となる。

以上のように、本発明は、コモンモードチョークコイル及び電子機器に有用であり、特に、複数の減衰極を形成でき、かつ、伝送損失を低減できる点において優れている。

１０，３１０：コモンモードチョークコイル
１２：素体
１４ａ〜１４ｄ，１１４ａ，１１４ｂ：外部電極
１６ａ〜１６ｗ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｓ，２０ａ〜２０ｓ，３０ａ，３０ｂ：コイル導体層
２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂ：引き出し導体層
１００：電子機器
Ｃ１〜Ｃ３：コンデンサ
Ｃｐ１，Ｃｐ２：寄生容量
１２０：インターフェースＩＣ
Ｌ１〜Ｌ５：コイル
ＬＣ，ＬＣ１，ＬＣ２：並列共振回路
Ｌａ，Ｌｂ：コイル
Ｌｐ１〜Ｌｐ４：コイル部
ＭＣ：主回路
Ｒ１〜Ｒ４：軌跡
ＳＬ０：差動伝送線路
ＳＬ１，ＳＬ２：信号線路
ｔ１，ｔ４：下流端
ｔ２，ｔ３：上流端
ｖ１〜ｖ４０，ｖ５０：ビアホール導体

Claims (9)

1. 第１の信号線路及び第２の信号線路を含む差動伝送線路と、
   前記第１の信号線路に設けられている第１のコイル、前記第２の信号線路に設けられており、かつ、前記第１のコイルと磁界結合する第２のコイル、及び、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間に発生している寄生容量を含む並列共振主回路と、
   前記第１のコイル及び前記第２のコイルと磁界結合する第３のコイル、及び、該第３のコイルに電気的に並列接続されている第１のコンデンサを含む並列共振回路と、
   を備えており、
   前記並列共振主回路の第１の共振周波数と前記並列共振回路の第２の共振周波数とは、略等しく、
   互いに異なる周波数を有する２つの減衰極が形成されていること、
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
2. 複数の基材層が第１の方向に積層されることにより構成されている素体を、
   更に備えており、
   前記第１のコイル、前記第２のコイル及び前記第３のコイル及び前記第１のコンデンサは、前記基材層に設けられている導体層により構成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載のコモンモードチョークコイル。
3. 前記第１のコイル、前記第２のコイル及び前記第３のコイルは、前記第１の方向に延在する巻回軸を有する螺旋状をなしており、
   前記第１のコイルは、前記第３のコイルよりも前記第１の方向の一方側に位置する第１のコイル部及び該第３のコイルよりも該第１の方向の他方側に位置する第２のコイル部を含んでおり、
   前記第２のコイルは、前記第３のコイルよりも前記第１の方向の一方側に位置する第３のコイル部及び該第３のコイルよりも該第１の方向の他方側に位置する第４のコイル部を含んでいること、
   を特徴とする請求項２に記載のコモンモードチョークコイル。
4. 前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、互いに並走するように周回しており、
   前記第１のコイルの径及び前記第２のコイルの径は、該第１のコイル及び該第２のコイルが１周する度に、第１の径と該第１の径よりも大きい第２の径とに変化すること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載のコモンモードチョークコイル。
5. 前記複数の基材層は、第１の基材層及び第２の基材層を含んでおり、
   前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、互いに並走するように周回しており、
   前記第１のコイルは、複数の第１のコイル導体層及び該複数の第１のコイル導体層を接続する１以上の第１の層間接続導体を含んでおり、
   前記第２のコイルは、複数の第２のコイル導体層及び該複数の第２のコイル導体層を接続する１以上の第２の層間接続導体を含んでおり、
   前記複数の第１のコイル導体層及び前記複数の第２のコイル導体層は、１／２周分の長さを有しており、
   前記第１の基材層上に設けられている１つの前記第１のコイル導体層と１つの前記第２のコイル導体層との第１の組み合わせと、前記第２の基材層上に設けられている１つの前記第１のコイル導体層と１つの前記第２のコイル導体層との第２の組み合わせとが、前記第１の方向において交互に並んでおり、
   前記第１の組み合わせでは、前記第２のコイル導体層が前記第１のコイル導体層よりも内周側に位置した状態で周回しており、
   前記第２の組み合わせでは、前記第２のコイル導体層が前記第１のコイル導体層よりも外周側に位置した状態で周回していること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載のコモンモードチョークコイル。
6. 前記第３のコイルは、前記基材層を介して対向する２つの第３のコイル導体層を含んでおり、
   前記第１のコンデンサは、前記２つの第３のコイル導体層の間に形成されている容量であること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載のコモンモードチョークコイル。
7. 前記第３のコイルは、第１の端部及び第２の端部を有する２つの第３のコイル導体層、及び、第３の層間接続導体を含んでおり、
   前記第３の層間接続導体は、前記基材層を前記第１の方向に貫通することにより、前記２つの第３のコイル導体層の前記第１の端部同士を接続しており、
   前記２つの第３のコイル導体層の前記第２の端部の幅は、該２つの第３のコイル導体層の前記第１の端部及び該第２の端部を除く部分の幅よりも大きく、
   前記２つの第３のコイル導体層の前記第２の端部は、前記基材層を介して対向していること、
   を特徴とする請求項６に記載のコモンモードチョークコイル。
8. 前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、前記第１の方向に延在する巻回軸を有する螺旋状をなしており、
   前記第２の端部は、前記第１の方向から見たときに、前記第１のコイル及び前記第２のコイルに囲まれている領域の中心とは重なっていないこと、
   を特徴とする請求項７に記載のコモンモードチョークコイル。
9. 電気回路と、
   コモンモードチョークコイルと、
   を備えており、
   前記コモンモードチョークコイルは、
   前記電気回路に電気的に接続されている第１の信号線路及び第２の信号線路を含む差動伝送線路と、
   前記第１の信号線路に設けられている第１のコイル、前記第２の信号線路に設けられており、かつ、前記第１のコイルと磁界結合する第２のコイル、及び、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間に発生している寄生容量を含む並列共振主回路と、
   前記第１のコイル及び前記第２のコイルと磁界結合する第３のコイル、及び、該第３のコイルに電気的に並列接続されている第１のコンデンサを含む並列共振回路と、
   を備えており、
   前記並列共振主回路の第１の共振周波数と前記並列共振回路の第２の共振周波数とは、略等しく、
   互いに異なる周波数を有する２つの減衰極が形成されていること、
   を特徴とする電子機器。
   

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