TWI516025B - 低通濾波器 - Google Patents

Description

低通濾波器

本發明係關於低通濾波器，尤其關於內設有線圈之低通濾波器。

作為現有之低通濾波器，例如已知有專利文獻1記載之積層型低通濾波器。專利文獻1記載之積層型低通濾波器中藉由積層基板、第1線圈、第2線圈、以及電容器所構成。積層基板係將複數個電介質層積層而構成。第1線圈及第2線圈係藉由貫通電介質層之導通孔導體將形成於電介質層上之複數個導體層進行連接而呈螺旋狀。第1線圈、第2線圈、以及電容器係內設於積層基板，構成T型低通濾波器。

此外，於專利文獻1記載之積層型低通濾波器中，要求通帶之低頻化。為使通帶低頻化，可列舉出增大第1線圈及第2線圈之電感之方法。因此，只要增加第1線圈及第2線圈之導體層數即可。

然而，專利文獻1記載之積層型低通濾波器係存在若增大第1線圈及第2線圈之電感，則Q值下降之問題。更詳細而言，第1線圈及第2線圈係藉由將導體層引出至積層基板之側面，與設置於積層基板之側面之外部電極連接。而且，將積層型低通濾波器安裝於電路基板時，外部電極係於其底面與電路基板之連接盤(land)接觸。因此， 從電路基板輸入積層型低通濾波器之高頻信號係從外部電極之底面向積層方向之上方前進，從導體層與外部電極連接之部分輸入於第1線圈。又，通過了第1線圈及第2線圈之高頻信號係從導體層與外部電極連接之部分將外部電極朝向積層方向之下方前進，從外部電極之底面輸入電路基板。

於上述之積層型低通濾波器中，若第1線圈及第2線圈之導體層數增加，從外部電極之底面至導體層與外部電極之連接部分為止之距離變長，則積層型低通濾波器之電阻值增大。其結果，積層型低通濾波器之Q值下降。

現有技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-187418號公報

因此，本發明之目在於提供可抑制Q值下降之同時增大線圈之電感值之低通濾波器。

本發明之一形態之低通濾波器，其特徵在於，具備：積層體，將複數個絕緣體層積層而構成，且於積層方向之一側具有構裝面；第1外部電極，設置於前述積層體之表面；第1線圈，內設於前述積層體，且具有於積層方向延伸之中心軸，呈於積層方向之一側具有一端、於積層方向之另一側具有另一端之螺旋狀；以及第1導通孔導體，從 前述第1線圈之另一端向積層方向之一側延伸；前述第1外部電極與前述第1線圈之另一端係透過前述第1導通孔導體電連接。

根據本發明，可抑制Q值下降之同時增大線圈之電感值。

以下，參照附圖，對本發明之實施形態之低通濾波器進行說明。

(第1實施形態)

(低通濾波器之構成)

以下，參照附圖，對本發明之第1實施形態之低通濾波器之構成進行說明。圖1係第1實施形態之低通濾波器10a之等效電路圖。

如圖1所示，低通濾波器10a具備：線圈部L1、L2、電容器C1~C3、以及外部電極14(14a~14d)。外部電極14a為輸入端子，外部電極14b為輸出端子，外部電極14c、14d為接地端子。

線圈部L1、L2係串聯於外部電極14a、14b之間。電容器C1係連接於外部電極14a與外部電極14c、14d之間。電容器C2係連接於線圈部L1、L2之間、與外部電極14c、14d之間。電容器C3係連接於外部電極14b與外部電極14c、14d之間。

如上述構成之低通濾波器10a係將從外部電極14a輸入之高頻信號內、具有較即定頻率低之頻率之高頻信號進行輸出。

其次，參照附圖，對低通濾波器10a之具體構成進行說明。圖2係圖1之低通濾波器10a之外觀立體圖。圖3係圖2之低通濾波器10a之積層體12之分解立體圖。以下，將低通濾波器10a之積層方向定義為z軸方向，將從z軸方向俯視時之低通濾波器10a之長邊進行延伸之方向定義為x軸方向，將從z軸方向俯視時之低通濾波器10a之短邊進行延伸之方向定義為y軸方向。

如圖2及圖3所示，低通濾波器10a具備：積層體12、外部電極14(14a~14d)、線圈L10、L20、電容器C1~C3、以及導通孔導體v7、v14、v16~v21。

如圖3所示，積層體12係將絕緣體層16a~16j從z軸方向之正方向側向負方向側依序進行排列之方式積層而構成，呈圖2所示之長方體形狀。積層體12係於z軸方向之負方向側中具有構裝面(下表面)。絕緣體層16為長方形之電介質層。以下，將絕緣體層16之z軸方向之正方向側之主面稱為表面，將絕緣體層16之z軸方向之負方向側之主面稱為背面。

外部電極14(14a~14d)係設置於積層體12之表面。具體而言，外部電極14a係如圖2所示，覆蓋x軸方向之負方向側之端面，並且亦折返於z軸方向之上側之上表面及z軸方向之負方向側之下表面。外部電極14b係如圖2所示， 覆蓋x軸方向之正方向側之端面，並且亦折返於z軸方向之上側之上表面及z軸方向之負方向側之下表面。外部電極14c係如圖2所示，設置於y軸方向之負方向側之側面，並且亦折返於z軸方向之上側之上表面及z軸方向之負方向側之下表面。外部電極14d係如圖2所示，設置於y軸方向之正方向側之側面，並且亦折返於z軸方向之上側之上表面及z軸方向之負方向側之下表面。

線圈L10係內設於積層體12，且具有於z軸方向延伸之中心軸之螺旋狀。更詳細而言，線圈L10係由線圈導體18(18a~18f)及導通孔導體v1~v6、v15所構成，以一邊於逆時針方向旋轉一邊從z軸方向之正方向側向負方向側前進之螺旋狀。因此，線圈L10具有z軸方向之正方向側之端部及z軸方向之負方向側之端部。

線圈導體18a~18f分別設置於絕緣體層16b~16g之表面上，為四方形狀之環狀之一部分缺口之線狀導體。線圈導體18係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。線圈導體18a、18b具有相同形狀，線圈導體18d、18e具有相同之形狀。以下，於線圈導體18中，將逆時針方向之上游側之端部稱為上游端，將逆時針方向之下游側之端部稱為下游端。

導通孔導體v1係於z軸方向貫通絕緣體層16b，而連接線圈導體18a之下游端與線圈導體18b之下游端。導通孔導體v2係於z軸方向貫通絕緣體層16c，而連接線圈導體18b之下游端與線圈導體18c之上游端。導通孔導體v3係 於z軸方向貫通絕緣體層16d，而連接線圈導體18c之下游端與線圈導體18d之上游端。導通孔導體v4係於z軸方向貫通絕緣體層16e，而連接線圈導體18d之上游端與線圈導體18e之上游端。導通孔導體v5係於z軸方向貫通絕緣體層16e，而連接線圈導體18d之下游端與線圈導體18e之下游端。導通孔導體v6係於z軸方向貫通絕緣體層16f，而連接線圈導體18e之下游端與線圈導體18f之上游端。導通孔導體係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。

導通孔導體v7係從線圈L10之z軸方向之負方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。即，導通孔導體v7係於z軸方向貫通絕緣體層16g，而與線圈導體18f之下游端連接。

導通孔導體v15~v21分別於z軸方向貫通絕緣體層16b~16h，藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v15係連接線圈導體18a之上游端與線圈導體18b之上游端。導通孔導體v16之z軸方向之正方向側之端部係與線圈導體18b之上游端連接。藉此，導通孔導體v15~v21係從線圈L10之z軸方向之正方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。

如上述構成之線圈L10、導通孔導體v7、v16~v21係構成線圈部L1。即，線圈部L1係具有將由線圈L10所構成之螺旋狀線圈、與具有與yz平面大致平行之環面之環狀線圈進行組合而成之構造。

線圈L20係內設於積層體12，且具有於z軸方向延伸 之中心軸之螺旋狀。更詳細而言，線圈L20係由線圈導體20(20a~20f)及導通孔導體v8~v13所構成，一邊於順時針方向旋轉一邊從z軸方向之正方向側向負方向側前進之螺旋狀。因此，線圈L20係具有z軸方向之正方向側之端部及z軸方向之負方向側之端部。

線圈導體20a~20f分別設置於絕緣體層16b~16g之表面上，為四方形狀之環狀之一部分缺口之線狀導體。線圈導體20係例如由Cu等導電性材料所構成之導體層。線圈導體20a、20b係具有相同形狀，線圈導體20d、20e係具有相同形狀。以下，於線圈導體20中，將順時針方向之上游側之端部稱為上游端，將順時針方向之下游側之端部稱為下游端。線圈導體20a之上游端係與線圈導體18a之上游端連接。

導通孔導體v8係於z軸方向貫通絕緣體層16b，而連接線圈導體20a之下游端與線圈導體20b之下游端。導通孔導體v9係於z軸方向貫通絕緣體層16c，而連接線圈導體20b之下游端與線圈導體20c之上游端。導通孔導體v10係於z軸方向貫通絕緣體層16d，而連接線圈導體20c之下游端與線圈導體20d之上游端。導通孔導體v11係於z軸方向貫通絕緣體層16e，而連接線圈導體20d之上游端與線圈導體20e之上游端。導通孔導體v12係於z軸方向貫通絕緣體層16e，而連接線圈導體20d之下游端與線圈導體20e之下游端。導通孔導體v13係於z軸方向貫通絕緣體層16f，而連接線圈導體20e之下游端與線圈導體20f之上游端。

導通孔導體v14係從線圈L20之z軸方向之負方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。即，導通孔導體v14係於z軸方向貫通絕緣體層16g，而與線圈導體20f之下游端連接。

導通孔導體v15係連接線圈導體20a之上游端與線圈導體20b之上游端。導通孔導體v16之z軸方向之正方向側之端部係與線圈導體20b之上游端連接。藉此，導通孔導體v15~v21係從線圈L20之z軸方向之正方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。

如上述構成之線圈L20、導通孔導體v16~v21係構成線圈部L2。即，線圈部L2係具有將由線圈L20所構成之螺旋狀線圈、與具有與yz平面大致平行之環面之環狀線圈進行組合而成之構造。

電容器C1係由電容器導體22及接地導體28所構成。電容器導體22係設置於絕緣體層16h之表面上，為長方形狀之導體。電容器導體22例如係由Cu等導電性材料所構成之導體。導通孔導體v7之z軸方向之負方向側之端部係與電容器導體22連接。又，藉由電容器導體22被引出於絕緣體層16h之x軸方向之負方向側之短邊，而與外部電極14a連接。藉此，線圈部L1之一端係與外部電極14a連接。

接地導體28係設置於絕緣體層16j之表面上，為長方形狀之導體。接地導體28係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。接地導體28係透過絕緣體層16h、16i與電容器 導體22相對向。藉此，於電容器導體22與接地導體28之間形成電容。進而，藉由接地導體28被引出於絕緣體層16j之y軸方向之兩側之長邊，而與外部電極14c、14d連接。藉此，電容器C1係連接於外部電極14a與外部電極14c、14d之間。

電容器C3係由電容器導體24及接地導體28所構成。電容器導體24係設置於絕緣體層16h之表面上，為長方形狀之導體。電容器導體24係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。導通孔導體v14之z軸方向之負方向側之端部係與電容器導體24連接。又，電容器導體24被引出於絕緣體層16h之x軸方向之正方向側之短邊，而與外部電極14b連接。藉此，線圈部L2之一端係與外部電極14b連接。

又，接地導體28係透過絕緣體層16h、16i與電容器導體24相對向。藉此，於電容器導體24與接地導體28之間形成電容。進而，接地導體28被引出於絕緣體層16j之y軸方向之兩側之長邊，而與外部電極14c、14d連接。藉此，電容器C3係連接於外部電極14b與外部電極14c、14d之間。

電容器C2係由電容器導體26及接地導體28所構成。電容器導體26係設置於絕緣體層16i之表面上，為長方形狀之導體。電容器導體26係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。導通孔導體v21之z軸方向之負方向側之端部係與電容器導體26連接。

又，接地導體28係透過絕緣體層16i與電容器導體26 相對向。藉此，於電容器導體26與接地導體28之間形成電容。進而，接地導體28被引出於絕緣體層16j之y軸方向之兩側之長邊，而與外部電極14c、14d連接。藉此，電容器C2係連接於線圈L10、L20之間、與外部電極14c、14d之間。即，線圈L10、L20之z軸方向之正方向側之端部係透過導通孔導體v15~v21及電容器C2與外部電極14c、14d電連接。

於如上述構成之低通濾波器10a中，將外部電極14a用作為輸入端子，將外部電極14b用作為輸出端子，將外部電極14c、14d用作為接地端子。藉此，若從外部電極14a輸入高頻信號，則從外部電極14b輸出具有較即定頻率要低之頻率之高頻信號。

(低通濾波器之製造方法)

其次，參照圖2及圖3，對低通濾波器10a之製造方法進行說明。

首先，準備將成為絕緣體層16a~16j之陶瓷坯片(Ceramic green sheet)。其次，分別將成為絕緣體層16b~16h之陶瓷坯片上形成導通孔導體v1~v21。於形成導通孔導體v1~v21時，將雷射光束照射至將成為絕緣體層16b~16h之陶瓷坯片，而形成導通孔。其次，藉由印刷塗布等方法將Cu等導電性糊填充於相對之前述導通孔。

其次，藉由網印(screen printing)法或光微影(photolithography)法等方法將以Cu等為主要成分之導電性糊料塗布於成為絕緣體層16b~16j之陶瓷坯片之表面 上，而形成線圈導體18、20、電容器導體22、24、26以及接地導體28。此外，亦可於形成線圈導體18、20、電容器導體22、24、26以及接地導體28時，對導通孔填充導電性糊料。

其次，將各陶瓷坯片積層。具體而言，將成為絕緣體層16a~16j之陶瓷坯片以從z軸方向之正方向側向負方向側依序進行排列之方式來一片一片積層及壓接。藉由以上之步驟，形成母積層體。藉由均壓(isostatic pressing)等於該母積層體實施正式壓接。

其次，藉由切刀切割母積層體獲得即定尺寸之積層體12。此後，於未燒成之積層體12實施脫膠(debinding)處理及燒成。

藉由以上之步驟，獲得燒成後之積層體12。於積層體12實施桶加工，並進行去角。

最後，藉由由Ag所構成之導電性糊料塗布於積層體12之表面，而形成基底電極。進一步，於基底電極之表面實施電鍍Ni/電鍍Sn，而形成外部電極14。經過以上之步驟，完成圖1及圖2所示之低通濾波器10a。

(效果)

如上述構成之低通濾波器10a中，可抑制Q值下降之同時，增大線圈部L1、L2之電感值。更詳細而言，於低通濾波器10a中，導通孔導體v15~v21係從線圈L10、L20之z軸方向之正方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。而且，外部電極14c、14d、與線圈L10、L20之z軸方向之 正方向側之端部，係透過導通孔導體v15~v21電連接。此處，相比外部電極14c、14d之剖面積可容易地增大導通孔導體v15~v21之剖面積。因此，容易地使導通孔導體v15~v21之電阻值低於外部電極14c、14d之電阻值。因此，於低通濾波器10a中，容易地降低線圈L10、L20與外部電極14c、14d之間之電阻值。因此，即使為了增大線圈部L1、L2之電感值而增加線圈導體18、20之數量、增加線圈L10、L20與外部電極14c、14d之間之距離，亦可將線圈L10、L20與外部電極14c、14d之間之電阻值之增加抑制得較低。其結果係，於低通濾波器10a中，可抑制Q值下降之同時，增大線圈部L1、L2之電感值。

又，於線圈L10及線圈L20中，於z軸方向產生磁場。另一方面，由於線圈部L1及線圈部L2具有與yz平面平行之環面，因此，於線圈部L1及線圈部L2中，於x軸方向產生磁場。如此，由線圈L10、L20與線圈部L1、L2所產生之磁場方向彼此正交，因此不會彼此干擾。

又，於低通濾波器10a中，線圈L10、L20之z軸方向之負方向之端部係透過導通孔導體v7、v14及電容器導體22、24與外部電極14a、14b連接。因此，與將線圈L10、L20之z軸方向之正方向側之端部與外部電極14a、14b連接之情況相比，將線圈L10、L20之z軸方向之負方向之端部與外部電極14a、14b連接之情況下，從線圈L10、L20與外部電極14a、14b之連接部分至外部電極14a、14b之底面為止之距離更短。因此，低通濾波器10a之電阻值降低。 進而，即使增加線圈導體18、20之數量，從線圈L10、L20與外部電極14a、14b之連接部分至外部電極14a、14b之底面為止之距離亦不會發生變化。其結果係，於低通濾波器10a中，可抑制Q值下降之同時，增大線圈部L1、L2之電感值。

又，於低通濾波器10a中，導通孔導體v7、v14係從線圈L10、L20之z軸方向之負方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。而且，外部電極14a、14b與線圈L10、L20之z軸方向之負方向側之端部係透過導通孔導體v7、v14電連接。因此，於低通濾波器10a中，可降低線圈L10、L20之z軸方向之負方向側之端部與外部電極14a、14b之間之電阻值。

(第2實施形態)

其次，參照附圖對第2實施之低通濾波器10b進行說明。圖4係第2實施形態之低通濾波器10b之等效電路圖。

低通濾波器10b具有對低通濾波器10a追加了電容器C4、C5之構造。電容器C4係與線圈部L1並聯。電容器C5係與線圈L2並聯。

其次，參照附圖，對低通濾波器10b之具體構成進行說明。圖5係第2實施形態之低通濾波器10b之分解立體圖。以下，將低通濾波器10b之積層方向定義為z軸方向，將從z軸方向俯視時之低通濾波器10b之長邊進行延伸之方向定義為x軸方向，將從z軸方向俯視時之低通濾波器10b之短邊進行延伸之方向定義為y軸方向。此外，於圖5中， 與圖3相同之構成標示相同參照符號。

如圖5所示，低通濾波器10b具備：積層體12、外部電極44(44a~44c)、線圈L10、L20、電容器C1~C5以及導通孔導體v7、v14、v16~v43。低通濾波器10b在絕緣體層16g之z軸方向之正方向側之構造與低通濾波器10a在絕緣體層16g之z軸方向之正方向側之構造相同，因此省略說明。

外部電極44(44a~44c)係設置於積層體12之表面。具體而言，如圖5所示，外部電極44a、44c、44b係於z軸方向之負方向側之下表面，從x軸方向之負方向側向正方向側依序排列地進行設置。

電容器C1係由電容器導體52、60及接地導體58所構成。電容器導體52、60分別設置於絕緣體層16i、16l之表面上，為長方形狀之導體。電容器導體52、60係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。導通孔導體v22~v25係於z軸方向貫通絕緣體層16h~16k，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v22係將導通孔導體v7之z軸方向之負方向側之端部與電容器導體52連接。導通孔導體v25之z軸方向之負方向側之端部係與電容器導體60連接。又，導通孔導體v31、v42係於z軸方向貫通絕緣體層16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v31之z軸方向之正方向側之端部係與電容器導體60連接。導通孔導體v42之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44a連接。藉此，線圈部L1之一端與外部電極 44a電連接。

接地導體58係設置於絕緣體層16k之表面上，為十字形狀之導體。接地導體58係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。接地導體58係透過絕緣體層16i、16j與電容器導體52相對向，並透過絕緣體層16k與電容器導體60相對向。藉此，於電容器導體52、60與接地導體58之間形成電容。進而，導通孔導體v33~v35係於z軸方向貫通絕緣體層16k、16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v33之z軸方向之正方向側之端部係與接地導體58連接，導通孔導體v35之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44c連接。導通孔導體v36~v38係於z軸方向貫通絕緣體層16k、16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v36之z軸方向之正方向側之端部係與接地導體58連接，導通孔導體v38之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44c連接。導通孔導體v39~v41係於z軸方向貫通絕緣體層16k、16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v39之z軸方向之正方向側之端部係與接地導體58連接，導通孔導體v41之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44c連接。藉此，電容器C1係連接於外部電極44a與外部電極44c之間。

電容器C3係由電容器導體54、62及接地導體58所構成。電容器導體54、62分別設置於絕緣體層16i、16l之表面上，為長方形狀之導體。電容器導體54、62係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。導通孔導體v26~v29係於z 軸方向貫通絕緣體層16h~16k，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v26係將導通孔導體v14之z軸方向之負方向側之端部與電容器導體54連接。導通孔導體v29之z軸方向之負方向側之端部係與電容器導體62連接。又，導通孔導體v32、v43係於z軸方向貫通絕緣體層16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v32之z軸方向之正方向側之端部係與電容器導體62連接。導通孔導體v43之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44b連接。藉此，線圈部L2之一端係與外部電極44b電連接。

接地導體58係透過絕緣體層16i、16j與電容器導體54相對向，並透過絕緣體層16k與電容器導體62相對向。藉此，於電容器導體54、62與接地導體58之間形成電容。進而，導通孔導體v33~v35係於z軸方向貫通絕緣體層16k、16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v33之z軸方向之正方向側之端部係與接地導體58連接，導通孔導體v35之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44c連接。導通孔導體v36~v38係於z軸方向貫通絕緣體層16k、16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v36之z軸方向之正方向側之端部係與接地導體58連接，導通孔導體v38之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44c連接。導通孔導體v39~v41係於z軸方向貫通絕緣體層16k、16l、16m，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v39之z軸方向之正 方向側之端部係與接地導體58連接，導通孔導體v41之z軸方向之負方向側之端部係與外部電極44c連接。藉此，電容器C3係連接於外部電極44b與外部電極44c之間。

電容器C2係由電容器導體56及接地導體58所構成。電容器導體56係設置於絕緣體層16j之表面上，為長方形狀之導體。電容器導體56係例如由Cu等導電性材料所構成之導體。導通孔導體v30係於z軸方向貫通絕緣體層16i，而連接導通孔導體v21與電容器導體56。

又，接地導體58係透過絕緣體層16j與電容器導體56相對向。藉此，於電容器導體56與接地導體58之間形成電容。又，接地導體58係藉由導通孔導體v33~v41與外部電極44c連接。藉此，電容器C2係連接於線圈L10、L20之間、與外部電極44c之間。即，線圈L10、L20之z軸方向之正方向側之端部係透過導通孔導體v16~v21、v30、v33~v41及電容器C2與外部電極44c電連接。

電容器C4係由電容器導體50、52所構成。電容器導體50係設置於絕緣體層16h之表面上，呈兩個長方形狀之導體與線狀之導體連接之形狀。電容器導體52係透過絕緣體層16h與電容器導體50相對向。進而，導通孔導體v20、v21係與電容器導體50連接。藉此，電容器C4係與線圈部L1並聯。

電容器C5係由電容器導體50、54所構成。電容器導體54係透過絕緣體層16h與電容器導體50相對向。藉此，電容器C5係與線圈L2並聯。

於如上述構成之低通濾波器10b中，將外部電極44a用作為輸入端子，將外部電極44b用作為輸出端子，將外部電極44c用作為接地端子。藉此，若從外部電極44a輸入高頻信號，則從外部電極44b輸出具有較即定頻率要低之頻率之高頻信號。

如上述構成之低通濾波器10b中，與低通濾波器10a相同，可抑制Q值下降之同時，增大線圈部L1、L2之電感值。

又，於低通濾波器10b中，與低通濾波器10a相同，可降低線圈L10、L20之z軸方向之負方向側之端部與外部電極44a、44b之間之電阻值。

再者，於第2實施形態之低通濾波器10b中，由於於積層體12之側面未設置外部電極，因此，在線圈L10、L20及線圈部L1、L2產生之磁場不會被外部電極遮罩。因此，可抑制低通濾波器10b之Q值之下降。

(變形例)

其次，參照附圖，對變形例之低通濾波器10c進行說明。圖6係變形例之低通濾波器10c之分解立體圖。

低通濾波器10c係具有對低通濾波器10b追加了絕緣體層16n、連接導體70以及導通孔導體v65~v75之構造。此外，圖4所示低通濾波器10c之等效電路圖。

其次，參照附圖，對低通濾波器10c之具體構成進行說明。此外，於圖6中，與圖5相同之構成標示相同參照符號。

絕緣體層16n係積層於絕緣體層16h、16i之間。接地導體70係設置於絕緣體層16n之表面上，呈長方形狀。導通孔導體v21之z軸方向之負方向側之端部係與連接導體70連接。

導通孔導體v65~v71係從線圈L20之z軸方向之正方向側之端部向z軸方向之負方向側延伸。更詳細而言，導通孔導體v65~v71係於z軸方向貫通絕緣體層16b~16h，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v65之z軸方向之正方向側之端部係與線圈導體20a之上游端連接。導通孔導體v71之z軸方向之負方向側之端部係與連接導體70連接。

導通孔導體v72、v73係於z軸方向貫通絕緣體層16n、16i，並藉由彼此連接而構成1根導通孔導體。導通孔導體v72之z軸方向之正方向側之端部係與連接導體70連接。導通孔導體v73之z軸方向之負方向側之端部係與電容器導體56連接。藉此，線圈L10之z軸方向之正方向側之端部係透過導通孔導體v15~v21、v72、v73、連接導體70以及電容器C2與外部電極44c電連接。又，線圈L20之z軸方向之正方向側之端部係透過導通孔導體v65~v73、連接導體70以及電容器C2與外部電極44c電連接。

導通孔導體v74係於z軸方向貫通絕緣體層16n，而連接導通孔導體v22與導通孔導體v23。導通孔導體v75係於z軸方向貫通絕緣體層16n，而連接導通孔導體v26與導通孔導體v27。

於如上述構成之低通濾波器10c中，將外部電極44a用作為輸入端子，將外部電極44b用作為輸出端子，將外部電極44c用作為接地端子。藉此，若從外部電極44a輸入高頻信號，則從外部電極44b輸出具有較即定頻率要低之頻率之高頻信號。

於如上述構成之低通濾波器10c中，與低通濾波器10a相同，可抑制Q值下降之同時，增大線圈部L1、L2之電感值。

又，於低通濾波器10c中，與低通濾波器10a相同，可降低線圈L10、L20之z軸方向之負方向側之端部與外部電極44a、44b之間之電阻值。

又，於低通濾波器10c中，藉由調整導通孔導體v16~v21及導通孔導體v65~v71之長度、即電容器導體50在積層方向之位置，而可調整線圈部L1與線圈部L2之耦合度。

工業中的應用

如上前述，本發明係有用於低通濾波器，尤其在抑制Q值下降之同時能增大線圈之電感值方面具有優勢。

C1~C5‧‧‧電容器

L1、L2‧‧‧線圈部

L10、L20‧‧‧線圈

v1~v75‧‧‧導通孔導體

10a~10c‧‧‧低通濾波器

12‧‧‧積層體

14a~14d、44a~44c‧‧‧外部電極

16a~16n‧‧‧絕緣體層

18a~18f、20a~20f‧‧‧線圈導體

22、24、26、50、52、54、56、60、62‧‧‧電容器導體

28、58‧‧‧接地導體

70‧‧‧連接導體

圖1係第1實施形態之低通濾波器之等效電路圖。

圖2係圖1之低通濾波器之外觀立體圖。

圖3係圖2之低通濾波器之積層體之分解立體圖。

圖4係第2實施形態之低通濾波器之等效電路圖。

圖5係第2實施形態之低通濾波器之分解立體圖。

圖6係變形例之低通濾波器之分解立體圖。

C1~C3‧‧‧電容器

L1、L2‧‧‧線圈部

L10、L20‧‧‧線圈

v1~v21‧‧‧導通孔導體

12‧‧‧層疊體

16a~16j‧‧‧絕緣體層

18a~18f、20a~20f‧‧‧線圈導體

22、24、26‧‧‧電容器導體

28‧‧‧接地導體

70‧‧‧連接導體

Claims (5)

1. 一種低通濾波器，其特徵在於，具備：積層體，將複數個絕緣體層積層而構成，且於積層方向之一側具有構裝面；第1外部電極，設置於前述積層體之表面；第1線圈，內設於前述積層體，且具有沿積層方向延伸之中心軸，呈於積層方向之一側具有一端、於積層方向之另一側具有另一端之螺旋狀；第2線圈，內設於前述積層體，且具有沿積層方向延伸之中心軸，呈於積層方向之一側具有一端、於積層方向之另一側具有另一端之螺旋狀；以及第1導通孔導體，從前述第1線圈之另一端向積層方向之一側延伸；第3導通孔導體，從前述第2線圈之另一端向積層方向之一側延伸；前述第1外部電極與前述第1線圈之另一端係透過前述第1導通孔導體電連接；前述第1外部電極與前述第2線圈之另一端係透過前述第3導通孔導體電連接；前述第1線圈以逆時鐘方向纏繞；前述第2線圈以順時鐘方向纏繞。
2. 如申請專利範圍第1項之低通濾波器，其進一步具備從前述第1線圈之一端向積層方向之一側延伸之第2導通孔導體； 前述第1導通孔導體、前述第2導通孔導體、以及前述第1線圈係構成第1線圈部。
3. 如申請專利範圍第1或2項之低通濾波器，其進一步具備內設於前述積層體，且具有沿積層方向延伸之中心軸之螺旋狀第2線圈；前述第1外部電極與前述第2線圈之另一端係透過前述第1導通孔導體電連接。
4. 如申請專利範圍第1或2項之低通濾波器，其進一步具備內設於前述積層體，且連接於前述第1導通孔導體及前述第1外部電極之間之電容器；前述第1外部電極接地。
5. 如申請專利範圍第3項之低通濾波器，其進一步具備內設於前述積層體，且連接於前述第1導通孔導體及前述第1外部電極之間之電容器；前述第1外部電極接地。